JPS6366540A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6366540A JPS6366540A JP61212261A JP21226186A JPS6366540A JP S6366540 A JPS6366540 A JP S6366540A JP 61212261 A JP61212261 A JP 61212261A JP 21226186 A JP21226186 A JP 21226186A JP S6366540 A JPS6366540 A JP S6366540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polyamic acid
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ポリイミド配向膜を備えた液晶表示装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
従来の技術
一般K、液晶表示装置において、良好な表示特性を得る
ためには、液晶を一定方向に配向させ、単結晶(モノド
メイン)化する必要がある。液晶をモノドメイン化する
ためには、界面効果により、液晶を一定方向に配列させ
る必要があシ、そのために液晶表示装置には、必ず配向
膜が設けられている。
ためには、液晶を一定方向に配向させ、単結晶(モノド
メイン)化する必要がある。液晶をモノドメイン化する
ためには、界面効果により、液晶を一定方向に配列させ
る必要があシ、そのために液晶表示装置には、必ず配向
膜が設けられている。
配向膜の材料としては、51o2等の無機蒸着膜やポリ
イミド、ポリビニルアルコールのよウナ有機高分子薄膜
等が挙げられるが、製膜の容易さ、配向の安定性、信頼
性等の点から、ポリイミド膜をやわらかめ布でラビング
処理したものが広く使用さ九ている。
イミド、ポリビニルアルコールのよウナ有機高分子薄膜
等が挙げられるが、製膜の容易さ、配向の安定性、信頼
性等の点から、ポリイミド膜をやわらかめ布でラビング
処理したものが広く使用さ九ている。
ポリイミド膜は、たとえばピロメリット酸無水物と4.
4′−ジアミノフェニルエーテルから得られるようなポ
リアミド酸の溶液を、基板上にスピンコード、印刷等に
よシ塗布した後、約300℃で30分から2時間程度焼
成することKより脱水縮合させて得られる。このように
従来的3oo℃の高温処理により、構造式(1)で示す
ポリアミド酸膜を、はぼ100チ近くイミド化閉環した
構造式(Dで示すポリイミド膜にして、配向膜として用
いていた。
4′−ジアミノフェニルエーテルから得られるようなポ
リアミド酸の溶液を、基板上にスピンコード、印刷等に
よシ塗布した後、約300℃で30分から2時間程度焼
成することKより脱水縮合させて得られる。このように
従来的3oo℃の高温処理により、構造式(1)で示す
ポリアミド酸膜を、はぼ100チ近くイミド化閉環した
構造式(Dで示すポリイミド膜にして、配向膜として用
いていた。
(II)
ところで、配向膜の形成は、液晶表示装置の基板上で直
接行う必要があり、しかも、当然、液晶と接する表面に
形成する必要がある。そこで、アクティブマトリクス駆
動方式で基板上にTFTを形成したシ、カラー表示のた
めのカラーフィルタを基板上に形成する場合は、これら
を形成した後に、ポリアミド酸溶液を塗布し、熱処理に
よってイミド化反応を進行させ、ポリイミド配向膜を形
成しなくてはならな−。
接行う必要があり、しかも、当然、液晶と接する表面に
形成する必要がある。そこで、アクティブマトリクス駆
動方式で基板上にTFTを形成したシ、カラー表示のた
めのカラーフィルタを基板上に形成する場合は、これら
を形成した後に、ポリアミド酸溶液を塗布し、熱処理に
よってイミド化反応を進行させ、ポリイミド配向膜を形
成しなくてはならな−。
したがって、プラスチックフィルムのような耐熱性の低
い基板を用いた場合や、基板上に設けたTPTや、カラ
ーフィルタ等が高温処理によシ特性の劣化を起こすよう
な場合には、約300℃という高温処理は行えない。
い基板を用いた場合や、基板上に設けたTPTや、カラ
ーフィルタ等が高温処理によシ特性の劣化を起こすよう
な場合には、約300℃という高温処理は行えない。
イミド化反応を80%以上進行させるためには、一般に
、少なくとも200℃以上の熱処理温度が必要である。
、少なくとも200℃以上の熱処理温度が必要である。
しかし、プラスチック基板や、高分子材料を用いたカラ
ーフィルタなどでは、200℃以上の熱処理温度には、
はとんど耐えられず、200℃以下の温度で熱処理する
必要がある。アモルファスシリコンTPT等においても
、高温処理は特性変動を起こすことから、200℃以下
で熱処理することが好ましい。
ーフィルタなどでは、200℃以上の熱処理温度には、
はとんど耐えられず、200℃以下の温度で熱処理する
必要がある。アモルファスシリコンTPT等においても
、高温処理は特性変動を起こすことから、200℃以下
で熱処理することが好ましい。
このような200℃以下の熱処理温度では、一般にイミ
ド化反応は80%以下しか進行せず、ポリイミド−ポリ
アミド酸共存膜となる。・そして、このようなポリイミ
ド−ポリアミド酸共存膜を配向膜として用いて液晶表示
装置を構成すると、以下に示すような問題がある。
ド化反応は80%以下しか進行せず、ポリイミド−ポリ
アミド酸共存膜となる。・そして、このようなポリイミ
ド−ポリアミド酸共存膜を配向膜として用いて液晶表示
装置を構成すると、以下に示すような問題がある。
たとえば、ポリイミド−ポリアミド酸共存膜は、はぼ1
00%イミド化が完結した膜に比べて、膜質がやわらか
い。そのため、液晶層内にゴミ等の異物が存在する場合
、対向ショートを起こしやすい。
00%イミド化が完結した膜に比べて、膜質がやわらか
い。そのため、液晶層内にゴミ等の異物が存在する場合
、対向ショートを起こしやすい。
また、はぼ100%イミド化した膜に比べて、おそらく
、残存するアミド酸が原因して、電気抵抗が低いため、
とくにアクティブマトリクス方式においては、画面のち
らつき等、画質低下の原因となる。
、残存するアミド酸が原因して、電気抵抗が低いため、
とくにアクティブマトリクス方式においては、画面のち
らつき等、画質低下の原因となる。
さらに、吸湿性が高いことなどから考えて、液晶表示装
置の信頼性の観点からも、問題が発生する可能性がある
。
置の信頼性の観点からも、問題が発生する可能性がある
。
このような、問題点を解決するためには、200℃、好
ましくは、それ以下の温度で、少なくとも80%以上、
イミド化反応を完結させる必要がある。そのだめの方法
として、2つの方法が提案されている。
ましくは、それ以下の温度で、少なくとも80%以上、
イミド化反応を完結させる必要がある。そのだめの方法
として、2つの方法が提案されている。
1つは、可溶性ポリイミドを用いる方法で、これは、分
子構造を改変することにより、ポリイミドの溶解性を高
め、すてにイミド化が完結したポリイミド状態で溶液を
塗布し、溶媒を蒸発させることにより、ポリイミド膜を
得るものである。この方法では、確実に、はぼ1oo%
近くイミド化した膜が得られるが、得られた膜が通常の
脱水イミド化によって得られるものより、やわらかかっ
たり、湿度等の製膜環境のコントロールが難かしいなど
の欠点がある。
子構造を改変することにより、ポリイミドの溶解性を高
め、すてにイミド化が完結したポリイミド状態で溶液を
塗布し、溶媒を蒸発させることにより、ポリイミド膜を
得るものである。この方法では、確実に、はぼ1oo%
近くイミド化した膜が得られるが、得られた膜が通常の
脱水イミド化によって得られるものより、やわらかかっ
たり、湿度等の製膜環境のコントロールが難かしいなど
の欠点がある。
もう1つの方法は、イミド化反応の促進剤を加える方法
である。イミド化反応は、たとえばピリジン、キノリン
などの有機塩基や酸等により融媒作用をうけることが知
られている。溶液中では、このような促進剤を反応系中
に添加することにより、イミド化反応は、より低温で起
こるようになり、触媒を加えない場合に比べて、同温度
でより高いイミド化反応率を示す。
である。イミド化反応は、たとえばピリジン、キノリン
などの有機塩基や酸等により融媒作用をうけることが知
られている。溶液中では、このような促進剤を反応系中
に添加することにより、イミド化反応は、より低温で起
こるようになり、触媒を加えない場合に比べて、同温度
でより高いイミド化反応率を示す。
発明が解決しようとする問題点
しかし、ポリアミド酸溶液を塗布して配向膜のような数
100〜2000人程度の薄膜を形成する場合は、10
0℃以下の低温で溶媒(一般に、N−メチルピロリドン
やN、N−ジメチルアセトアミド等が用いられている)
が蒸発してしまう。
100〜2000人程度の薄膜を形成する場合は、10
0℃以下の低温で溶媒(一般に、N−メチルピロリドン
やN、N−ジメチルアセトアミド等が用いられている)
が蒸発してしまう。
このため、蒸気圧の高いイミド化促進剤を用いた場合は
、溶媒と共に留去してしまい、イミド化促進の効果が全
くない。
、溶媒と共に留去してしまい、イミド化促進の効果が全
くない。
また、蒸発しにくいイミド化促進剤を用いた場合でも、
溶媒が蒸発してしまうことによ、って・促進剤の移動度
が大きく低下してしまい、11とんど促進効果をもたら
さない。また、イミド化促進剤が、膜中にそのまま残る
ことになシ、電気特性等に、悪影響を与えることも考え
られる。
溶媒が蒸発してしまうことによ、って・促進剤の移動度
が大きく低下してしまい、11とんど促進効果をもたら
さない。また、イミド化促進剤が、膜中にそのまま残る
ことになシ、電気特性等に、悪影響を与えることも考え
られる。
、このように、ポリアミド酸溶液を塗布後、加熱イミド
化を行う場合、イミド化促進剤を用いない場合は勿論、
促進剤を用いた場合でも、通常のイミド化条件では、2
00℃以下で80係以上イミド化した配向膜は得られな
い。
化を行う場合、イミド化促進剤を用いない場合は勿論、
促進剤を用いた場合でも、通常のイミド化条件では、2
00℃以下で80係以上イミド化した配向膜は得られな
い。
問題点を解決するための手段
ポリアミド酸溶液を塗布した後、1密閉容器中加圧下に
おいて加熱する。この際、ポリアミド酸溶液中に、有機
酸無水物を含有させる。その後、常圧または減圧下に、
200℃以下の温度で加熱し、溶媒を蒸発させて、ポリ
イミド配向膜を得る。
おいて加熱する。この際、ポリアミド酸溶液中に、有機
酸無水物を含有させる。その後、常圧または減圧下に、
200℃以下の温度で加熱し、溶媒を蒸発させて、ポリ
イミド配向膜を得る。
作 用
常圧下、開放系の製膜条件では、特に配向膜のような数
100〜2000人程度の薄膜を形成する場合、ポリア
ミド酸溶液を塗布後、加熱により溶媒が、すばやく蒸発
してしまう。そのため、系が硬くなり、閉環に必要な分
子運動が抑制されて反応が停止する。反応をさらに進ま
せるためには、分子運動が可能となる軟化点以上に温度
を上げる必要がある。この軟化点は、イミド化反応率と
ともに上昇するために4so%以上のイミド化率を達成
するためには、2oo℃以上の高温で製膜する必要があ
る。
100〜2000人程度の薄膜を形成する場合、ポリア
ミド酸溶液を塗布後、加熱により溶媒が、すばやく蒸発
してしまう。そのため、系が硬くなり、閉環に必要な分
子運動が抑制されて反応が停止する。反応をさらに進ま
せるためには、分子運動が可能となる軟化点以上に温度
を上げる必要がある。この軟化点は、イミド化反応率と
ともに上昇するために4so%以上のイミド化率を達成
するためには、2oo℃以上の高温で製膜する必要があ
る。
しかし、溶媒が蒸発しないように密閉容器中、加圧下に
加熱することにより、分子運動の自由度が高まシ、さら
に、イミド化によシ発生する水を有機酸無水物で除去す
ることによって、常圧下、開放系の場合に比べて、同温
度でより高いイミド化反応率を達成できる。
加熱することにより、分子運動の自由度が高まシ、さら
に、イミド化によシ発生する水を有機酸無水物で除去す
ることによって、常圧下、開放系の場合に比べて、同温
度でより高いイミド化反応率を達成できる。
実施例
本発明の液晶表示装置の製造方法において、ポリイミド
配向膜の作製方法以外は、一般の液晶表示装置と何ら変
わりがないため、その部分について゛は省略し、ポリイ
ミド膜の作製方法についてのみ、以下C・で述べる。
配向膜の作製方法以外は、一般の液晶表示装置と何ら変
わりがないため、その部分について゛は省略し、ポリイ
ミド膜の作製方法についてのみ、以下C・で述べる。
本発明において、基板上にスピンコードまたは印刷によ
り塗布されるポリアミド酸溶液の溶媒としては、N−メ
チルピロリドン、N、N−ジメチルポルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒、
さらに、ポリナミド酸の溶解性に応じて、エチルセロン
ルプ、プチルセロンルプ、エチルカルピトール、ブチル
カルピトール、シクロヘキサノール、ジグライム、ジア
セトンアルコール等のエーテル、アルコール系溶媒を単
独で、あるいは、前記非プロトン性極性溶媒と混合して
使用できる。
り塗布されるポリアミド酸溶液の溶媒としては、N−メ
チルピロリドン、N、N−ジメチルポルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒、
さらに、ポリナミド酸の溶解性に応じて、エチルセロン
ルプ、プチルセロンルプ、エチルカルピトール、ブチル
カルピトール、シクロヘキサノール、ジグライム、ジア
セトンアルコール等のエーテル、アルコール系溶媒を単
独で、あるいは、前記非プロトン性極性溶媒と混合して
使用できる。
常圧での沸点が250℃以下の有機酸無水物としては、
無水酢酸、無水プロピオン酸等が挙げられ、これらは、
加水分解により生成する酢酸、プロピオン酸も常圧での
沸点が250℃以下である。
無水酢酸、無水プロピオン酸等が挙げられ、これらは、
加水分解により生成する酢酸、プロピオン酸も常圧での
沸点が250℃以下である。
脱水剤として用いるこれらの有機酸無水物および脱水剤
として作用した結果生成する有機酸は、最終的に溶媒と
共に蒸発してしまうことが必要な定め、常圧での沸点が
250℃以下であることが好ましい。また、脱水を効率
的に行って、イミド化を促進させるためには、有機酸無
水物を少なくとイt もポリアミド酸中のカルボキシル基の0.1.、、eル
以上、好ましくは、0.6倍モル以上加える必要がある
。
として作用した結果生成する有機酸は、最終的に溶媒と
共に蒸発してしまうことが必要な定め、常圧での沸点が
250℃以下であることが好ましい。また、脱水を効率
的に行って、イミド化を促進させるためには、有機酸無
水物を少なくとイt もポリアミド酸中のカルボキシル基の0.1.、、eル
以上、好ましくは、0.6倍モル以上加える必要がある
。
密閉容器中、加圧下に加熱する方法として;ま、ポリア
ミド溶液分塗布した基板をオートクレーブ中で加熱する
方法、熱可塑性高分子でできた袋の中に入れ、入口を熱
圧着して密閉系とした後、加熱する方法等が考えられる
。これによって、溶媒および有機酸無水物の蒸発が抑制
される。これらの場合、密閉系内に、ポリアミド溶液を
塗布した基板以外に、酸無水物の溶液(溶媒は、ポリア
ミド溶液と同一)を設置すると、蒸発抑制がさらに効果
的である。 − 以下に具体的な実施例により説明する。
ミド溶液分塗布した基板をオートクレーブ中で加熱する
方法、熱可塑性高分子でできた袋の中に入れ、入口を熱
圧着して密閉系とした後、加熱する方法等が考えられる
。これによって、溶媒および有機酸無水物の蒸発が抑制
される。これらの場合、密閉系内に、ポリアミド溶液を
塗布した基板以外に、酸無水物の溶液(溶媒は、ポリア
ミド溶液と同一)を設置すると、蒸発抑制がさらに効果
的である。 − 以下に具体的な実施例により説明する。
(実施例1)
ピロメリット酸無水物と4,4′〜ジアミノフエニルエ
ーテルより得たポリアミド酸の4wt%N−メチルピロ
リドン溶液1009に無水酢酸2、OIを加えた溶液を
調製した。この溶液をCa F2基板上にスピンコード
によって塗布シタ。
ーテルより得たポリアミド酸の4wt%N−メチルピロ
リドン溶液1009に無水酢酸2、OIを加えた溶液を
調製した。この溶液をCa F2基板上にスピンコード
によって塗布シタ。
これを、ただちに、オートクレーブに入れ、10気圧の
圧力をかけ、第1表に示したような種々の温度で1時間
加熱した後、常圧にもどし、同温度でさらに1時間加熱
した。各々の場合のイミド化反応率を、FT−IRによ
’9172oax−”付近のイミド環カルボニル基の伸
縮振動の吸光度より算出して、第1表に示した。比較例
として、上記ポリアミド酸の4wt%N−メチルピロリ
ドン溶液をCa F 2基板上にスピンコードし、常圧
下、各温度で2時間加熱した場合のイミド化反応率を同
様に算出して示した。いずれの場合も、作製したポリイ
ミド膜の膜厚は、約1000人であった。
圧力をかけ、第1表に示したような種々の温度で1時間
加熱した後、常圧にもどし、同温度でさらに1時間加熱
した。各々の場合のイミド化反応率を、FT−IRによ
’9172oax−”付近のイミド環カルボニル基の伸
縮振動の吸光度より算出して、第1表に示した。比較例
として、上記ポリアミド酸の4wt%N−メチルピロリ
ドン溶液をCa F 2基板上にスピンコードし、常圧
下、各温度で2時間加熱した場合のイミド化反応率を同
様に算出して示した。いずれの場合も、作製したポリイ
ミド膜の膜厚は、約1000人であった。
第1表よシ明らかなように、有機酸無水物を、ポリアミ
ド酸溶液中のカルボキシル基とほぼ等モル1加え、加圧
下に加熱した後、残存する溶媒。
ド酸溶液中のカルボキシル基とほぼ等モル1加え、加圧
下に加熱した後、残存する溶媒。
および有機酸無水物、有機酸分蒸発させて除去すること
によって、常圧下での同温度加熱に比べて、高いイミド
化反応率が得られる。
によって、常圧下での同温度加熱に比べて、高いイミド
化反応率が得られる。
なお、比較例においては、有機酸無水物を加えていない
が、加えた場合においても、イミド化反応率は、加えな
い場合とほぼ同様の結果であった。
が、加えた場合においても、イミド化反応率は、加えな
い場合とほぼ同様の結果であった。
第1表
このように、常圧では200℃以下で、イミド化反応率
80%以上の膜は得られないが、本実施例においては、
200℃以下、170℃においてもイミド化反応率80
%以上の膜が得られた。
80%以上の膜は得られないが、本実施例においては、
200℃以下、170℃においてもイミド化反応率80
%以上の膜が得られた。
発明の詳細
な説明したように、本発明の方法により作製した液晶表
示装置のポリイミド配向膜は、200℃以下の製衷温度
で80チ以上のイミド化反応率を達成できる。
示装置のポリイミド配向膜は、200℃以下の製衷温度
で80チ以上のイミド化反応率を達成できる。
したがって、プラスチックフィルム基板を用いfc場合
や、基板上に形成したTPTやカラーフィルタ等ンてよ
り、200℃以上の温度での製膜が不可能な場合でも、
充分にイミド化した、等性の優れたポリイミド配向膜を
得ること力;可能である。
や、基板上に形成したTPTやカラーフィルタ等ンてよ
り、200℃以上の温度での製膜が不可能な場合でも、
充分にイミド化した、等性の優れたポリイミド配向膜を
得ること力;可能である。
Claims (4)
- (1)有機高分子配向膜を形成する工程が、有機酸無水
物を含むポリアミド酸溶液を基板に塗布し、密閉容器中
加圧下、200℃以下の温度でイミド化反応を行なった
後、常圧、または減圧下に、200℃以下の温度で加熱
することにより行われることを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - (2)有機酸無水物の常圧での沸点が250℃以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶表
示装置の製造方法。 - (3)有機酸無水物の含有量が、ポリアミド酸中に存在
するカルボキシル基の0.1倍モル以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第2項に記載の液晶表示装置の
製造方法。 - (4)有機酸無水物の加水分解により生成する有機酸の
沸点が、250℃以下であることを特徴とする特許請求
の範囲第3項に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212261A JPS6366540A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212261A JPS6366540A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366540A true JPS6366540A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16619648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212261A Pending JPS6366540A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366540A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424227A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display device |
| JPH0237324A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | ポリイミド配向膜の製造方法 |
| WO1993000604A1 (fr) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Procede de production d'un film a alignement de cristaux liquides |
| JPH0843829A (ja) * | 1995-07-26 | 1996-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶配向膜材料 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61212261A patent/JPS6366540A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1993000604A1 (fr) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Procede de production d'un film a alignement de cristaux liquides |
| US5328714A (en) * | 1991-06-24 | 1994-07-12 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal orientation film |
| JPH0843829A (ja) * | 1995-07-26 | 1996-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶配向膜材料 |
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