JPH10226767A - シリカ被膜形成用塗布液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クラックのない厚膜で、しかも下地を良好な
密着性で平坦化するシリカ被膜を形成する。 【解決手段】Ａ．下記一般式で示されるハイドロトリア
ルコキシシラン ８〜３０重量％ ＨＳｉ（ＯＲ¹）a（ＯＲ²）b（ＯＲ³）c （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はＣ１〜４のアルキル基、ａ，
ｂ，ｃはいずれも０以上３以下の整数でかつａ＋ｂ＋ｃ
＝３を示す） Ｂ．下記示性式で示されるポリアルコキシシラン ＳｉＯd（ＯＲ⁴）e （式中、Ｒ⁴はメチル基またはエチル基、ｄ，ｅは0.4≦
ｄ≦1.2， 3.2≧ｅ≧1.6 を示す） Ｃ．沸点が１００℃以上１７０℃以下の有機溶媒 Ｄ．有機カルボン酸 Ｅ．スルホン酸触媒 を必須成分とし、かつＡ成分のハイドロトリアルコキシ
シランに対するＢ成分のポリアルコキシシランがＳｉ換
算のモル比で１以下であるシリカ被膜形成用塗布液。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシリカ被膜形成塗布
液に関するものである。半導体基板、ガラス、セラミッ
クス等の基材に良好な密着性でクラックなく下地を平坦
化するシリカ被膜を形成する塗布液である。特に、半導
体素子や液晶表示素子などにおける平坦化膜や保護膜に
好適に用いられるシリカ被膜を供する。

【０００２】

【従来技術】各種シリケートを原料にゾルゲル法を用い
て各種基盤にシリカ被膜を形成することが各分野で行な
われている。なかでもスピンコーティング法で薄膜を形
成する方法はその簡便さゆえ製造工程上有効な手段であ
る。具体的には超ＬＳＩの製造プロセス分野における多
層配線プロセスの配線段差の平坦化膜、液晶表示素子の
保護膜などに、スピンコーティング法でシリカ被膜を得
る方法が広く用いられている（特開昭５５−３４２５８
号公報）。ところで、近年の超ＬＳＩの高集積化、多機
能化に伴い、これらのシリカ被膜に高度な要求がなされ
ている。例えば、半導体の多層配線デバイスの平坦化膜
用途では配線の微細化に伴って、異なる配線幅の段差を
一回の塗布で平坦化するために、充分な膜厚の被膜が得
られるべく塗布液が求められる。しかし、単純に液中の
シランの濃度の高い液を塗布するなどの方法では、硬化
の際の収縮により膜にクラックが生じ、断線の原因につ
ながるという欠点がある。

【０００３】この欠点を改善すべく、収縮の小さいシリ
カ源として３官能のアルキルトリメトキシシランを用い
た塗布液が提案されている（特開昭６３−２４１０７６
号公報）。しかしながら、これより得られる膜は後工程
の酸素プラズマ処理の際に不安定であるという欠点を有
する。具体的には、プラズマのエネルギーによってＳｉ
−Ｃ構造にダメージを受けやすく、その結果、クラック
が生じる、或いは発生する有機物由来のアウトガスによ
り、またはアルキル基が酸素プラズマに損傷されて吸湿
の原因となってアルミ配線の腐食が起こりやすい等の問
題があるため、被膜形成後にプラズマ照射される部分を
選択的に除去するためのエッチバックと呼ばれる工程が
不可欠で、生産性の低下を免れない。

【０００４】低収縮で、かつ後処理工程のエッチバック
が不要な塗布液として、アウトガスの原因の有機官能基
をもたないハイドロトリアルコキシシランをシリカ源に
用いた塗布液も提案されている（特願平７−２５５０５
１）。しかし、この液はシランの縮重合反応が速いた
め、性能を発揮すべく可使時間が短いなどの問題があ
る。もし、可使時間を長くとるためにはシランの濃度を
低下するなどの方法があるが、このような塗布液からは
充分な膜厚が得られず、下地の平坦化が不十分であるな
どの問題がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術が有する欠点を克服し、特に、性能発揮のための
可使時間が長く、クラックなく厚膜の形成が可能でか
つ、半導体、ガラス、各種セラミック基材等の各種基材
に良好な密着性で下地を良好に平坦化する等の特徴を有
し、特に半導体素子や液晶表示素子などにおける平坦化
膜や保護膜に好適に用いられるシリカ被膜を塗布液を供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らはこれらの従
来の問題点に対し鋭意検討した結果、クラックなく厚膜
の形成が可能でかつ、エッチバックの後処理が不要なシ
リカ被膜を形成するには、用いるシリカ源は、硬化時の
収縮を少なくするためにアルコキシ基官能基が少ないこ
とが好ましいこと、および、後工程で熱分解しやすいＳ
ｉ−Ｃ結合を含まない膜を得るためには、Ｓｉ原子にア
ルキル基が直結しない構造のものを選ぶことが必要との
知見を得た上で、下記の成分を必須成分とする組成物を
用いることにより、シリカ被膜形成用塗布液として下記
の成分を必須成分とする組成物を用いることにより、可
使時間が長く、厚膜でもクラックなく、下地を良好に平
坦化する等の特徴を有する被膜を形成する塗布液を見出
した。すなわち本発明は、 Ａ．下記一般式で示されるハイドロトリアルコキシシラ
ン ８〜３０重量％ ＨＳｉ（ＯＲ¹）a（ＯＲ²）b（ＯＲ³）c （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はＣ１〜４のアルキル基、ａ，
ｂ，ｃはいずれも０以上３以下の整数でかつａ＋ｂ＋ｃ
＝３を示す） Ｂ．下記示性式で示されるポリアルコキシシラン ＳｉＯd（ＯＲ⁴）e （式中、Ｒ⁴はメチル基またはエチル基、ｄ，ｅは0.4≦
ｄ≦1.2， 3.2≧ｅ≧1.6 を示す） Ｃ．沸点が１００℃以上１７０℃以下の有機溶媒 Ｄ．有機カルボン酸 Ｅ．スルホン酸触媒 を必須成分とし、かつＡ成分に対するＢ成分がＳｉ換算
のモル比で１以下であるシリカ被膜形成用塗布液に存す
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の詳細を説明する。
本発明で用いられるＡ成分としては、下記一般式で示さ
れるハイドロトリアルコキシシランである。 ＨＳｉ（ＯＲ¹）a（ＯＲ²）b（ＯＲ³）c （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はＣ１〜４のアルキル基、ａ，
ｂ，ｃはいずれも０以上３以下の整数でかつａ＋ｂ＋ｃ
＝３を示す） 具体的には、通常、トリメトキシシラン，トリエトキシ
シラン，トリプロポキシシラン，トリブトキシシラン，
ジエトキシモノメトキシシラン，モノメトキシジプロポ
キシなどのハイドロトリアルコキシシランが挙げられ
る。これらのうち、トリメトキシシラン，トリエトキシ
シラン，トリプロポキシシラン，トリブトキシシランが
好ましい。Ａ成分の塗布液全体における必須濃度は８重
量％以上３０重量％以下である。８重量％よりも少ない
と膜厚が小さい膜しか得られず、下地段差の平坦化性能
が低いものとなる。逆に、３０重量％よりも多い場合、
膜厚の面内均一性が良好な膜が得られない。

【０００８】一方、Ａ成分と類似の化合物として、化学
構造上でＨの代わりにアルキル基が珪素元素に直結した
アルキルトリアルコキシシランが知られているが、これ
をＡ成分に代えて用いた場合、コーティングで得られた
膜を加熱硬化する際に３００℃以上で明らかな熱減量が
見られる。これは珪素元素に結合したアルキル基由来の
有機物の熱分解によるものであるが、デバイスプロセス
の後工程ではこれが配線の金属を腐食する原因になるの
で、本発明の塗布液ではこのようなアルキルシランを含
有しないものとするのが望ましい。本発明のＢ成分は、
下記示性式で示されるポリアルコキシシランである。 ＳｉＯd（ＯＲ⁴）e （式中、Ｒ⁴はメチル基またはエチル基、ｄ，ｅは0.4≦
ｄ≦1.2， 3.2≧ｅ≧1.6 を示す）

【０００９】この化合物を得るための方法は特に限定さ
れるものでなく、いずれの方法で得られたものも該当す
るが、例えば、テトラアルコキシシランから酸触媒下で
の部分加水分解反応およびそれに続いての縮合反応によ
って得る方法が挙げられる。示性式中のｄは縮合によっ
て生成するシロキサン結合のＳｉ原子１個当たりの平均
数、ｅはアルコキシ基の残基のＳｉ原子１個当たりの平
均数を示すものである。この方法を用いれば、ｄおよび
ｅは加水分解反応におけるテトラアルコキシシランに対
する水の量比によって変えることが出来るので、目的に
応じて所望のｄ，ｅの値を選ぶことが可能である。Ｂ成
分はＡ成分と組み合わせて用いることによって塗布液の
性能の発現時間、すなわち可使時間の延長や保存安定性
に効果を発揮するものである。すなわち、Ｂ成分はＡ成
分の高い反応性、特に、液の保存時での縮重合反応を抑
制するものである。この場合、Ｂ成分そのものの反応性
を抑制することも必要で、そのために、他の成分と混合
する前に予め部分的に縮合させることにより、分子量増
大と官能基を減少させておくことが効果的で必要とな
る。

【００１０】本発明におけるＢ成分の示性式中の値につ
いて、ｄは0.4≦ｄ≦1.2，ｅは1.6≦ｅ≦3.2の各範囲で
あり、さらに好ましい範囲は、ｄは0.6≦ｄ≦1.2，ｅは
1.6≦ｅ≦2.8の各範囲である。もし、ｄの値が０．４よ
りも小さく、ｅの値が３．２よりも大きいものをＢ成分
に用いた場合、塗布液としての性能が液の保存時間とと
もに変化しやすいものとなり、保存安定性に欠けるもの
となる。逆に、ｄの値が１．２よりも大きく、ｅの値が
１．６よりも小さい場合、塗布して得られる膜中に異物
発生による欠陥が生じやすくなり、均一性に欠けるもの
となる。本発明中でアルコキシシランとして併用するＡ
成分の効果を低下させないために、Ｂ成分の使用量はＡ
成分の使用量に対してＳｉ原子を基準としたｍｏｌ換算
で等ｍｏｌ以下で用いる。また、一般的に液全体におけ
る好適な濃度としては３重量％以上３０重量％以下であ
る。Ｂ成分の濃度がこの範囲よりも低いときは、塗布液
の保存安定性が不良で、濃度がこの範囲よりも高い場合
は、凹凸状の下地に製膜した際に、膜にクラックが生じ
やすく段差の平坦化が不完全なものとなりやすい。

【００１１】本発明のＣ成分は沸点が１００℃以上１７
０℃以下、さらに好ましくは１００℃以上１６０℃以下
の有機溶媒であれば特に限定されるものではなく、前記
Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅ成分を均一に溶解させうるものであれば
よい。具体的には、１−ペンタノール，２−ペンタノー
ル，１−ヘキサノール等の脂肪族アルコール、酢酸ブチ
ル，プロピオン酸ｎ−プロピル，ｎ−酪酸エチル，乳酸
エチル，吉草酸メチル，iso-吉草酸エチル等のエステル
類、２−ヘキサノン，３−ヘキサノン，２−ヘプタノン
等のケトン類、２−メトキシエタノール，２−エトキシ
エタノール，１−メトキシ−２−プロパノール等のエー
テルアルコール類、プロピレングリコール−１−メチル
エーテル−２−アセテート，３−メトキシプロピオン酸
メチル等のエーテルエステル類、さらにはトルエン，キ
シレン等を用いることができ、これらの溶媒は２種類以
上を混合して用いてもよい。

【００１２】これらの溶媒の沸点が１００℃よりも低い
場合、スピンコートした際に、基材の回転中における溶
媒の揮発が速すぎるため、基材上での液の展開性が悪く
なり、均一な膜厚のコートが不可能になる。その結果、
ストライエーションや膜厚の面内での不均一性が生じ
る。逆に、沸点が１７０℃よりも高い溶媒を用いた場
合、スピンコートした際に基材の回転中での溶媒の揮発
が遅い。そのために、溶媒の揮発にともなって進行する
アルコキシシランのゾルゲル反応の反応率が極めて低い
ものとなり、膜厚の小さい膜しか得られない。このよう
な効果の点からは、上記溶媒の中でも２ーメトキシエタ
ノール，２−エトキシエタノール，１−メトキシ−２−
プロパノール，１−エトキシ−２−プロパノールが特に
好ましい。また、Ａ，Ｂ，ＤおよびＥ成分の溶解性に応
じて、メタノール，エタノール，イソプロピルアルコー
ル等の低沸点の溶媒をＣ成分に混合して用いてもよい。
ただし、これらの低沸点溶媒を併用する場合には、Ｃ成
分１００重量部に対して２０重量部以下とすることが望
ましい。２０重量部を越える場合には溶媒の揮発が速く
なり、均一な膜厚の膜を得るのが困難となる。

【００１３】Ｃ成分の量は所望のシリカ分の濃度に応じ
て決めることが出来るが、一般には塗布液全成分中３０
重量％以上、好ましくは３５重量％以上、７５重量％以
下とするのが好ましい。Ｃ成分の量が３０重量％以下の
場合、スピンコートした際に液の基盤への展開性が悪
く、回転の中心部と周辺部の被膜の厚みの差が大きい。
本発明のＤ成分の有機カルボン酸はＥ成分との併用でＡ
成分とＢ成分のアルコキシシラン類ののアルコキシ基の
加酸分解反応を進行させるために必要である。具体的に
は、ギ酸，シュウ酸，フマル酸，マレイン酸，氷酢酸，
無水酢酸，プロピオン酸，ｎ−酪酸などが挙げられる。
中でも、シュウ酸，氷酢酸，プロピオン酸が液の保存安
定性の点で好ましく、必要量としてはＡ成分とＢ成分の
アルコキシ基の和の0.2当量以上1.5当量以下で決められ
るが、一般的には塗布液全体の５重量％以上３０重量％
以下の範囲で用いられる。

【００１４】Ｅ成分は、Ａ成分およびＢ成分のアルコキ
シ基とＤ成分の酸分解反応の進行に必要な触媒で、Ｄ成
分と組み合わせて用いる。具体的には、硫酸などの無機
酸のほか、ベンゼンスルホン酸，パラトルエンスルホン
酸，ナフタレン−１−スルホン酸，ナフタレン−２−ス
ルホン酸等の有機スルホン酸等の有機スルホン酸が用い
られる。添加量はＡ成分とｂ成分を加えた全アルコキシ
シラン１００重量部に対して０．１重量部以上５重量部
以下、塗布液全成分中０．０１重量％以上２．５重量％
の必要である。Ｅ成分の量がこれ以下または加えない組
成の液を塗布しても被膜は形成されない。また、同様な
シリカ被膜の塗布液として、一般にはアルコキシシラン
をシリカ源とし水により加水分解された塗布液が知られ
ているが、Ｄ成分の代わりに水を用いるとＡ成分の反応
を制御することができず、水の添加直後に室温で瞬時に
ゲル化してしまうため、実用に耐えない。したがって、
用いる各成分の水の含有量が無いまたは極力少ないこと
が好ましく、許容される水の含有量は全体の0.5重量％
好ましくは0.1重量％以下である。水の含有量がこの範
囲よりも多いとき、保存安定性が低下し、可使時間が短
縮し、塗布の際の膜厚ムラが生じやすいなどの問題が生
じる。

【００１５】本発明は上記５成分を主成分とするが、そ
の配合方法は室温で、Ｃ成分を含む溶媒にＤ成分の低級
カルボン酸とＥ成分の反応促進剤の酸を溶解した中へ、
溶媒で希釈したＡ成分のトリアルコキシシランとＢ成分
のポリアルコキシシランを添加するのが一般的である。
この混合液を室温で１日撹拌することで、所望の塗布液
が得られる。こうして得られた本発明の組成物をスピン
コート法にてセラミック，各種金属等の基材に塗布し、
次いで、溶媒を揮発後に４００℃以上で加熱硬化するこ
とで、シリカ被膜を得ることができる。以下、実施例に
より本発明をさらに詳細に説明する。

【００１６】合成例１ （ポリメトキシシロキサンＡの
製造） メタノール３７ｇにテトラメトキシシラン（Ｓｉ(ＯＣ
Ｈ₃)₄）１１７ｇを溶解し、０．０５％塩酸１１．１ｇ
を加えたものを、６５℃で２時間加熱して加水分解縮合
反応を進行させた後、さらに１００℃に昇温し、２時間
加熱してメタノールを除去することでポリメトキシシラ
ンＡを得た。ＡのＳｉ原子についてシロキサン結合数の
分布を²⁹Ｓｉ−ＮＭＲによって測定し、これよりＳｉ原
子１個当たりのシロキサン結合数の平均を求めたところ
0.8であった。すなわち、Ａの示性式はＳｉＯ_0.8(ＯＣ
Ｈ₃)_2.4となる。この示性式をもとにＡの平均分子量を
Ｓｉ原子１ｍｏｌあたりの換算で１１５．７と規定し、
以下の実施例と比較例の原料の仕込み量の計算に適用し
た。

【００１７】合成例２ （ポリメトキシシロキサンＢの
製造） メタノール３７ｇにテトラメトキシシラン（Ｓｉ(ＯＣ
Ｈ₃)₄）を１１７ｇを溶解し、０．０５％塩酸２４．９
ｇを加えたものを、合成例１と同条件で反応させ、ポリ
メトキシシランＢを得た。²⁹Ｓｉ−ＮＭＲによりＳｉ原
子のシロキサン結合数の分布の測定をもとにし、Ｓｉ原
子１個当たりのシロキサン結合数の平均を求めたところ
1.8であった。すなわち、Ｂの示性式はＳｉＯ_1.8(ＯＣ
Ｈ₃)_0.4となる。この示性式をもとにＡの平均分子量を
Ｓｉ原子１ｍｏｌあたりの換算で６９．７と規定し、以
下の実施例と比較例の原料の仕込み量の計算に適用し
た。

【００１８】実施例１ ２−エトキシエタノール３４．９ｇに氷酢酸１４．２ｇ
と濃硫酸０．１ｇを加えて撹拌した中に、２−エトキシ
エタノール３４．９ｇにハイドロトリメトキシシランの
９．２ｇ（７５ｍｍｏｌ）と合成例１で得られたポリメ
トキシシロキサンＡの６．９ｇ（６０ｍｍｏｌ）を希釈
混合した液を滴下し、室温下で１日撹拌することで塗布
液を得た。この液をさらに室温下で２日間静置した後、
シリコンウェハ基盤に滴下し、３０００回転／分の回転
速度でスピンコートした。さらにこれからすぐに１５０
℃のホットプレート上で２分間溶媒を揮発させた後、オ
ーブン中４００℃で３０分加熱硬化した。また、同様の
塗布および硬化条件で図１に示すようなシリカ質の段を
付けたシリコン基材にこの液を塗布した。得られた膜の
特性，段差の被覆特性および平坦化性能について測定し
た。また、得られた塗布液を４〜７℃に管理された低温
庫に９０日間経時保存し、保存後の液を上記と同様の条
件で塗布し、膜厚と段差の被覆特性を測定した。これら
の結果を表に示す。

【００１９】実施例２ １−メトキシ−２−プロパノール３２．９ｇに氷酢酸１
８．１ｇとベンゼンスルホン酸０．１ｇを加えて撹拌し
た中に、１−メトキシ−２−プロパノール３２．９ｇに
ハイドロトリメトキシシランの１２．２ｇ（１００ｍｍ
ｏｌ）とポリメトキシシランＡの３．９ｇ（３４ｍｍｏ
ｌ）を希釈混合した液を滴下し、室温下で１日撹拌する
ことで塗布液を得た。以下、実施例１と同種の基材に同
様の方法で塗布・硬化し、シリカ被膜を製膜した。得ら
れた膜の特性，段差の被覆特性および平坦化性能につい
て表に示す。

【００２０】比較例１ ２−エトキシエタノール２９．６ｇに氷酢酸２４．４ｇ
と濃硫酸０．１ｇを加えて撹拌した中に、２−エトキシ
エタノール２９．６ｇにハイドロトリメトキシシランの
１６．５ｇ（１３５ｍｍｏｌ）を希釈混合した液を滴下
し、室温下で１日撹拌することで塗布液を得た。以下、
実施例１と同種の基材に同様の方法で塗布・硬化し、シ
リカ被膜を製膜した。ただし、液を調製後５日で液がゲ
ル化に至ったため、その後の膜特性の測定は不可能であ
った。得られた膜の特性，段差の被覆特性および平坦化
性能について表に示す。

【００２１】比較例２ ２−エトキシエタノール２３．６ｇに氷酢酸３２．４ｇ
と濃硫酸０．１ｇを加えて撹拌した中に、２−エトキシ
エタノール２３．６ｇにテトラメトキシシラン２０．５
ｇ（１３５ｍｍｏｌ）を希釈混合した液を滴下し、室温
下で１日撹拌することで塗布液を得た。以下、実施例１
と同種の基材に同様の方法で塗布・硬化し、シリカ被膜
を製膜した。得られた膜の特性，段差の被覆特性および
平坦化性能について表に示す。

【００２２】比較例３ １−メトキシ−２−プロパノール３６．３ｇに氷酢酸１
８．１ｇとベンゼンスルホン酸０．１ｇを加えて撹拌し
た中に、１−メトキシ−２−プロパノール３６．３ｇに
ハイドロトリメトキシシランの５．５ｇ（４５ｍｍｏ
ｌ）とポリメトキシシランＡの３．９ｇ（３４ｍｍｏ
ｌ）を希釈混合した液を滴下し、室温下で１日撹拌する
ことで塗布液を得た。以下、実施例１と同種の基材に同
様の方法で塗布・硬化し、シリカ被膜を製膜した。得ら
れた膜の特性，段差の被覆特性および平坦化性能につい
て表に示す。

【００２３】比較例４ ２−エトキシエタノール３１．０ｇに氷酢酸２０．５ｇ
とパラトルエンスルホン酸０．１ｇを加えて撹拌した中
に、２−エトキシエタノール３１．０ｇにハイドロトリ
メトキシシランの１２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）とテト
ラメトキシシランモノマー５．３ｇ（３５ｍｍｏｌ）を
希釈混合した液を滴下し、室温下で１日撹拌することで
塗布液を得た。以下、実施例１と同種の基材に同様の方
法で塗布・硬化し、シリカ被膜を製膜した。得られた膜
の特性，段差の被覆特性および平坦化性能について表に
示す。

【００２４】比較例５ ２−エトキシエタノール３６．２ｇに氷酢酸１４．２ｇ
と濃硫酸０．１ｇを加えて撹拌した中に、２−エトキシ
エタノール３６．２ｇにハイドロトリメトキシシランの
９．２ｇ（７５ｍｍｏｌ）と合成例２で得られたポリメ
トキシシロキサンＢの４．２ｇ（６０ｍｍｏｌ）を希釈
混合した液を滴下し、室温下で１日撹拌することで塗布
液を得た。以下、実施例１と同条件で同種の基材に同様
の方法で塗布・硬化し、シリカ被膜を製膜したところ、
異物が多量に発生したため、膜の特性の測定ができなか
った。

【００２５】

【表１】

【００２６】（１）膜厚測定計ラムダエース（（株）大
日本スクリーン製造製）により、基盤上の塗膜から９箇
所を任意に選んで膜厚を測定値の平均 （２）９点の膜厚測定データの最大値（または最小値）
と平均値との差の絶対値を平均値で除した値（％） （３）図に示すシリコンウェハ上のSiO2段差基材上への
製膜後、断面方向からＳＥＭにて倍率10000倍で観察。
0.5μｍ幅の凹凸10箇所の断面観察で認知できるクラッ
クの数 （４）断面観察で、凹部の充填厚みを凸部の厚さで除し
た割合（％）

【００２７】

【発明の効果】表からも明らかなように、本発明により
クラックのない厚膜で下地を良好に平坦化するシリカ被
膜を形成し、かつ保存安定性の良好な塗布液を供する。

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【手続補正書】

【提出日】平成９年４月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】追加

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例で用いたシリカ質の段を付けたシリコン
基材

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ａ．下記一般式で示されるハイドロトリア
   ルコキシシラン ８〜３０重量％ ＨＳｉ（ＯＲ¹）a（ＯＲ²）b（ＯＲ³）c （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はＣ１〜４のアルキル基、 ａ，ｂ，ｃはいずれも０以上３以下の整数でかつａ＋ｂ
   ＋ｃ＝３を示す） Ｂ．下記示性式で示されるポリアルコキシシラン ＳｉＯd（ＯＲ⁴）e （式中、Ｒ⁴はメチル基またはエチル基、 ｄ，ｅは0.4≦ｄ≦1.2， 3.2≧ｅ≧1.6 を示す） Ｃ．沸点が１００℃以上１７０℃以下の有機溶媒 Ｄ．有機カルボン酸 Ｅ．スルホン酸触媒 を必須成分とし、かつＡ成分のハイドロトリアルコキシ
   シランに対するＢ成分のポリアルコキシシランがＳｉ換
   算のモル比で１以下であるシリカ被膜形成用塗布液。