JPS6367249B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6367249B2 JPS6367249B2 JP55148343A JP14834380A JPS6367249B2 JP S6367249 B2 JPS6367249 B2 JP S6367249B2 JP 55148343 A JP55148343 A JP 55148343A JP 14834380 A JP14834380 A JP 14834380A JP S6367249 B2 JPS6367249 B2 JP S6367249B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- magnetic detection
- magnetoresistive
- detection section
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型再生ヘツドに係り、さ
らに詳しくは磁気テープや磁気デイスクあるいは
磁気スケール等の磁気記録媒体の磁界を電気信号
に変換するために磁気抵抗効果を利用した磁気抵
抗効果型再生ヘツドに関するものである。
らに詳しくは磁気テープや磁気デイスクあるいは
磁気スケール等の磁気記録媒体の磁界を電気信号
に変換するために磁気抵抗効果を利用した磁気抵
抗効果型再生ヘツドに関するものである。
磁気抵抗効果素子は素子の電気抵抗Ｒが磁界に
よつて変化するもので、その変化の過程は次式で
表わされる。
よつて変化するもので、その変化の過程は次式で
表わされる。
Ｒ＝R0＋△Ｒ cos2θ (1)
この第(1)式の内容を図を用いて説明する。第１
図において符号１で示すものは磁気抵抗効果素子
で、この素子１に電流が矢印４で示す方向に流れ
ているとする。この状態で外部から磁気信号が矢
印３で示す方向に加わると強磁性体あるいはフエ
リ磁性体でできた磁気抵抗効果素子１の磁化方向
が矢印２で示す方向になつたとする。そして電流
の方向４と磁化方向２とのなす角をθとするとこ
の時の抵抗Ｒが(1)式で表わされる。(1)式において
R0は電流の流れる方向と磁化方向とが90゜をなす
時の抵抗値、△Ｒは最大抵抗変化量を示す。
図において符号１で示すものは磁気抵抗効果素子
で、この素子１に電流が矢印４で示す方向に流れ
ているとする。この状態で外部から磁気信号が矢
印３で示す方向に加わると強磁性体あるいはフエ
リ磁性体でできた磁気抵抗効果素子１の磁化方向
が矢印２で示す方向になつたとする。そして電流
の方向４と磁化方向２とのなす角をθとするとこ
の時の抵抗Ｒが(1)式で表わされる。(1)式において
R0は電流の流れる方向と磁化方向とが90゜をなす
時の抵抗値、△Ｒは最大抵抗変化量を示す。
このようにして素子は外部からの磁気信号によ
つて磁化方向が変化し、抵抗値の変化が表れる。
このような磁気検出素子の概略構造は第２図に示
す如きである。
つて磁化方向が変化し、抵抗値の変化が表れる。
このような磁気検出素子の概略構造は第２図に示
す如きである。
即ち、第２図において符号５は磁気抵抗効果素
子で、抵抗加熱蒸着、EB（真空）蒸着、スパツタ
リング、メツキ、CVDなどの薄膜堆積法によつ
て基板６の側面に形成され、厚さは0.01〜0.1μｍ
程度であり、その材料はNi−Fe合金又はNi−Co
合金が一般的である。この磁気抵抗素子５の両側
にはリード線７が薄い層をなして薄膜堆積法によ
り磁気抵抗効果素子５と電気的に接続されるよう
に形成されている。又、磁気抵抗効果素子５とリ
ード線７とはICの作成技術で知られたフオトリ
ゾグラフイーなどを利用して形状が整えられる。
子で、抵抗加熱蒸着、EB（真空）蒸着、スパツタ
リング、メツキ、CVDなどの薄膜堆積法によつ
て基板６の側面に形成され、厚さは0.01〜0.1μｍ
程度であり、その材料はNi−Fe合金又はNi−Co
合金が一般的である。この磁気抵抗素子５の両側
にはリード線７が薄い層をなして薄膜堆積法によ
り磁気抵抗効果素子５と電気的に接続されるよう
に形成されている。又、磁気抵抗効果素子５とリ
ード線７とはICの作成技術で知られたフオトリ
ゾグラフイーなどを利用して形状が整えられる。
このような構造を有する磁気検出素子は記録媒
体８上の磁化部分９からのｙ方向成分磁界を検知
し、その抵抗が変化する。
体８上の磁化部分９からのｙ方向成分磁界を検知
し、その抵抗が変化する。
このように極めて単純な構造により磁界の検出
が可能であるため、再生専用の薄膜磁気ヘツドと
して多く利用されている。そして、さらに簡略に
製造するために磁気抵抗効果素子部分とリード線
部分を同一材料で作り、一回の成膜、一回のフオ
トリゾグラフイーにより磁気検出素子を作ること
が本出願人により先に提案されている。この提案
の概略を第３図に示す。
が可能であるため、再生専用の薄膜磁気ヘツドと
して多く利用されている。そして、さらに簡略に
製造するために磁気抵抗効果素子部分とリード線
部分を同一材料で作り、一回の成膜、一回のフオ
トリゾグラフイーにより磁気検出素子を作ること
が本出願人により先に提案されている。この提案
の概略を第３図に示す。
第３図において符号１０で示す部分は磁気検出
部で、符号１１で示す部分がリード線部分であり
両者は同一材質で一体に形成されている。
部で、符号１１で示す部分がリード線部分であり
両者は同一材質で一体に形成されている。
このような一体化された検出素子は構造が簡単
で製作が容易ではあるが、外部の雑音磁界に対し
てリード線部分１１が抵抗値の変化を示し、この
リード線部分１１は磁気検出部１０と、直列に接
続された状態となつているため磁気検出部１０の
検出した抵抗変化が少い時は相対的に雑音が多く
なり、SN比の低下を招く恐れがある。雑音磁界
としてはモーターの磁界、電源トランスからの磁
界、電源リード線による磁界、あるいは地磁気な
どが考えられる。
で製作が容易ではあるが、外部の雑音磁界に対し
てリード線部分１１が抵抗値の変化を示し、この
リード線部分１１は磁気検出部１０と、直列に接
続された状態となつているため磁気検出部１０の
検出した抵抗変化が少い時は相対的に雑音が多く
なり、SN比の低下を招く恐れがある。雑音磁界
としてはモーターの磁界、電源トランスからの磁
界、電源リード線による磁界、あるいは地磁気な
どが考えられる。
一般に磁気記録装置の中ではモーターや電源ト
ランスなどからわずかながら交流磁界が出てお
り、何らかの対策が必要である。
ランスなどからわずかながら交流磁界が出てお
り、何らかの対策が必要である。
本発明は以上のような事情に鑑み成されたもの
で、磁気的な雑音に対して影響されることが少
く、SN比の極めて良好な磁気抵抗効果型再生ヘ
ツドを提供することを目的としている。
で、磁気的な雑音に対して影響されることが少
く、SN比の極めて良好な磁気抵抗効果型再生ヘ
ツドを提供することを目的としている。
本発明においては上記の目的を達成するため
に、同一基板上に同一材質で磁気抵抗効果素子と
リード線部を薄膜堆積法により形成した再生ヘツ
ドにおいて、リード線部分を流れる電流の方向が
互いに直角を成すように配置した実質的に幅の等
しい１以上の第１および第２のリード線部から構
成すると共に、これら第１および第２のリード線
部を直列に接続すると共に第１のリード線部の合
計の長さと前記第２のリード線部合計の長さを実
質的に等しくした構造を採用した。
に、同一基板上に同一材質で磁気抵抗効果素子と
リード線部を薄膜堆積法により形成した再生ヘツ
ドにおいて、リード線部分を流れる電流の方向が
互いに直角を成すように配置した実質的に幅の等
しい１以上の第１および第２のリード線部から構
成すると共に、これら第１および第２のリード線
部を直列に接続すると共に第１のリード線部の合
計の長さと前記第２のリード線部合計の長さを実
質的に等しくした構造を採用した。
以下、図面に示す実施例に基いて本発明の詳細
を説明する。
を説明する。
第４図は本発明の原理的な構成を説明するもの
で、図において全体を符号１２で示す磁気検出素
子は全体が磁気抵抗効果をもつ素材から薄膜堆積
法により形成されている。この磁気検出素子１２
は左右対称で、かつ直角に屈曲した形状を有し、
その一端の水平部は磁気検出部１３となつてお
り、この磁気検出部１３の両端部には直角に屈曲
する立ち上り部１４，１４に連続しておりこの立
ち上り部１４の他端は磁気検出部１３と平行な状
態で直角に屈曲する水平部１５，１５に連続し、
水平部１５の他端は直角に立ち上り、かつ、互に
接近した状態にある立ち上り部１６に連続し、こ
の立ち上り部１６の他端は外側に向つて水平に伸
びる水平部１７，１７に連続し、水平部１７，１
７はさらに立ち上り部１８に連続している。これ
らの各部分１４〜１８はリード線部分を構成して
いる。
で、図において全体を符号１２で示す磁気検出素
子は全体が磁気抵抗効果をもつ素材から薄膜堆積
法により形成されている。この磁気検出素子１２
は左右対称で、かつ直角に屈曲した形状を有し、
その一端の水平部は磁気検出部１３となつてお
り、この磁気検出部１３の両端部には直角に屈曲
する立ち上り部１４，１４に連続しておりこの立
ち上り部１４の他端は磁気検出部１３と平行な状
態で直角に屈曲する水平部１５，１５に連続し、
水平部１５の他端は直角に立ち上り、かつ、互に
接近した状態にある立ち上り部１６に連続し、こ
の立ち上り部１６の他端は外側に向つて水平に伸
びる水平部１７，１７に連続し、水平部１７，１
７はさらに立ち上り部１８に連続している。これ
らの各部分１４〜１８はリード線部分を構成して
いる。
従つて、立ち上り部１４を流れる電流の向きを
矢印１９で示し、水平部１５を流れる電流の向き
を矢印２０で示すと、両者は90゜の角度で方向を
変えて流れており、立ち上り部１４、水平部１５
の長さは等しくなるように形成されている。
矢印１９で示し、水平部１５を流れる電流の向き
を矢印２０で示すと、両者は90゜の角度で方向を
変えて流れており、立ち上り部１４、水平部１５
の長さは等しくなるように形成されている。
このような構造を有する磁気検出素子１２に対
して、第４図に矢印２１で示す外部磁界が印加さ
れると、これによつて生じる磁化方向は点線の矢
印２２，２３で示すように一定の方向となる。な
お、この場合、素子の膜厚が0.01〜0.05μｍと極
めて薄く、幅が10〜50μｍであるため、反磁界は
無視し得る。
して、第４図に矢印２１で示す外部磁界が印加さ
れると、これによつて生じる磁化方向は点線の矢
印２２，２３で示すように一定の方向となる。な
お、この場合、素子の膜厚が0.01〜0.05μｍと極
めて薄く、幅が10〜50μｍであるため、反磁界は
無視し得る。
以上の構造のもとに立ち上り部１４の磁化方向
である矢印２２と電流の方向である矢印１９のな
す角度をθとすると、この部分の抵抗R14は R14＝Rl＋△Rl cos2θ (2) となる。(2)式においてRlは立ち上り部１４の最小
抵抗値、△Rlは最大変化量である。
である矢印２２と電流の方向である矢印１９のな
す角度をθとすると、この部分の抵抗R14は R14＝Rl＋△Rl cos2θ (2) となる。(2)式においてRlは立ち上り部１４の最小
抵抗値、△Rlは最大変化量である。
同様にして水平部１５の抵抗R15は最小抵抗値
をRr、最大抵抗変化量△Rrとすると次式となる。
をRr、最大抵抗変化量△Rrとすると次式となる。
R15＝Rr＋△Rr cos2φ (3)
(3)式において角度φはθを用いて表現すると次
式で表わされる。
式で表わされる。
φ＝90゜−θ (4)
従つて、(3)式は次式のように変形できる。
R15＝Rr＋△Rr sin2θ (3)′
ここで、立ち上り部１４、水平部１５は直列に
接続され、さらに、Rr＝Rl、△Rr＝△Rlとなる
ように形状が設定されていれば、両者の抵抗の和
Ｒは次式のように一定値となる。
接続され、さらに、Rr＝Rl、△Rr＝△Rlとなる
ように形状が設定されていれば、両者の抵抗の和
Ｒは次式のように一定値となる。
Ｒ＝R14＋R15＝2Rr＋△Rr（cos2θ＋sin2θ）
＝2Rr＋△Rr＝一定 (5)
このようにリード線部分に第１および第２のリ
ード線部分を設け、両部分を直列に接続すると共
に、両部分を流れる電流の方向が90゜の角度をな
すように設定すれば、リード線部分と磁気検出部
とを一体に薄膜堆積法によつて形成しても、磁気
雑音に影響されず、SN比の良好な磁気検出素子、
従つて、再生ヘツドを得ることができる。
ード線部分を設け、両部分を直列に接続すると共
に、両部分を流れる電流の方向が90゜の角度をな
すように設定すれば、リード線部分と磁気検出部
とを一体に薄膜堆積法によつて形成しても、磁気
雑音に影響されず、SN比の良好な磁気検出素子、
従つて、再生ヘツドを得ることができる。
第５図は本発明の一実施例を説明するもので、
図中、第４図と同一部分または相当する部分には
同一符号を符し、その説明は省略する。
図中、第４図と同一部分または相当する部分には
同一符号を符し、その説明は省略する。
第５図において磁気検出部１３の長さを2l1、
立ち上り部１４の長さをl2とし、l1＝l2とすれば
磁気検出部１３に表われるノイズも立ち上り部１
４によりキヤンセルされ、SN比向上に効果があ
る。
立ち上り部１４の長さをl2とし、l1＝l2とすれば
磁気検出部１３に表われるノイズも立ち上り部１
４によりキヤンセルされ、SN比向上に効果があ
る。
第６図は本発明の他の実施例を説明するもの
で、図において符号１３で示す磁気検出部の両端
からは左右対称に内側に向かつて「く」の字状に
屈曲する折曲部２４，２５が連続しており、両折
曲部２４，２５は直角に交差している。そして、
折曲部２４と磁気検出部１３とは45゜の角度で交
差している。
で、図において符号１３で示す磁気検出部の両端
からは左右対称に内側に向かつて「く」の字状に
屈曲する折曲部２４，２５が連続しており、両折
曲部２４，２５は直角に交差している。そして、
折曲部２４と磁気検出部１３とは45゜の角度で交
差している。
このような構造を採用するとリード線部分の長
さを短かくし、抵抗値の低下をはかることがで
き、抵抗による熱雑音の低下をはかることができ
る。実際にはリード線部の抵抗は第６図において
磁気検出部１３の長さをＬ、磁気検出部１３から
リード線部の端部までの長さをＨとすると、同一
寸法内で第４図に示した原理の構造を採用した場
合と比較して１／√２となり、かつ、耐ノイズ性
は変らないと言う優れた効果が得られる。
さを短かくし、抵抗値の低下をはかることがで
き、抵抗による熱雑音の低下をはかることができ
る。実際にはリード線部の抵抗は第６図において
磁気検出部１３の長さをＬ、磁気検出部１３から
リード線部の端部までの長さをＨとすると、同一
寸法内で第４図に示した原理の構造を採用した場
合と比較して１／√２となり、かつ、耐ノイズ性
は変らないと言う優れた効果が得られる。
第７図は本発明のもう１つの実施例を説明する
もので、リード線部の抵抗値をできるだけ下げよ
うとする例である。リード線部分の抵抗値を下げ
たい場合にはリード線部分の許されている線幅を
全て使うことが望ましい。第７図はこのような目
的に加えて、さらに耐ノイズ特性を増大させよう
とする構造である。即ち、第７図において符号２
６で示す部分はリード線部分で、左右対称に形成
されているため、一方の側のみ示してある。この
リード線部分２６は許すかぎりの幅をもつて極め
て幅広に形成されている。しかし、このリード線
部分２６は直角に蛇行する細溝２７ａを複数条平
行にエツチングで形成することにより、同様に蛇
行する電流通路２７を複数条形成してある。符号
２８で示すものは電流通路の屈曲部を隔てるため
の溝である。
もので、リード線部の抵抗値をできるだけ下げよ
うとする例である。リード線部分の抵抗値を下げ
たい場合にはリード線部分の許されている線幅を
全て使うことが望ましい。第７図はこのような目
的に加えて、さらに耐ノイズ特性を増大させよう
とする構造である。即ち、第７図において符号２
６で示す部分はリード線部分で、左右対称に形成
されているため、一方の側のみ示してある。この
リード線部分２６は許すかぎりの幅をもつて極め
て幅広に形成されている。しかし、このリード線
部分２６は直角に蛇行する細溝２７ａを複数条平
行にエツチングで形成することにより、同様に蛇
行する電流通路２７を複数条形成してある。符号
２８で示すものは電流通路の屈曲部を隔てるため
の溝である。
今、上記のように構成された電流通路の１つを
選んでその繰り返されるパターンの１周期分AB
間を考え、磁気検出部１３と直角に電流が流れる
部分の長さをr1，r2，r3、平行に流れる部分の長
さをl1，l2とすれば、 l1＋l2＝r1＋r2＋r3＝const（一定） (6) となるような電流通路パターンを構成することが
できる。
選んでその繰り返されるパターンの１周期分AB
間を考え、磁気検出部１３と直角に電流が流れる
部分の長さをr1，r2，r3、平行に流れる部分の長
さをl1，l2とすれば、 l1＋l2＝r1＋r2＋r3＝const（一定） (6) となるような電流通路パターンを構成することが
できる。
このような構造を採用すれば、リード線部分２
６全体の断面積は増大し、抵抗の小さいリード線
部分を得ることが出来ると共に電流通路が直角に
屈曲しているため、同相のノイズを除去すること
ができ、SN比の極めて優れた再生ヘツドを得る
ことができる。
６全体の断面積は増大し、抵抗の小さいリード線
部分を得ることが出来ると共に電流通路が直角に
屈曲しているため、同相のノイズを除去すること
ができ、SN比の極めて優れた再生ヘツドを得る
ことができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、磁気的ノイズに対して影響されにくい、極め
てSN比の良好な再生ヘツドを得ることができる。
ば、磁気的ノイズに対して影響されにくい、極め
てSN比の良好な再生ヘツドを得ることができる。
第１図は磁気抵抗効果素子の原理を示す説明
図、第２図および第３図は従来の磁気抵抗効果型
再生ヘツドのそれぞれ異なつた構造を説明する斜
視図および素子部分の正面図、第４図は本発明の
原理の説明図、第５図〜第７図は本発明のそれぞ
れ異なつた実施例を説明する正面図である。 ５……磁気抵抗効果素子、６……基板、１２…
…磁気検出素子、１３……磁気検出部、１４……
立ち上り部、１５……水平部、２４，２５……屈
曲部、２６……リード線部、２７……電流通路、
２７ａ……細溝。
図、第２図および第３図は従来の磁気抵抗効果型
再生ヘツドのそれぞれ異なつた構造を説明する斜
視図および素子部分の正面図、第４図は本発明の
原理の説明図、第５図〜第７図は本発明のそれぞ
れ異なつた実施例を説明する正面図である。 ５……磁気抵抗効果素子、６……基板、１２…
…磁気検出素子、１３……磁気検出部、１４……
立ち上り部、１５……水平部、２４，２５……屈
曲部、２６……リード線部、２７……電流通路、
２７ａ……細溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 同一基板上に磁気検出部とリード線部とを薄
膜堆積法により強磁性体あるいはフエリ磁性体で
ある磁気抵抗効果素材を用いて一体形成した磁気
抵抗効果型再生ヘツドにおいて、前記リード線部
はこれに流れる電流の方向が互いに直角を成すよ
うに配置した実質的に幅の等しい第１および第２
のリード線部を夫々１以上含み、前記第１および
第２のリード線部を直列に接続すると共に該第１
のリード線部の合計の長さと前記第２のリード線
部合計の長さを実質的に等しくしたことを特徴と
する磁気抵抗効果型再生ヘツド。 ２ 磁気検出部に直接的に接続されている第１あ
るいは第２のリード線部の長さを磁気検出部の長
さの1/2としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の磁気抵抗効果型再生ヘツド。 ３ 磁気検出部に直接的に接続されている第１あ
るいは第２のリード線部を流れる電流の方向が磁
気検出部の軸線方向と45゜をなすように配置した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の磁気抵抗効果型再生ヘツド。 ４ 前記リード線部は第１および第２のリード線
部を直列接続した線条が複数条並列に形成されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の磁気抵抗効果型再生ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14834380A JPS5774819A (en) | 1980-10-24 | 1980-10-24 | Magnetic resistance effect type reproducing head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14834380A JPS5774819A (en) | 1980-10-24 | 1980-10-24 | Magnetic resistance effect type reproducing head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5774819A JPS5774819A (en) | 1982-05-11 |
| JPS6367249B2 true JPS6367249B2 (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15450640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14834380A Granted JPS5774819A (en) | 1980-10-24 | 1980-10-24 | Magnetic resistance effect type reproducing head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5774819A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592090B2 (ja) * | 1975-11-13 | 1984-01-17 | 松下電器産業株式会社 | ジキヘツド |
| JPS5668918A (en) * | 1979-11-06 | 1981-06-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Magnetic card reader |
-
1980
- 1980-10-24 JP JP14834380A patent/JPS5774819A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5774819A (en) | 1982-05-11 |
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