JPS6367762A - 樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6367762A JPS6367762A JP61212196A JP21219686A JPS6367762A JP S6367762 A JPS6367762 A JP S6367762A JP 61212196 A JP61212196 A JP 61212196A JP 21219686 A JP21219686 A JP 21219686A JP S6367762 A JPS6367762 A JP S6367762A
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- sealing resin
- semiconductor device
- etching
- resin
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
樹脂封止半導体装置に用いるリードフレームにおいて、
封止樹脂と接する面に粗化加工面を設けることにより、
封止樹脂との接合強度を高め、半導体装置における耐湿
性の劣化を防止したものである。
性の劣化を防止したものである。
本発明は、樹脂封止半導体装置用リードフレームに係り
、特に、半導体装置の耐湿性を高めるための構成に関す
。
、特に、半導体装置の耐湿性を高めるための構成に関す
。
半導体装置では、リードフレームを用いた樹脂封止が多
用されるようになって来たが、この場合、リードフレー
ムと封止樹脂との接合部を通した水分の侵入による信頼
性の低下を抑えることが重要である。
用されるようになって来たが、この場合、リードフレー
ムと封止樹脂との接合部を通した水分の侵入による信頼
性の低下を抑えることが重要である。
樹脂封止半導体装置用リードフレームの従来例は、第３
図の平面図に示すが如くである。
図の平面図に示すが如くである。
同図に示すリードフレームは、厚さ０．２ｎ程度の表面
が平滑な鉄系または銅系などの金属板からなる金属条１
から、チップパッド２、インナリード３、アウタリード
４、タイバー５など以外の部分を除去して形成されたパ
ターンが複数組並んだものであり、インナリード３の先
端部およびチップバッド２には、金などのめっきが施さ
れている。
が平滑な鉄系または銅系などの金属板からなる金属条１
から、チップパッド２、インナリード３、アウタリード
４、タイバー５など以外の部分を除去して形成されたパ
ターンが複数組並んだものであり、インナリード３の先
端部およびチップバッド２には、金などのめっきが施さ
れている。
このパターンの形成は、プレス加工またはエツチング加
工によってなされている。
工によってなされている。
このリードフレームを用いた樹脂封止半導体装置は、例
えば第４図の側断面図に示すが如くである。
えば第４図の側断面図に示すが如くである。
同図に示す半導体装置は、集積回路の形成された半導体
チップ６が、チップバッド２に固定（チップポンディン
グ）されワイヤ７によりインナリードの先端部と接続（
ワイヤボンディング）された後、封止樹脂８により封止
（樹脂成形）されてなっている。なお樹脂成形の後、リ
ードフレームの表出部はめっきが施され、不要部である
タイバー５や金属条１の周辺などは切断除去され、アウ
タリード４は所定の形状に成形されている。
チップ６が、チップバッド２に固定（チップポンディン
グ）されワイヤ７によりインナリードの先端部と接続（
ワイヤボンディング）された後、封止樹脂８により封止
（樹脂成形）されてなっている。なお樹脂成形の後、リ
ードフレームの表出部はめっきが施され、不要部である
タイバー５や金属条１の周辺などは切断除去され、アウ
タリード４は所定の形状に成形されている。
封止樹脂８はインナリード３から内側を完全に埋めてい
るので、この半導体装置は、半導体チップ６が封止樹脂
８により外界の環境から保護されている。
るので、この半導体装置は、半導体チップ６が封止樹脂
８により外界の環境から保護されている。
しかしながら、上記のリードフレームを用いた半導体装
置では、インナリード３の表面が平滑であるため、イン
ナリード３と封止樹脂８との接合部が両者の熱膨張係数
の差に起因する応力によってスリップし、そこに剥離が
発生する場合がある。
置では、インナリード３の表面が平滑であるため、イン
ナリード３と封止樹脂８との接合部が両者の熱膨張係数
の差に起因する応力によってスリップし、そこに剥離が
発生する場合がある。
そしてこの剥離の発生は、外界の水分の侵入を許すこと
になり、耐湿性の劣化による信頼性の低下を招く問題と
なる。
になり、耐湿性の劣化による信頼性の低下を招く問題と
なる。
上記問題を解決するためには、インナリード３と封止樹
脂８との接合部がスリップしないように、両者間の接合
強度を高めてやれば良い。
脂８との接合部がスリップしないように、両者間の接合
強度を高めてやれば良い。
これを実現するものとして、インナリード３を第５図の
部分斜視図に示す３ａの如くに改良したリードフレーム
がある。
部分斜視図に示す３ａの如くに改良したリードフレーム
がある。
即ちインナリード３ａには、曲げ９ａや切欠き９ｂが設
けられている。この曲げ９ａや切欠き９ｂは、封止樹脂
８と噛み合ってインナリード３ａと封止樹脂８との間の
接合強度を高め、接合部がスリップするのを防止してい
る。
けられている。この曲げ９ａや切欠き９ｂは、封止樹脂
８と噛み合ってインナリード３ａと封止樹脂８との間の
接合強度を高め、接合部がスリップするのを防止してい
る。
しかしながら、曲げ９ａや切欠き９ｂを設けることは、
リードフレームの製造設備例えばプレス型などの構成を
複雑にしてリードフレームの製造コストを高め、然も半
導体装置の高集積化に伴い微細化傾向にあるインナリー
ド３ａの形状寸法により制約されて実現困難な場合があ
る。
リードフレームの製造設備例えばプレス型などの構成を
複雑にしてリードフレームの製造コストを高め、然も半
導体装置の高集積化に伴い微細化傾向にあるインナリー
ド３ａの形状寸法により制約されて実現困難な場合があ
る。
上記問題点は、封止樹脂と接する面に粗化加工面が設け
られてなる本発明のリードフレームを用いることによっ
て解決される。
られてなる本発明のリードフレームを用いることによっ
て解決される。
本発明によれば、上記粗化加工面は、表面を梨地状にす
る化学エツチングにより形成されたものであるのが望ま
しい。
る化学エツチングにより形成されたものであるのが望ま
しい。
本リードフレームは、封止樹脂と接する面即ちインナリ
ードの表面に梨地状の粗化加工面即ち微小凹凸の形成さ
れた面が設けられており、この凹凸が封止樹脂と噛み合
うので、第５図で説明した曲げ９ａや切欠き９ｂが設け
られなくとも、インナリードと封止樹脂との間の接合強
度が高くなり、両者の接合部がスリップするのを防止す
る。
ードの表面に梨地状の粗化加工面即ち微小凹凸の形成さ
れた面が設けられており、この凹凸が封止樹脂と噛み合
うので、第５図で説明した曲げ９ａや切欠き９ｂが設け
られなくとも、インナリードと封止樹脂との間の接合強
度が高くなり、両者の接合部がスリップするのを防止す
る。
そして製造においては、曲げ９ａや切欠き９ｂが不要で
あることから、インナリードの形状寸法に制約されるこ
となく実現可能であり、然も、エツチング工程の追加を
必要とするものの、リードフレームの製造設備例えばプ
レス型などの構成を複雑にすることがないので、問題に
するようなコスト高にはならない。
あることから、インナリードの形状寸法に制約されるこ
となく実現可能であり、然も、エツチング工程の追加を
必要とするものの、リードフレームの製造設備例えばプ
レス型などの構成を複雑にすることがないので、問題に
するようなコスト高にはならない。
以下、本発明によるリードフレームの実施例について第
１図および第２図を用い説明する。
１図および第２図を用い説明する。
第１図は第３図図示従来例に相当する実施例の平面図、
第２図は実施例の粗化加工面を説明する部分側面図であ
る。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第２図は実施例の粗化加工面を説明する部分側面図であ
る。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第１図に示すリードフレームは、第３図図示従未例のイ
ンナリード３をその表面（図の上下面）が粗化加工面１
０となったインナリード３ｂに変えたものである。
ンナリード３をその表面（図の上下面）が粗化加工面１
０となったインナリード３ｂに変えたものである。
即ちこのリードフレームは、第３図で説明したプレス加
工またはエツチング加工によるパターンの形成の後、表
面を梨地状にする化学エツチングの工程が追加されて粗
化加工面１０が形成され、その後、インナリード３ｂの
先端部およびチンプバ７ド２に金などのめっきが施され
たものである。
工またはエツチング加工によるパターンの形成の後、表
面を梨地状にする化学エツチングの工程が追加されて粗
化加工面１０が形成され、その後、インナリード３ｂの
先端部およびチンプバ７ド２に金などのめっきが施され
たものである。
粗化加工面１０を形成する上記化学エツチングは、金属
条ｌの材料が鉄系の場合には、硝酸・燐酸水溶液または
硝酸・硫酸水溶液を、また銅系の場合には、クロム酸・
硫酸水溶液をエツチング液にした孔食エツチングであり
、エツチング深さは１〜３μＭ程度である。そしてエツ
チング後の表面即ち粗化加工面１０の表面は、第２図に
示す如く微小凹凸１１の形成された面となる。
条ｌの材料が鉄系の場合には、硝酸・燐酸水溶液または
硝酸・硫酸水溶液を、また銅系の場合には、クロム酸・
硫酸水溶液をエツチング液にした孔食エツチングであり
、エツチング深さは１〜３μＭ程度である。そしてエツ
チング後の表面即ち粗化加工面１０の表面は、第２図に
示す如く微小凹凸１１の形成された面となる。
このリードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の製造
は、第４図で説明したのと同様である。
は、第４図で説明したのと同様である。
かく製造された半導体装置では、封止樹脂８が粗化加工
面１０の凹凸１１と噛み合うので、インナリード３ｂと
封止樹脂８との間の接合強度が高くなり、両者間のスリ
ップによる剥離の発生が防止される。
面１０の凹凸１１と噛み合うので、インナリード３ｂと
封止樹脂８との間の接合強度が高くなり、両者間のスリ
ップによる剥離の発生が防止される。
従って、耐湿性の劣化による信頼性の低下が抑えられる
。
。
なお粗化加工面１０の領域は、上記実施例で哄インナリ
ード３ｂの全長となっているが、その一部であっても封
止樹脂８との間のスリップ防止の作用を果たすこと、ま
た逆にアウタリード４の範囲まで広がっても支障のない
ことは容易に理解出来る。
ード３ｂの全長となっているが、その一部であっても封
止樹脂８との間のスリップ防止の作用を果たすこと、ま
た逆にアウタリード４の範囲まで広がっても支障のない
ことは容易に理解出来る。
また、粗化加工面１０の形成は、実施例では上記化学エ
ツチングによって行い表面に残留応力の残らないように
したが、機械的方法例えばサンドブラストなどによって
行っても上記スリップ防止の作用を果たすことは容易に
類推出来る。
ツチングによって行い表面に残留応力の残らないように
したが、機械的方法例えばサンドブラストなどによって
行っても上記スリップ防止の作用を果たすことは容易に
類推出来る。
以上説明したように本発明の構成によれば、樹脂封止半
導体装置に用いるリードフレームにおいて、インナリー
ドの形状寸法に制約されることなく封止樹脂との接合強
度を高めることが高コストにすることなく実現出来て、
半導体装置における耐湿性劣化による信頼性低下を抑え
る効果がある。
導体装置に用いるリードフレームにおいて、インナリー
ドの形状寸法に制約されることなく封止樹脂との接合強
度を高めることが高コストにすることなく実現出来て、
半導体装置における耐湿性劣化による信頼性低下を抑え
る効果がある。
第１図は本発明実施例の平面図、
第２図は実施例の粗化加工面を説明する部分側面図、
第３図は従来例の平面図、
第４図は樹脂封止半導体装置例の側断面図、第５図は改
良例の部分斜視図、 である。 図において、 ｌは金属条、 ３．３ａｓ ３ｂはインナリード、 ４はアウタリード、 ８は封止樹脂、 １０は粗化加工面、 １１は微小凹凸、 である。 ｌｕｍ暑 ム浦↓ 廿Ｉ＝古−グ 下指−７ 改良例の部分塗季頬」蕗 単５〆
良例の部分斜視図、 である。 図において、 ｌは金属条、 ３．３ａｓ ３ｂはインナリード、 ４はアウタリード、 ８は封止樹脂、 １０は粗化加工面、 １１は微小凹凸、 である。 ｌｕｍ暑 ム浦↓ 廿Ｉ＝古−グ 下指−７ 改良例の部分塗季頬」蕗 単５〆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）封止樹脂と接する面に粗化加工面が設けられてなる
ことを特徴とする樹脂封止半導体装置用リードフレーム
。 ２）上記粗化加工面は、表面を梨地状にする化学エッチ
ングにより形成されたものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置用リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212196A JPS6367762A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212196A JPS6367762A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367762A true JPS6367762A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16618511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212196A Pending JPS6367762A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 樹脂封止半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367762A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083917A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | 表面に突起を有するリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
| JP2002331312A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 打ち抜き金型用マーキング部品およびこれを用いた打ち抜き金型 |
| US6630728B2 (en) | 1998-06-24 | 2003-10-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and leadframe for making the package |
| US7327017B2 (en) | 2003-07-19 | 2008-02-05 | Utac Thai Limited | Semiconductor package including leadframe roughened with chemical etchant to prevent separation between leadframe and molding compound |
| US7906855B1 (en) | 2008-01-21 | 2011-03-15 | Amkor Technology, Inc. | Stacked semiconductor package and method of making same |
| US8154111B2 (en) | 1999-12-16 | 2012-04-10 | Amkor Technology, Inc. | Near chip size semiconductor package |
| US8866278B1 (en) | 2011-10-10 | 2014-10-21 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O configuration |
| JP2016155285A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| US9631481B1 (en) | 2011-01-27 | 2017-04-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method |
| US9673122B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-06-06 | Amkor Technology, Inc. | Micro lead frame structure having reinforcing portions and method |
| US9691734B1 (en) | 2009-12-07 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
| US9871015B1 (en) | 2002-11-08 | 2018-01-16 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
| US9947623B1 (en) | 2011-11-29 | 2018-04-17 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode |
| US10014240B1 (en) | 2012-03-29 | 2018-07-03 | Amkor Technology, Inc. | Embedded component package and fabrication method |
| US10090228B1 (en) | 2012-03-06 | 2018-10-02 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
| US10811341B2 (en) | 2009-01-05 | 2020-10-20 | Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. | Semiconductor device with through-mold via |
| US11107776B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61212196A patent/JPS6367762A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630728B2 (en) | 1998-06-24 | 2003-10-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and leadframe for making the package |
| US8154111B2 (en) | 1999-12-16 | 2012-04-10 | Amkor Technology, Inc. | Near chip size semiconductor package |
| JP2002083917A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | 表面に突起を有するリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
| JP2002331312A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 打ち抜き金型用マーキング部品およびこれを用いた打ち抜き金型 |
| US10665567B1 (en) | 2002-11-08 | 2020-05-26 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
| US9871015B1 (en) | 2002-11-08 | 2018-01-16 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
| US7327017B2 (en) | 2003-07-19 | 2008-02-05 | Utac Thai Limited | Semiconductor package including leadframe roughened with chemical etchant to prevent separation between leadframe and molding compound |
| US7906855B1 (en) | 2008-01-21 | 2011-03-15 | Amkor Technology, Inc. | Stacked semiconductor package and method of making same |
| US12494414B2 (en) | 2009-01-05 | 2025-12-09 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device with through-mold via |
| US11869829B2 (en) | 2009-01-05 | 2024-01-09 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device with through-mold via |
| US10811341B2 (en) | 2009-01-05 | 2020-10-20 | Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. | Semiconductor device with through-mold via |
| US9691734B1 (en) | 2009-12-07 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
| US10546833B2 (en) | 2009-12-07 | 2020-01-28 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
| US9631481B1 (en) | 2011-01-27 | 2017-04-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method |
| US9978695B1 (en) | 2011-01-27 | 2018-05-22 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method |
| US8866278B1 (en) | 2011-10-10 | 2014-10-21 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O configuration |
| US10410967B1 (en) | 2011-11-29 | 2019-09-10 | Amkor Technology, Inc. | Electronic device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode |
| US9947623B1 (en) | 2011-11-29 | 2018-04-17 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode |
| US11043458B2 (en) | 2011-11-29 | 2021-06-22 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Method of manufacturing an electronic device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode |
| US10090228B1 (en) | 2012-03-06 | 2018-10-02 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
| US10014240B1 (en) | 2012-03-29 | 2018-07-03 | Amkor Technology, Inc. | Embedded component package and fabrication method |
| US9673122B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-06-06 | Amkor Technology, Inc. | Micro lead frame structure having reinforcing portions and method |
| JP2016155285A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| US11107776B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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