JPS6373687A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS6373687A JPS6373687A JP61220236A JP22023686A JPS6373687A JP S6373687 A JPS6373687 A JP S6373687A JP 61220236 A JP61220236 A JP 61220236A JP 22023686 A JP22023686 A JP 22023686A JP S6373687 A JPS6373687 A JP S6373687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- light emitting
- semiconductor light
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体発光装置、特に光出力のモニタリン
グに関するものである。
グに関するものである。
第３図は従来の半導体発光装置の断面図であり、図にお
いて、１はステム、２は半導体レーザチップ、３はこの
半導体レーザ千ツブ２からの発光強度をモニタするため
の受光素子であり、これら半導体レーザチ・テプ２と受
光素子３は、端子４とボンディングワイヤ５との半田付
とワイヤボンドされ、ステム１により極性がとられてい
る。６は前記半導体レーザチップ２と受光素子３とを中
空で封止するパッケージ、７は前記半導体レーザチップ
２からのレーザ光をこのパッケージ６の外部に導くため
の窓部に設けられた平面ガラスである。
いて、１はステム、２は半導体レーザチップ、３はこの
半導体レーザ千ツブ２からの発光強度をモニタするため
の受光素子であり、これら半導体レーザチ・テプ２と受
光素子３は、端子４とボンディングワイヤ５との半田付
とワイヤボンドされ、ステム１により極性がとられてい
る。６は前記半導体レーザチップ２と受光素子３とを中
空で封止するパッケージ、７は前記半導体レーザチップ
２からのレーザ光をこのパッケージ６の外部に導くため
の窓部に設けられた平面ガラスである。
次に動作について説明する。半導体レーザチップ２はス
テム１の端子４を通じて外部より供給される電流により
発振する。そのレーザ光は半導体レーザチップ２の前面
および後面より出力されろ。
テム１の端子４を通じて外部より供給される電流により
発振する。そのレーザ光は半導体レーザチップ２の前面
および後面より出力されろ。
前面より放射されたレーザ光は平面ガラス７を通過して
パッケージ６の外部へ導かれろ。また、後面より放射さ
れたレーザ光は、受光素子３に照射されろことにより、
光強度のモニタとして用いられている。
パッケージ６の外部へ導かれろ。また、後面より放射さ
れたレーザ光は、受光素子３に照射されろことにより、
光強度のモニタとして用いられている。
従来の半導体発光装置は、以上のように構成されている
ので、レーザ光強度を測定するためには外付けの受光素
子３が必要であり、そのため、材料が高価になり、また
、組立てに手間がかかるという問題点があった。
ので、レーザ光強度を測定するためには外付けの受光素
子３が必要であり、そのため、材料が高価になり、また
、組立てに手間がかかるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、受光素子をわざわざ設けることなく、レー
ザ光強度をモニタする機能を備えた半導体発光装置を得
ることを目的とする。
れたもので、受光素子をわざわざ設けることなく、レー
ザ光強度をモニタする機能を備えた半導体発光装置を得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体発光装置は、発光素子からの発光
光をパッケージ外部に導くため窓部の平面ガラスにＶＪ
膜太陽電池を設けたものである。
光をパッケージ外部に導くため窓部の平面ガラスにＶＪ
膜太陽電池を設けたものである。
この発明においては、平面ガラスに設けた薄膜太陽電池
によって発光出力がモニタされる。
によって発光出力がモニタされる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図である。
面図である。
第１図において、第２図と同一符号は同一構成部分を示
すが、この実施例では半導体発光装置の発光素子として
半導体レーザチップ２を用いた場合について説明する。
すが、この実施例では半導体発光装置の発光素子として
半導体レーザチップ２を用いた場合について説明する。
８は前記平面ガラス７に固定された薄膜太陽電池である
。この薄膜太陽電池８の詳細を第２図に示す。
。この薄膜太陽電池８の詳細を第２図に示す。
第２図において、９はｎ型アモルファス水素化シリコン
、１０はｐ型アモルファース水素化シリコンである。
、１０はｐ型アモルファース水素化シリコンである。
次に動作について説明する。
半導体レーザチップ２より放射されたレーザ光は薄膜太
陽電池８．ガラス板７を通して外部に導かれる。この際
、レーザ光の一部が薄膜太陽電池８において電子−正孔
対に変更され、これを電位差、もしくは電流として外部
に取り出すことにより、レーザ光強度がモニタできる。
陽電池８．ガラス板７を通して外部に導かれる。この際
、レーザ光の一部が薄膜太陽電池８において電子−正孔
対に変更され、これを電位差、もしくは電流として外部
に取り出すことにより、レーザ光強度がモニタできる。
なお、上記実施例では、太陽電池としてａ−３ｉ：）（
（アモルファス水素化シリコン）を用いたものを示した
が、他の材料を用いたものでもよいことはいうまでもな
い。
（アモルファス水素化シリコン）を用いたものを示した
が、他の材料を用いたものでもよいことはいうまでもな
い。
また、上記実施例では半導体発光装置の発光素子として
半導体レーザチップ２を用いた場合について説明したが
、発光ダイオードを用いた場合であってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
半導体レーザチップ２を用いた場合について説明したが
、発光ダイオードを用いた場合であってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明は、発光素子からの発光
光をパッケージ外部に導くため窓部の平面ガラスに薄膜
太陽電池を設けたので、モニタ用の受光素子を設ける必
要がなくなり、簡易な構成で発光光の光強度をモニタで
きる効果がある。また、薄膜太陽電池の膜厚を適当に選
ぶ乙とにより、窓ガラスのコートを兼ねることもできる
。
光をパッケージ外部に導くため窓部の平面ガラスに薄膜
太陽電池を設けたので、モニタ用の受光素子を設ける必
要がなくなり、簡易な構成で発光光の光強度をモニタで
きる効果がある。また、薄膜太陽電池の膜厚を適当に選
ぶ乙とにより、窓ガラスのコートを兼ねることもできる
。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図、第２図は、第１図の平面ガラスに設けられた薄膜
太陽電池の詳細を示す図、第３図は従来の半導体発光装
置を示す断面図である。 図において、１はステム、２は半導体レーザチップ、４
は端子、６はパッケージ、７は平面ガラス、８は薄膜太
陽電池、９はｎ型アモルファス水素化シリコンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図
面図、第２図は、第１図の平面ガラスに設けられた薄膜
太陽電池の詳細を示す図、第３図は従来の半導体発光装
置を示す断面図である。 図において、１はステム、２は半導体レーザチップ、４
は端子、６はパッケージ、７は平面ガラス、８は薄膜太
陽電池、９はｎ型アモルファス水素化シリコンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図
Claims (2)
- （１）発光素子が組み込まれ、この発光素子からの発光
光を取り出して前記発光光の光出力をモニタする半導体
発光装置において、前記発光光が取り出されるパッケー
ジの窓部に薄膜太陽電池を設けたことを特徴とする半導
体発光装置。 - （２）薄膜太陽電池は、アモルファス水素化シリコンで
構成されたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220236A JPS6373687A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220236A JPS6373687A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373687A true JPS6373687A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16748025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220236A Pending JPS6373687A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0899836A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | Xerox Corporation | Semiconductor laser device |
| WO1999014834A1 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-25 | The Whitaker Corporation | Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61220236A patent/JPS6373687A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0899836A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | Xerox Corporation | Semiconductor laser device |
| WO1999014834A1 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-25 | The Whitaker Corporation | Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices |
| US6037644A (en) * | 1997-09-12 | 2000-03-14 | The Whitaker Corporation | Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices |
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