JPS637529A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS637529A JPS637529A JP61150367A JP15036786A JPS637529A JP S637529 A JPS637529 A JP S637529A JP 61150367 A JP61150367 A JP 61150367A JP 15036786 A JP15036786 A JP 15036786A JP S637529 A JPS637529 A JP S637529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spot
- recording medium
- mode
- light
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ピックアップ装置に関し、特に、光照射によ
り情報の記録、再生および消去を行う光情報記録装置に
適用される光ピックアップ装置に関する。
り情報の記録、再生および消去を行う光情報記録装置に
適用される光ピックアップ装置に関する。
従来、この種の光ピックアップ装置においては、光照射
により情報の記録を行う記録媒体としては、多結晶とア
モルファスとの間の相変化を利用するものがあり、この
媒体材料としては、Te−0−Oe−8n合金系またr
iT e −S e −S n合金系などが用いられて
いる。これらの材料の特徴は、材料に温度変化を与える
場合、急速加熱、急速冷却を行うとアモルファス化し、
比較的ゆっくシとした加熱、冷却を行うと結晶化するこ
とである。
により情報の記録を行う記録媒体としては、多結晶とア
モルファスとの間の相変化を利用するものがあり、この
媒体材料としては、Te−0−Oe−8n合金系またr
iT e −S e −S n合金系などが用いられて
いる。これらの材料の特徴は、材料に温度変化を与える
場合、急速加熱、急速冷却を行うとアモルファス化し、
比較的ゆっくシとした加熱、冷却を行うと結晶化するこ
とである。
この相変化によって、その材料の表面の反射率も変化す
るので、微弱な光を照射することによシ相状態を知るこ
とができる。この相変化を用いることによシ、情報の記
録、再生および消去を行うことが可能である。
るので、微弱な光を照射することによシ相状態を知るこ
とができる。この相変化を用いることによシ、情報の記
録、再生および消去を行うことが可能である。
光デイスク形状において、結晶からアモルファスへ、ア
モルファスから結晶へと、双方の相変化を1トラック幅
内にて実現する手段としては、第3図の平面図に示され
るように、光ピックアップ装置から記憶媒体6上に対す
る円形スポットlO2および長円形スポットlO3を形
成するものがある。第3図において、記録媒体6が矢印
101の方向に一定速度で移動しているものとすると、
高いパワーの円形スポラ)102によシ記憶媒体6の急
熱、急冷が行われ、比較的低いパワーの長円形スポット
103により記憶媒体6の除熱、徐冷が行われて、前記
手段が実現される。この円形スポット102により情報
ビットの形成を行い、長円形スボyト103によυ情報
ビットの消去を行えば、1トラック幅ごとに記録および
消去を実現することができる。
モルファスから結晶へと、双方の相変化を1トラック幅
内にて実現する手段としては、第3図の平面図に示され
るように、光ピックアップ装置から記憶媒体6上に対す
る円形スポットlO2および長円形スポットlO3を形
成するものがある。第3図において、記録媒体6が矢印
101の方向に一定速度で移動しているものとすると、
高いパワーの円形スポラ)102によシ記憶媒体6の急
熱、急冷が行われ、比較的低いパワーの長円形スポット
103により記憶媒体6の除熱、徐冷が行われて、前記
手段が実現される。この円形スポット102により情報
ビットの形成を行い、長円形スボyト103によυ情報
ビットの消去を行えば、1トラック幅ごとに記録および
消去を実現することができる。
上述した従来の光ピックアップ装置は%第4図に示され
るように、円形スポットと長円形スポットとを形成する
ために、波長の異なる二つの半導体レーザからの出射光
を合波する方法が用いられている。第4図において、半
導体レーザ15からの出射光は、コリメートレンズ17
によシコリメート化され、偏光ビームスプリッタ21に
おいて反射されて、l/4M、長板20および集光レン
ズ19を介して記録媒体6上に円形スボ、ットとして集
光される。記録媒体6からの反射光は、集光レンズ19
、 l/4波長板20.偏光ビームスプリ、り21,
1/4波長板22および波長フィルタ23を介して、検
出光学系25に導かれる。−方、長円形スポットを形成
する半導体レーザ16からの出射光ハ、コリメートレン
ズ18およびシリンドリカルレンズ24を通過し、偏光
ビームスプリッタ21において反射されて、1/4波長
板22を介して波長フィルタ23に到達する。この波長
の光は反射されて記録媒体6上に集光される。しかしな
がら、この従来の光ビ、ツクアップ装置は、その構成が
複雑であり形状も大型化するとともに、円形スポットお
よび長円形スポットの焦点位置合わせが困難であるとい
う欠点がある。
るように、円形スポットと長円形スポットとを形成する
ために、波長の異なる二つの半導体レーザからの出射光
を合波する方法が用いられている。第4図において、半
導体レーザ15からの出射光は、コリメートレンズ17
によシコリメート化され、偏光ビームスプリッタ21に
おいて反射されて、l/4M、長板20および集光レン
ズ19を介して記録媒体6上に円形スボ、ットとして集
光される。記録媒体6からの反射光は、集光レンズ19
、 l/4波長板20.偏光ビームスプリ、り21,
1/4波長板22および波長フィルタ23を介して、検
出光学系25に導かれる。−方、長円形スポットを形成
する半導体レーザ16からの出射光ハ、コリメートレン
ズ18およびシリンドリカルレンズ24を通過し、偏光
ビームスプリッタ21において反射されて、1/4波長
板22を介して波長フィルタ23に到達する。この波長
の光は反射されて記録媒体6上に集光される。しかしな
がら、この従来の光ビ、ツクアップ装置は、その構成が
複雑であり形状も大型化するとともに、円形スポットお
よび長円形スポットの焦点位置合わせが困難であるとい
う欠点がある。
本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザの出射光
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして、それぞれ独
立に駆動可能な複数の発光点を有し、且つ前記発光点の
内の少くとも一つの発光点の発振軸モードが駆動状態に
よって単一モードとマルチモードとの間において切替え
られる半導体レーザと、前記半導体レーザの発振軸モー
ドを切替えるレーザ駆動回路と、前記半導体レーザと前
記記録媒体との間に、透過型または反射型グレーティン
グ素子の回折光を利用する光路変換素子と、を備えて構
成される。
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして、それぞれ独
立に駆動可能な複数の発光点を有し、且つ前記発光点の
内の少くとも一つの発光点の発振軸モードが駆動状態に
よって単一モードとマルチモードとの間において切替え
られる半導体レーザと、前記半導体レーザの発振軸モー
ドを切替えるレーザ駆動回路と、前記半導体レーザと前
記記録媒体との間に、透過型または反射型グレーティン
グ素子の回折光を利用する光路変換素子と、を備えて構
成される。
第2図において、ピッチがdの透過型のグレーティング
素子3に対して、波長λの光が入射角θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
素子3に対して、波長λの光が入射角θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
d sinθ=λ
入射光の波長がΔλ変化すると、出射光のビーム角度は
次式のΔθだけ変化する。
次式のΔθだけ変化する。
Δθ=sinθ・(Δλ/λ)
集光レンズの焦点距離をfとすると、記録媒体上におい
てrif・(Δθ)のスポット中心のずれとなる。θ=
30°、λ=800nm(ナノ・メートル)、Δλ=
0.3 n mおよびf=4mcミリ・メートル)とす
ると、f・(Δθ)〜0.7μm(ミクロン)となる。
てrif・(Δθ)のスポット中心のずれとなる。θ=
30°、λ=800nm(ナノ・メートル)、Δλ=
0.3 n mおよびf=4mcミリ・メートル)とす
ると、f・(Δθ)〜0.7μm(ミクロン)となる。
−方、共振器長300μmの半導体レーザの軸モード間
隔は約Q、 3 n mであるので、Δλの波長変化に
対応して、隣接軸モード間においてスポット位置が0.
7μmずれることになる。一つの軸モードによる円形ス
ポット径の大きさが1μmφ程度であるので、半導体レ
ーザがマルチモード発振をしている状態においては、モ
ード数に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上に
形成することができる。すなわち、光ピックアップ装置
の光学系中に透過型のグレーティング素子を使用する場
合には、半導体レーザの発振軸モードをマルチ化するこ
とにより、容易に記録媒体上に長円形スポットが形成さ
れる。このことは、透過型のグレーティング素子の代シ
に反射型のグレーティング素子による回折光を用いても
、同様の効果が得られる。また、グレーティング素子と
しては、単純格子だけでなく、集光レンズ等の代シに使
用されるオフアクシス型のゾーンプレートレンズでもよ
い。光の回折効率は、格子のフレーズ化などにより十分
な回折効率が実現される。
隔は約Q、 3 n mであるので、Δλの波長変化に
対応して、隣接軸モード間においてスポット位置が0.
7μmずれることになる。一つの軸モードによる円形ス
ポット径の大きさが1μmφ程度であるので、半導体レ
ーザがマルチモード発振をしている状態においては、モ
ード数に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上に
形成することができる。すなわち、光ピックアップ装置
の光学系中に透過型のグレーティング素子を使用する場
合には、半導体レーザの発振軸モードをマルチ化するこ
とにより、容易に記録媒体上に長円形スポットが形成さ
れる。このことは、透過型のグレーティング素子の代シ
に反射型のグレーティング素子による回折光を用いても
、同様の効果が得られる。また、グレーティング素子と
しては、単純格子だけでなく、集光レンズ等の代シに使
用されるオフアクシス型のゾーンプレートレンズでもよ
い。光の回折効率は、格子のフレーズ化などにより十分
な回折効率が実現される。
レーザ光源としてに、複数の発光点を独立に駆動するこ
とがOT能なアレイ型半導体レーザを用いいて、少くと
も一つの発光点の発振軸モードが、マルチモードと単一
モードとの間において切替えられるように設定する。ま
た前記プレイ型半導体レーザの発振軸モードの切替方式
としてri、直流駆動によシ単−モード発振をするアレ
イ型半導体レーザに、高周波電流を重畳してマルチモー
ド化する方式、およびプレイ型半導体レーザの電標を共
振器長方向において分割し、それぞれの電啄に流す駆動
電流の値を変えることにより、単一モードとマルチモー
ドとを切替える方式等があげられる。
とがOT能なアレイ型半導体レーザを用いいて、少くと
も一つの発光点の発振軸モードが、マルチモードと単一
モードとの間において切替えられるように設定する。ま
た前記プレイ型半導体レーザの発振軸モードの切替方式
としてri、直流駆動によシ単−モード発振をするアレ
イ型半導体レーザに、高周波電流を重畳してマルチモー
ド化する方式、およびプレイ型半導体レーザの電標を共
振器長方向において分割し、それぞれの電啄に流す駆動
電流の値を変えることにより、単一モードとマルチモー
ドとを切替える方式等があげられる。
前記アレイ型半導体レーザにおいて、すべての発光点が
直流駆動により単一モードにおいて発振し、高周波電流
の重畳によりマルチモード化されるものとすると、記録
媒体上における円形スボ・7トと長円形スポットの配列
は任意に変えることが可能となり、更K、発光点が三つ
以上ある場合には、記録前後または消去前後におけるデ
ィスク等の記憶媒体の状態チエツク等を含む複雑な機能
の実現も可能となる。
直流駆動により単一モードにおいて発振し、高周波電流
の重畳によりマルチモード化されるものとすると、記録
媒体上における円形スボ・7トと長円形スポットの配列
は任意に変えることが可能となり、更K、発光点が三つ
以上ある場合には、記録前後または消去前後におけるデ
ィスク等の記憶媒体の状態チエツク等を含む複雑な機能
の実現も可能となる。
以下、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の構成を示す図でグレーテ
ィング素子3と、ビームスプリッタ4と。
ィング素子3と、ビームスプリッタ4と。
集光レンズ5と、収束レンズ7と、ビームスプリッタ8
と、トラックエラー検出器9と、ナイフェツジ10と、
フォーカスエラー検出器11と、直流回路12と、高周
波回路13と、切替回路14と、を備えており、記録媒
体6に対応して構成される。なお、直流回路12.高周
波回路13および切替回路14ri、アレイ型半導体レ
ーザ1の発振軸モードを切替えるレーザ駆動回路を形成
している。
と、トラックエラー検出器9と、ナイフェツジ10と、
フォーカスエラー検出器11と、直流回路12と、高周
波回路13と、切替回路14と、を備えており、記録媒
体6に対応して構成される。なお、直流回路12.高周
波回路13および切替回路14ri、アレイ型半導体レ
ーザ1の発振軸モードを切替えるレーザ駆動回路を形成
している。
第1図において、アレイ型半導体レーザ1からの出射ビ
ームは、コリメートレンズ2によシコリメートされグレ
ーティング素子3によシ光路が曲げられて、ビームスプ
リッタ4に送られる。更に。
ームは、コリメートレンズ2によシコリメートされグレ
ーティング素子3によシ光路が曲げられて、ビームスプ
リッタ4に送られる。更に。
ビームスプリッタ4および集光レンズ5を介して記録媒
体6上にスポットとして収束される。この場合1発光点
が単一モードであれば円形スポットが形成され、マルチ
モードであれば長円形スポットが形成される。記録媒体
6からの反射光は、ビームスプリッタ4および収束レン
ズ7を紅白してビームスプリッタ8に入射され、ビーム
スプリッタ8において分離されて、−部はトラックエラ
ー検出器9に、−部はナイフェツジ10を介してフォー
カスエラー検出器11に、それぞれ入射される。これら
の反射光よシスボyト位置エラーが検出される。本実施
例の構成においては、グレーティング素子3は撰円ビー
ムを円形化するビーム整形機能をも兼ね備えている。な
お、グレーティング素子3の配置位置は、ビームスプリ
ッタ4と集光レンズ5との間に設定されてもよい。
体6上にスポットとして収束される。この場合1発光点
が単一モードであれば円形スポットが形成され、マルチ
モードであれば長円形スポットが形成される。記録媒体
6からの反射光は、ビームスプリッタ4および収束レン
ズ7を紅白してビームスプリッタ8に入射され、ビーム
スプリッタ8において分離されて、−部はトラックエラ
ー検出器9に、−部はナイフェツジ10を介してフォー
カスエラー検出器11に、それぞれ入射される。これら
の反射光よシスボyト位置エラーが検出される。本実施
例の構成においては、グレーティング素子3は撰円ビー
ムを円形化するビーム整形機能をも兼ね備えている。な
お、グレーティング素子3の配置位置は、ビームスプリ
ッタ4と集光レンズ5との間に設定されてもよい。
記録および再生の動作を行う場合には、アレイ型半導体
レーザ1における記録・再生動作を行う発光点を、直流
回路12による直流まだは低周波を介して駆動すること
によシ、所定の円形スポットが記録媒体6上に形成され
る。また、消去動作を行う場合には、プレイ型半導体レ
ーザ1における消去を行う発光点を、高周波回路13に
よる高周波電流を前記直流または低周波に重畳させて駆
動することにより、所定の長円形スポットが記録媒体6
上に形成される。なお、高周波電流重畳の切分けは、切
替回路14を介して切替制御が行われる。
レーザ1における記録・再生動作を行う発光点を、直流
回路12による直流まだは低周波を介して駆動すること
によシ、所定の円形スポットが記録媒体6上に形成され
る。また、消去動作を行う場合には、プレイ型半導体レ
ーザ1における消去を行う発光点を、高周波回路13に
よる高周波電流を前記直流または低周波に重畳させて駆
動することにより、所定の長円形スポットが記録媒体6
上に形成される。なお、高周波電流重畳の切分けは、切
替回路14を介して切替制御が行われる。
以上説明したように1本発明は、比較的簡易な構成によ
シ、所定の円形スポットおよび長円形スポットを容易に
形成することのできる光ピックアップ装置を提供するこ
とができるという効果がある。
シ、所定の円形スポットおよび長円形スポットを容易に
形成することのできる光ピックアップ装置を提供するこ
とができるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の構成を示す図、第2図は本
発明の詳細な説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第3図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第4図は、従来の光ピックアップ装置の構成を示す
図である。 図において、l・・・・・・アレイ型半導体レーザ、2
゜17.18・・・・・・コリメートレンズ、3・・・
・・・グレーティング素子、4,8・・・・・・ビーム
スプリッタ、5゜19・・・・・・集光レンズ、6・・
・・・・記録媒体、7・・・・・・収束レンズ%9・・
・・・・トラックエラー検出器、10・・・・・・ナイ
フェツジ、11・・・・・・フォーカスエラー検出器、
12・・・・・・直流回路、13・・・・・・高周波回
路、14・・・・・・切替回路、15.1・6・・・・
・・半導体レーザ、20.22・・・・・・1/4波長
板、21・・・・・・偏光ビーム2プリツタ、23・・
・・・・波長フィルタ、24・・・・・・シIJノドリ
カルレンメ、25・・・・・・検出光学系。 第1図 第2四 第4図
発明の詳細な説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第3図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第4図は、従来の光ピックアップ装置の構成を示す
図である。 図において、l・・・・・・アレイ型半導体レーザ、2
゜17.18・・・・・・コリメートレンズ、3・・・
・・・グレーティング素子、4,8・・・・・・ビーム
スプリッタ、5゜19・・・・・・集光レンズ、6・・
・・・・記録媒体、7・・・・・・収束レンズ%9・・
・・・・トラックエラー検出器、10・・・・・・ナイ
フェツジ、11・・・・・・フォーカスエラー検出器、
12・・・・・・直流回路、13・・・・・・高周波回
路、14・・・・・・切替回路、15.1・6・・・・
・・半導体レーザ、20.22・・・・・・1/4波長
板、21・・・・・・偏光ビーム2プリツタ、23・・
・・・・波長フィルタ、24・・・・・・シIJノドリ
カルレンメ、25・・・・・・検出光学系。 第1図 第2四 第4図
Claims (1)
- 半導体レーザの出射光を微小スポットにして記録媒体に
照射し、前記記録媒体からの光を光検出器に導く光学系
を備える光ピックアップ装置において、前記半導体レー
ザとして、それぞれ独立に駆動可能な複数の発光点を有
し、且つ前記発光点の内の少くとも一つの発光点の発振
軸モードが駆動状態によって単一モードとマルチモード
との間において切替えられる半導体レーザと、前記半導
体レーザの発振軸モードを切替えるレーザ駆動回路と、
前記半導体レーザと前記記録媒体との間に、透過型また
は反射型グレーティング素子の回折光を利用する光路変
換素子と、を備えることを特徴とする光ピックアップ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150367A JPH0610883B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150367A JPH0610883B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637529A true JPS637529A (ja) | 1988-01-13 |
| JPH0610883B2 JPH0610883B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15495444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150367A Expired - Lifetime JPH0610883B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610883B2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61150367A patent/JPH0610883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610883B2 (ja) | 1994-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1001413B1 (en) | Optical pickup and optical device | |
| US4656618A (en) | Optical information recording and reproducing apparatus | |
| US20020027844A1 (en) | Optical pickup apparatus | |
| JPH05114159A (ja) | 複数ビーム光ヘツド | |
| JPS637529A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPH0291829A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH0610884B2 (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPS637528A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPH0652582B2 (ja) | 光ヘッド | |
| JPS6310338A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPS5945641A (ja) | 複数ビ−ム・光学ヘツド | |
| JPS59207035A (ja) | 光デイスクにおける位置誤差検出装置 | |
| JP2572783B2 (ja) | 光学的ピックアップ装置 | |
| JPH0718020Y2 (ja) | 光学式消去ヘッド | |
| KR100266201B1 (ko) | 광픽업장치 | |
| JPS5897141A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JPS6292144A (ja) | 複数光スポツトを持つ光学的記録再生装置 | |
| JPS6320725A (ja) | 2レ−ザ光ヘツドの焦点合致調整方法 | |
| JPS62114130A (ja) | 光ヘツド | |
| JP2006209970A (ja) | 光ヘッド装置及び信号再生装置 | |
| JPH0127489B2 (ja) | ||
| JPS6391834A (ja) | 光ヘツド | |
| JPH03119528A (ja) | 光ピックアップ装置及びこれを用いた光情報記録再生装置 | |
| JPS6370936A (ja) | 追記型光学式情報記録再生装置 | |
| JP2000268393A (ja) | 光学的情報記録再生装置 |