JPS6376121A - 記録要素 - Google Patents
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学記録材料に関する。
し従来の技術〕
室温で安定な状態で存在する成る種の材料が。
実質的な非晶質状態にあってもまたは実質的な結晶状態
にあっても、その材料全力ロ熱するのに充分なエネルギ
ー全供給し、そして結晶状態１次は非晶質状態への制御
条件下でそれ′ｆｒ、冷却させるにまかせることＫよシ
、前記の状態の一方から他方へ変換することができるこ
とは知られている。
にあっても、その材料全力ロ熱するのに充分なエネルギ
ー全供給し、そして結晶状態１次は非晶質状態への制御
条件下でそれ′ｆｒ、冷却させるにまかせることＫよシ
、前記の状態の一方から他方へ変換することができるこ
とは知られている。
それらの材料を情報の貯′ｉＩ１．および引出しに使用
することができることも知られている。それらの材料は
光学的記録用に薄フィルムの形で使用することができる
。この薄フィルムは、薄フィルムの特定領域を一方の状
態から他方の状態へ（非晶質から結晶へ、または結晶か
ら非晶質へ）選択的に変えることによって曹込み上行な
う。前記の変化は、その材料の遷移温度より高い温度に
材料全加熱するのに充分な期間に亘って低振幅エネルギ
ーパルスを提供し、そしてその後でフィルム全結晶状態
に冷却することによりて達成することができる。一方、
フィルム全結晶状態から非晶質状態に変えるためには、
急冷が必須である。この変化は、高エネルギーパルス源
で材料をパルス処理して材料をその融点に上昇させるこ
とによって達成することができる。次に、この材料全急
冷して、結晶化を起こす前に非晶５！！状態で材料ｋＮ
結する必要がある。
することができることも知られている。それらの材料は
光学的記録用に薄フィルムの形で使用することができる
。この薄フィルムは、薄フィルムの特定領域を一方の状
態から他方の状態へ（非晶質から結晶へ、または結晶か
ら非晶質へ）選択的に変えることによって曹込み上行な
う。前記の変化は、その材料の遷移温度より高い温度に
材料全加熱するのに充分な期間に亘って低振幅エネルギ
ーパルスを提供し、そしてその後でフィルム全結晶状態
に冷却することによりて達成することができる。一方、
フィルム全結晶状態から非晶質状態に変えるためには、
急冷が必須である。この変化は、高エネルギーパルス源
で材料をパルス処理して材料をその融点に上昇させるこ
とによって達成することができる。次に、この材料全急
冷して、結晶化を起こす前に非晶５！！状態で材料ｋＮ
結する必要がある。
ＧｅＴ・合金の薄フィルムからなる光学記録要素を光学
記録層として使用することは公知である。
記録層として使用することは公知である。
このような光学要素は、Ｃｈ＠ｎ等のＮｅｗ Ｉｄｅａ
ｓｆｏｒ Ｐｈａｓｓ −Ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｄｉａ
Ｒｅｖ＠ｒｓｉｂｌｅ Ｍｅｄｉａ−Ａｃｈｉｅｖｉｎ
ｇ Ｓｕｂ −Ｍｉｃｒｏｓｅｃｏｎｄ Ｅｒａｓｅ
ｗｉｔｈ ＤａｔａＳｔａｂｉｌｉｔｙ”、および１ｕ
ｂｉｎ等の８７ｇｔｓｍａｔｌｃＰｈａｓｅ Ｔｒａ
ｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｋｉｎｅｔｉｅａ Ｍｅ
ａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏ
ｎ ａｎｄ Ｃｒ１ｔｉｅａｌ ＱｕｅｎｃｈＲａｔｅ
ｓ ｏｆ ｔｈ＠Ｂｉｎａｒｙ Ｔｏ−Ｇｅ Ｓｙｓｔ
ｅｍ”に記載されている。これらの論文は、いずれも、
米国ワシントンＤ、Ｃ，で１９８５年１０月１５日〜１
７日に開偏されたＴｏｐｉｃａｌ Ｍｅｓｔｉｎｇ ｏ
ｎ ０ｐｔｌｅａｌ ＤａｔａＳｔｏｒａｇｅ 、 Ｉ
ＥＥＥ ＋ ａｎｄ ０８ＡｉＣ提供された。
ｓｆｏｒ Ｐｈａｓｓ −Ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｄｉａ
Ｒｅｖ＠ｒｓｉｂｌｅ Ｍｅｄｉａ−Ａｃｈｉｅｖｉｎ
ｇ Ｓｕｂ −Ｍｉｃｒｏｓｅｃｏｎｄ Ｅｒａｓｅ
ｗｉｔｈ ＤａｔａＳｔａｂｉｌｉｔｙ”、および１ｕ
ｂｉｎ等の８７ｇｔｓｍａｔｌｃＰｈａｓｅ Ｔｒａ
ｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｋｉｎｅｔｉｅａ Ｍｅ
ａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏ
ｎ ａｎｄ Ｃｒ１ｔｉｅａｌ ＱｕｅｎｃｈＲａｔｅ
ｓ ｏｆ ｔｈ＠Ｂｉｎａｒｙ Ｔｏ−Ｇｅ Ｓｙｓｔ
ｅｍ”に記載されている。これらの論文は、いずれも、
米国ワシントンＤ、Ｃ，で１９８５年１０月１５日〜１
７日に開偏されたＴｏｐｉｃａｌ Ｍｅｓｔｉｎｇ ｏ
ｎ ０ｐｔｌｅａｌ ＤａｔａＳｔｏｒａｇｅ 、 Ｉ
ＥＥＥ ＋ ａｎｄ ０８ＡｉＣ提供された。
これらの論文の中で、Ｇｅ−Ｔｏ薄フィルムは消去可能
な記録用として使用されている。消去可能な記録におい
ては、最初に長期のレーザビームヲ用いてフィルムを結
晶化させて消去揖状態を形成する。次に、高強度短期焦
点化レーザビームを用いてフィルムをその融点より高い
温度に上昇させ、局在化非晶質スポットとしてデータを
フィルム上に書込む。次にフィルムを冷却して非晶質す
なわち書込状態を形成する。後に行なうデータの消去は
、レーザ結晶化によって再び実施し、この結晶化は通常
＆慢な工程であｐ、多くの用途において極めて長い消去
時間をもたらす。前記の論文の要点は、化学量論約１の
Ｇ＠Ｔ・組成全使用することにエフ、結晶化速度を有意
に改良することができ、レーデパルス長さ全結晶化用と
しては２５０＋１秒程度の短かいものにすることができ
るという点にある。
な記録用として使用されている。消去可能な記録におい
ては、最初に長期のレーザビームヲ用いてフィルムを結
晶化させて消去揖状態を形成する。次に、高強度短期焦
点化レーザビームを用いてフィルムをその融点より高い
温度に上昇させ、局在化非晶質スポットとしてデータを
フィルム上に書込む。次にフィルムを冷却して非晶質す
なわち書込状態を形成する。後に行なうデータの消去は
、レーザ結晶化によって再び実施し、この結晶化は通常
＆慢な工程であｐ、多くの用途において極めて長い消去
時間をもたらす。前記の論文の要点は、化学量論約１の
Ｇ＠Ｔ・組成全使用することにエフ、結晶化速度を有意
に改良することができ、レーデパルス長さ全結晶化用と
しては２５０＋１秒程度の短かいものにすることができ
るという点にある。
１込済情報を結晶状態でコード化（エンコード〕する１
回省込（ｗｒｉｔｅ −ｏｎ・）光学記録要素中に前記
のフィルム全使用することができない点が問題である。
回省込（ｗｒｉｔｅ −ｏｎ・）光学記録要素中に前記
のフィルム全使用することができない点が問題である。
最初の非晶質状態からの緩慢な結晶化速度は、多くの用
途に対する書込工程を者しく遅いものにする。
途に対する書込工程を者しく遅いものにする。
以下余白
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、式
％式％
（式中、原子対原子基準で、Ｘは０．３３〜０．５５で
あり、そしてｚ ｔ：ｆ： Ｏよυ大で０．３０以下で
ある）の合金の非晶質薄フィルムを含んでなる光学記録
要素を提供する。
あり、そしてｚ ｔ：ｆ： Ｏよυ大で０．３０以下で
ある）の合金の非晶質薄フィルムを含んでなる光学記録
要素を提供する。
第１図は、本発明による光学記録要素（１６）上へ情報
を記録し、そして記録された情報をそこから再生する装
置の倶弐図である。記録＊索（１６）は、第２図に示す
ように、基板（４５）上の、オーバーコート層（４１）
および非晶質薄フイルム光学記録層（４２）からなる。
を記録し、そして記録された情報をそこから再生する装
置の倶弐図である。記録＊索（１６）は、第２図に示す
ように、基板（４５）上の、オーバーコート層（４１）
および非晶質薄フイルム光学記録層（４２）からなる。
＆！、動信号に応答して、薄フィルム（４２）上に記録
すべき情報に従って、ダイオード記録ビームの強度を変
調する。変調化レーザビームはレンズ（１４）でＪ１４
束され、レンズ（１８）でコリメーションされ、そして
鏡要素（２０）、（２３）および（２４）によってレン
ズ（２６）に導かれ、そのレンズ（２６）がフィルム（
４２）上の記録スポット（２８）に７に調比レーザビー
ムを焦点化する。
すべき情報に従って、ダイオード記録ビームの強度を変
調する。変調化レーザビームはレンズ（１４）でＪ１４
束され、レンズ（１８）でコリメーションされ、そして
鏡要素（２０）、（２３）および（２４）によってレン
ズ（２６）に導かれ、そのレンズ（２６）がフィルム（
４２）上の記録スポット（２８）に７に調比レーザビー
ムを焦点化する。
記録の際には、要素（１６）ｔ−一定速度例えば１８０
０回転／分（ｒｐｍ）で回転させる。結果として、情報
トラック（３０）は、選択された結晶化領域の形で光学
記録海上に記録される。記録ｔｉけると、記録スボッ）
（２８）は要素（１６）ｋ横切って直径方向に内側に走
査され（手段は図示してない）、こうして外側半径ｒ０
から内側半径１”１へ延びるラセン状または同心円状ト
ラックに沿って情報が記録される。記録され次情報マー
クの大きさおよび間隔は、記録用レーデ駆動信号の情報
内容および要素（１６）の半径方向位置によって変化す
る。
０回転／分（ｒｐｍ）で回転させる。結果として、情報
トラック（３０）は、選択された結晶化領域の形で光学
記録海上に記録される。記録ｔｉけると、記録スボッ）
（２８）は要素（１６）ｋ横切って直径方向に内側に走
査され（手段は図示してない）、こうして外側半径ｒ０
から内側半径１”１へ延びるラセン状または同心円状ト
ラックに沿って情報が記録される。記録され次情報マー
クの大きさおよび間隔は、記録用レーデ駆動信号の情報
内容および要素（１６）の半径方向位置によって変化す
る。
胱出し処理の際には、新情報を担持した要素（１６）’
ｔ−１記録処理の際に回転させた速度と同じ速度で回転
させる。胱出しレーデからのレーザビーム（２２）をレ
ンズ（３４）および（３６）によって直径方向に拡大す
る。読出しレーデビームの光学的通路は、ビームスプリ
ッタ（２１）ならびに鋭（２３）および（２４）によっ
て曲けられ、こうして高数値口径レンズ（２６）によっ
て要素（１６）上の再生スポットに読出しレーザビーム
を焦点化する。要素（１６）が反射性タイプのものであ
るとすれは、再生スポットｔ−形成する輻射線は、光学
要素（１６）上に記録されｆＣ情報マークと相互作用し
た後で高数値口径レンズ（２６）を通して反射される。
ｔ−１記録処理の際に回転させた速度と同じ速度で回転
させる。胱出しレーデからのレーザビーム（２２）をレ
ンズ（３４）および（３６）によって直径方向に拡大す
る。読出しレーデビームの光学的通路は、ビームスプリ
ッタ（２１）ならびに鋭（２３）および（２４）によっ
て曲けられ、こうして高数値口径レンズ（２６）によっ
て要素（１６）上の再生スポットに読出しレーザビーム
を焦点化する。要素（１６）が反射性タイプのものであ
るとすれは、再生スポットｔ−形成する輻射線は、光学
要素（１６）上に記録されｆＣ情報マークと相互作用し
た後で高数値口径レンズ（２６）を通して反射される。
レンズ（３８）は、プリズムビームスプリッタに工つて
転換された反射レーデ輻射ｉｔ検出器（４０）上に向け
、検出器（４０）は検出器にそそがれる反射レーデ輻射
線の放射照度における時間的変化（コントラスト）に応
じて電気的再生信号金生底する。
転換された反射レーデ輻射ｉｔ検出器（４０）上に向け
、検出器（４０）は検出器にそそがれる反射レーデ輻射
線の放射照度における時間的変化（コントラスト）に応
じて電気的再生信号金生底する。
非晶質フィルム（４２）の選択された部分を結晶状態に
変えるのに充分なエネルギーの電磁輻射線のコヒーレン
トビームによりて本発明に係る非晶質薄フイルム光学記
録層の簀込を行なう。本発明において、非晶質薄フイル
ム光学記録層はレーザパルス幅５０〜５００ ｎｓにお
けるレーザ２．５〜１０ｍＷ において変換を行なう
のに充分感受性である。
変えるのに充分なエネルギーの電磁輻射線のコヒーレン
トビームによりて本発明に係る非晶質薄フイルム光学記
録層の簀込を行なう。本発明において、非晶質薄フイル
ム光学記録層はレーザパルス幅５０〜５００ ｎｓにお
けるレーザ２．５〜１０ｍＷ において変換を行なう
のに充分感受性である。
薄フィルムの記録試験を、スタティックピットテスター
全周いて実施した。
全周いて実施した。
スタティックビットテスターは、フィルム試料の２１ｎ
Ｘ２１ｎスライドガラス上に標準試験パターンをレーデ
で露光する自動ファシリティ−全備えている。マイクロ
コンピュータを使用して試料の位置およびレーデ電力全
制御した。各記録Ｎを、８３０ ｎｍダイオードレーデ
からの４０〜３０，０００＋１秒パルス持続時間で、試
料上の６棟の電力水＊（２，３，４，６，１０および１
２ ｍＷ ）の各々で４ミクロン中心の１０ビツトの電
カ一連配列に、スタチックビットテスター内で露光させ
る。光学的記録用材料としての適合性は、スライドの露
光領域と未露光領域との間、すなわち非晶負領域と結晶
領域との間の反射率の変化を測定することによって決定
する。
Ｘ２１ｎスライドガラス上に標準試験パターンをレーデ
で露光する自動ファシリティ−全備えている。マイクロ
コンピュータを使用して試料の位置およびレーデ電力全
制御した。各記録Ｎを、８３０ ｎｍダイオードレーデ
からの４０〜３０，０００＋１秒パルス持続時間で、試
料上の６棟の電力水＊（２，３，４，６，１０および１
２ ｍＷ ）の各々で４ミクロン中心の１０ビツトの電
カ一連配列に、スタチックビットテスター内で露光させ
る。光学的記録用材料としての適合性は、スライドの露
光領域と未露光領域との間、すなわち非晶負領域と結晶
領域との間の反射率の変化を測定することによって決定
する。
この反射率変化は式
（式中、ＲｃおよびＲａは各々結晶状態訃よび非晶質状
態の反射率である） で規定される記録コントラス）（ＣＴ）によって表され
る。光学記録層として有用と考えられるフィルムに対し
ては、最小コントラスト５を得ることが必要である。
態の反射率である） で規定される記録コントラス）（ＣＴ）によって表され
る。光学記録層として有用と考えられるフィルムに対し
ては、最小コントラスト５を得ることが必要である。
一態様において、本発明の光字記録要素は、式％式％
（式中、原子対原子基準で、Ｘは０．３８〜０．４８で
あり、そして２はＯよジ大で０．１５以下でおる）の合
金の非晶質薄フィルムを含んでなる。
あり、そして２はＯよジ大で０．１５以下でおる）の合
金の非晶質薄フィルムを含んでなる。
本発明の要素は、Ｇｅ−Ｔｏ薄フィルム中にＴ１を配合
して性能を改良した点で従来技術のものと異なる。本発
明のフィルムは、近赤外領域でのレーザ結晶化に対して
者しく向上した感度（５ｐｅｅｄ ）および感３ （ｇ
ｅｎｓｉｔｌｖｌｔｙ）をもっている。すなわち、本発
明のフィルムは、従来技術の４１１索中で使用されたＧ
５Ｔｅフィルムよりも、必要とされるレーデ１込電力お
よびレーザパルス長が一般に低水準である。本発明の要
素は、Ｔｌ を宮１ないＧｅＴｅ薄フィルムと比較して
、熱で誘発される変形に対する感受性が低くセして書込
ノイズが少ない。
して性能を改良した点で従来技術のものと異なる。本発
明のフィルムは、近赤外領域でのレーザ結晶化に対して
者しく向上した感度（５ｐｅｅｄ ）および感３ （ｇ
ｅｎｓｉｔｌｖｌｔｙ）をもっている。すなわち、本発
明のフィルムは、従来技術の４１１索中で使用されたＧ
５Ｔｅフィルムよりも、必要とされるレーデ１込電力お
よびレーザパルス長が一般に低水準である。本発明の要
素は、Ｔｌ を宮１ないＧｅＴｅ薄フィルムと比較して
、熱で誘発される変形に対する感受性が低くセして書込
ノイズが少ない。
薄非晶質フィルム記録層の作！Ｊ！は、通常の薄フイル
ム蒸着技術、例えば蒸発、合金ターゲットがらのＲＦ（
無線周波数： ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕ＠ｎｃｙ ）お
よびＤＣ（直流： ｄｉｒｅｃｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）ス
パッタリング、ならびに個々の要素のターゲットからの
ＲＦおよびＤＣコスパッタリングによって調製すること
ができる。磁場金与えてスパッタリング方法を改良する
こと（マグネトロンスパッタリング）も用いることがで
きる。フィルムの厚さは、コントラスト、感度、作製速
度、材料コスト、制御の容易性、データ速度等の要因の
バランスによシ、数十（１０）から数ｇ’ ｎｍ （５
００ｎｍ ）であることができる。
ム蒸着技術、例えば蒸発、合金ターゲットがらのＲＦ（
無線周波数： ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕ＠ｎｃｙ ）お
よびＤＣ（直流： ｄｉｒｅｃｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）ス
パッタリング、ならびに個々の要素のターゲットからの
ＲＦおよびＤＣコスパッタリングによって調製すること
ができる。磁場金与えてスパッタリング方法を改良する
こと（マグネトロンスパッタリング）も用いることがで
きる。フィルムの厚さは、コントラスト、感度、作製速
度、材料コスト、制御の容易性、データ速度等の要因の
バランスによシ、数十（１０）から数ｇ’ ｎｍ （５
００ｎｍ ）であることができる。
Ｔｉは、それ全通常の操作圧力で蒸発させると、６珈の
Ｔｉ酸酸化物形形成る可能性があることは当業名が承知
するところである。従って、本発明は、Ｔｌの一部分が
酸化物として存在する薄フィルムを覆うものである。
Ｔｉ酸酸化物形形成る可能性があることは当業名が承知
するところである。従って、本発明は、Ｔｌの一部分が
酸化物として存在する薄フィルムを覆うものである。
使用することのできる支持体としては、プラスチックフ
ィルム例えはポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ガラス板、紙また
は金属板が含まれる。
ィルム例えはポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ガラス板、紙また
は金属板が含まれる。
本発明を、以下、実施例によって更に具体的に説明する
。
。
実施例１
対照
ソースとしてＧｅＴｅ ’ｔ”含むボートからの真空蒸
発［！ｐ、ダルマニウム−テルルの薄フィルムを作製し
た。そのフィルムは厚す約０．２μｍ（２０００Ａ）で
あり、組成は原子対原子基準でダルマニウム４５％とテ
ルル５５％（”０．４５ ”０．５５ ）でありた。パ
ルス長０．０５０μ５（５０ｎｓ）および波長８３０
ｎｍ の焦点化ダイオードレーデを便用して、レーザ電
力８ ｍＷ以下では記録マーク（フィルムの結晶化部分
）をほとんど作製することができなかった。記録マーク
は変形を示した。その変形は、より長い１μＢのパルス
時間およびより高い電力水準で作製されたマークにおい
て特に顕著であった。ダイオードレーデで読んだ記録マ
ークはＣＮＲ値４７ ｄＢ （３０ｋＨｚバンド幅）を
与えた。
発［！ｐ、ダルマニウム−テルルの薄フィルムを作製し
た。そのフィルムは厚す約０．２μｍ（２０００Ａ）で
あり、組成は原子対原子基準でダルマニウム４５％とテ
ルル５５％（”０．４５ ”０．５５ ）でありた。パ
ルス長０．０５０μ５（５０ｎｓ）および波長８３０
ｎｍ の焦点化ダイオードレーデを便用して、レーザ電
力８ ｍＷ以下では記録マーク（フィルムの結晶化部分
）をほとんど作製することができなかった。記録マーク
は変形を示した。その変形は、より長い１μＢのパルス
時間およびより高い電力水準で作製されたマークにおい
て特に顕著であった。ダイオードレーデで読んだ記録マ
ークはＣＮＲ値４７ ｄＢ （３０ｋＨｚバンド幅）を
与えた。
本発明
前記の「対照」で記載の真を蒸発法を使用して、チタン
でドープした薄ＧａＴｓ フィルムを作製した。
でドープした薄ＧａＴｓ フィルムを作製した。
得られたフィルムは厚さ約Ｏ０２μｍで、組成はグルマ
ニクム３９俤、テルル５２優およびチタン９チ、（”Ｑ
、４Ｓ ”０．５７ ） ０．９１ Ｔ１０．０９であ
った・丹び・パルス長０．０５０μｓ （５０ｎａ）Ｔ
ＴｈＡ化ダイオードレーデを使用して、４ ｍＷ未満の
レーザ電力で良好なマークを作製した。より長い１μｓ
のパルス長において、対照のマークよりも変形が有意に
減少したマークが作製され次。前記と同様にダイオード
レーデでマークを読むと、非常に改良されたＣＮＲｍ
６２ ｄＢ （３０ｋＨｚバンド幅）が得られた。
ニクム３９俤、テルル５２優およびチタン９チ、（”Ｑ
、４Ｓ ”０．５７ ） ０．９１ Ｔ１０．０９であ
った・丹び・パルス長０．０５０μｓ （５０ｎａ）Ｔ
ＴｈＡ化ダイオードレーデを使用して、４ ｍＷ未満の
レーザ電力で良好なマークを作製した。より長い１μｓ
のパルス長において、対照のマークよりも変形が有意に
減少したマークが作製され次。前記と同様にダイオード
レーデでマークを読むと、非常に改良されたＣＮＲｍ
６２ ｄＢ （３０ｋＨｚバンド幅）が得られた。
実施例２
実施例１と同様にして、ダルマニウム−テルルおよびチ
タンからなる一連の薄フィルムを作製した。フィルムの
厚さは０．２〜０．３μｍであった。作製した各フィル
ムの組成は、（ＧｅＯ，４３” ０．５７ ） １−ｚ
Ｔ１”〔２は０．０１〜０．１６８：ｌであった。ス
タチックピットテスターを用いて、各フィルムを一連の
レーデパルスに露した。第３図のグラフは、各フィルム
の反射率に変化を生じるのに必要な、パルス幅０．０５
０μｇ（５０ｎｉ）における最小レーザ電力を示すもの
である。従りて、得られたデータは、作製されたフィル
ムの感度（５ｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ）の測定である。
タンからなる一連の薄フィルムを作製した。フィルムの
厚さは０．２〜０．３μｍであった。作製した各フィル
ムの組成は、（ＧｅＯ，４３” ０．５７ ） １−ｚ
Ｔ１”〔２は０．０１〜０．１６８：ｌであった。ス
タチックピットテスターを用いて、各フィルムを一連の
レーデパルスに露した。第３図のグラフは、各フィルム
の反射率に変化を生じるのに必要な、パルス幅０．０５
０μｇ（５０ｎｉ）における最小レーザ電力を示すもの
である。従りて、得られたデータは、作製されたフィル
ムの感度（５ｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ）の測定である。
そのグラフから明らかなとおり、フィルム中のチタンの
原子チが上昇するにつれて、フィルム中に存在するチタ
ンの濃度（Ｚ）が約０．０５に達するまでは、レーザに
対するフィルムのｇ度は上昇した。その後、チタンの添
７１０は感度の低下をもたらした。しかしながら、２の
範囲が０．０１〜０．１６８においては、このフィルム
の感度は、対照のフィルム（反射率の変化を生成するの
に電力約８ｒｄＮ′Ｊｔ必賛とした）の感度よりも大き
い。
原子チが上昇するにつれて、フィルム中に存在するチタ
ンの濃度（Ｚ）が約０．０５に達するまでは、レーザに
対するフィルムのｇ度は上昇した。その後、チタンの添
７１０は感度の低下をもたらした。しかしながら、２の
範囲が０．０１〜０．１６８においては、このフィルム
の感度は、対照のフィルム（反射率の変化を生成するの
に電力約８ｒｄＮ′Ｊｔ必賛とした）の感度よりも大き
い。
更に、結晶化がパルス幅５０ ｎｓで得られた。
！状下仝白
〔発明の効果〕
本発明による光学記録要素は、前記の従来の要素と比較
して大幅に改良された結晶化速度をもっている。本発明
の要素によれは、パルス長１００＋１秒以下全使用して
結晶化が得られる。この改良された結晶化速度により、
記録状態とじてレーデ結晶化を使用する高速１回書込記
録用に本発明の要素を使用することが可能になる。更に
、本発明の要素は高い記録感度および高い搬送波対雑音
比をもつ。
して大幅に改良された結晶化速度をもっている。本発明
の要素によれは、パルス長１００＋１秒以下全使用して
結晶化が得られる。この改良された結晶化速度により、
記録状態とじてレーデ結晶化を使用する高速１回書込記
録用に本発明の要素を使用することが可能になる。更に
、本発明の要素は高い記録感度および高い搬送波対雑音
比をもつ。
第１図は本発明に係る記録要素を使用する記録お工び読
出装置の模式図、第２図は本発明に係る光学記録要素の
模式的断面図、そして第３図は実施例２の実験結果を示
すグラフである。 １６・・・記録要素；１４，１８，２６．３４゜３６．
３８・・・レンズ；２０，２１．２３．２４・・・鋭要
素；４２・・・薄フィルム；４５・・・基根。 以−１・ぷ白 ＦＩＧ、 Ｉ ＦＩＧ、 ２
出装置の模式図、第２図は本発明に係る光学記録要素の
模式的断面図、そして第３図は実施例２の実験結果を示
すグラフである。 １６・・・記録要素；１４，１８，２６．３４゜３６．
３８・・・レンズ；２０，２１．２３．２４・・・鋭要
素；４２・・・薄フィルム；４５・・・基根。 以−１・ぷ白 ＦＩＧ、 Ｉ ＦＩＧ、 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 （Ｇｅ＿ｘＴｅ＿１＿−＿ｘ）＿１＿−＿ｚＴｉ＿ｚ（
式中、原子対原子基準で、ｘは０．３３〜０．５５であ
り、そしてｚは０より大で０．３０以下である）の合金
の非晶質薄フィルムを、光学記録層として含んでなる、
記録要素。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/907,423 US4710452A (en) | 1986-09-15 | 1986-09-15 | Thin film amorphous optical recording films |
| US907423 | 1986-09-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376121A true JPS6376121A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=25424071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62228660A Pending JPS6376121A (ja) | 1986-09-15 | 1987-09-14 | 記録要素 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4710452A (ja) |
| EP (1) | EP0260920B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6376121A (ja) |
| CA (1) | CA1248755A (ja) |
| DE (1) | DE3771289D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59185048A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材及び記録方法 |
| US4787077A (en) * | 1985-08-15 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state |
| US5036511A (en) * | 1988-02-05 | 1991-07-30 | Tandy Corporation | Recording method and apparatus |
| US5208801A (en) * | 1988-02-05 | 1993-05-04 | Tandy Corporation | Method and apparatus for correcting focus in an optical recording system |
| US5001699A (en) * | 1988-02-05 | 1991-03-19 | Tandy Corporation | Recording method and apparatus |
| US5016239A (en) * | 1988-02-05 | 1991-05-14 | Tandy Corporation | Recording method and apparatus |
| US5088088A (en) * | 1988-02-05 | 1992-02-11 | Tandy Corporation | Dye-polymer optical data storage media with improved recording sensitivity |
| US5200948A (en) * | 1988-02-05 | 1993-04-06 | Tandy Corporation | Recording method and apparatus |
| US5090008A (en) * | 1988-02-05 | 1992-02-18 | Tandy Corporation | Erasable recording media |
| US5018128A (en) * | 1988-02-05 | 1991-05-21 | Tandy Corporation | Apparatus and medium for recording erasable information |
| US5014259A (en) * | 1988-02-05 | 1991-05-07 | Tandy Corporation | Recording medium having an insulating layer |
| US5079758A (en) * | 1989-09-28 | 1992-01-07 | Tandy Corporation | Single polymer layer recordable/erasable optical media |
| US5055331A (en) * | 1990-07-02 | 1991-10-08 | Eastman Kodak Company | Phase-change optical recording media |
| US5144613A (en) * | 1990-07-26 | 1992-09-01 | Tandy Corporation | Thermal bulk erasure method for dye polymer optical media |
| US5406544A (en) * | 1991-07-25 | 1995-04-11 | Clark; Bryan K. | Low cost substrate for bump-forming recording media |
| TW452793B (en) * | 1997-03-27 | 2001-09-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Recording and reproducing method for optical information recording medium, and optical information recording medium |
| JPH11283278A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Pioneer Electron Corp | 光記録媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4357616A (en) * | 1979-03-26 | 1982-11-02 | Hitachi, Ltd. | Recording medium |
| US4268840A (en) * | 1979-07-27 | 1981-05-19 | Xerox Corporation | Optical recording member |
| DE3473670D1 (en) * | 1983-06-27 | 1988-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of producing optical recording medium |
| US4581317A (en) * | 1984-03-01 | 1986-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Optical recording element |
-
1986
- 1986-09-15 US US06/907,423 patent/US4710452A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-24 CA CA000523609A patent/CA1248755A/en not_active Expired
-
1987
- 1987-09-14 JP JP62228660A patent/JPS6376121A/ja active Pending
- 1987-09-15 DE DE8787308121T patent/DE3771289D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-15 EP EP87308121A patent/EP0260920B1/en not_active Expired
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7609603B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-10-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7858167B2 (en) | 2002-02-13 | 2010-12-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7659049B2 (en) | 2002-03-05 | 2010-02-09 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0260920B1 (en) | 1991-07-10 |
| US4710452A (en) | 1987-12-01 |
| CA1248755A (en) | 1989-01-17 |
| EP0260920A3 (en) | 1989-04-12 |
| EP0260920A2 (en) | 1988-03-23 |
| DE3771289D1 (de) | 1991-08-14 |
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