JPS637627B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS637627B2
JPS637627B2 JP57078167A JP7816782A JPS637627B2 JP S637627 B2 JPS637627 B2 JP S637627B2 JP 57078167 A JP57078167 A JP 57078167A JP 7816782 A JP7816782 A JP 7816782A JP S637627 B2 JPS637627 B2 JP S637627B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
box
heater
blower
aging
cooler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57078167A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58196025A (ja
Inventor
Tatsuo Hayashida
Takeshi Fukushiro
Teruaki Kojima
Ryuichi Takagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57078167A priority Critical patent/JPS58196025A/ja
Publication of JPS58196025A publication Critical patent/JPS58196025A/ja
Publication of JPS637627B2 publication Critical patent/JPS637627B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、IC、LSI等の半導体のエージング装
置に関するものである。
半導体の検査は一度に多数のものが一定の環境
の中で行なわれる。従来、この種の装置は、第1
図乃至第3図に示すように、外板1の内側に断熱
材2を貼つた箱体に検査するための半導体試料を
出し入れする扉3を設け、該箱体内には試料室4
と該試料室4に高温空気5を送風する送風機6を
設け、該高温空気5の通風路に半導体の発熱およ
び降温等の冷却をする図示してない外部冷凍装置
に接続された冷却器7、空気を加熱する電気ヒー
ターあるいは冷凍装置に接続された加熱器用熱交
換器8を設け、上記試料室に般入した試料9の検
査を行なつている。試料室に搬入される半導体試
料9は第3図に示すように、エージング基板10
に複数の半導体11を取付け、エーシング基板1
0はコネクター12に接続される。13は電源接
続部で、電源ユニツト14に電線15により接続
されている。上記コネクター12は箱体内に設け
られており、検査するときにエージング基板10
を上記コネクター12に差込んで接続する。箱体
内に搬入された多数のエージング基板10からな
る試料9は水平に配置されており、したがつて、
空気は矢印5のようにエージング基板10間を通
過する。
上記のように多数の半導体が通電された状態で
所定の温度条件下での検査を行なう。
上記した従来のものは、試料の搬入が一ケ所で
あり、また、コネクターが箱体内に内蔵された構
造であつたため、全体的に試料の搬入容積が小さ
く、一度に検査する半導体の数が少ないという欠
点があつた。エージング基板を箱体内のコネクタ
ーに差込む場合もコネクターが奥まつた位置にあ
るので差込みも不便であつた。また、循環空気の
上流部と下流部では温度差が生じ箱体内の温度分
布が悪いなどの欠点を有していた。
これらに関連するものとして、実公昭47−
29265号等がある。
本発明は、上記の欠点を冷却した半導体のエー
ジング装置を提供することを目的とするものであ
る。
本発明は上記の目的を達成するために、箱体の
対向する両壁に試料を出し入れできる扉付開口部
を設け、該箱体内の中央部に試料室、上下部に加
熱器と冷却器を収納した熱交換器室を設け、該熱
交換器室に送風機を設け、調和空気を送風機、第
1の加熱器、試料室、第1の冷却器、第2の加熱
器、試料室、第2の冷却器、送風機の順に通風さ
せるように構成して、温度分布の改善、試料の搬
入の容易化および搬入試料の増加を計ることがで
きるようにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明を第4図乃至第6図に示す一実施
例により詳細に説明する。
図において、第1図乃至第3図と同一部分は同
一の符号で表わし、その説明を省略してある。3
0は内面に断熱材を内貼りした箱体で、前面と背
面の両壁面に開口部を設け、該開口部を扉31,
32で開閉できるように構成されている。33は
箱体30の下部に形成した熱交換器室で、送風機
34と第1の加熱器35a,35b、第2の冷却
器36a,36bが並列に配設されている。37
は上部に形成した熱交換器室で、第2の加熱器3
8a,38bと第1の冷却器39a,39bが並
列に配設されている。上記第1、および第2の冷
却器39a,39bおよび36a,36bは図示
してない冷凍装置と配管により接続されており、
冷媒を冷却器内伝熱管に送り冷却作用を行なう。
また、第1および第2の加熱器35a,35bお
よび38a,38bは電気ヒーターあるいは冷凍
装置等に配管により接続されており、高温流体を
加熱器内伝熱管に送り加熱作用を行なう。40は
試料室で、上記箱体30の上下熱交換器室33と
37の間に形成されており、上記扉31,32を
開けたとき全面開放される。エージング基板10
には多数の半導体11が取付けられ、そのエージ
ング基板10は箱体の外においてコネクター12
に差込む。そして、コネクター12を取付けたエ
ージング基板10を試料室40の中へ垂直に並べ
て搬入するとコネクター12の接続部が箱体の前
面扉側に位置する電源接続部13にコンタクトす
るようになつている。而して、送風機34を運転
すると同時に第1の加熱器35a,35bにより
空気が加熱される。一方、各半導体11には電源
ユニツト14により通電されており、いくらかの
発熱がある。加熱された空気は先ず下部に垂直に
並べられている多数のエージング基板10の間を
通つた後更に上部のエージング基板10の間に流
入する。上部のエージング基板群を経た時点では
半導体11自身の発熱もあつて空気温度が所定の
温度より上昇してしまつているので、この発熱量
分を第1の冷却器39a,39bによつて冷却す
る。この冷却器39a,39bは図示してない
が、箱体外部に設けられている冷凍装置によつて
運転される。この温風は次に上部熱交換器室33
7に設置されている第2の加熱器38a,38b
により適温に加熱調整された後次の上部エージン
グ基板群内に流入し、更に下部のエージング基板
群内を流通して第2の冷却器36a,36bによ
り調温され送風機34に吸込まれ、調和空気の循
環経過を形成する。
このように上記実施例においては、箱体内に全
部で冷却器4台、加熱器4台をそれぞれ循環通風
路の中でエージング基板群の上流側に加熱器、下
流側に冷却器をそれぞれ手前側と奥側に並列に設
けて箱体内容積を無駄なく活用しているので、試
料の搬入量が多く、また、前面と背面の両壁に開
閉扉を設けたので、搬入取出しが容易である。ま
た試料室の上下部に熱交換器を設けて調温するよ
うにしたので、各エージング基板群に対し平均し
た温風を送ることができる。
そして、検査が終了すると、加熱器の運転を停
止すると共に、試料室40内の降温を行なうため
冷却器のみを運転する。そして、充分降温した後
開閉扉31,32を開けて試料を取出す。
本発明は、上記の如き構成にしたので、多数の
半導体を一度に検査できる。また、エージング基
板のコネクターへの差込が簡単にできる。また、
温度分布がよいなどの実用的効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来機の正面図、第2図は第1図の側
面図、第3図はエージング基板組品図、第4図は
本発明のエージング装置の正面図、第5図は第4
図の側面図、第6図はエージング基板組品図であ
る。 10……エージング基板、11……半導体、1
2……コネクター、13……電源接続部、14…
…電源ユニツト、15……電線、30……箱体、
31,32……扉、33……下部熱交換器室、3
4……送風機、35a,35b……第1の加熱
器、36a,36b……第2の冷却器、37……
上部熱交換器室、38a,38b……第2の加熱
器、39a,39b……第1の冷却器、40……
試料室。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 箱体内に半導体等の試料を収納し、調温され
    た空気を送風機により循環させて検査を行なう半
    導体等のエージング装置において、箱体の対向す
    る両壁に試料を出し入れできる扉付開口部を設
    け、該箱体内の中央部に試料室、上下部に加熱器
    と冷却器を収納した熱交換器室を設け、該熱交換
    室に送風機を設け、調和空気を送風機、第1の加
    熱器、試料室、第1の冷却器、第2の加熱器、試
    料室、第2の冷却器、送風機の順に通風させるこ
    とを特徴とする半導体等のエージング装置。
JP57078167A 1982-05-12 1982-05-12 半導体等のエ−ジング装置 Granted JPS58196025A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57078167A JPS58196025A (ja) 1982-05-12 1982-05-12 半導体等のエ−ジング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57078167A JPS58196025A (ja) 1982-05-12 1982-05-12 半導体等のエ−ジング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58196025A JPS58196025A (ja) 1983-11-15
JPS637627B2 true JPS637627B2 (ja) 1988-02-17

Family

ID=13654373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57078167A Granted JPS58196025A (ja) 1982-05-12 1982-05-12 半導体等のエ−ジング装置

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS619853U (ja) * 1984-06-21 1986-01-21 株式会社 藤田製作所 バ−ンイン処理装置
JPH0522868Y2 (ja) * 1986-06-09 1993-06-11
JPH0310277U (ja) * 1989-06-16 1991-01-31
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN103487697B (zh) * 2013-09-24 2016-01-20 浙江恒泰皇冠园林工具有限公司 一种新型老化柜

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JPS58196025A (ja) 1983-11-15

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