JPS6376335A - 半導体装置の絶縁膜形成方法 - Google Patents
半導体装置の絶縁膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6376335A JPS6376335A JP21801486A JP21801486A JPS6376335A JP S6376335 A JPS6376335 A JP S6376335A JP 21801486 A JP21801486 A JP 21801486A JP 21801486 A JP21801486 A JP 21801486A JP S6376335 A JPS6376335 A JP S6376335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- liquid glass
- group
- semiconductor device
- spin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分針）
この発明は半導体装置の絶縁膜の形成方法に関する。
（従来の技術）
液状ガラスを回転塗布して絶縁膜層とする方法は絶縁膜
層の平坦化が極めて容易にできる。
層の平坦化が極めて容易にできる。
液状ガラスとしてはシラノールＳ ｌ （ＯＨ）、と。
拡散不純物、ガラス質形成剤、有機バインダー等の添加
剤をアルコールを主成分とした有橋溶剤に溶解したもの
がよく用いられている。
剤をアルコールを主成分とした有橋溶剤に溶解したもの
がよく用いられている。
この液状ガラスを熱処理することにより、５Ｌ−Ｏ−Ｓ
ｔ結合のガラス化が進み、膜の緻密化が促進され、良好
な絶縁膜を形成することができる。
ｔ結合のガラス化が進み、膜の緻密化が促進され、良好
な絶縁膜を形成することができる。
回転宜布後ＯＣＤ液はすぐ固化しはじめる。この膜のガ
ラス化には熱処理が必要である。約１００℃で溶剤が蒸
発し、約３００℃で８ｌ−０−８ｔ、端金のガラス化が
進み、４５０℃以上で膜の緻密化が促進される。
ラス化には熱処理が必要である。約１００℃で溶剤が蒸
発し、約３００℃で８ｌ−０−８ｔ、端金のガラス化が
進み、４５０℃以上で膜の緻密化が促進される。
しかしシラノール８１（ＯＨ）、が原材料でおるため、
ＯＨ基が残存する。このＯＨＪは膜の分ｊの原因となる
ので完全に除去することが望ましい。
ＯＨ基が残存する。このＯＨＪは膜の分ｊの原因となる
ので完全に除去することが望ましい。
このためには８００℃以上の熱処理が必要であるが。
例えばＡ１多層配線プロセスには５００″Ｃ以上の熱処
理を加えることができないので、この絶徽膜形成力法を
使用するのは難しい。
理を加えることができないので、この絶徽膜形成力法を
使用するのは難しい。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上述した従来の欠点を改良したもので。
良質な絶縁膜を形成し、ＡＩ配線等で、緻密化を促進す
ることのできる半導体ｉｔの絶縁膜形成方法を提供する
ことを目的とする。
ることのできる半導体ｉｔの絶縁膜形成方法を提供する
ことを目的とする。
（間頂点を解決するための手段）
本発明は液状ガラスの回転塗布後に、マグネトロンによ
るマイクロ波を照射する工程を行なう半導本装置の絶縁
膜形成方法である。
るマイクロ波を照射する工程を行なう半導本装置の絶縁
膜形成方法である。
（作用）
液犬ガラスでは、ｓｉ、！：ｏ）（基は比較的弱く結合
している。−！たＯＨ基は分、甑しているので、マイク
ロ彼照射によりＯＨ基を共振させることができる。この
ＯＨ基の運動により熱を持ちＯＨ＋ＯＨ→Ｈ，０−１−
０の反応がおこり、Ｈ，Ｏは蒸気となり外へ出ていき、
０はＳｉとＳ ｉ −０−８１結合のガラス化が進む、
この時ＡＩ配線等の金属はマイクロ波を反射するため加
熱されない、即ち、低温でＯＨ基を除去することができ
る。
している。−！たＯＨ基は分、甑しているので、マイク
ロ彼照射によりＯＨ基を共振させることができる。この
ＯＨ基の運動により熱を持ちＯＨ＋ＯＨ→Ｈ，０−１−
０の反応がおこり、Ｈ，Ｏは蒸気となり外へ出ていき、
０はＳｉとＳ ｉ −０−８１結合のガラス化が進む、
この時ＡＩ配線等の金属はマイクロ波を反射するため加
熱されない、即ち、低温でＯＨ基を除去することができ
る。
（実施例）
第１図に従ってこの発明の第１の実施例を示す。
喀１図（ａ）は半導本基板１上に素子層２を形成しさら
に金属配線３をほどこした後、液状ガラス４を回転塗布
した直後の断面図である。液状ガラス４中には有機溶剤
５やＯＨ基６などが存在している。
に金属配線３をほどこした後、液状ガラス４を回転塗布
した直後の断面図である。液状ガラス４中には有機溶剤
５やＯＨ基６などが存在している。
この後３００〜４５０℃で加熱した後の断面図が第１図
（ｂ）である、有機溶剤５は完全に蒸発してなくなるが
、ＯＨ基６は若干残存している。
（ｂ）である、有機溶剤５は完全に蒸発してなくなるが
、ＯＨ基６は若干残存している。
この状態で第１図（Ｃ）に示すようにマイクロ波７を照
射すると、ＯＨ基６は共振し１分子運動により、熱をも
ち他のＯＨ基と反応し、水蒸気８となり半導体表面から
出ていく。
射すると、ＯＨ基６は共振し１分子運動により、熱をも
ち他のＯＨ基と反応し、水蒸気８となり半導体表面から
出ていく。
その結果ＯＨ基のない良質な絶縁膜厚４が作られる。こ
れを第１図（ｄ）に示す、この後さらに熱処理を加えて
緻密化を促進してもよい８ なお、第１図（Ｃ）に示した大態で、半導体基板を加熱
するとより、ＯＨ基の反応が促進される。また前後の加
熱処理も省略することができる。半導体基板を加熱する
方法は半導体基板１を裏面から加熱してもよいし、オー
プン自体を加熱してもよい。
れを第１図（ｄ）に示す、この後さらに熱処理を加えて
緻密化を促進してもよい８ なお、第１図（Ｃ）に示した大態で、半導体基板を加熱
するとより、ＯＨ基の反応が促進される。また前後の加
熱処理も省略することができる。半導体基板を加熱する
方法は半導体基板１を裏面から加熱してもよいし、オー
プン自体を加熱してもよい。
さらにまた、液状ガラス４を回転塗布する前に構２図に
示すように半導体基板表面をＳｔＯ，あるいｄｓ ｉ−
Ｎｐｇで覆うことにより、マイクロ波７照射時に上昇す
るＯＨ基６の熱から配線３を守ることができる。このＳ
ｉｎ、膜あるいは８１−Ｎ膜９はＣＶＤ去やスパッタ法
その他どのような方法で形成してもよい。
示すように半導体基板表面をＳｔＯ，あるいｄｓ ｉ−
Ｎｐｇで覆うことにより、マイクロ波７照射時に上昇す
るＯＨ基６の熱から配線３を守ることができる。このＳ
ｉｎ、膜あるいは８１−Ｎ膜９はＣＶＤ去やスパッタ法
その他どのような方法で形成してもよい。
この発明により、低温で、液状ガラスからＯＨ基をとり
除くことができる。したがって多層金属配線プロセスの
層間絶縁膜として、液状ガラスを使用することが可能に
なる。
除くことができる。したがって多層金属配線プロセスの
層間絶縁膜として、液状ガラスを使用することが可能に
なる。
嬉１図はこの発明の一実施例の製造工程を示す半導体基
板の断面図、嘉２図は他の実施例の製造工程の一部を示
す半導体基板の断面図である。 １・・・半４本基板、２・・・素子領域層、３・・・金
属配線、４・・・液状ガラス、５・・・有機溶剤、６・
・・ＯＨ基。 ７・・・マイクロ波、８・・・Ｈ，０，９・・・ＳＩＯ
，あるいは５ｌ−Ｎ膜。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男 第１１２Ｉ 第２図
板の断面図、嘉２図は他の実施例の製造工程の一部を示
す半導体基板の断面図である。 １・・・半４本基板、２・・・素子領域層、３・・・金
属配線、４・・・液状ガラス、５・・・有機溶剤、６・
・・ＯＨ基。 ７・・・マイクロ波、８・・・Ｈ，０，９・・・ＳＩＯ
，あるいは５ｌ−Ｎ膜。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男 第１１２Ｉ 第２図
Claims (3)
- （１）半導体基板上に液状ガラスを回転塗布後マグネト
ロンによるマイクロ波を照射する工程を行うことを特徴
とする半導体装置の絶縁膜形成方法。 - （２）マイクロ波照射時に半導体基板を加熱することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の絶
縁膜形成方法。 - （３）液状ガラスを回転塗布する前に半導体基板表面を
ＳｉＯ＿２あるいはＳｉ−Ｎ膜で覆うことを特徴とする
特許請求の範囲第１項および第２項のうちいずれかに記
載の半導体装置の絶縁膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21801486A JPS6376335A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21801486A JPS6376335A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376335A true JPS6376335A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16713272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21801486A Pending JPS6376335A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288252A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| US7589028B1 (en) * | 2005-11-15 | 2009-09-15 | Novellus Systems, Inc. | Hydroxyl bond removal and film densification method for oxide films using microwave post treatment |
| US7625820B1 (en) | 2006-06-21 | 2009-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Method of selective coverage of high aspect ratio structures with a conformal film |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP21801486A patent/JPS6376335A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288252A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| US7589028B1 (en) * | 2005-11-15 | 2009-09-15 | Novellus Systems, Inc. | Hydroxyl bond removal and film densification method for oxide films using microwave post treatment |
| US7625820B1 (en) | 2006-06-21 | 2009-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Method of selective coverage of high aspect ratio structures with a conformal film |
| US7863190B1 (en) | 2006-06-21 | 2011-01-04 | Novellus Systems, Inc. | Method of selective coverage of high aspect ratio structures with a conformal film |
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