JPS637638A - 樹脂封止形半導体の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体の製造方法Info
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- JPS637638A JPS637638A JP15196586A JP15196586A JPS637638A JP S637638 A JPS637638 A JP S637638A JP 15196586 A JP15196586 A JP 15196586A JP 15196586 A JP15196586 A JP 15196586A JP S637638 A JPS637638 A JP S637638A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/34—Moulds having venting means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路（以下ＩＣと示す。）を外的
環境から保護するためにトランスファ成形法を用いて全
体を樹脂で封止する樹脂封止形半導体の製造方法に関す
るものである。
環境から保護するためにトランスファ成形法を用いて全
体を樹脂で封止する樹脂封止形半導体の製造方法に関す
るものである。
第３図及び第４図は各々例えば特開昭５８−８８９４０
に関連した従来の半導体封止用トランスファ成形の金型
を示す断面図であり、図において１１１は油圧プレス（
図示せず）Ｋ取り付けられ、１８０℃に加熱できる２分
割金型の上型、＋２１ｔ−ｊ同様の下型、（３１はボッ
） ＋４１内の成形樹脂（７）とキャビティ（６）マで
圧送するピストンであり、キャピテイ（５）は複数の工
Ｃの外形を形成るように金型内に複数設けられている。
に関連した従来の半導体封止用トランスファ成形の金型
を示す断面図であり、図において１１１は油圧プレス（
図示せず）Ｋ取り付けられ、１８０℃に加熱できる２分
割金型の上型、＋２１ｔ−ｊ同様の下型、（３１はボッ
） ＋４１内の成形樹脂（７）とキャビティ（６）マで
圧送するピストンであり、キャピテイ（５）は複数の工
Ｃの外形を形成るように金型内に複数設けられている。
（６）はピストン（３）の助力源となる油圧シリンダ、
（８）は成形樹脂（７）ヲキャピテイ１６）まで送るラ
ンナー、（９）は排気口１．１０１は真空ポンプ、（（
１）はボット１４）及びキャピテイ（６）全真空に保持
する型パラ千ン、（１２）は同様なピストンシール、で
ある。な２成形樹脂（力はエポキシ８１脂粉末を円筒状
に圧縮成形した軟化点が８０〜１００′Ｃのタブレット
である。
（８）は成形樹脂（７）ヲキャピテイ１６）まで送るラ
ンナー、（９）は排気口１．１０１は真空ポンプ、（（
１）はボット１４）及びキャピテイ（６）全真空に保持
する型パラ千ン、（１２）は同様なピストンシール、で
ある。な２成形樹脂（力はエポキシ８１脂粉末を円筒状
に圧縮成形した軟化点が８０〜１００′Ｃのタブレット
である。
次に従来の樹脂封止形半導体の製造方法であるトランス
ファ成形法について、第８図ともとに説明する。
ファ成形法について、第８図ともとに説明する。
まず上型…と下型（２１を油圧プレスに取付け、１７０
℃〜１８０℃に加熱する。型開状態で下型（２）に複数
のＩＣを配置し、あらかじめ８０〜１００℃に加熱した
タブレット（７）をポット（４）に投入後、金型を締め
る。
℃〜１８０℃に加熱する。型開状態で下型（２）に複数
のＩＣを配置し、あらかじめ８０〜１００℃に加熱した
タブレット（７）をポット（４）に投入後、金型を締め
る。
真空ポンプ＋１０１ ’ｉ作動し、ポット（４１の空気
をランナー（８）及び排気口（９）を通って外に排気す
る。ポット（４）の内部が真空になると、ピストン（３
１を押し上げてタブレット１７＋ １！！−圧縮する。
をランナー（８）及び排気口（９）を通って外に排気す
る。ポット（４）の内部が真空になると、ピストン（３
１を押し上げてタブレット１７＋ １！！−圧縮する。
タブレット（７１は金型の熱を受けとり、さらに粘度が
低くなることから、ランナー（８）を通り、各キャビテ
ィ（５）に圧送され、工Ｃの全体を包み込む。
低くなることから、ランナー（８）を通り、各キャビテ
ィ（５）に圧送され、工Ｃの全体を包み込む。
樹脂は２〜３分で硬化するため、金型を開き成形物を取
出した後、必要な後加工を行なＩ／′１製品が完成する
。
出した後、必要な後加工を行なＩ／′１製品が完成する
。
従来の樹脂封止形半導体の製造方法は上記のように行な
われるが、樹脂の使用効率を上げるためにはポット（４
）の内径が大きすぎては具合が悪いので通常のタブレッ
ト（７）の外径に近い状態（北率約１）にされている。
われるが、樹脂の使用効率を上げるためにはポット（４
）の内径が大きすぎては具合が悪いので通常のタブレッ
ト（７）の外径に近い状態（北率約１）にされている。
このためポット内を真空にする際、ポット内のタブレッ
ト（７）はその内部にある空気が外へ放射状に膨脹して
、タブレット（））がポット（４１の壁面、即ち下型（
２）に密着する。この状態でさらにポット１４）を真空
にすると、タブレット（７）は下型（２１及びピストン
（３）と接続している箇所の空気の逃げ場所がなくなり
、第４図のようにタブレット（７１全体が上型（１１の
上部に持ち上がり、ランナー（８）に流れ込む。ランナ
ー（８）が塞がれる）“その後のポット内空気あるいけ
タブレット（７）に含まれる空気は排気されず真空ポン
プ（１０）の真空度が高真空を示しても実際には内部は
十分真空になっていない状態で、ピストン（３１ヲ押し
上げてキャピテイ（３）に樹脂を流すことになる。
ト（７）はその内部にある空気が外へ放射状に膨脹して
、タブレット（））がポット（４１の壁面、即ち下型（
２）に密着する。この状態でさらにポット１４）を真空
にすると、タブレット（７）は下型（２１及びピストン
（３）と接続している箇所の空気の逃げ場所がなくなり
、第４図のようにタブレット（７１全体が上型（１１の
上部に持ち上がり、ランナー（８）に流れ込む。ランナ
ー（８）が塞がれる）“その後のポット内空気あるいけ
タブレット（７）に含まれる空気は排気されず真空ポン
プ（１０）の真空度が高真空を示しても実際には内部は
十分真空になっていない状態で、ピストン（３１ヲ押し
上げてキャピテイ（３）に樹脂を流すことになる。
従って成形したＩＣの中に多量の空気が混入し、ＩＣの
信頓性が低下する等の問題点があった。
信頓性が低下する等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ポット内を十分真空にし、成形する前のタブ
レット内の空気もできるだけ除去してＩＣの成形物中に
空気の混入を防止し、信・印性の高い窩脂封止ｆＵ半導
体を製造する方法を提供することを目的とする。
たもので、ポット内を十分真空にし、成形する前のタブ
レット内の空気もできるだけ除去してＩＣの成形物中に
空気の混入を防止し、信・印性の高い窩脂封止ｆＵ半導
体を製造する方法を提供することを目的とする。
この発明に係る樹脂封止形半導体の製造方法は、ポット
の内径を、加熱された成形樹脂が真空で膨脹する最大外
径より大きくし、ポット内に成形樹脂を配してポット内
？真空排気した後、ＩＣの外形を形成するようにするも
のである。
の内径を、加熱された成形樹脂が真空で膨脹する最大外
径より大きくし、ポット内に成形樹脂を配してポット内
？真空排気した後、ＩＣの外形を形成するようにするも
のである。
この発明における樹脂封止形半導体の製造方法は真空下
で成形樹脂が膨脹する最大径より大きな内径のポットに
成形樹脂を入れるので、ポット及び成形樹脂内の空気が
十分に排気できる。
で成形樹脂が膨脹する最大径より大きな内径のポットに
成形樹脂を入れるので、ポット及び成形樹脂内の空気が
十分に排気できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図及び第２図は各々この発明の一実施例による樹脂
封止形半導体の製造方法？工程順て示す金型の断面図で
あり、図において、（４）は成形樹脂（７）が真空で膨
脹する最大外積よシ大きな内径を有するポットで、この
場合、成形樹脂（７）の外径の１．１７倍の内径を有し
、容積が成形樹脂＋７１の体積の１．５倍以上ある直径
３５顛、高さ５０欄のポットである。なお成形樹脂（７
）はエポキシ樹脂等の粉末を圧縮したタブレットで、軟
化点が８０℃〜１００℃、直径が３０Ｉｌｆ１１％高さ
が４０餌のものである。破線１１はポットｎｌ ｆ真空
にした時、Ｑ脹するタブレット（７）の最大寸法を表わ
したものである。Ｑ３１ｄボット１４）内をに空にした
り、成形樹脂（７１が排気口（９）へ流れないようにす
る排気弁、Ｕ４は排気弁＋１０１を開閉する動力全発生
するエアシリンダ、ａ［ｉｌハポット及びキャピテイ内
を真空に保持する軸シール、！Ｊ・も同様な弁シールで
ある。
封止形半導体の製造方法？工程順て示す金型の断面図で
あり、図において、（４）は成形樹脂（７）が真空で膨
脹する最大外積よシ大きな内径を有するポットで、この
場合、成形樹脂（７）の外径の１．１７倍の内径を有し
、容積が成形樹脂＋７１の体積の１．５倍以上ある直径
３５顛、高さ５０欄のポットである。なお成形樹脂（７
）はエポキシ樹脂等の粉末を圧縮したタブレットで、軟
化点が８０℃〜１００℃、直径が３０Ｉｌｆ１１％高さ
が４０餌のものである。破線１１はポットｎｌ ｆ真空
にした時、Ｑ脹するタブレット（７）の最大寸法を表わ
したものである。Ｑ３１ｄボット１４）内をに空にした
り、成形樹脂（７１が排気口（９）へ流れないようにす
る排気弁、Ｕ４は排気弁＋１０１を開閉する動力全発生
するエアシリンダ、ａ［ｉｌハポット及びキャピテイ内
を真空に保持する軸シール、！Ｊ・も同様な弁シールで
ある。
次にこの発明の方法について説明する。
まず、油圧プレスに取付けられ１８０’ＣＫ加熱された
上型１１１と下型（２）を開き、下型（２）に工Ｃを配
置する。ピストン（３１と下げ、ポット１４）内にプリ
ヒータで８０℃〜１００℃に加熱したタブレット（７）
を入れ、直ちに上型…と下型（２１を型締めする。
上型１１１と下型（２）を開き、下型（２）に工Ｃを配
置する。ピストン（３１と下げ、ポット１４）内にプリ
ヒータで８０℃〜１００℃に加熱したタブレット（７）
を入れ、直ちに上型…と下型（２１を型締めする。
＠１図に示すように、真空ポンプを回し、排気弁ａ３１
を下に移動して上型１１１と排気弁Ｃ１ｌとの間に間隙
を設け、ポット（４）内の空気を排気口（９）ヲ通じて
排気し、ポット（４１及びキャビティ（６）内を真空に
する。（例えば８ Ｔｏｒｒ、） ０ようにすると、タブレット（７）はその内部に含まれ
る空気が膨脹するため、放射状に外部へ膨脹し、第１図
破線四に示すような膨脹タブレットになる。この時、タ
ブレット（））はその内部に含まれる空気が樹脂の表面
張力よりも大きく膨脹するだけの窒間が直径方向にある
ことから従来のように金型壁面と密着することなく、あ
る程度膨脹すると気泡が破壊して内部の空気はほとんど
除去される。
を下に移動して上型１１１と排気弁Ｃ１ｌとの間に間隙
を設け、ポット（４）内の空気を排気口（９）ヲ通じて
排気し、ポット（４１及びキャビティ（６）内を真空に
する。（例えば８ Ｔｏｒｒ、） ０ようにすると、タブレット（７）はその内部に含まれ
る空気が膨脹するため、放射状に外部へ膨脹し、第１図
破線四に示すような膨脹タブレットになる。この時、タ
ブレット（））はその内部に含まれる空気が樹脂の表面
張力よりも大きく膨脹するだけの窒間が直径方向にある
ことから従来のように金型壁面と密着することなく、あ
る程度膨脹すると気泡が破壊して内部の空気はほとんど
除去される。
次に排気弁（１３）’に閉じ、ピストン（３１ヲ上に押
し上げ、第２図のように、キャピテイｌｌ５Ｉに樹脂を
圧送する。樹脂は２〜３分で硬化するため金型全開いて
成形物と取り出し、必要な後加工を行なって製品完成と
なる。
し上げ、第２図のように、キャピテイｌｌ５Ｉに樹脂を
圧送する。樹脂は２〜３分で硬化するため金型全開いて
成形物と取り出し、必要な後加工を行なって製品完成と
なる。
なお、上記実施例ではタブレットの外径が３０間、ポッ
トの内径が３５ａｌとしてその比がｌ対１５１７とした
が、これは樹脂の効率をできるだけ上げ、無駄になる樹
脂を減らし、かつポット内及び樹脂内の空気を充分に排
気できるようにした値である。
トの内径が３５ａｌとしてその比がｌ対１５１７とした
が、これは樹脂の効率をできるだけ上げ、無駄になる樹
脂を減らし、かつポット内及び樹脂内の空気を充分に排
気できるようにした値である。
樹脂の効率を多少下げるならば、上記比率は、この１直
に限定されるものではな（，１，１７以上でもよく、要
は真空にした時、タブレットが直径方向に膨脹する最大
径より、ポット径が大きければよい。
に限定されるものではな（，１，１７以上でもよく、要
は真空にした時、タブレットが直径方向に膨脹する最大
径より、ポット径が大きければよい。
また、ＩＣの成形物中に空気が混入するのを防止するた
めに、上記実施ＩＭＪではポット（４）とキャピテイ１
１の両方を真空にする機構としたが、必らずしもこれに
限定されるものでなく、ポットだけを真空にしても十分
その効果が得られる。
めに、上記実施ＩＭＪではポット（４）とキャピテイ１
１の両方を真空にする機構としたが、必らずしもこれに
限定されるものでなく、ポットだけを真空にしても十分
その効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、加熱された成形樹脂
が真空で膨脹する最大外径より大きな内径を有するポッ
ト内に、成形樹脂を配し、ポット内を真空排気して加熱
された成形樹脂より発生する気体を排気するようにした
ので、ポット内及び樹脂を十分脱気でき、内部に気泡の
ない信・項性に優れた半導体を製造することができる効
果がある。
が真空で膨脹する最大外径より大きな内径を有するポッ
ト内に、成形樹脂を配し、ポット内を真空排気して加熱
された成形樹脂より発生する気体を排気するようにした
ので、ポット内及び樹脂を十分脱気でき、内部に気泡の
ない信・項性に優れた半導体を製造することができる効
果がある。
第１図及び第２図は各々この発明の一実施例による樹脂
封止形半導体の製造方法を工程順に示す金型の断面図、
並びに第３図及び第４図は各々従来の樹脂封止形半導体
の製造方法を示す金型の断面図である。 ＋Ｉ＋−−−上型、！２１−−−下型、１３１−−−ピ
ストン、（４１−ｍ−ポット、＋５１−−−キャピテイ
、（〕）−一一一形樹脂、＋９１−−一排気口、ｆｌｏ
ｌ−−一真窒ポンプ。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
封止形半導体の製造方法を工程順に示す金型の断面図、
並びに第３図及び第４図は各々従来の樹脂封止形半導体
の製造方法を示す金型の断面図である。 ＋Ｉ＋−−−上型、！２１−−−下型、１３１−−−ピ
ストン、（４１−ｍ−ポット、＋５１−−−キャピテイ
、（〕）−一一一形樹脂、＋９１−−一排気口、ｆｌｏ
ｌ−−一真窒ポンプ。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）加熱された成形樹脂が真空で膨脹する最大外径よ
り大きな内径を有すポット内に、上記成形樹脂を配する
工程、上記ポット内を真空排気すると共に、加熱された
上記成形樹脂から発生する気体を排気する工程、及び上
記ポット内の上記成形樹脂を押圧して半導体集積回路の
配設されたキャビティ内へ圧送し、上記半導体集積回路
の外形を形成する工程を施す樹脂封止形半導体の製造方
法。 - （２）ポットの内径は成形樹脂の外径の１．１７倍以上
である特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151965A JPH0644581B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151965A JPH0644581B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637638A true JPS637638A (ja) | 1988-01-13 |
| JPH0644581B2 JPH0644581B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15530082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61151965A Expired - Lifetime JPH0644581B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644581B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03281210A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Toowa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
| NL9200089A (nl) * | 1991-01-17 | 1992-08-17 | Towa Corp | Werkwijze voor het door middel van gieten met kunsthars insluiten van een halfgeleiderinrichting en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
| US5275546A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Fierkens Richard H J | Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor |
| US5603879A (en) * | 1993-04-22 | 1997-02-18 | Towa Corporation | Method of molding resin to seal electronic parts using two evacuation steps |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| US6344162B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-02-05 | Apic Yamada Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine |
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| JPS613416A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Toshiba Corp | 透明樹脂封止製品の製造方法 |
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-
1986
- 1986-06-27 JP JP61151965A patent/JPH0644581B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644581B2 (ja) | 1994-06-08 |
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