JPS6378341A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6378341A JPS6378341A JP61223110A JP22311086A JPS6378341A JP S6378341 A JPS6378341 A JP S6378341A JP 61223110 A JP61223110 A JP 61223110A JP 22311086 A JP22311086 A JP 22311086A JP S6378341 A JPS6378341 A JP S6378341A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
- magnetron
- oxygen
- plural targets
- magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関する。
記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
近年、磁気記録の高密度化の進歩は目覚しく、波長は１
μｍ以下、トラック幅は１０μｍ近くにまで発展してき
たために、高い飽和磁束密度をもった薄膜により減磁作
用を少なくした磁気記録媒体が注目され実用化が一部は
じまっている。磁気記録層としては、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜、Ｃｏ−Ｎｉ面内磁化膜等が有望視されている。
μｍ以下、トラック幅は１０μｍ近くにまで発展してき
たために、高い飽和磁束密度をもった薄膜により減磁作
用を少なくした磁気記録媒体が注目され実用化が一部は
じまっている。磁気記録層としては、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜、Ｃｏ−Ｎｉ面内磁化膜等が有望視されている。
Ｃｏ−Ｃｒ膜、 Ｃｏ −Ｎ ｉ膜はＡ ｒ ｒ Ａ
ｒ 十Ｎ２雰囲気中でスパッタすることによシ磁気記録
層を形成したシ、これらの膜を熱処理することによシ磁
気特性を制御することなどが良く知られている。（特開
昭５７−７２，３０７号公報、ジャーナルオブ アプラ
イド フィジックス （Ｔｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ）第６３巻第１０号、６９４１〜６９４５（１９８
２）。
ｒ 十Ｎ２雰囲気中でスパッタすることによシ磁気記録
層を形成したシ、これらの膜を熱処理することによシ磁
気特性を制御することなどが良く知られている。（特開
昭５７−７２，３０７号公報、ジャーナルオブ アプラ
イド フィジックス （Ｔｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ）第６３巻第１０号、６９４１〜６９４５（１９８
２）。
特開昭６１−１５３，８２７号公報）
例えば磁気ディスクを製造するのは、アルミ合金基板上
に平板マグネトロンスパッタにより、Ｎ２ ：Ａ ｒ
＝１ ： １で全圧力を１６ｍＴｏｒｒにし、投入電力
１Ｋｗで、 Ｃ０−３０ａｔ％Ｎｉをターゲットにして
膜厚１０００人形成し、３４０’ＣＩ時間熱処理するこ
とが一例として挙げられる。
に平板マグネトロンスパッタにより、Ｎ２ ：Ａ ｒ
＝１ ： １で全圧力を１６ｍＴｏｒｒにし、投入電力
１Ｋｗで、 Ｃ０−３０ａｔ％Ｎｉをターゲットにして
膜厚１０００人形成し、３４０’ＣＩ時間熱処理するこ
とが一例として挙げられる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成では、短波長出力は大きくで
きても、ノイズが太きいため、十分な信号対雑音比（以
下Ｓハと記す）を持った磁気記録媒体が得られないのと
、熱処理温度が高いだめ、ポリエステル等のフレキシブ
ル基板が用いられないため改良が望まれていた。
きても、ノイズが太きいため、十分な信号対雑音比（以
下Ｓハと記す）を持った磁気記録媒体が得られないのと
、熱処理温度が高いだめ、ポリエステル等のフレキシブ
ル基板が用いられないため改良が望まれていた。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Ｓ／Ｎの良好
な磁気ディスクや磁気テープ等の磁気記録媒体を製造す
る方法を提供するものである。
な磁気ディスクや磁気テープ等の磁気記録媒体を製造す
る方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、移動する基板に対して複数のターゲット
を配し、マグネトロン放電によ９強磁性金属薄膜をスパ
ッタリング蒸着する際、放電ガスに酸素を含めるように
したものである。
の製造方法は、移動する基板に対して複数のターゲット
を配し、マグネトロン放電によ９強磁性金属薄膜をスパ
ッタリング蒸着する際、放電ガスに酸素を含めるように
したものである。
作 用
上記した構成によシ、マグネトロン放電により生じる蒸
発原子の空間分布と酸素ガスの配合化による磁気微粒子
の静磁結合のかん和による保磁力向上とノイズの改良が
なされるものと考えられる。
発原子の空間分布と酸素ガスの配合化による磁気微粒子
の静磁結合のかん和による保磁力向上とノイズの改良が
なされるものと考えられる。
ターゲットを複数化し、移動速度（生産性）を大きくす
る程その作用効果も強まる。
る程その作用効果も強まる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
第１図は、本発明により得られる磁気記録媒体の一例・
の拡大断面である。第１図で１は高分子フィルム又はＡ
ｌ−Ｍｑ金合金の非磁性基板２は、スパッタリングによ
り形成される磁気記録層３は保護膜である。
の拡大断面である。第１図で１は高分子フィルム又はＡ
ｌ−Ｍｑ金合金の非磁性基板２は、スパッタリングによ
り形成される磁気記録層３は保護膜である。
第２図は本発明を実施するのに用いるスパッタリング装
置の一例の要部構成図である。同図において、４は真空
容器、５は真空排気系、６は冷却支持板、７は基板、８
は巻出しロール、９は巻き取りロール、１０．１１はタ
ーゲット、１２．１３は磁界発生器、１４．１５は高周
波電源、１６はガス導入ボート、１７は可変リーク弁、
１８は絶縁導入端子である。磁界発生器は、基板の進行
方向に対して直交する磁界を形成するようになっている
。
置の一例の要部構成図である。同図において、４は真空
容器、５は真空排気系、６は冷却支持板、７は基板、８
は巻出しロール、９は巻き取りロール、１０．１１はタ
ーゲット、１２．１３は磁界発生器、１４．１５は高周
波電源、１６はガス導入ボート、１７は可変リーク弁、
１８は絶縁導入端子である。磁界発生器は、基板の進行
方向に対して直交する磁界を形成するようになっている
。
これによりいわゆるマグネトロン放電を発生することが
でき、スパンタレイトが空間分布をもつようになり、導
入ガスとの比率をかえることができるようになるのであ
る。
でき、スパンタレイトが空間分布をもつようになり、導
入ガスとの比率をかえることができるようになるのであ
る。
厚み２６μｍのポリエチレンテレフタレートフィ／Ｉ／
Ａ上にＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ ８０ｗｔ％）をターゲッ
トとし、表面磁界１２０（Ｏｅ）で１３．５６ （ＭＨ
ｚ ）の高周波グロー放電によりスパッタ蒸着した。そ
ノ時、 Ａｒ Ｉ Ｘ１Ｏ−３（”ｒｒ）０２４Ｘ１０
（Ｔｏｒｒ）。
Ａ上にＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ ８０ｗｔ％）をターゲッ
トとし、表面磁界１２０（Ｏｅ）で１３．５６ （ＭＨ
ｚ ）の高周波グロー放電によりスパッタ蒸着した。そ
ノ時、 Ａｒ Ｉ Ｘ１Ｏ−３（”ｒｒ）０２４Ｘ１０
（Ｔｏｒｒ）。
ターゲットを２個とし、（１ケのターゲットは幅２７．
５ ｃｍ 長さ１２．６１とした。）膜厚が０．１濁μ
ｍとなるような条件で成膜した。
５ ｃｍ 長さ１２．６１とした。）膜厚が０．１濁μ
ｍとなるような条件で成膜した。
移動速度は１２ｍ／ｍ ｉ ｎで、長さｓ ６０ｍ （
幅１９ｃＴＬ）の成膜を終えたのち、パーフロロオクタ
ン酸を厚み６５人真空蒸着し、５．２５インチのディス
クを作製し、（長手方向の任意抽出で１ｅ枚選んだ）、
ギャップ長０．１４μｍのフェライトヘッドで、ビット
長０．３μｍの矩形波を記録再生した。
幅１９ｃＴＬ）の成膜を終えたのち、パーフロロオクタ
ン酸を厚み６５人真空蒸着し、５．２５インチのディス
クを作製し、（長手方向の任意抽出で１ｅ枚選んだ）、
ギャップ長０．１４μｍのフェライトヘッドで、ビット
長０．３μｍの矩形波を記録再生した。
比較例として、厚み２０μｍのポリアミドイミドフィル
ム上に厚み４００人のクロムをスパッタ形成しその上に
０．０７μｍのＣｏ−Ｎｉ （Ｃｏ ８０ｗｔ％）をＡ
ｒ中で高周波マグネトロンスパッタし、次にＯｒを２３
０人スパッタし、更に０．０了μｍＣｏ−Ｎｉをスパッ
タしその上にパーフロロオクタン酸を真空蒸着した磁気
ディスクを準備した。この製造条件を選んだのは、実施
例で得られた保磁力ａｓｏ（Ｏｅ）。
ム上に厚み４００人のクロムをスパッタ形成しその上に
０．０７μｍのＣｏ−Ｎｉ （Ｃｏ ８０ｗｔ％）をＡ
ｒ中で高周波マグネトロンスパッタし、次にＯｒを２３
０人スパッタし、更に０．０了μｍＣｏ−Ｎｉをスパッ
タしその上にパーフロロオクタン酸を真空蒸着した磁気
ディスクを準備した。この製造条件を選んだのは、実施
例で得られた保磁力ａｓｏ（Ｏｅ）。
角形比０．８３とほぼ同一の磁気特性とするためで、こ
の両者比較をＳ／Ｎについて行ったところ、実施例の方
がｓ、９（ｄＢ）優れていて、全帯域にノイズが改良さ
れていることが主な改善要素である。
の両者比較をＳ／Ｎについて行ったところ、実施例の方
がｓ、９（ｄＢ）優れていて、全帯域にノイズが改良さ
れていることが主な改善要素である。
以上述べた例に限定されないことは勿論テ、ハードディ
スク、磁気テープの形態であってもよい。
スク、磁気テープの形態であってもよい。
ターゲットの枚数についても必要に応じて増せばよい。
強磁性金属薄膜材料についてもＣｏ −Ｎ ｉ 、Ｃｏ
−Ｆ ｅ 。
−Ｆ ｅ 。
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｒ等適宜選べ
ばよい。
ばよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、低温で磁気特性が確保で
きるので、ポリエチレンテレフタレート等の汎用のプラ
スチックを基板として磁気記録媒体が得られるのと、Ｓ
／Ｎが良好な磁気記録層を高い生産性で得られるといっ
たすぐれた効果が得られる。
きるので、ポリエチレンテレフタレート等の汎用のプラ
スチックを基板として磁気記録媒体が得られるのと、Ｓ
／Ｎが良好な磁気記録層を高い生産性で得られるといっ
たすぐれた効果が得られる。
第１図は本発明で製造する磁気記録媒体の一例の拡大断
面図、第２図は本発明の実施に用いたスパッタリング装
置の一例の概要図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気記録層、７・
・・・・・基板、１０．１１・・・・・・ターゲット、
１６・・・・・・ガス導入ボート。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２−
・喪民記針層
面図、第２図は本発明の実施に用いたスパッタリング装
置の一例の概要図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気記録層、７・
・・・・・基板、１０．１１・・・・・・ターゲット、
１６・・・・・・ガス導入ボート。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２−
・喪民記針層
Claims (1)
- 移動する基板に対向して複数のターゲットを配し、マグ
ネトロン放電により強磁性金属薄膜をスパッタリング蒸
着する際、放電ガスに酸素を含めたことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223110A JPS6378341A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223110A JPS6378341A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378341A true JPS6378341A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16792980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223110A Pending JPS6378341A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378341A (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61223110A patent/JPS6378341A/ja active Pending
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