JPS6378531A - レジスト除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はコントラスト・エンハンスメント・リソグラフ
ィ（ＣＥＬ）法において、 現像処理前にレジスト表面を所定厚さで均一にプラズマ
アッシングすることにより、 インターミキシングレイヤーを除去するようにしたもの
である。

〔産業上の利用分野〕

本発明はレジスト除去方法、特にＣＥＬ法によって露光
されたレジストの一部除去方法に関する。

ウェーハプロセス工程においては、要求される寸法、精
度をウェーハ上に形成するために、現像。

加工等の処理が円滑に行なわれることが要求される。

〔従来の技術〕

第２図は従来のＣＥＬ法と呼ばれるウェーハプロセス工
程の要部を示す。第２図（Ａ＞に示す如く、ウェーハの
基板１上に下層レジスト２が形成され、更に下層レジス
ト２の上に上層レジストとしてＣＥＭ　（コントラスト
・エンハンスメント・マテリアル）３が形成されである
。このような構造のウェーハ上に第２図（Ａ）に示す如
くマスク４を通して光を露光する。

露光された下層レジスト２及びＣＥＭ３のうち、まずＣ
ＥＭ３が所定の溶剤中で除去され−た後、現像処理を行
なうことによって第２図（Ｂ）に示す如く、下層レジス
ト２のうち光が照射された部分５が溶解除去されてマス
クパターンが形成される。

このように、下層レジスト２上にＣＥＭ３を塗布して露
光を行なうＣＥＬ法によれば、ＣＥＭ３が光を入射され
た部分の透過率が光を入射されない部分のそれに比し上
がるという性質をもっているため、レヂクルからマスク
４に到る光路での光の干渉や散乱によるコントラストの
低下にかかわらず、コントラストの強い光を下層レジス
ト２上に照射させることができ、これにより、精度の良
いパターニングができるという特長がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、ＣＥＭ３を下層レジスト２上に塗布すると、
ＣＥＭ３と下層レジスト２とは互いに非溶媒であるが、
両名の境界部分において、第３図に７で示す如くインタ
ーミキシングレイヤー（変質層）が例えば数百への厚さ
で生じてしまう。

このため、従来方法は現像処理後のウェーハには第２図
に６で示す如き奇異なレジストパターンが生じたり、ま
た現像処理の進行を■害したりする等の問題点を有して
いた。これはＣＥＭの代りに上層レジストを使用しても
同様である。

本発明は上記の点に鑑みて創作されたもので、現像処理
を円滑に進行させることが可能なレジスト除去方法を提
供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のレジスト除去方法は、現像処理の直前のＣＥＭ
又は上層レジストの除去されたウェーハに対して、プラ
ズマアッシング装置によりウェーハ表面から一定厚さ分
プラズマアッシングを均一に行なうようにしたものであ
る。

〔作用〕

下層レジストとＣＥＭ　（又は上層レジスト）との間に
インターミキシングレイヤーが生じても、そのインター
ミキシングレイヤーの厚さ分かそれよりも若干大なる厚
さ分だけ、ＣＥＭ又は上層レジストの除去されたウェー
ハに対して均一にプラズマアッシングされる。

このため、インターミキシングレイヤーの部分は削り取
られ、しかる後に現像処理工程へ進められる。

〔実施例〕

第１図は本発明方法の一実施例の構成を示す。

プラズマアッシング装置１０の容器１１内には上部電極
１２と下部電極１３とが設けられてあり、接地電位の下
部電極１３上にはウェーハステージ１４とウェーハ１５
とが順次載置されである。

ＲＦ電源１８より例えば１３．５６　Ｍ　Ｈｚの高周波
信号が上部電極１２に印加される一方、ガス導入口１６
より容器１１内へ真空度０．５〜１．０Ｔｏｒｒ程度で
、かつ、流量が１００〜６００３ＣＣＨ程度で酸素ガス
が導入される。すると、プラズマが容器１１内に発生し
、イオンがウェーハ１５上に衝撃してアッシングする。

容器１１内の酸素ガスはガス排気口１７より外部へ排気
される。かかるプラズマアッシング自体は従来より公知
であるが、本実施例ではウェーハ１５の構成等に特徴を
有する。

本実施例では、ウェーハ１５はＣＥＭ及び下層レジスト
に対して露光が行なわれ、その後にＣＥＭが除去された
状態のウェーハで、ウェーハ基板上の下層レジストの上
にインターミキシングレイヤーが存在する、現像処理直
前のウェーハである。

このウェーハ１５に対して、プラズマアッシング装置１
０は一定時間アッシングを行ない、つ工−ハ１５の表面
から例えば数百人（オングストローム）の深さく厚さ）
分、削り取る。この数百人は、上記インターミキシング
レイＡ７−の最大の厚さと同じか、それよりも僅かに大
なる厚さである。

この結果、このプラズマアッシング装置１０により、ウ
ェーハ１５はその表面上のインターミキシングレイヤー
が除去できる程度の最小限のアッシングが行なわれるこ
とになる。

このプラズマアッシングが行なわれたウェーハは、現像
処理工程に進められる。この現像処理工程は、ウェーハ
上にインターミキシングレイヤーが存在しないので、円
滑に行なわれる。

なお、ＣＥＭの代りに上層レジストを用いたウェーハに
も本発明を同様に適用し得る。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によれば、ＣＥＬ法において生じた
インターミキシングレイヤーをプラズマアッシングによ
り除去することができるため、その後の現像処理を円滑
に行なわせることができ、奇異なレジストパターンを生
じさせることなく、精度の良いパターニングができる等
の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例の構成図、第２図は従来
のウエーハブロセス工程の要部について説明する図、 第３図はインターミキシングレイヤーを説明する図であ
る。 図において、 １０はプラズマアッシング装置、 １２は上部電極、 １３は下部電極、 １５はウェーハ、 １８はＲＦ主電源ある。 １４．・・”−１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ウェーハ基板上の下層レジスト上に形成されたＣＥＭ（
   コントラスト・エンハンスメント・マテリアル）又は上
   層レジストの上方からマスクを通して露光を行なつた後
   、該ＣＥＭ又は上層レジストを除去し、更に現像処理を
   行なうウェーハプロセス工程において、 前記現像処理の直前の前記ＣＥＭ又は上層レジストの除
   去されたウェーハ（１５）に対して、プラズマアッシン
   グ装置（１０）により該ウェーハ（１５）表面から一定
   厚さ分プラズマアッシングを均一に行なうことを特徴と
   するレジスト除去方法。