JPH0590154A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPH0590154A JPH0590154A JP4032391A JP4032391A JPH0590154A JP H0590154 A JPH0590154 A JP H0590154A JP 4032391 A JP4032391 A JP 4032391A JP 4032391 A JP4032391 A JP 4032391A JP H0590154 A JPH0590154 A JP H0590154A
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- ultrasonic cleaning
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Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リソグラフィ工程中のレジスト除去方法に関
し、レジストを完全に除去する。 【構成】 レジストを、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、
次いで水槽中で超音波洗浄し、再び有機溶媒槽中で超音
波洗浄し、さらに水でリンスをすることで、レジストの
表面が固化して形成された有機溶媒に難溶な被膜を剥離
し、レジストを完全に溶解除去することができ、レジス
トの除去不良を格段に低減できるものである。
し、レジストを完全に除去する。 【構成】 レジストを、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、
次いで水槽中で超音波洗浄し、再び有機溶媒槽中で超音
波洗浄し、さらに水でリンスをすることで、レジストの
表面が固化して形成された有機溶媒に難溶な被膜を剥離
し、レジストを完全に溶解除去することができ、レジス
トの除去不良を格段に低減できるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の製造時のリ
ソグラフィ工程で使用されるレジストの除去方法に関
し、レジストの除去不良を低減するものである。
ソグラフィ工程で使用されるレジストの除去方法に関
し、レジストの除去不良を低減するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子等の高密度な生産を
支えている製造技術の中枢にリソグラフィ技術がある。
支えている製造技術の中枢にリソグラフィ技術がある。
【０００３】リソグラフィ工程は、被加工膜（金属材
等）上へのレジスト塗布、露光、現像、ハードベーク、
そして、エッチング、レジスト除去等の各工程からな
る。
等）上へのレジスト塗布、露光、現像、ハードベーク、
そして、エッチング、レジスト除去等の各工程からな
る。
【０００４】レジストは、このリソグラフィ工程で使用
される耐蝕性を有する樹脂材料の総称であり、現像して
得られるパターンが、被加工膜をエッチングする時の耐
蝕性マスクとして使用される。そして、被加工膜がエッ
チングされた後には、レジストは、アセトンなどの溶剤
を用いた超音波洗浄（２５or３８kＨz）とリンス（ゆす
ぎ）等で除去される。
される耐蝕性を有する樹脂材料の総称であり、現像して
得られるパターンが、被加工膜をエッチングする時の耐
蝕性マスクとして使用される。そして、被加工膜がエッ
チングされた後には、レジストは、アセトンなどの溶剤
を用いた超音波洗浄（２５or３８kＨz）とリンス（ゆす
ぎ）等で除去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】周知のように、フォト
リソグラフィに使用されるフォトレジストには、ネガ型
とポジ型がある。この内、ポジ型レジストを使用したエ
ッチング工程において、イオンミリングやプラズマエッ
チング等のドライエッチングを行ない、ポジ型レジスト
がイオンビームやプラズマにされされると、図２に示す
ように、レジスト１０の表面が変質固化し、薄い被膜１
４が形成されることがあった。
リソグラフィに使用されるフォトレジストには、ネガ型
とポジ型がある。この内、ポジ型レジストを使用したエ
ッチング工程において、イオンミリングやプラズマエッ
チング等のドライエッチングを行ない、ポジ型レジスト
がイオンビームやプラズマにされされると、図２に示す
ように、レジスト１０の表面が変質固化し、薄い被膜１
４が形成されることがあった。
【０００６】このレジスト１０の表面に形成される被膜
１４はアセトン等の溶剤に難溶であり、レジストを完全
には除去することができず、不良発生の要因となるもの
であった。
１４はアセトン等の溶剤に難溶であり、レジストを完全
には除去することができず、不良発生の要因となるもの
であった。
【０００７】レジスト除去を行なった試験サンプルの結
果を図４と図５に示す。これらは、アセトンで超音波洗
浄（３８kＨz）し、さらにリンスを行なったものであ
る。
果を図４と図５に示す。これらは、アセトンで超音波洗
浄（３８kＨz）し、さらにリンスを行なったものであ
る。
【０００８】図４ではレジストは全く除去されておら
ず、図５では表面の被膜に膨潤が生じた程度である。
ず、図５では表面の被膜に膨潤が生じた程度である。
【０００９】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、溶剤を使った超音波洗浄と水を使った超音波
洗浄の両方を行なうことで、レジストを完全に除去する
ものである。
たもので、溶剤を使った超音波洗浄と水を使った超音波
洗浄の両方を行なうことで、レジストを完全に除去する
ものである。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】請求項１記載のレジス
ト除去方法は、リソグラフィ工程中のレジスト除去方法
において、レジストを 有機溶媒槽中で超音波洗浄し、水槽中で超音波洗浄
し、再び、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、水でリン
スをするものである。
ト除去方法は、リソグラフィ工程中のレジスト除去方法
において、レジストを 有機溶媒槽中で超音波洗浄し、水槽中で超音波洗浄
し、再び、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、水でリン
スをするものである。
【００１１】請求項２記載のレジスト除去方法法は、請
求項１記載のレジスト除去方法であって、水槽中での超
音波洗浄の周波数が１ＭＨzであることを特徴とするも
のである。
求項１記載のレジスト除去方法であって、水槽中での超
音波洗浄の周波数が１ＭＨzであることを特徴とするも
のである。
【００１２】
【作用】本発明のレジスト除去方法では、 最初の有機溶媒槽中での超音波洗浄で、レジスト表面
の被膜を脆くする。 水槽中での超音波洗浄で、レジスト表面の被膜を破壊
除去する。 有機溶媒槽中での超音波洗浄で、レジストを溶解除去
する。 水でのリンスで洗浄をする。
の被膜を脆くする。 水槽中での超音波洗浄で、レジスト表面の被膜を破壊
除去する。 有機溶媒槽中での超音波洗浄で、レジストを溶解除去
する。 水でのリンスで洗浄をする。
【００１３】特に、水槽中での超音波洗浄の周波数を高
周波数（例えば、１ＭＨz）にすることで、より除去性
能を高めることができる。
周波数（例えば、１ＭＨz）にすることで、より除去性
能を高めることができる。
【００１４】
【実施例】本実施例のレジスト除去方法は、図１の工程
図で示すように、アセトン槽中で超音波洗浄（３８kＨ
z）をし、次に純水槽中で超音波洗浄（１ＭＨz）をし、
再び、アセトン槽中で超音波洗浄（３８kＨz）を行な
い、さらに、純水でリンスを行なうものである。
図で示すように、アセトン槽中で超音波洗浄（３８kＨ
z）をし、次に純水槽中で超音波洗浄（１ＭＨz）をし、
再び、アセトン槽中で超音波洗浄（３８kＨz）を行な
い、さらに、純水でリンスを行なうものである。
【００１５】この方法では、最初のアセトン槽中での超
音波による粗洗浄で被膜を脆くし、次の純水槽中での高
周波による超音波洗浄で、アセトンには難溶なレジスト
表面の被膜を破壊除去し、３槽目のアセトン槽中での超
音波洗浄で、被膜の取れたレジストを溶解洗浄するもの
である。
音波による粗洗浄で被膜を脆くし、次の純水槽中での高
周波による超音波洗浄で、アセトンには難溶なレジスト
表面の被膜を破壊除去し、３槽目のアセトン槽中での超
音波洗浄で、被膜の取れたレジストを溶解洗浄するもの
である。
【００１６】尚、必要に応じて、４槽目の純水リンスの
後に、さらに５槽目として純水リンスを行なうこともよ
り効果的である。
後に、さらに５槽目として純水リンスを行なうこともよ
り効果的である。
【００１７】本実施例の他、表１に示す各方法によるレ
ジスト除去を行なった試験結果のサンプルを図３ないし
図９に示す。
ジスト除去を行なった試験結果のサンプルを図３ないし
図９に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】図３に示すように、本実施例の方法ではレ
ジストを完全に除去することができた。しかしながら、
アセトン槽中での超音波洗浄とリンスだけの方法では、
図４では全く除去されず、図５では表面の被膜に膨潤が
生じたにすぎなかった。また、アセトン槽中での超音波
洗浄と純水槽中での超音波洗浄とリンスによる方法で
は、図６では、表面の被膜のみが一部剥離し、図７で
は、表面の被膜に膨潤が生じた程度であった。また、純
水槽中での超音波洗浄とアセトン槽中での超音波洗浄と
リンスによる方法では、図８では、表面被膜のみが剥離
し、図９では、表面被膜に膨潤が生じたにすぎなかっ
た。
ジストを完全に除去することができた。しかしながら、
アセトン槽中での超音波洗浄とリンスだけの方法では、
図４では全く除去されず、図５では表面の被膜に膨潤が
生じたにすぎなかった。また、アセトン槽中での超音波
洗浄と純水槽中での超音波洗浄とリンスによる方法で
は、図６では、表面の被膜のみが一部剥離し、図７で
は、表面の被膜に膨潤が生じた程度であった。また、純
水槽中での超音波洗浄とアセトン槽中での超音波洗浄と
リンスによる方法では、図８では、表面被膜のみが剥離
し、図９では、表面被膜に膨潤が生じたにすぎなかっ
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明のレジスト除去方法は、レジスト
を、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、次いで水槽中で超音
波洗浄し、再び有機溶媒槽中で超音波洗浄し、さらに水
でリンスをするものであるので、レジストの表面が固化
して形成された有機溶媒に難溶な被膜を剥離し、レジス
トを完全に溶解除去することができ、レジスト除去不良
を格段に低減できるものである。
を、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、次いで水槽中で超音
波洗浄し、再び有機溶媒槽中で超音波洗浄し、さらに水
でリンスをするものであるので、レジストの表面が固化
して形成された有機溶媒に難溶な被膜を剥離し、レジス
トを完全に溶解除去することができ、レジスト除去不良
を格段に低減できるものである。
【００２１】特に、水槽中での超音波洗浄の周波数を１
ＭＨzの高周波数にすることで、除去性能をより高める
ことができる。
ＭＨzの高周波数にすることで、除去性能をより高める
ことができる。
【図１】本実施例のレジスト除去方法の工程図である。
【図２】塗布されたレジストの表面に被膜が形成された
ところを示す断面図である。
ところを示す断面図である。
【図３】本実施例の試験結果のサンプルの平面図であ
る。
る。
【図４】従来例の試験結果のサンプルの平面図である。
【図５】従来例の試験結果のサンプルの平面図である。
【図６】比較例の試験結果のサンプルの平面図である。
【図７】比較例の試験結果のサンプルの平面図である。
【図８】比較例の試験結果のサンプルの平面図である。
【図９】比較例の試験結果のサンプルの平面図である。
１０ レジスト １２ 被加工膜 １４ 表面被膜
Claims (2)
- 【請求項１】 リソグラフィ工程中のレジスト除去方法
において、レジストを、有機溶媒槽中で超音波洗浄し、
次いで水槽中で超音波洗浄し、再び有機溶媒槽中で超音
波洗浄し、さらに水でリンスをすることを特徴とするレ
ジスト除去方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のレジスト除去方法であっ
て、水槽中での超音波洗浄の周波数が１ＭＨzであるこ
とを特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032391A JPH0590154A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032391A JPH0590154A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590154A true JPH0590154A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=12577401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032391A Withdrawn JPH0590154A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009300A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2014179408A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びその洗浄方法 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP4032391A patent/JPH0590154A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009300A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| TWI450326B (zh) * | 2009-06-23 | 2014-08-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 液體處理裝置及液體處理方法 |
| KR101526264B1 (ko) * | 2009-06-23 | 2015-06-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
| JP2014179408A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びその洗浄方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |