JPS6378760A - 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 - Google Patents
感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材Info
- Publication number
- JPS6378760A JPS6378760A JP61224299A JP22429986A JPS6378760A JP S6378760 A JPS6378760 A JP S6378760A JP 61224299 A JP61224299 A JP 61224299A JP 22429986 A JP22429986 A JP 22429986A JP S6378760 A JPS6378760 A JP S6378760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- target material
- sialon
- sputtering
- recording head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、サーマルプリンタなどに用いられる感熱記
録用ヘッドの保護層をスパッタリングにより形成するに
際し、ターゲットとして用いた場合に無歪の良質な保護
層を安定した条件で、かつコスト安く形成することが可
能なスパッタリングターゲツト材に関するものである。
録用ヘッドの保護層をスパッタリングにより形成するに
際し、ターゲットとして用いた場合に無歪の良質な保護
層を安定した条件で、かつコスト安く形成することが可
能なスパッタリングターゲツト材に関するものである。
例えば、サーマルプリンタなどに使用されている感熱記
録用ヘッドのうちの薄膜型ヘッドが、アルミナなどから
なる絶縁基板上に、ブレースガラス層および発熱体層を
順次形成し、さらにこの上に発熱体通電用の電極層を所
定間隔を隔てて設け、これら電極層間の間隙の発熱部に
耐酸化性と耐摩耗性にす′ぐれたサイアロンからなる保
護層を形成してなる構造をもつことが知られている。
録用ヘッドのうちの薄膜型ヘッドが、アルミナなどから
なる絶縁基板上に、ブレースガラス層および発熱体層を
順次形成し、さらにこの上に発熱体通電用の電極層を所
定間隔を隔てて設け、これら電極層間の間隙の発熱部に
耐酸化性と耐摩耗性にす′ぐれたサイアロンからなる保
護層を形成してなる構造をもつことが知られている。
また、上記の薄膜型は勿論のこと、厚膜型のものや、そ
の他の形式のものを含めた感熱記録用ヘッドの保護層が
、サイアロンからなるターゲツト材を用い、スパッタリ
ングにより形成されることもよ(知られるところである
。
の他の形式のものを含めた感熱記録用ヘッドの保護層が
、サイアロンからなるターゲツト材を用い、スパッタリ
ングにより形成されることもよ(知られるところである
。
しかし、上記のサイアロンからなるターゲツト材(以下
従来ターゲットという)においては、スパッタリング時
に、サイアロンを構成する酸素が9累に比して系外に出
やすいために、形成されたサイアロンCLa層における
O/N比がターゲツト材中のO/N比に比して小さくな
って保護層特性に悪影唇を及ぼすようになり、この現象
は、スパッタリング時の真空雰囲気の真空度を下げるこ
とによりある程度防止することができるが、この場合に
は形成される保護層の粒子が粗くなり、保護層に大きな
歪が残存するようになり、極端な場合には下地層が変形
するようになり、また、上記の従来ターゲツト材は、サ
イアロン自体が焼結性の悪いものであるため、ホットプ
レスで製造しなければならないことから、普通焼結によ
る場合に比してコスト高となるばかりでな(、密度が低
く、この結果ターゲツト材中(;は多数の空孔が存在す
るようになるが、この空孔がスパッタリング時に異常放
電やスパッタ雰囲気の乱れの原因となり、かつ熱歪応力
によってターゲツト材自体に割れが生じる原因ともなり
、さらにターゲツト材の空孔中の吸着水分やガスが形成
される保護層の純度を低下させるなどの問題点がある。
従来ターゲットという)においては、スパッタリング時
に、サイアロンを構成する酸素が9累に比して系外に出
やすいために、形成されたサイアロンCLa層における
O/N比がターゲツト材中のO/N比に比して小さくな
って保護層特性に悪影唇を及ぼすようになり、この現象
は、スパッタリング時の真空雰囲気の真空度を下げるこ
とによりある程度防止することができるが、この場合に
は形成される保護層の粒子が粗くなり、保護層に大きな
歪が残存するようになり、極端な場合には下地層が変形
するようになり、また、上記の従来ターゲツト材は、サ
イアロン自体が焼結性の悪いものであるため、ホットプ
レスで製造しなければならないことから、普通焼結によ
る場合に比してコスト高となるばかりでな(、密度が低
く、この結果ターゲツト材中(;は多数の空孔が存在す
るようになるが、この空孔がスパッタリング時に異常放
電やスパッタ雰囲気の乱れの原因となり、かつ熱歪応力
によってターゲツト材自体に割れが生じる原因ともなり
、さらにターゲツト材の空孔中の吸着水分やガスが形成
される保護層の純度を低下させるなどの問題点がある。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、上記従
来のサイアロン製スパッタリングターゲツト材のもつ問
題点を解決すべく研究を行なった結果、硬質層形成成分
として多数のサイアロンのうちから、組成式: %式%) を有するβ′サイアロンを特定し、これにガラス質形成
成分としてY、Mg 、 Sc 、および希土類元素の
酸化物のうちの1種または2種以上(以下、これらを総
称して金属酸化物という)を2〜7重量%(以下%は重
量%を示す)含有させた組成を有するセラミック焼結体
を、感熱記録用ヘッドの保護層をスパッタリングにより
形成するに際してターゲツト材として用いると、上記セ
ラミック焼結体における金属酸化物が、スパッタリング
時の雰囲気中のO/N比をバランスさせ、形成される保
護層中のO/N比が硬質相形成成分であるβ′サイアロ
ンの組成式におけるX値を十分に満足させることから、
保護層はすぐれた耐酸化性および耐摩耗性を有するよう
になり、また、前記金属酸化物の含有によってセラミッ
ク焼結体の焼結性が著しく向上するようになるので、タ
ーゲツト材をコストの安い普通焼結によって高い密度で
製造することができ、この結果空孔の形成が著しく抑制
されるようになることから、スパッタリング時の異常放
電やスパッタ雰囲気の乱れがなくなり、安定した条件で
の良質な保護層形成が可能となり、かつ熱歪応力(:よ
るターゲツト材自体の割れがなくなり、さらに空孔中の
吸着水分やガスによる保護層の純度低下も回避すること
ができるようになるという知見を得たのである。
来のサイアロン製スパッタリングターゲツト材のもつ問
題点を解決すべく研究を行なった結果、硬質層形成成分
として多数のサイアロンのうちから、組成式: %式%) を有するβ′サイアロンを特定し、これにガラス質形成
成分としてY、Mg 、 Sc 、および希土類元素の
酸化物のうちの1種または2種以上(以下、これらを総
称して金属酸化物という)を2〜7重量%(以下%は重
量%を示す)含有させた組成を有するセラミック焼結体
を、感熱記録用ヘッドの保護層をスパッタリングにより
形成するに際してターゲツト材として用いると、上記セ
ラミック焼結体における金属酸化物が、スパッタリング
時の雰囲気中のO/N比をバランスさせ、形成される保
護層中のO/N比が硬質相形成成分であるβ′サイアロ
ンの組成式におけるX値を十分に満足させることから、
保護層はすぐれた耐酸化性および耐摩耗性を有するよう
になり、また、前記金属酸化物の含有によってセラミッ
ク焼結体の焼結性が著しく向上するようになるので、タ
ーゲツト材をコストの安い普通焼結によって高い密度で
製造することができ、この結果空孔の形成が著しく抑制
されるようになることから、スパッタリング時の異常放
電やスパッタ雰囲気の乱れがなくなり、安定した条件で
の良質な保護層形成が可能となり、かつ熱歪応力(:よ
るターゲツト材自体の割れがなくなり、さらに空孔中の
吸着水分やガスによる保護層の純度低下も回避すること
ができるようになるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、感熱記録用ヘッドの保護層形成用スパッタリングタ
ーゲツト材を、 ガラス相形成のための金属酸化物=2〜7射。
て、感熱記録用ヘッドの保護層形成用スパッタリングタ
ーゲツト材を、 ガラス相形成のための金属酸化物=2〜7射。
を含有し、残りが硬質相形成のための組成式:%式%)
を有するβ′サイアロンと不可避不純物からなる組成を
有するセラミック焼結体で構成した点に特徴を有するも
のである。
有するセラミック焼結体で構成した点に特徴を有するも
のである。
なお、この発明のターゲツト材において、セラミック焼
結体の金属酸化物の含有量を2〜7%と限定したのは、
その含有量が296未満では、金属酸化物によってもた
らされる上記の作用に所望の効果が得られず、一方その
含有量が7%を越えると、スパッタリングにより形成さ
れた保護層の耐摩耗性が低下するようになるという理由
によるものである。また、同じ(セラミック焼結体を構
成する硬1質相形成のためのβ′サイアロンの組成式に
おけるX値が0.1゛未満では所望のすぐれた耐酸化性
および耐摩耗性を保護層に確保することができず、一方
4.2を越えたX値のβ′サイアロンは存在しないこと
から、そのX値が0,1〜4.2となる。
結体の金属酸化物の含有量を2〜7%と限定したのは、
その含有量が296未満では、金属酸化物によってもた
らされる上記の作用に所望の効果が得られず、一方その
含有量が7%を越えると、スパッタリングにより形成さ
れた保護層の耐摩耗性が低下するようになるという理由
によるものである。また、同じ(セラミック焼結体を構
成する硬1質相形成のためのβ′サイアロンの組成式に
おけるX値が0.1゛未満では所望のすぐれた耐酸化性
および耐摩耗性を保護層に確保することができず、一方
4.2を越えたX値のβ′サイアロンは存在しないこと
から、そのX値が0,1〜4.2となる。
〔実施例〕
この発明のターゲツト材を実施例により具体的に説明す
る。
る。
原料粉末として、比表面積: 11 m’ / fを有
する高純度Si3N4微粉末、いずれも平均粒径:2μ
mのMN粉末およびAl2O3粉末、さらにいずれも平
均粒径:1μmを有するY2O3粉末、 MgO粉末、
5c203粉末、 L2203粉末、およびCe2O3
粉末を用意し、これら原料粉末なそれぞれ第1表に示さ
れる配合組成に配合し、ボールミル中で72時間混合し
た後、圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉体を、1
気圧の窒素ガス雰囲気中、1700〜1820℃の範囲
内の温度に5時間保持の条件で焼結(普通焼結)するこ
とによって、実質的に金属酸化物の含有量が配合量と同
じであり、残りがβ′サイアロン(X値およびO/N比
を第1表に示す)からなるセラミック焼結体で構成され
た本発明ターゲット1〜6をそれぞれ製造した。
する高純度Si3N4微粉末、いずれも平均粒径:2μ
mのMN粉末およびAl2O3粉末、さらにいずれも平
均粒径:1μmを有するY2O3粉末、 MgO粉末、
5c203粉末、 L2203粉末、およびCe2O3
粉末を用意し、これら原料粉末なそれぞれ第1表に示さ
れる配合組成に配合し、ボールミル中で72時間混合し
た後、圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉体を、1
気圧の窒素ガス雰囲気中、1700〜1820℃の範囲
内の温度に5時間保持の条件で焼結(普通焼結)するこ
とによって、実質的に金属酸化物の含有量が配合量と同
じであり、残りがβ′サイアロン(X値およびO/N比
を第1表に示す)からなるセラミック焼結体で構成され
た本発明ターゲット1〜6をそれぞれ製造した。
また、比較の目的で、上記の原料粉末を用い、それぞれ
第1表に示される配合組成に配合し、ボールミル中で7
2時間混合した後、温度:1750℃、圧カニ200K
p/ca、保持時間=1時間の条件でホットプレスする
ことにより、実質的にβ′サイアロン(X値およびO/
N比を第1表に示す)からなるセラミック焼結体の比較
ターゲット1〜3をそれぞれ製造した。また、第1表に
はこの結果得られた各種のターゲツト材の密度も示した
。
第1表に示される配合組成に配合し、ボールミル中で7
2時間混合した後、温度:1750℃、圧カニ200K
p/ca、保持時間=1時間の条件でホットプレスする
ことにより、実質的にβ′サイアロン(X値およびO/
N比を第1表に示す)からなるセラミック焼結体の比較
ターゲット1〜3をそれぞれ製造した。また、第1表に
はこの結果得られた各種のターゲツト材の密度も示した
。
ついで、これらのターゲツト材から直径:12.7咽×
厚さ:5關の試験片を切り出し、この試験片を用い、 出カニ200W、 真空度: I X 1O−2torr 。
厚さ:5關の試験片を切り出し、この試験片を用い、 出カニ200W、 真空度: I X 1O−2torr 。
雰囲気:Ar
の条件でスパッタリングを行ない、感熱記録用ヘッドの
基板を構成する直径:50mmX厚さ=0.5咽のアル
ミナ基板の表面に厚さ:0.01mmの保護層を形成し
た。
基板を構成する直径:50mmX厚さ=0.5咽のアル
ミナ基板の表面に厚さ:0.01mmの保護層を形成し
た。
この結果形成された保護層中のβ′サイアロンの07N
比を測定すると共に、基板のそり状況を観察し、さらに
ターゲツト材のクラック発生状況を観察した。これらの
結果を第1表に示した。なお、上記ターゲツト材および
保護層中のβ′サイアロンの0/N比はエレクトロン・
プローブ・マイクロ・アナライザ(EPMA)により測
定した値である。
比を測定すると共に、基板のそり状況を観察し、さらに
ターゲツト材のクラック発生状況を観察した。これらの
結果を第1表に示した。なお、上記ターゲツト材および
保護層中のβ′サイアロンの0/N比はエレクトロン・
プローブ・マイクロ・アナライザ(EPMA)により測
定した値である。
第1表に示される結果から、本発明ターゲツト材1〜6
は、金属酸化物の含有によって、いずれも普通焼結によ
り製造したにもかかわらず、密度が高く、この結果空孔
の存在がきわめて少ないので、空孔による異常放電やス
パッタ雰囲気の乱れがなく、さらに空孔中に含有する吸
着水分やガスの作用による縄文低下もないことから、安
定した良質な保護層を形成でき、加えてターゲツト材に
クラックの発生もなく、また同じく金属酸化物の含有に
よって保護層における0/N比がターゲツト材における
O/Nとほとんど変らず、この結果すぐれた耐酸化性お
よび耐摩耗性を有する保護層の形成が可能となるほか、
前記基板に変形もないのに対して、比較ターゲット1〜
3においては、ホットプレスにより製造したにもかかわ
らず、逆に密度が低く、この結果多数の空孔が存在する
ようになって、ターゲツト材にはクラックが発生し、か
つO/N比の変化も大きいので保護層の特性劣化や。
は、金属酸化物の含有によって、いずれも普通焼結によ
り製造したにもかかわらず、密度が高く、この結果空孔
の存在がきわめて少ないので、空孔による異常放電やス
パッタ雰囲気の乱れがなく、さらに空孔中に含有する吸
着水分やガスの作用による縄文低下もないことから、安
定した良質な保護層を形成でき、加えてターゲツト材に
クラックの発生もなく、また同じく金属酸化物の含有に
よって保護層における0/N比がターゲツト材における
O/Nとほとんど変らず、この結果すぐれた耐酸化性お
よび耐摩耗性を有する保護層の形成が可能となるほか、
前記基板に変形もないのに対して、比較ターゲット1〜
3においては、ホットプレスにより製造したにもかかわ
らず、逆に密度が低く、この結果多数の空孔が存在する
ようになって、ターゲツト材にはクラックが発生し、か
つO/N比の変化も大きいので保護層の特性劣化や。
基板に大きなそりが発生するようになるなどスパッタリ
ングターゲツト材として劣ることが明らかである。
ングターゲツト材として劣ることが明らかである。
上述のように、この発明のスパッタリングターゲツト材
によれば、感熱記録用ヘッドの製造に際して、すぐれた
特性を有する保護層を安定的に、かつコスト安く形成す
ることができるのである。
によれば、感熱記録用ヘッドの製造に際して、すぐれた
特性を有する保護層を安定的に、かつコスト安く形成す
ることができるのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス質相形成のためのY、Mg、Sc、および希土類
元素の酸化物のうちの1種または2種以上:2〜7重量
%、 を含有し、残りが硬質層形成のための組成式:Si_6
_−_xAl_xO_xN_8_−_x(x:0.1〜
4.2%)、を有するβ′サイアロンと不可避不純物か
らなる組成を有するセラミック焼結体で構成したことを
特徴とする感熱記録用ヘッドの保護層形成用スパッタリ
ングターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224299A JPH0712693B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224299A JPH0712693B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378760A true JPS6378760A (ja) | 1988-04-08 |
| JPH0712693B2 JPH0712693B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16811595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224299A Expired - Lifetime JPH0712693B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712693B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5072236A (en) * | 1989-05-02 | 1991-12-10 | Rohm Co., Ltd. | Thick film type thermal head |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314717A (en) * | 1975-07-24 | 1978-02-09 | Lucas Industries Ltd | Ceramic products and manufacture |
| JPS604077A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-10 | Fujitsu Ltd | サ−マルヘツド |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP61224299A patent/JPH0712693B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314717A (en) * | 1975-07-24 | 1978-02-09 | Lucas Industries Ltd | Ceramic products and manufacture |
| JPS604077A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-10 | Fujitsu Ltd | サ−マルヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5072236A (en) * | 1989-05-02 | 1991-12-10 | Rohm Co., Ltd. | Thick film type thermal head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712693B2 (ja) | 1995-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |