JPS6378760A - 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 - Google Patents

感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材

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JPS6378760A
JPS6378760A JP61224299A JP22429986A JPS6378760A JP S6378760 A JPS6378760 A JP S6378760A JP 61224299 A JP61224299 A JP 61224299A JP 22429986 A JP22429986 A JP 22429986A JP S6378760 A JPS6378760 A JP S6378760A
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JP
Japan
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protective layer
target material
sialon
sputtering
recording head
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Application number
JP61224299A
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Tatsuro Yasujima
安島 辰郎
Takeshi Yoshida
武司 吉田
Akira Mochizuki
晃 望月
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Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、サーマルプリンタなどに用いられる感熱記
録用ヘッドの保護層をスパッタリングにより形成するに
際し、ターゲットとして用いた場合に無歪の良質な保護
層を安定した条件で、かつコスト安く形成することが可
能なスパッタリングターゲツト材に関するものである。
〔従来の技術〕
例えば、サーマルプリンタなどに使用されている感熱記
録用ヘッドのうちの薄膜型ヘッドが、アルミナなどから
なる絶縁基板上に、ブレースガラス層および発熱体層を
順次形成し、さらにこの上に発熱体通電用の電極層を所
定間隔を隔てて設け、これら電極層間の間隙の発熱部に
耐酸化性と耐摩耗性にす′ぐれたサイアロンからなる保
護層を形成してなる構造をもつことが知られている。
また、上記の薄膜型は勿論のこと、厚膜型のものや、そ
の他の形式のものを含めた感熱記録用ヘッドの保護層が
、サイアロンからなるターゲツト材を用い、スパッタリ
ングにより形成されることもよ(知られるところである
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記のサイアロンからなるターゲツト材(以下
従来ターゲットという)においては、スパッタリング時
に、サイアロンを構成する酸素が9累に比して系外に出
やすいために、形成されたサイアロンCLa層における
O/N比がターゲツト材中のO/N比に比して小さくな
って保護層特性に悪影唇を及ぼすようになり、この現象
は、スパッタリング時の真空雰囲気の真空度を下げるこ
とによりある程度防止することができるが、この場合に
は形成される保護層の粒子が粗くなり、保護層に大きな
歪が残存するようになり、極端な場合には下地層が変形
するようになり、また、上記の従来ターゲツト材は、サ
イアロン自体が焼結性の悪いものであるため、ホットプ
レスで製造しなければならないことから、普通焼結によ
る場合に比してコスト高となるばかりでな(、密度が低
く、この結果ターゲツト材中(;は多数の空孔が存在す
るようになるが、この空孔がスパッタリング時に異常放
電やスパッタ雰囲気の乱れの原因となり、かつ熱歪応力
によってターゲツト材自体に割れが生じる原因ともなり
、さらにターゲツト材の空孔中の吸着水分やガスが形成
される保護層の純度を低下させるなどの問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、上記従
来のサイアロン製スパッタリングターゲツト材のもつ問
題点を解決すべく研究を行なった結果、硬質層形成成分
として多数のサイアロンのうちから、組成式: %式%) を有するβ′サイアロンを特定し、これにガラス質形成
成分としてY、Mg 、 Sc 、および希土類元素の
酸化物のうちの1種または2種以上(以下、これらを総
称して金属酸化物という)を2〜7重量%(以下%は重
量%を示す)含有させた組成を有するセラミック焼結体
を、感熱記録用ヘッドの保護層をスパッタリングにより
形成するに際してターゲツト材として用いると、上記セ
ラミック焼結体における金属酸化物が、スパッタリング
時の雰囲気中のO/N比をバランスさせ、形成される保
護層中のO/N比が硬質相形成成分であるβ′サイアロ
ンの組成式におけるX値を十分に満足させることから、
保護層はすぐれた耐酸化性および耐摩耗性を有するよう
になり、また、前記金属酸化物の含有によってセラミッ
ク焼結体の焼結性が著しく向上するようになるので、タ
ーゲツト材をコストの安い普通焼結によって高い密度で
製造することができ、この結果空孔の形成が著しく抑制
されるようになることから、スパッタリング時の異常放
電やスパッタ雰囲気の乱れがなくなり、安定した条件で
の良質な保護層形成が可能となり、かつ熱歪応力(:よ
るターゲツト材自体の割れがなくなり、さらに空孔中の
吸着水分やガスによる保護層の純度低下も回避すること
ができるようになるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、感熱記録用ヘッドの保護層形成用スパッタリングタ
ーゲツト材を、 ガラス相形成のための金属酸化物=2〜7射。
を含有し、残りが硬質相形成のための組成式:%式%) を有するβ′サイアロンと不可避不純物からなる組成を
有するセラミック焼結体で構成した点に特徴を有するも
のである。
なお、この発明のターゲツト材において、セラミック焼
結体の金属酸化物の含有量を2〜7%と限定したのは、
その含有量が296未満では、金属酸化物によってもた
らされる上記の作用に所望の効果が得られず、一方その
含有量が7%を越えると、スパッタリングにより形成さ
れた保護層の耐摩耗性が低下するようになるという理由
によるものである。また、同じ(セラミック焼結体を構
成する硬1質相形成のためのβ′サイアロンの組成式に
おけるX値が0.1゛未満では所望のすぐれた耐酸化性
および耐摩耗性を保護層に確保することができず、一方
4.2を越えたX値のβ′サイアロンは存在しないこと
から、そのX値が0,1〜4.2となる。
〔実施例〕 この発明のターゲツト材を実施例により具体的に説明す
る。
原料粉末として、比表面積: 11 m’ / fを有
する高純度Si3N4微粉末、いずれも平均粒径:2μ
mのMN粉末およびAl2O3粉末、さらにいずれも平
均粒径:1μmを有するY2O3粉末、 MgO粉末、
5c203粉末、 L2203粉末、およびCe2O3
粉末を用意し、これら原料粉末なそれぞれ第1表に示さ
れる配合組成に配合し、ボールミル中で72時間混合し
た後、圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉体を、1
気圧の窒素ガス雰囲気中、1700〜1820℃の範囲
内の温度に5時間保持の条件で焼結(普通焼結)するこ
とによって、実質的に金属酸化物の含有量が配合量と同
じであり、残りがβ′サイアロン(X値およびO/N比
を第1表に示す)からなるセラミック焼結体で構成され
た本発明ターゲット1〜6をそれぞれ製造した。
また、比較の目的で、上記の原料粉末を用い、それぞれ
第1表に示される配合組成に配合し、ボールミル中で7
2時間混合した後、温度:1750℃、圧カニ200K
p/ca、保持時間=1時間の条件でホットプレスする
ことにより、実質的にβ′サイアロン(X値およびO/
N比を第1表に示す)からなるセラミック焼結体の比較
ターゲット1〜3をそれぞれ製造した。また、第1表に
はこの結果得られた各種のターゲツト材の密度も示した
。
ついで、これらのターゲツト材から直径:12.7咽×
厚さ:5關の試験片を切り出し、この試験片を用い、 出カニ200W、 真空度: I X 1O−2torr 。
雰囲気:Ar の条件でスパッタリングを行ない、感熱記録用ヘッドの
基板を構成する直径:50mmX厚さ=0.5咽のアル
ミナ基板の表面に厚さ:0.01mmの保護層を形成し
た。
この結果形成された保護層中のβ′サイアロンの07N
比を測定すると共に、基板のそり状況を観察し、さらに
ターゲツト材のクラック発生状況を観察した。これらの
結果を第1表に示した。なお、上記ターゲツト材および
保護層中のβ′サイアロンの0/N比はエレクトロン・
プローブ・マイクロ・アナライザ(EPMA)により測
定した値である。
〔発明の効果〕
第1表に示される結果から、本発明ターゲツト材1〜6
は、金属酸化物の含有によって、いずれも普通焼結によ
り製造したにもかかわらず、密度が高く、この結果空孔
の存在がきわめて少ないので、空孔による異常放電やス
パッタ雰囲気の乱れがなく、さらに空孔中に含有する吸
着水分やガスの作用による縄文低下もないことから、安
定した良質な保護層を形成でき、加えてターゲツト材に
クラックの発生もなく、また同じく金属酸化物の含有に
よって保護層における0/N比がターゲツト材における
O/Nとほとんど変らず、この結果すぐれた耐酸化性お
よび耐摩耗性を有する保護層の形成が可能となるほか、
前記基板に変形もないのに対して、比較ターゲット1〜
3においては、ホットプレスにより製造したにもかかわ
らず、逆に密度が低く、この結果多数の空孔が存在する
ようになって、ターゲツト材にはクラックが発生し、か
つO/N比の変化も大きいので保護層の特性劣化や。
基板に大きなそりが発生するようになるなどスパッタリ
ングターゲツト材として劣ることが明らかである。
上述のように、この発明のスパッタリングターゲツト材
によれば、感熱記録用ヘッドの製造に際して、すぐれた
特性を有する保護層を安定的に、かつコスト安く形成す
ることができるのである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ガラス質相形成のためのY、Mg、Sc、および希土類
    元素の酸化物のうちの1種または2種以上:2〜7重量
    %、 を含有し、残りが硬質層形成のための組成式:Si_6
    _−_xAl_xO_xN_8_−_x(x:0.1〜
    4.2%)、を有するβ′サイアロンと不可避不純物か
    らなる組成を有するセラミック焼結体で構成したことを
    特徴とする感熱記録用ヘッドの保護層形成用スパッタリ
    ングターゲット材。
JP61224299A 1986-09-22 1986-09-22 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 Expired - Lifetime JPH0712693B2 (ja)

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JP61224299A JPH0712693B2 (ja) 1986-09-22 1986-09-22 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材

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JPS6378760A true JPS6378760A (ja) 1988-04-08
JPH0712693B2 JPH0712693B2 (ja) 1995-02-15

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JP61224299A Expired - Lifetime JPH0712693B2 (ja) 1986-09-22 1986-09-22 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5072236A (en) * 1989-05-02 1991-12-10 Rohm Co., Ltd. Thick film type thermal head

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5314717A (en) * 1975-07-24 1978-02-09 Lucas Industries Ltd Ceramic products and manufacture
JPS604077A (ja) * 1983-06-23 1985-01-10 Fujitsu Ltd サ−マルヘツド

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US5072236A (en) * 1989-05-02 1991-12-10 Rohm Co., Ltd. Thick film type thermal head

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