JPS6379984A - エッチング組成物 - Google Patents
エッチング組成物Info
- Publication number
- JPS6379984A JPS6379984A JP22650086A JP22650086A JPS6379984A JP S6379984 A JPS6379984 A JP S6379984A JP 22650086 A JP22650086 A JP 22650086A JP 22650086 A JP22650086 A JP 22650086A JP S6379984 A JPS6379984 A JP S6379984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- formula
- compd
- represented
- ferric chloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の塩化第二鉄または塩化第二銅エツチング剤水溶
液に添加してエツチング効果を向上、促進するプリント
配線基盤用エツチング促進剤組成物に関するものである
。
液に添加してエツチング効果を向上、促進するプリント
配線基盤用エツチング促進剤組成物に関するものである
。
プリント配線基盤は産業用電子機器の急速な発展にとも
ない広い需要対応と、さらに高度な精密処理対応が要求
されるている。
ない広い需要対応と、さらに高度な精密処理対応が要求
されるている。
プリント配線基盤は一般的にレジストを一様に塗布した
後、所定パターン様に紫外線露光を施こしている。紫外
線に露光されたレジスト部分は重合反応し、他のレジス
ト部分は未重合部として残されてる。次に塩素系溶剤等
で未重合部を溶解除去し、所定のパターン基盤を得る。
後、所定パターン様に紫外線露光を施こしている。紫外
線に露光されたレジスト部分は重合反応し、他のレジス
ト部分は未重合部として残されてる。次に塩素系溶剤等
で未重合部を溶解除去し、所定のパターン基盤を得る。
その後、塩化第二鉄または塩化第二銅等のエツチング水
溶液をシャワー状に吹きつけると露出している部分がエ
ツチングされ所定導電パターン基盤が得られる。
溶液をシャワー状に吹きつけると露出している部分がエ
ツチングされ所定導電パターン基盤が得られる。
エツチング速度は塩化第二鉄または塩化第二銅濃度とそ
のエツチング温度に起因することは知られている。
しかし、高濃度になると、逆にエツチング速度を低下さ
せることも知られ、その管理に多大の労力を要し、精密
度を要求される用途への展開は限界を有する。一方温度
には設備的な制約があり、例えば塩化ビニル製スプレー
設備の場合４０〜５０℃が、その限界で実用的濃度、温
度レベルでのエツチング速度の向上が強く要望されてい
る。 処理条件に限定のある場合、目的効果を効率的に
発揮し得る手段として界面活性剤の添加が有用である。
のエツチング温度に起因することは知られている。
しかし、高濃度になると、逆にエツチング速度を低下さ
せることも知られ、その管理に多大の労力を要し、精密
度を要求される用途への展開は限界を有する。一方温度
には設備的な制約があり、例えば塩化ビニル製スプレー
設備の場合４０〜５０℃が、その限界で実用的濃度、温
度レベルでのエツチング速度の向上が強く要望されてい
る。 処理条件に限定のある場合、目的効果を効率的に
発揮し得る手段として界面活性剤の添加が有用である。
界面活性剤はその湿潤、浸透作用からエツチング促進お
よび精密処理に有用である。
よび精密処理に有用である。
しかしながら比較的高濃度レベルの塩化第二鉄または塩
化第二銅水溶液に安定に溶解し、エツチング促進、精密
処理の発現および操作上、問題となる発泡の抑制が要求
される。
化第二銅水溶液に安定に溶解し、エツチング促進、精密
処理の発現および操作上、問題となる発泡の抑制が要求
される。
はとんどのアニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、
カチオン界面活性剤および両性界面活性剤はエツチング
液への溶解安定性が劣り溶解安定性に優れた一部アニオ
ン界面活性剤も、発泡等の問題を有する。
カチオン界面活性剤および両性界面活性剤はエツチング
液への溶解安定性が劣り溶解安定性に優れた一部アニオ
ン界面活性剤も、発泡等の問題を有する。
本発明渚は、これらの問題点を解消すべく鋭意研究の結
果、本発明に到達したものである。即ち、本発明は 塩化第二鉄または塩化第二銅水溶液に、下記一般式（１
）で示される化合物を０．０１〜５．０重量％を添加す
ることを特徴とするプリント配線基盤用エツチング促進
剤組成物を提供するものである。
果、本発明に到達したものである。即ち、本発明は 塩化第二鉄または塩化第二銅水溶液に、下記一般式（１
）で示される化合物を０．０１〜５．０重量％を添加す
ることを特徴とするプリント配線基盤用エツチング促進
剤組成物を提供するものである。
一般式、
Ａ Ａ
Ｉ
−Ｃ
Ａ−ＣＣ−３Ｏ３Ｘ
Ａ Ａ
［但し、式中Ａは水酸基、メチル基、塩素原子ま本発明
エツチング促進剤組成物を添加することにより、その優
れた溶解安定性、湿潤、浸透性の向上により、エツチン
グ促進効果の向上、さらには精密処理性の向上がはかれ
、また添加剤に起因する発泡も実用上問題とはならない
。
エツチング促進剤組成物を添加することにより、その優
れた溶解安定性、湿潤、浸透性の向上により、エツチン
グ促進効果の向上、さらには精密処理性の向上がはかれ
、また添加剤に起因する発泡も実用上問題とはならない
。
次に本発明を実施例により説明する。
（％、部は重量基準を示す。）
実施例
１、溶解安定性テスト
塩化第二銅４０％エツチング水溶液中に第１表に示した
エツチング促進剤２％を添加し、４０℃に保持した後、
溶解安定性を目視して、以下の基準で評価した。
エツチング促進剤２％を添加し、４０℃に保持した後、
溶解安定性を目視して、以下の基準で評価した。
基準 Ｏ：安定溶解状態
Δ：分散状態
×：完全分離
２、発泡性テスト
塩化第二鉄３０％エツチング水溶液中に第２表に示した
エツチング促進剤０．１％を添加し、１００ｍ１ネスラ
ー管に５０ｍ１採取する。
エツチング促進剤０．１％を添加し、１００ｍ１ネスラ
ー管に５０ｍ１採取する。
３０℃に保持した後１００回／３０秒にて激しく振盪し
、静置後３０秒後の発泡ｍｌ数を以下の基準で評価した
。
、静置後３０秒後の発泡ｍｌ数を以下の基準で評価した
。
基準 Ｑ ： ５ ｍ ｌ以下
△：５ｍｌ〜２０ｍ１
Ｘ ： ２０ ｍ １以上
３、濡れ性テスト
塩化第二鉄４０％エツチング水溶液に第３表に示したエ
ツチング促進剤を１．０％添加して、４０℃に保持して
、スプレー圧２ｋｇ／ｃｍ２にて噴霧後、３０秒後のテ
ストピース［アクリル系レジストを塗布して紫外線露光
した１０ｃｍＸ１０Ｃｍ片）の濡れ状態を以下の基準に
より目視にて評価した。
ツチング促進剤を１．０％添加して、４０℃に保持して
、スプレー圧２ｋｇ／ｃｍ２にて噴霧後、３０秒後のテ
ストピース［アクリル系レジストを塗布して紫外線露光
した１０ｃｍＸ１０Ｃｍ片）の濡れ状態を以下の基準に
より目視にて評価した。
基準 Ｏ：９０％以上の濡れ
Δ：５０％以上９０％以下の濡れ
×：５０％以下の濡れ
以上のテスト結果から１本発明組成物は湿潤性をエツチ
ング液への溶解安定性と濡れ性改善をはかり、エツチン
グ効率の向上と精密処理をはかることができ、且つエツ
チング促進剤、即ち、界面活性剤に起因する発泡を実用
上、問題とならない程度まで抑制し、実用的、極めて優
れたエツチング促進剤組成物であることが確認できた。
ング液への溶解安定性と濡れ性改善をはかり、エツチン
グ効率の向上と精密処理をはかることができ、且つエツ
チング促進剤、即ち、界面活性剤に起因する発泡を実用
上、問題とならない程度まで抑制し、実用的、極めて優
れたエツチング促進剤組成物であることが確認できた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 塩化第二鉄または塩化第二銅水溶液に、下記一般式（
１）で示される化合物を０．０１〜５．０重量％を添加
することを特徴とするプリント配線基盤用エッチング促
進剤組成物。 一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） ［但し、式中Ａは水酸基、メチル基、塩素原子または水
素原子であり、Ｘは水素またはアルカリ金属原子である
］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22650086A JPH0246672B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Etsuchingusoseibutsu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22650086A JPH0246672B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Etsuchingusoseibutsu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379984A true JPS6379984A (ja) | 1988-04-09 |
| JPH0246672B2 JPH0246672B2 (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=16846084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22650086A Expired - Lifetime JPH0246672B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Etsuchingusoseibutsu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246672B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0449099A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Ｉｃ収納用ケース |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22650086A patent/JPH0246672B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246672B2 (ja) | 1990-10-16 |
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