JPS6380253A - パタ−ン形成用レジスト組成物 - Google Patents

パタ−ン形成用レジスト組成物

Info

Publication number
JPS6380253A
JPS6380253A JP22545686A JP22545686A JPS6380253A JP S6380253 A JPS6380253 A JP S6380253A JP 22545686 A JP22545686 A JP 22545686A JP 22545686 A JP22545686 A JP 22545686A JP S6380253 A JPS6380253 A JP S6380253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
resist composition
acetate
film
good
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22545686A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0466501B2 (ja
Inventor
Taichi Fukuhara
太一 福原
Masato Hyodo
正人 兵藤
Hideo Kawahara
秀夫 河原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Sheet Glass Co Ltd filed Critical Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority to JP22545686A priority Critical patent/JPS6380253A/ja
Publication of JPS6380253A publication Critical patent/JPS6380253A/ja
Publication of JPH0466501B2 publication Critical patent/JPH0466501B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、スクリーン印刷工程におけるパターン形成用
レジスト組成物、特に、リフトオフ用としてのレジ21
〜組成物に関する。
(従来の技術) 透明導電膜を基板上にパターン形成するパターン形成方
法として、金属酸化物を含むレジストインクを印刷後、
透明導電膜をコーティングした後レジストインクを除去
するいわゆるリフトオフ法を用いることは特開昭49−
113573号公報や特開昭52−36495号公報等
にすでに開示されており、この方法は、透明導電膜を被
膜後、レジストインクを印刷しエツチングしてパターン
を形成する湿式のエツチングによる方法に比較して公害
がなく、工程も簡単であり、工業上有用な方法である。
このリフトオフ法に用いられるレジストインクとして必
要な特性は、次に述べる通りである。
(1)耐久性が良いこと。
(2)スクリーン印刷可能であって、印刷後壁用がない
こと。
(3)耐熱性が良いこと。少なくとも500’C@後の
温度および空温への冷却過程でひび割れやまくれが発生
しないこと。
(4)熱処理後、蒸着ガスの遮蔽効果が良好であること
このような必要特性を具備したレジストインクを開発す
ることを目的として、例えば下記のような従来例が提案
されている。
(1)炭酸バリウムを主成分としたレジストとして、M
SN−428レジスト(MinEtch社製)が市販さ
れており、被膜形成時のパターンレジストとして使用さ
れている。
(2)また、特開昭56−96894号公報には、炭酸
バリウムを主成分としたレジストと、炭酸カルシウムと
、ブチルカルビノール ロースとからなる改良品が提案されている。
(3)また、特開昭52−36495号公報には、窒化
硼素を主成分として、バインダーとして硝化綿、溶剤と
してブチルカルビノールを用いたレジストインクが提案
されている。
(4)ざらに、特開昭57−166390号公報には、
ガラスフリットと高融点金属酸化物とからなるマスキン
グインクをコーテイング材として使用した例が記載され
ている。
(本発明が解決しようとする問題点) しかしながら、前述した(1)〜(3)のレジス1〜に
あっては、前記のレジストの必要特性のうち特に(3)
の耐熱性については後工程の透明導電膜を形成する条件
によって大きく支配され、特に高温状態(例えば550
°C近傍)、急速加熱、急速冷却等の工程でひび割れや
まくれが生じ、熱安定性に欠けるという問題点があった
これを、前記のMSN−428レジストを例にとって説
明すると、予熱した後高温で完全に焼成すると高温時に
は変化しないが、炉から取り出して室温に戻すと基板と
レジストとの熱膨張率の違いによりレジストにはまくれ
やひび割れが生じた。
また、完全に焼成しない状態で炉から取り出した場合に
おいては、室温への冷却段階ではまくれやひび割れは生
じないが、蒸着時の加熱の時にレジスト内の樹脂成分が
ガスとして発生し、蒸着膜の不良を招来するという欠点
があった。
また、(4)の場合には低融点のガラスフリットを使用
しているため加熱処理を施すと、下地のガラス基体と反
応して強固に密着しインク残留物の剥離が困難になると
いうリフトオフ法における大ぎな欠点があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであって、熱安定性に優れ残留レジストの剥離が容易
なリフトオフ用レジストを提供することを目的としてい
る。
このような目的を達成するために、本発明においては、
重量比で酸化チタン微粒子(5μmφ以下)を30〜4
0%、溶剤としてのエチレングリコール、モノブチルエ
ーテルアセテートを30〜40%、残部を塩化ポリエチ
レン等の樹脂としたレジスト(例えば、山栄(株)製の
商品名SPRー557ーWレジスト)にチキソトロピー
を増加させるための酸化珪素微粒子(例えば、日本アエ
ロジル(株)製の商品名エアロジル 200>を添加し
、ざらに希釈剤としてブチルカルビノールアセテート(
以下、B.C.A>を添加して、レジスト組成物を構成
している。
このようなレジスト組成物による印刷インクは、熱安定
性が優れ、スクリーン印刷に好適であり、例えば大気中
での長時間の使用にも安定した印刷が可能である。また
、熱分解後の酸化錫膜の形成後は不要部を水により簡単
なブラッシングで容易に除去することができ、膜面には
1ラシキズ等がつかないので、高品位のパターン基板を
得ることができる。
(試験例) 以下、前記効果について試験例をもってざらに詳細に説
明する。
前記SPRー557ーWレジストに対重るエアロジル 
200とB.C.Aの混合比を検討した。
ここで、前記レジスト1K(jに対してエアロジル 2
00の添加量を0,10.50,100Qと段階的に変
化させ、それぞれに対してレジスト中の溶剤をB、C,
Aで置換し、その比率を0゜5.50,100%と段階
的に変化ざゼた。このように16種類のレジスト組成物
を試作し、それぞれを10時間以上混合器で練り込んだ
ものを比較検討したが、エアロジル 200の添加量が
Oq以外のものはすべて良好なスクリーン印刷面を呈す
る結果を得た。また、B、C,Aの置換比率が0%のも
のは、粘度がわずか1時間の使用で約50ポイズ変化し
てしまい、使用に耐えないことも判明した。
次に、前記レジスト組成物について焼成に最適な温度を
検討した。
本来、前記レジスト組成物は熱安゛定性に優れている半
面、示差熱分析によると分解点が570℃と高いため、
適正な焼成温度と基体の軟化温度が接近する点がわずか
に難点であるといえるが、520’Cの雰囲気温度で1
5分間焼成すれば、水によるブラッシングで容易にレジ
スI〜の組成物を除去することができ、剥離性が良好で
あることが判明した。なお、一般的には酸性溶液を用い
て剥離させるが、本発明のレジスト組成物を用いると、
水で容易に剥離することができ、工業上、有利である。
さらに、剥離に用いられた水の廃液を分析した結果、T
iO,5i02、SnO2等の無機動粒子のみが検出さ
れ、他の有害物質は全く検出されなかった。したがって
、廃液処理の点においても有用なレジスト組成物である
ことが判明した。
(使用例) 次に、本発明のレジス1〜組成物を用いて熱分解法によ
り基板上に酸化錫膜によるパターンを形成した使用例を
示す。
図(a)〜(d)はパターン形成のための各工程を示す
断面図である。以下、各工程を順次説明する。
工程(a〉: まず、前記5PR−557−Wレジスト1KOに対して
エアロジル 200を50CI添加し、B。
C,Aで溶剤を50%置換したものを混合し、1時間混
合器で錬り、レジスト組成物を調整した。
この状態のレジス1〜組成物でスクリーン印刷機で洗浄
済みのガラス基板1上にネガマスク2を形成した。これ
を図(a>に示す。
工程(b); 次に、スクリーン印刷したガラス基板1を520′Cに
設定された熱風循環焼成炉に投入し、15分間加熱し、
ネガマスク2からガスを脱離させた。
このときの高温焼成した状態のネガマスク2−の状態は
図(b)に示すように、1102粒子とSiO2粒子の
集合体となっている。
工程(C): 次に、こうして得られた無殿粒子によるネガパターン状
態のガラス基板1をベルト式の常圧気相生成装置に投入
し、酸化錫膜を800A’の厚さに一面全体に生成させ
た。なお、成膜時のガラス基板1の温度は500℃で実
施した。これを図(C)に示す。
工程(d): 最後に、前記状態のガラス基板1を水によりブラッシン
グして残留レジスト組成物を除去した。
剥離は非常に容易に行われ、膜面は良好でブラシ傷がな
いことも顕微鏡で確認できた。
このように、パターン形成された最後状態を図(d)に
示す。
なお、この試作品についてパターン精度をヂエックする
とともに断線、ショートの有無をヂエックした結果、パ
ターン精度を±50μm以内であり、断線もショー1〜
もないことを確認した。
(発明の効果) 以上説明してきたように、この発明によれば、酸化チタ
ンを主成分としたレジストと、酸化珪素と、ブチJレカ
ルビノールアセテートと、によりリフトオフ用レジスト
組成物を構成したため、高温に耐え、熱安定性に優れて
おり、また、残留物の剥離性が良好でキズのない良好な
膜面が得られる。
また、剥離を水によりようにに行うことができるので工
業上有利であり、廃液中に有害物質が含有されていない
ため、公害が発生する恐れがない。
さらに、同一工程でパターン形成が可能であるとともに
工程を簡素化することができるのでコストを低減するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
図はリフトオフ用レジスト組成物を用いて熱分解法によ
り基板上に酸化錫膜によるパターンを形成する各工程を
示す断面図でおる。 1ニガラス基板 2:ネガマスク(レジスト組成物) 2′:高温焼成した状態のネガマスク 3:酸化錫膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化チタンを主成分としたレジストと、酸化珪素と、ブ
    チルカルビノールアセテートと、からなることを特徴と
    するパターン形成用レジスト組成物。
JP22545686A 1986-09-24 1986-09-24 パタ−ン形成用レジスト組成物 Granted JPS6380253A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22545686A JPS6380253A (ja) 1986-09-24 1986-09-24 パタ−ン形成用レジスト組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22545686A JPS6380253A (ja) 1986-09-24 1986-09-24 パタ−ン形成用レジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6380253A true JPS6380253A (ja) 1988-04-11
JPH0466501B2 JPH0466501B2 (ja) 1992-10-23

Family

ID=16829628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22545686A Granted JPS6380253A (ja) 1986-09-24 1986-09-24 パタ−ン形成用レジスト組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6380253A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008027967A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008027967A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0466501B2 (ja) 1992-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100289850B1 (ko) 실리카전구체로 기판을 피복시키는 방법
JP5412037B2 (ja) シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物
JPH05148451A (ja) 物品に非付着性および撥水性を付与する組成物および処理方法
JP2961350B2 (ja) 微細パターンを有するネサ膜の製造方法
JPH03205462A (ja) 半水性現像可能な感光性銅導電体組成物およびその製造方法
JPS6380253A (ja) パタ−ン形成用レジスト組成物
WO2019208969A1 (ko) 법랑 조성물, 그 제조방법 및 조리기기
JPS62143047A (ja) トナ−処理可能なポジ像を形成する方法
US3573908A (en) Photographic technique for the selective deposition of a ceramic substrate glaze
JPH10242137A (ja) 基材上に不溶性コーティングを形成する方法
CN110746114A (zh) 一种超疏水耐磨釉涂层及其制备方法
WO2007072786A1 (ja) 回路パターンを有するガラス基板およびその製造方法
JP5990994B2 (ja) ガラス粉末材料及び多孔質なガラス質膜の製造方法。
JPH03205461A (ja) 半水性現像可能な感光性金導電体組成物
JPS63265843A (ja) セラミツクカラ−インク焼き付けガラス板及びその製造方法
US3544508A (en) Vitreous enamel composition to produce a matte finish on a glass surface
KR100236344B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법 및 그장치
JPH04300903A (ja) 放射線硬化性酸化スズ前駆体組成物
JPH08208271A (ja) 板ガラスの曲げ加工方法
GB2074152A (en) Coating method
JPH0982137A (ja) 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜の形成方法
JP3035383B2 (ja) 着色パターンの製造方法
JPH10241579A (ja) プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法
JPS5927961A (ja) 透明被膜形成用ペ−ストおよび透明被膜
JPH0264172A (ja) マスキングレジスト組成物