JPS6380253A - パタ−ン形成用レジスト組成物 - Google Patents
パタ−ン形成用レジスト組成物Info
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- JPS6380253A JPS6380253A JP22545686A JP22545686A JPS6380253A JP S6380253 A JPS6380253 A JP S6380253A JP 22545686 A JP22545686 A JP 22545686A JP 22545686 A JP22545686 A JP 22545686A JP S6380253 A JPS6380253 A JP S6380253A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002016 Aerosil® 200 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHBRHBQMHLEELN-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-butoxybutane Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCCC OHBRHBQMHLEELN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical group [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、スクリーン印刷工程におけるパターン形成用
レジスト組成物、特に、リフトオフ用としてのレジ21
〜組成物に関する。
レジスト組成物、特に、リフトオフ用としてのレジ21
〜組成物に関する。
(従来の技術)
透明導電膜を基板上にパターン形成するパターン形成方
法として、金属酸化物を含むレジストインクを印刷後、
透明導電膜をコーティングした後レジストインクを除去
するいわゆるリフトオフ法を用いることは特開昭49−
113573号公報や特開昭52−36495号公報等
にすでに開示されており、この方法は、透明導電膜を被
膜後、レジストインクを印刷しエツチングしてパターン
を形成する湿式のエツチングによる方法に比較して公害
がなく、工程も簡単であり、工業上有用な方法である。
法として、金属酸化物を含むレジストインクを印刷後、
透明導電膜をコーティングした後レジストインクを除去
するいわゆるリフトオフ法を用いることは特開昭49−
113573号公報や特開昭52−36495号公報等
にすでに開示されており、この方法は、透明導電膜を被
膜後、レジストインクを印刷しエツチングしてパターン
を形成する湿式のエツチングによる方法に比較して公害
がなく、工程も簡単であり、工業上有用な方法である。
このリフトオフ法に用いられるレジストインクとして必
要な特性は、次に述べる通りである。
要な特性は、次に述べる通りである。
(1)耐久性が良いこと。
(2)スクリーン印刷可能であって、印刷後壁用がない
こと。
こと。
(3)耐熱性が良いこと。少なくとも500’C@後の
温度および空温への冷却過程でひび割れやまくれが発生
しないこと。
温度および空温への冷却過程でひび割れやまくれが発生
しないこと。
(4)熱処理後、蒸着ガスの遮蔽効果が良好であること
。
。
このような必要特性を具備したレジストインクを開発す
ることを目的として、例えば下記のような従来例が提案
されている。
ることを目的として、例えば下記のような従来例が提案
されている。
(1)炭酸バリウムを主成分としたレジストとして、M
SN−428レジスト(MinEtch社製)が市販さ
れており、被膜形成時のパターンレジストとして使用さ
れている。
SN−428レジスト(MinEtch社製)が市販さ
れており、被膜形成時のパターンレジストとして使用さ
れている。
(2)また、特開昭56−96894号公報には、炭酸
バリウムを主成分としたレジストと、炭酸カルシウムと
、ブチルカルビノール ロースとからなる改良品が提案されている。
バリウムを主成分としたレジストと、炭酸カルシウムと
、ブチルカルビノール ロースとからなる改良品が提案されている。
(3)また、特開昭52−36495号公報には、窒化
硼素を主成分として、バインダーとして硝化綿、溶剤と
してブチルカルビノールを用いたレジストインクが提案
されている。
硼素を主成分として、バインダーとして硝化綿、溶剤と
してブチルカルビノールを用いたレジストインクが提案
されている。
(4)ざらに、特開昭57−166390号公報には、
ガラスフリットと高融点金属酸化物とからなるマスキン
グインクをコーテイング材として使用した例が記載され
ている。
ガラスフリットと高融点金属酸化物とからなるマスキン
グインクをコーテイング材として使用した例が記載され
ている。
(本発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、前述した(1)〜(3)のレジス1〜に
あっては、前記のレジストの必要特性のうち特に(3)
の耐熱性については後工程の透明導電膜を形成する条件
によって大きく支配され、特に高温状態(例えば550
°C近傍)、急速加熱、急速冷却等の工程でひび割れや
まくれが生じ、熱安定性に欠けるという問題点があった
。
あっては、前記のレジストの必要特性のうち特に(3)
の耐熱性については後工程の透明導電膜を形成する条件
によって大きく支配され、特に高温状態(例えば550
°C近傍)、急速加熱、急速冷却等の工程でひび割れや
まくれが生じ、熱安定性に欠けるという問題点があった
。
これを、前記のMSN−428レジストを例にとって説
明すると、予熱した後高温で完全に焼成すると高温時に
は変化しないが、炉から取り出して室温に戻すと基板と
レジストとの熱膨張率の違いによりレジストにはまくれ
やひび割れが生じた。
明すると、予熱した後高温で完全に焼成すると高温時に
は変化しないが、炉から取り出して室温に戻すと基板と
レジストとの熱膨張率の違いによりレジストにはまくれ
やひび割れが生じた。
また、完全に焼成しない状態で炉から取り出した場合に
おいては、室温への冷却段階ではまくれやひび割れは生
じないが、蒸着時の加熱の時にレジスト内の樹脂成分が
ガスとして発生し、蒸着膜の不良を招来するという欠点
があった。
おいては、室温への冷却段階ではまくれやひび割れは生
じないが、蒸着時の加熱の時にレジスト内の樹脂成分が
ガスとして発生し、蒸着膜の不良を招来するという欠点
があった。
また、(4)の場合には低融点のガラスフリットを使用
しているため加熱処理を施すと、下地のガラス基体と反
応して強固に密着しインク残留物の剥離が困難になると
いうリフトオフ法における大ぎな欠点があった。
しているため加熱処理を施すと、下地のガラス基体と反
応して強固に密着しインク残留物の剥離が困難になると
いうリフトオフ法における大ぎな欠点があった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであって、熱安定性に優れ残留レジストの剥離が容易
なリフトオフ用レジストを提供することを目的としてい
る。
のであって、熱安定性に優れ残留レジストの剥離が容易
なリフトオフ用レジストを提供することを目的としてい
る。
このような目的を達成するために、本発明においては、
重量比で酸化チタン微粒子(5μmφ以下)を30〜4
0%、溶剤としてのエチレングリコール、モノブチルエ
ーテルアセテートを30〜40%、残部を塩化ポリエチ
レン等の樹脂としたレジスト(例えば、山栄(株)製の
商品名SPRー557ーWレジスト)にチキソトロピー
を増加させるための酸化珪素微粒子(例えば、日本アエ
ロジル(株)製の商品名エアロジル 200>を添加し
、ざらに希釈剤としてブチルカルビノールアセテート(
以下、B.C.A>を添加して、レジスト組成物を構成
している。
重量比で酸化チタン微粒子(5μmφ以下)を30〜4
0%、溶剤としてのエチレングリコール、モノブチルエ
ーテルアセテートを30〜40%、残部を塩化ポリエチ
レン等の樹脂としたレジスト(例えば、山栄(株)製の
商品名SPRー557ーWレジスト)にチキソトロピー
を増加させるための酸化珪素微粒子(例えば、日本アエ
ロジル(株)製の商品名エアロジル 200>を添加し
、ざらに希釈剤としてブチルカルビノールアセテート(
以下、B.C.A>を添加して、レジスト組成物を構成
している。
このようなレジスト組成物による印刷インクは、熱安定
性が優れ、スクリーン印刷に好適であり、例えば大気中
での長時間の使用にも安定した印刷が可能である。また
、熱分解後の酸化錫膜の形成後は不要部を水により簡単
なブラッシングで容易に除去することができ、膜面には
1ラシキズ等がつかないので、高品位のパターン基板を
得ることができる。
性が優れ、スクリーン印刷に好適であり、例えば大気中
での長時間の使用にも安定した印刷が可能である。また
、熱分解後の酸化錫膜の形成後は不要部を水により簡単
なブラッシングで容易に除去することができ、膜面には
1ラシキズ等がつかないので、高品位のパターン基板を
得ることができる。
(試験例)
以下、前記効果について試験例をもってざらに詳細に説
明する。
明する。
前記SPRー557ーWレジストに対重るエアロジル
200とB.C.Aの混合比を検討した。
200とB.C.Aの混合比を検討した。
ここで、前記レジスト1K(jに対してエアロジル 2
00の添加量を0,10.50,100Qと段階的に変
化させ、それぞれに対してレジスト中の溶剤をB、C,
Aで置換し、その比率を0゜5.50,100%と段階
的に変化ざゼた。このように16種類のレジスト組成物
を試作し、それぞれを10時間以上混合器で練り込んだ
ものを比較検討したが、エアロジル 200の添加量が
Oq以外のものはすべて良好なスクリーン印刷面を呈す
る結果を得た。また、B、C,Aの置換比率が0%のも
のは、粘度がわずか1時間の使用で約50ポイズ変化し
てしまい、使用に耐えないことも判明した。
00の添加量を0,10.50,100Qと段階的に変
化させ、それぞれに対してレジスト中の溶剤をB、C,
Aで置換し、その比率を0゜5.50,100%と段階
的に変化ざゼた。このように16種類のレジスト組成物
を試作し、それぞれを10時間以上混合器で練り込んだ
ものを比較検討したが、エアロジル 200の添加量が
Oq以外のものはすべて良好なスクリーン印刷面を呈す
る結果を得た。また、B、C,Aの置換比率が0%のも
のは、粘度がわずか1時間の使用で約50ポイズ変化し
てしまい、使用に耐えないことも判明した。
次に、前記レジスト組成物について焼成に最適な温度を
検討した。
検討した。
本来、前記レジスト組成物は熱安゛定性に優れている半
面、示差熱分析によると分解点が570℃と高いため、
適正な焼成温度と基体の軟化温度が接近する点がわずか
に難点であるといえるが、520’Cの雰囲気温度で1
5分間焼成すれば、水によるブラッシングで容易にレジ
スI〜の組成物を除去することができ、剥離性が良好で
あることが判明した。なお、一般的には酸性溶液を用い
て剥離させるが、本発明のレジスト組成物を用いると、
水で容易に剥離することができ、工業上、有利である。
面、示差熱分析によると分解点が570℃と高いため、
適正な焼成温度と基体の軟化温度が接近する点がわずか
に難点であるといえるが、520’Cの雰囲気温度で1
5分間焼成すれば、水によるブラッシングで容易にレジ
スI〜の組成物を除去することができ、剥離性が良好で
あることが判明した。なお、一般的には酸性溶液を用い
て剥離させるが、本発明のレジスト組成物を用いると、
水で容易に剥離することができ、工業上、有利である。
さらに、剥離に用いられた水の廃液を分析した結果、T
iO,5i02、SnO2等の無機動粒子のみが検出さ
れ、他の有害物質は全く検出されなかった。したがって
、廃液処理の点においても有用なレジスト組成物である
ことが判明した。
iO,5i02、SnO2等の無機動粒子のみが検出さ
れ、他の有害物質は全く検出されなかった。したがって
、廃液処理の点においても有用なレジスト組成物である
ことが判明した。
(使用例)
次に、本発明のレジス1〜組成物を用いて熱分解法によ
り基板上に酸化錫膜によるパターンを形成した使用例を
示す。
り基板上に酸化錫膜によるパターンを形成した使用例を
示す。
図(a)〜(d)はパターン形成のための各工程を示す
断面図である。以下、各工程を順次説明する。
断面図である。以下、各工程を順次説明する。
工程(a〉:
まず、前記5PR−557−Wレジスト1KOに対して
エアロジル 200を50CI添加し、B。
エアロジル 200を50CI添加し、B。
C,Aで溶剤を50%置換したものを混合し、1時間混
合器で錬り、レジスト組成物を調整した。
合器で錬り、レジスト組成物を調整した。
この状態のレジス1〜組成物でスクリーン印刷機で洗浄
済みのガラス基板1上にネガマスク2を形成した。これ
を図(a>に示す。
済みのガラス基板1上にネガマスク2を形成した。これ
を図(a>に示す。
工程(b);
次に、スクリーン印刷したガラス基板1を520′Cに
設定された熱風循環焼成炉に投入し、15分間加熱し、
ネガマスク2からガスを脱離させた。
設定された熱風循環焼成炉に投入し、15分間加熱し、
ネガマスク2からガスを脱離させた。
このときの高温焼成した状態のネガマスク2−の状態は
図(b)に示すように、1102粒子とSiO2粒子の
集合体となっている。
図(b)に示すように、1102粒子とSiO2粒子の
集合体となっている。
工程(C):
次に、こうして得られた無殿粒子によるネガパターン状
態のガラス基板1をベルト式の常圧気相生成装置に投入
し、酸化錫膜を800A’の厚さに一面全体に生成させ
た。なお、成膜時のガラス基板1の温度は500℃で実
施した。これを図(C)に示す。
態のガラス基板1をベルト式の常圧気相生成装置に投入
し、酸化錫膜を800A’の厚さに一面全体に生成させ
た。なお、成膜時のガラス基板1の温度は500℃で実
施した。これを図(C)に示す。
工程(d):
最後に、前記状態のガラス基板1を水によりブラッシン
グして残留レジスト組成物を除去した。
グして残留レジスト組成物を除去した。
剥離は非常に容易に行われ、膜面は良好でブラシ傷がな
いことも顕微鏡で確認できた。
いことも顕微鏡で確認できた。
このように、パターン形成された最後状態を図(d)に
示す。
示す。
なお、この試作品についてパターン精度をヂエックする
とともに断線、ショートの有無をヂエックした結果、パ
ターン精度を±50μm以内であり、断線もショー1〜
もないことを確認した。
とともに断線、ショートの有無をヂエックした結果、パ
ターン精度を±50μm以内であり、断線もショー1〜
もないことを確認した。
(発明の効果)
以上説明してきたように、この発明によれば、酸化チタ
ンを主成分としたレジストと、酸化珪素と、ブチJレカ
ルビノールアセテートと、によりリフトオフ用レジスト
組成物を構成したため、高温に耐え、熱安定性に優れて
おり、また、残留物の剥離性が良好でキズのない良好な
膜面が得られる。
ンを主成分としたレジストと、酸化珪素と、ブチJレカ
ルビノールアセテートと、によりリフトオフ用レジスト
組成物を構成したため、高温に耐え、熱安定性に優れて
おり、また、残留物の剥離性が良好でキズのない良好な
膜面が得られる。
また、剥離を水によりようにに行うことができるので工
業上有利であり、廃液中に有害物質が含有されていない
ため、公害が発生する恐れがない。
業上有利であり、廃液中に有害物質が含有されていない
ため、公害が発生する恐れがない。
さらに、同一工程でパターン形成が可能であるとともに
工程を簡素化することができるのでコストを低減するこ
とが可能となる。
工程を簡素化することができるのでコストを低減するこ
とが可能となる。
図はリフトオフ用レジスト組成物を用いて熱分解法によ
り基板上に酸化錫膜によるパターンを形成する各工程を
示す断面図でおる。 1ニガラス基板 2:ネガマスク(レジスト組成物) 2′:高温焼成した状態のネガマスク 3:酸化錫膜
り基板上に酸化錫膜によるパターンを形成する各工程を
示す断面図でおる。 1ニガラス基板 2:ネガマスク(レジスト組成物) 2′:高温焼成した状態のネガマスク 3:酸化錫膜
Claims (1)
- 酸化チタンを主成分としたレジストと、酸化珪素と、ブ
チルカルビノールアセテートと、からなることを特徴と
するパターン形成用レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22545686A JPS6380253A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | パタ−ン形成用レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22545686A JPS6380253A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | パタ−ン形成用レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380253A true JPS6380253A (ja) | 1988-04-11 |
| JPH0466501B2 JPH0466501B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=16829628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22545686A Granted JPS6380253A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | パタ−ン形成用レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027967A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22545686A patent/JPS6380253A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027967A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466501B2 (ja) | 1992-10-23 |
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