JPS6381417A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6381417A JPS6381417A JP22881586A JP22881586A JPS6381417A JP S6381417 A JPS6381417 A JP S6381417A JP 22881586 A JP22881586 A JP 22881586A JP 22881586 A JP22881586 A JP 22881586A JP S6381417 A JPS6381417 A JP S6381417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- liquid crystal
- film
- crystal display
- base film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶表示素子の改良に関する。
〈従来の技術〉
液晶表示素子の構造は、透明電極と配向膜が積層された
２枚のガラス基板が各々の透明電極が相対向するように
配置され、両者の間に液晶が封入されたものである。そ
して、ガラス基板上に下地膜を介して透明電極と配向膜
が積層された構造をもつのが一般的である。従来では、
この下地膜の材料として、ＳｉＯ□が用いられていた。
２枚のガラス基板が各々の透明電極が相対向するように
配置され、両者の間に液晶が封入されたものである。そ
して、ガラス基板上に下地膜を介して透明電極と配向膜
が積層された構造をもつのが一般的である。従来では、
この下地膜の材料として、ＳｉＯ□が用いられていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
従来の液晶表示素子では、透明電極の屈折率が１．８〜
２．０と大きいのに対して、５ｉｏｚからなる下地膜の
屈折率が１．４〜１．５と小さいことから、透明電極の
パターンが見えるという問題があった。
２．０と大きいのに対して、５ｉｏｚからなる下地膜の
屈折率が１．４〜１．５と小さいことから、透明電極の
パターンが見えるという問題があった。
このため、商品価値を低下させていた。。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は、ガラス基板上に下地膜を介して透明電極が形
成されてなる液晶表示素子において、下地膜がＳｉＯ２
とＴｉＯ□との重量比率がほぼ１：４である材料からな
ることを特徴とする。
成されてなる液晶表示素子において、下地膜がＳｉＯ２
とＴｉＯ□との重量比率がほぼ１：４である材料からな
ることを特徴とする。
く作用〉
本発明に係る液晶表示素子は、下地膜の組成をＳｉｎ、
： ＴｉＣｈ ＝１ ；４とすることにより下地膜の屈
折率を１．８〜１．９として透明電極の屈折率とほぼ同
じレベルにする。
： ＴｉＣｈ ＝１ ；４とすることにより下地膜の屈
折率を１．８〜１．９として透明電極の屈折率とほぼ同
じレベルにする。
〈実施例〉
以下、図面に従って一実施例を説明する。
図中、１は偏光板、２はガラス基板、３は下地膜、４は
透明電極（ＩＴＯ電極）、５は有機高分子配向膜、６は
シール、７は液晶である。
透明電極（ＩＴＯ電極）、５は有機高分子配向膜、６は
シール、７は液晶である。
ガラス基板２は、その一方の面に偏光板１を存し、他方
の面に下地膜３を介して透明電極４及び配向膜５が積層
されている。そして、この構造をもつ２枚のガラス基板
２が夫々の透明電極４が対向するように互いに平行に配
置され、シール６により周囲が密閉され、内部に液晶７
が封入されている。この液晶表示素子の構造そのものは
、既存の液晶表示素子と同様である。
の面に下地膜３を介して透明電極４及び配向膜５が積層
されている。そして、この構造をもつ２枚のガラス基板
２が夫々の透明電極４が対向するように互いに平行に配
置され、シール６により周囲が密閉され、内部に液晶７
が封入されている。この液晶表示素子の構造そのものは
、既存の液晶表示素子と同様である。
下地膜３は、Ｓｉｎ、とＴｉＯ２との重量比率がおよそ
１：４である材料により形成されている。
１：４である材料により形成されている。
この下地膜３は、例えば東京応化型ＭＯＦ Ｔｉ−５ｔ
フイルムまたは日本曹達製Ｎ５Ｉ−５００とＴ ｉ Ｏ
ｘとの混合物により形成される。
フイルムまたは日本曹達製Ｎ５Ｉ−５００とＴ ｉ Ｏ
ｘとの混合物により形成される。
この液晶表示素子の作成の手順を説明すると、まず、偏
光板ｌが予め形成されたガラス基板２の他方の面に重量
比が１：４のＳ ｉ ＯｚとＴｉｅ。
光板ｌが予め形成されたガラス基板２の他方の面に重量
比が１：４のＳ ｉ ＯｚとＴｉｅ。
からなる材料をｄｉｐ法または印刷法によって７００±
３００人の厚さに膜付した後、ｓｏｏ＠ｃ３０分で焼成
し、下地膜３を形成する。その後、この下地膜３の上に
透明電極４を膜厚が１５０〜４００人で蒸着し、パター
ン化して形成する。さらに、透明電極４を覆って、ポリ
イミド等からなる有機高分子配向膜５を形成する。以降
、従来と同様の手順により、上述のように構成された２
枚のガラス基板２を周囲にシール６を介して透明電極４
が対向するように平行に配置し、内部に液晶を注入し、
液晶表示素子が形成される。
３００人の厚さに膜付した後、ｓｏｏ＠ｃ３０分で焼成
し、下地膜３を形成する。その後、この下地膜３の上に
透明電極４を膜厚が１５０〜４００人で蒸着し、パター
ン化して形成する。さらに、透明電極４を覆って、ポリ
イミド等からなる有機高分子配向膜５を形成する。以降
、従来と同様の手順により、上述のように構成された２
枚のガラス基板２を周囲にシール６を介して透明電極４
が対向するように平行に配置し、内部に液晶を注入し、
液晶表示素子が形成される。
このように、下地膜３を形成する材料の組成をＳ ｉ
ＯｔとＴ ｉ Ｏｚとの重量比率がおよび１：４となる
ようにしたことによって、下地膜３の屈折率が１．８〜
１．９程度と透明電極４の屈折率とほぼ同じレベルにな
る。したがって、透明電極４のパターンが外部から見え
な（なる。
ＯｔとＴ ｉ Ｏｚとの重量比率がおよび１：４となる
ようにしたことによって、下地膜３の屈折率が１．８〜
１．９程度と透明電極４の屈折率とほぼ同じレベルにな
る。したがって、透明電極４のパターンが外部から見え
な（なる。
次に、評価例について説明する。
上述のように下地膜３の材料としてＳｉＯ□とＴｉｅ、
との重量比率が１：４のものを用いた場合と、従来のＳ
ｉｎ、のみのもの、さらに、ＳｉＯ□とＴｉＯ□との重
量比率がｌ：１のもの、ＴｉＯ□のみのものについて作
成した液晶表示素子をそれぞれ評価した結果を第１表と
第２表に示す。第１表は下地膜３の屈折率、液晶表示素
子の素子色調。
との重量比率が１：４のものを用いた場合と、従来のＳ
ｉｎ、のみのもの、さらに、ＳｉＯ□とＴｉＯ□との重
量比率がｌ：１のもの、ＴｉＯ□のみのものについて作
成した液晶表示素子をそれぞれ評価した結果を第１表と
第２表に示す。第１表は下地膜３の屈折率、液晶表示素
子の素子色調。
電極見えのレベルについて、第２表は信幀性試験の各項
目についての評価結果である。なお、Ｑは良、△は可、
×は不可である。
目についての評価結果である。なお、Ｑは良、△は可、
×は不可である。
茅上表
玉１に
この評価結果から明らかなように、素子色調を良好に保
ち且つ下地膜の信頼性を確保しつつ透明電極の見えを解
消するには、下地膜の材料としてＳｉｎ、と’ｌ’ｉｏ
ｚの重量比率が１：４であるものが適していることが確
認された。なお、このＳｉＯ２とＴｉＯ２との重量比率
における許容範囲は±１０％程度であり、この許容範囲
を越えると、上述の電極見えレベルの評価は低下する。
ち且つ下地膜の信頼性を確保しつつ透明電極の見えを解
消するには、下地膜の材料としてＳｉｎ、と’ｌ’ｉｏ
ｚの重量比率が１：４であるものが適していることが確
認された。なお、このＳｉＯ２とＴｉＯ２との重量比率
における許容範囲は±１０％程度であり、この許容範囲
を越えると、上述の電極見えレベルの評価は低下する。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明においては、下地膜の材料
としてＳｉｎ、とＴｉＯ□の重量比率がおよそ１：４で
あるものを用いたことにより、下地膜の屈折率が透明電
極とほぼ同じレベルになることから、透明電極のパター
ンが見えなくなり、液晶表示素子の商品価値を高めるこ
とができる。
としてＳｉｎ、とＴｉＯ□の重量比率がおよそ１：４で
あるものを用いたことにより、下地膜の屈折率が透明電
極とほぼ同じレベルになることから、透明電極のパター
ンが見えなくなり、液晶表示素子の商品価値を高めるこ
とができる。
図面は本発明実施例の概念的な断面構造を示す図である
。 １−・・偏光板 ２−ガラス基板３・・−・
下地膜 ４・−・透明電極５−有機高分子配
向Ｐ１４６−・−シール７・・・液晶
。 １−・・偏光板 ２−ガラス基板３・・−・
下地膜 ４・−・透明電極５−有機高分子配
向Ｐ１４６−・−シール７・・・液晶
Claims (1)
- ガラス基板上に下地膜を介して透明電極が形成されてな
る液晶表示素子において、上記下地膜がＳｉＯ＿２とＴ
ｉＯ＿２との重量比率がおよそ１：４である材料からな
ることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22881586A JPS6381417A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22881586A JPS6381417A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381417A true JPS6381417A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16882291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22881586A Pending JPS6381417A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381417A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22881586A patent/JPS6381417A/ja active Pending
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