JPS6384127A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6384127A JPS6384127A JP61228211A JP22821186A JPS6384127A JP S6384127 A JPS6384127 A JP S6384127A JP 61228211 A JP61228211 A JP 61228211A JP 22821186 A JP22821186 A JP 22821186A JP S6384127 A JPS6384127 A JP S6384127A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- alloy
- electrode
- bonded
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的１
（産業上の利用分野）
へ
本発明はＴＡＢ（ＴｅｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）方式の半導体装置のパンダの改良に関する。
ｄｉｎｇ）方式の半導体装置のパンダの改良に関する。
（従来の技術）
半導体装置のボンディング技術はワイヤボンディング技
術と、ワイヤレスボンディング技術との２つに大別され
る。前者はワイヤで半導体チップの電極とリードフレー
ムのリード端子と２１妾続す電極の寸法が１００μｍ口
以下となり、かつ高密度となるにつれ、待に信頼性の点
で間頂が多くなる。
術と、ワイヤレスボンディング技術との２つに大別され
る。前者はワイヤで半導体チップの電極とリードフレー
ムのリード端子と２１妾続す電極の寸法が１００μｍ口
以下となり、かつ高密度となるにつれ、待に信頼性の点
で間頂が多くなる。
これに対して、後者の方法は半導体チップの電極と、リ
ードフレームのリード端子又はガラス、セラミック基板
上の／ｌｆｌとを一括してボンディングするものであり
、Ｅ子の高集積化に対応して信頼性を確保する之めに実
用化がなされている。
ードフレームのリード端子又はガラス、セラミック基板
上の／ｌｆｌとを一括してボンディングするものであり
、Ｅ子の高集積化に対応して信頼性を確保する之めに実
用化がなされている。
このワイヤレスボンディング４１．１’ＪＴとしては１
例えばテープオートメイティッドボンディング方式（Ｔ
ＡＢ方式）、フリップテップ方式あるいはＣＣＢ方式な
どが知られており、これらの方式では通常半導体チップ
の電極上にパンダを形成する。
例えばテープオートメイティッドボンディング方式（Ｔ
ＡＢ方式）、フリップテップ方式あるいはＣＣＢ方式な
どが知られており、これらの方式では通常半導体チップ
の電極上にパンダを形成する。
このパンダとしては、従来から高価な金が検討されてい
る。
る。
従来、半４体チップの！極上に形成される金からなるバ
ンプは％第６閣に示Ｔようなものである。
ンプは％第６閣に示Ｔようなものである。
第５図に訃いて、シリコン基板３１上には酸化シリコン
嗅等の絶縁膜３２２介してＡＩ又はＡｊ合金専からなる
電極３３がパターニングされて形成され、全面に窒化シ
リコン’Ｉ１１ ％のパッジベージ藁ン膜３４を被１し
た後、゛電極３３上０パッシベーシッン膜３４を選択的
にエツチングして電極３３を露出させている。−茸出し
之電極３３上にはＣｒ。
嗅等の絶縁膜３２２介してＡＩ又はＡｊ合金専からなる
電極３３がパターニングされて形成され、全面に窒化シ
リコン’Ｉ１１ ％のパッジベージ藁ン膜３４を被１し
た後、゛電極３３上０パッシベーシッン膜３４を選択的
にエツチングして電極３３を露出させている。−茸出し
之電極３３上にはＣｒ。
Ｎｉ、Ｍｏ＊ＵｕｓＡｕ＋Ａｇ 等からなる下地金属
３５が形成されている。更に、下地金属３５上にに金バ
ンプ３６が形成されている。
３５が形成されている。更に、下地金属３５上にに金バ
ンプ３６が形成されている。
前記′Ｆ地金＠３５ははんだとの接合性を改讐するため
に設けられる％、Ｏである。この自回・Ｏために下地金
＠３５としては１層〜３層の金＠層が設けられ１種々の
組合せが＠村されている。
に設けられる％、Ｏである。この自回・Ｏために下地金
＠３５としては１層〜３層の金＠層が設けられ１種々の
組合せが＠村されている。
ところで、金バンプ３６は通常めっき又は蒸着により形
成され、種々の方法が促案されているが、これらの方法
は臥下に述べるようにいずれも欠点がある。
成され、種々の方法が促案されているが、これらの方法
は臥下に述べるようにいずれも欠点がある。
めっきによる方法では１例えば電礪孔あけ工程が終了し
た後、ｖ１極上の自然収化模を反応性イオンエツチング
により除去し、全面に１〜３．１０下地金ｒＡ？蒸曙し
、電砥部が開孔しためっきレジストを被覆し、電極上の
下地金属上ｖＣ１７）＋はんだめっき２豆ない、めりき
レジスト及び下地金属の不要部分？エツチングするとい
り工程がとられる。
た後、ｖ１極上の自然収化模を反応性イオンエツチング
により除去し、全面に１〜３．１０下地金ｒＡ？蒸曙し
、電砥部が開孔しためっきレジストを被覆し、電極上の
下地金属上ｖＣ１７）＋はんだめっき２豆ない、めりき
レジスト及び下地金属の不要部分？エツチングするとい
り工程がとられる。
この丸め工程が複雑になるという欠点がある。
また蒸着による方法では時間がかがり不都合である。
いずれにしても従来の方法では、下地金＠２用い、しか
も′電極部以外り部分に今がめつきあるいはｆＡ′ｙｉ
ｔされないようにマスク？形成しなければならない等、
工程の煩雑化につながる基本的な問題点がある。
も′電極部以外り部分に今がめつきあるいはｆＡ′ｙｉ
ｔされないようにマスク？形成しなければならない等、
工程の煩雑化につながる基本的な問題点がある。
これを鱗決丁ぺ（Ｚｎ会被被覆たバンプつきテープが考
案（′！＃開昭５５−１０３７３４ ）があるが。
案（′！＃開昭５５−１０３７３４ ）があるが。
Ｚｎ被覆層が硬く塑性変形しにくいなめ妾合が元分行れ
ない。
ない。
（発明が解決しよりとする問題点）
本発明は上記問題点？解消するためになされ九もつであ
ジ、’ＫＩＩＬ上に下地金属なしで直接パンブタ形成す
る％Ｄである。
ジ、’ＫＩＩＬ上に下地金属なしで直接パンブタ形成す
る％Ｄである。
【発明の構成コ
（問題ｔｆ４決するための手段と作用）本発明はバンプ
全ｔＪＩ−あるいは表面層がＺｎ、Ｃｕ。
全ｔＪＩ−あるいは表面層がＺｎ、Ｃｕ。
Ｓｎの中から選ばれた少なくとも２櫨の金１を主Ｉｉ！
、分とする金属体で構成されるかあ６いはＺｎ。
、分とする金属体で構成されるかあ６いはＺｎ。
Ｓｎ、Ｃｕの第１成分群から選ばれた少なくとも一種と
Ｉｎ、ＢＬ、Ｃｄの第２取分鮮から選ばれｔ少くとも一
種から構成された金属体であることを特徴とＴ６もので
ある。
Ｉｎ、ＢＬ、Ｃｄの第２取分鮮から選ばれｔ少くとも一
種から構成された金属体であることを特徴とＴ６もので
ある。
本発明を原理的に説明すると吠態因に示される、謙に、
Ｚｎ、Ｓｎ 、Ｃｕｔ）様にＡｌと共晶あるいは金属間
化合′ＪｊｌＪ？つくる成分元素がＡＩ中に拡孜し反応
層２形成下る成分と、金属体の硬度ｅ下げ容易に型性変
形する事３助えるＩｎ、ＢＩ、Ｃｄの喀２成分から金＠
体が構成される事により、ＺｎだけあるいはＣｕ、Ｓｎ
だけでできたバンプに比べ、Ａｌ￥！を極との反も層が
できやすくなる。次にバンプ接合部の断面を第１図２も
ちいて説明する。
Ｚｎ、Ｓｎ 、Ｃｕｔ）様にＡｌと共晶あるいは金属間
化合′ＪｊｌＪ？つくる成分元素がＡＩ中に拡孜し反応
層２形成下る成分と、金属体の硬度ｅ下げ容易に型性変
形する事３助えるＩｎ、ＢＩ、Ｃｄの喀２成分から金＠
体が構成される事により、ＺｎだけあるいはＣｕ、Ｓｎ
だけでできたバンプに比べ、Ａｌ￥！を極との反も層が
できやすくなる。次にバンプ接合部の断面を第１図２も
ちいて説明する。
このバンプの構成は箒１図（ａ） Ｋ示す様にバンプつ
きテープ３のバンプ部１１０表面に本発明の合金被覆部
２がもうけられ半導本テップ５の上０Ａｌシ！８Ｍ４ｖ
ｃ反芯層１に；り接合されてｈるものである。
きテープ３のバンプ部１１０表面に本発明の合金被覆部
２がもうけられ半導本テップ５の上０Ａｌシ！８Ｍ４ｖ
ｃ反芯層１に；り接合されてｈるものである。
さらに第１図（ｂ）では絶縁テープ６ｖＣ付着されたり
−ド２０ｖＣエツチングした穴３１出しバンプ１１を形
成して本発明の今萬本２を被覆したものである。また号
１図ｔｃ）はバンプ７表面に合金体２３％。
−ド２０ｖＣエツチングした穴３１出しバンプ１１を形
成して本発明の今萬本２を被覆したものである。また号
１図ｔｃ）はバンプ７表面に合金体２３％。
うけ九もので、第１図（ｄ）はバンプ８全体が本発明の
合金ｔ＄になっている事を示している。
合金ｔ＄になっている事を示している。
核金属本？もつける方法はめっき、蒸着、スパッタ、ｍ
虫金嘴へのディップ専のいずれかの方法をとってもよい
。ま九Ａｌ電翫側にバンプ２形成する場合は、溶融金属
中あるいは電極側基板に超貨波をかけてバンプ３ｔてて
もよい。さらにはんだで通常を本成分となってｈるｐｂ
を含んでもよい。
虫金嘴へのディップ専のいずれかの方法をとってもよい
。ま九Ａｌ電翫側にバンプ２形成する場合は、溶融金属
中あるいは電極側基板に超貨波をかけてバンプ３ｔてて
もよい。さらにはんだで通常を本成分となってｈるｐｂ
を含んでもよい。
リードとの接続は通常リード表面がＡｇ、Ｓｎ。
Ａｕ、Ｎｉはんだのいずれかのめっきがしであるか゛。
これとバンプの接続は通常の熱圧着で行れ、＠１図（ａ
）〜（ｄ）に示される様な構成をもつ半導体装置となる
。
）〜（ｄ）に示される様な構成をもつ半導体装置となる
。
（実施例）
以下１本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
第２図は本発明の実施例で、Ｃｕのインナーリード３Ｖ
ｃバンプ１１ε形成させその表面にＺｎ−Ｉｎ合金めっ
′ａ２をほどこしてから、このめっきをＡノミ極４に直
接接続し、Ｚｎ−Ａｌ共晶反応層１ｖｃよって接合され
た半導体装置である。この半導体装置の製造法は以下の
様になる。
ｃバンプ１１ε形成させその表面にＺｎ−Ｉｎ合金めっ
′ａ２をほどこしてから、このめっきをＡノミ極４に直
接接続し、Ｚｎ−Ａｌ共晶反応層１ｖｃよって接合され
た半導体装置である。この半導体装置の製造法は以下の
様になる。
まず１通常のウニ八プロセスにより配線・電極の形成２
行なった後、全面にパッシベーション膜を堆積し、更に
コンタクトバット用の開孔Ｖ１５を形り 成したシリコンウェハ珂？用意し友。前記配線パ電極は
スパッタリング製置により形成された嘆厚約１μｍ０Ａ
ｌ−２ＳＳ ｉ −２１Ｃｕからなり。
行なった後、全面にパッシベーション膜を堆積し、更に
コンタクトバット用の開孔Ｖ１５を形り 成したシリコンウェハ珂？用意し友。前記配線パ電極は
スパッタリング製置により形成された嘆厚約１μｍ０Ａ
ｌ−２ＳＳ ｉ −２１Ｃｕからなり。
またパッジベージリン膜としては窒化シリコン膜が用い
られている。そして、このシリコンウニ八杷に形成され
た各チップには８０μｍ口の電極（コンパクトパッド）
がそれぞれ６４個形成されている０次に、このシリコン
ウニ１１Ａについてはプ゛レードダイシングを行なっ之
のち１個々の半導体チップにわけている。
られている。そして、このシリコンウニ八杷に形成され
た各チップには８０μｍ口の電極（コンパクトパッド）
がそれぞれ６４個形成されている０次に、このシリコン
ウニ１１Ａについてはプ゛レードダイシングを行なっ之
のち１個々の半導体チップにわけている。
次ｖｃ第２図にも示される様にパングー１０ついたイン
ナーリード２もつテープを用意し、そＶ表面にＺｎ−Ｉ
ｎめっきを行った。このめりき条件は以下の様な酒１石
散塩−アンモ；≦ｐ浴からの１１で行っている。尚めつ
き膜厚は５μｍである。
ナーリード２もつテープを用意し、そＶ表面にＺｎ−Ｉ
ｎめっきを行った。このめりき条件は以下の様な酒１石
散塩−アンモ；≦ｐ浴からの１１で行っている。尚めつ
き膜厚は５μｍである。
亜鉛・−３０１１／ｌ インジウム−５１１７１１硫
酸ナトリウム−５５９／ｌ 塩化ナトリウム−６５１
１／ｌ ［ｌＪ！アンモニ１フムー４ （１１／に酒
石酸ナトリウム−２０１１／ｌ アンモニア−２５０
ｍＪ／ｊ Ｉ）Ｈ−１１アソード電流−１，ＩＡ／ｄ
ｍ意 浴温−２７℃ このインナーリード！ｐ２００℃に加熱したインナーリ
ードボンダーのステージ・Ｄ上におきボンダーのツール
へ度を３９０℃とし２ｇの圧力で２秒間図芯２おこさせ
８２７４７７２行った。その麦Ｓｌデッグ部分樹脂封止
し、インナーリード■他端をデバイスのアウターリード
にはんだづけをし半導体装置としで完成させた。
酸ナトリウム−５５９／ｌ 塩化ナトリウム−６５１
１／ｌ ［ｌＪ！アンモニ１フムー４ （１１／に酒
石酸ナトリウム−２０１１／ｌ アンモニア−２５０
ｍＪ／ｊ Ｉ）Ｈ−１１アソード電流−１，ＩＡ／ｄ
ｍ意 浴温−２７℃ このインナーリード！ｐ２００℃に加熱したインナーリ
ードボンダーのステージ・Ｄ上におきボンダーのツール
へ度を３９０℃とし２ｇの圧力で２秒間図芯２おこさせ
８２７４７７２行った。その麦Ｓｌデッグ部分樹脂封止
し、インナーリード■他端をデバイスのアウターリード
にはんだづけをし半導体装置としで完成させた。
実ＩＡガ２
まず、実施例１と同様なシリコンウニへ蛇３用意し九〇
この鴨合、配線・電極としてはＡｌ−１俤ＳＭが用いら
れ、シリコンウニへ祠に形成された各チップには６０μ
ｍ口の電極（コンタクトバット）がそれぞれ１２８個形
成されている。なお、このシリコンウェハーは素子形成
袋、かなりの期間２経てお９．４極表面が固い酸化膜で
、′Ｊ！われでいることが予けされｔので、オゾン洗浄
２行なった。
この鴨合、配線・電極としてはＡｌ−１俤ＳＭが用いら
れ、シリコンウニへ祠に形成された各チップには６０μ
ｍ口の電極（コンタクトバット）がそれぞれ１２８個形
成されている。なお、このシリコンウェハーは素子形成
袋、かなりの期間２経てお９．４極表面が固い酸化膜で
、′Ｊ！われでいることが予けされｔので、オゾン洗浄
２行なった。
あらかじめ半導体チップのＡｊ電極の配列に対応し九バ
ンプ１２２別の基板に設けておいた。このバンプはめっ
きでつくっておりｃｕ−Ｉｎｐ主成分とする。めっきの
成分としては以下の通りである。
ンプ１２２別の基板に設けておいた。このバンプはめっ
きでつくっておりｃｕ−Ｉｎｐ主成分とする。めっきの
成分としては以下の通りである。
シアン化ｔｌｉｉ−３５１１／ｌ −Ｊ／アン化イン
ジウム−５１１／ｌ シアン化ナトリウム−１０１１
／ｌ カソード電流密２− Ｉ Ａ ／ ｄｍ”温度
−２５℃ さらにインナーリードとこの別居仮にもうけられたバン
プを当接させ熱処理してＣｕ−ＩｎのバンプとＳｎめっ
きしたリードにＩｎ−Ｓｎの共晶１４を利用し転写した
のちバンプＯついたリードを半導体チップの電極に対応
させてインナーリードボンディングをした。この際Ｃｕ
の酸化２ふせぐｔめにＮｚ＋）Ｉｔ混合ガスどふきつけ
３００℃で５秒間、５５１の荷重で接続し九。その仮エ
ポキシ樹脂１３で、インナーリードＤ接涜された半導体
チップをモールドし外部にでたり−ド１５をベンディン
グして半導体装置として完成させた。
ジウム−５１１／ｌ シアン化ナトリウム−１０１１
／ｌ カソード電流密２− Ｉ Ａ ／ ｄｍ”温度
−２５℃ さらにインナーリードとこの別居仮にもうけられたバン
プを当接させ熱処理してＣｕ−ＩｎのバンプとＳｎめっ
きしたリードにＩｎ−Ｓｎの共晶１４を利用し転写した
のちバンプＯついたリードを半導体チップの電極に対応
させてインナーリードボンディングをした。この際Ｃｕ
の酸化２ふせぐｔめにＮｚ＋）Ｉｔ混合ガスどふきつけ
３００℃で５秒間、５５１の荷重で接続し九。その仮エ
ポキシ樹脂１３で、インナーリードＤ接涜された半導体
チップをモールドし外部にでたり−ド１５をベンディン
グして半導体装置として完成させた。
実施例３
まず、 実ｔ＠例１と同様なシリコンウニへに）を用意
した。この喘合、配線・電極としてはＡｌ−１＝１８４
が用いられ、シリコンウェハ綱に形成されｔ各チップに
は２００μｍ口の１１侃（コンタクトパッド）がそれぞ
れ１２個形成されでいる。
した。この喘合、配線・電極としてはＡｌ−１＝１８４
が用いられ、シリコンウェハ綱に形成されｔ各チップに
は２００μｍ口の１１侃（コンタクトパッド）がそれぞ
れ１２個形成されでいる。
このウニへ−の′ｖｔ極に相当する部分にあらかじめ電
極と同一径の穴をあけ之メタルマスク（Ｔｔで作製）を
この穴と電極があうように位置あわせをしｔ６その？麦
１５０μｍ径のＡＩボールの表面にあらかじめ、４０Ｃ
ｕ−４０Ｓｎ−２０Ｂｉ Ｏ被ＩＩ ｒＵ ’Ｅ−３μ
ｍはどこしておき、このボール２メタルマスクの穴にお
いｔ、その後ウニへ−基板１Ｃ２０ＫＨｚの超鐙彼憑勧
を加えながら２３０℃で５秒間区持し。
極と同一径の穴をあけ之メタルマスク（Ｔｔで作製）を
この穴と電極があうように位置あわせをしｔ６その？麦
１５０μｍ径のＡＩボールの表面にあらかじめ、４０Ｃ
ｕ−４０Ｓｎ−２０Ｂｉ Ｏ被ＩＩ ｒＵ ’Ｅ−３μ
ｍはどこしておき、このボール２メタルマスクの穴にお
いｔ、その後ウニへ−基板１Ｃ２０ＫＨｚの超鐙彼憑勧
を加えながら２３０℃で５秒間区持し。
ボール？バンブとしｖＬ甑上に形成した。この際損動に
よりメタルマスクの穴からＡｊボールがとびだ丁事もあ
っ九のでポリイミドＤテープとすでに穴にボール導入っ
たメタルマスクの上に全面にはっ九。さらに一部接者が
不充分々ボールもあっ九ツ ので３００℃に加熱し之ボンディング歩＃−ルに２ｇの
荷重分かけボール分おし、つけ、固着？充分なものとし
た。
よりメタルマスクの穴からＡｊボールがとびだ丁事もあ
っ九のでポリイミドＤテープとすでに穴にボール導入っ
たメタルマスクの上に全面にはっ九。さらに一部接者が
不充分々ボールもあっ九ツ ので３００℃に加熱し之ボンディング歩＃−ルに２ｇの
荷重分かけボール分おし、つけ、固着？充分なものとし
た。
この様にしてできたバンプつきウニ八−をダイジングし
たのち１個々のチップにし、ＡＩめっきとしたＣｕリー
ドのインナーリード部６バングに直接接続し、第１図（
Ｃ）の様なバンプ淡合部の構成？もつ半導体装置２製造
させた。
たのち１個々のチップにし、ＡＩめっきとしたＣｕリー
ドのインナーリード部６バングに直接接続し、第１図（
Ｃ）の様なバンプ淡合部の構成？もつ半導体装置２製造
させた。
実施例４
まず、泉施し１」１と同様なりリコンウェハセ叶２用意
し九〇この１隨合、配線・電極としてはＡｌ−１１ｓｔ
が用いられ、シリコンウェハ掴に形成され比容チップに
（１５００μｍ口の′成極（コンタクトパッド）がそれ
ぞれ２１１Ｎ形成されでいる。
し九〇この１隨合、配線・電極としてはＡｌ−１１ｓｔ
が用いられ、シリコンウェハ掴に形成され比容チップに
（１５００μｍ口の′成極（コンタクトパッド）がそれ
ぞれ２１１Ｎ形成されでいる。
次にＡｕめっきし２Ｃｕインナーリード２具備したキャ
リアチーブ３用意し、インナーリードの先端１６に財４
図で示す様にめっき１８の上に酸化を防ぐ之めｖＣＮ
２ガスをふきつけながら行りた。その後、ダイシングさ
れた半導体θテップ上に電極と立喧合わせ？してバンプ
２層合させた。
リアチーブ３用意し、インナーリードの先端１６に財４
図で示す様にめっき１８の上に酸化を防ぐ之めｖＣＮ
２ガスをふきつけながら行りた。その後、ダイシングさ
れた半導体θテップ上に電極と立喧合わせ？してバンプ
２層合させた。
この時の温度は２３０℃で、リードと電極間の距離を２
０μｍ＃／ｃ深ちながら行った。この際圧力（まかけて
いないが、４ＱＫＨｚの超ｉ彼？インナーリードと通し
、浴融したバンプに付加し、電極上のＡＩの原化膜２と
りＯぞいで接合さｔている。そつ１及ポツテイング麟ｅ
テツプ浸ｊに滴Ｆし固化させて基板上に装着しｔｏ 実施例５ 実施例１と同様な半導体チップを用意し、さらに実施列
１と同様な形犬２しｔインナーリード分もつキャリアテ
ープビ容易した。このインナーリードのパンダ部に８０
Ｃｄ−２０Ｚｎ７）めっきを膜厚３μｍで成長させ九〇
その後実施例１と同様な半導体装置？作製した。
０μｍ＃／ｃ深ちながら行った。この際圧力（まかけて
いないが、４ＱＫＨｚの超ｉ彼？インナーリードと通し
、浴融したバンプに付加し、電極上のＡＩの原化膜２と
りＯぞいで接合さｔている。そつ１及ポツテイング麟ｅ
テツプ浸ｊに滴Ｆし固化させて基板上に装着しｔｏ 実施例５ 実施例１と同様な半導体チップを用意し、さらに実施列
１と同様な形犬２しｔインナーリード分もつキャリアテ
ープビ容易した。このインナーリードのパンダ部に８０
Ｃｄ−２０Ｚｎ７）めっきを膜厚３μｍで成長させ九〇
その後実施例１と同様な半導体装置？作製した。
本＠明によれば従来バンプ硬度が高く接合不可能であっ
た。Ｚｎ、Ｓｎ、Ｕｕ等のパンダも軟化させ改良する蔓
ができる。また金バンプに比べ隠めでがん便々工程でバ
ンプを形ＦＲｆる”ｉＺができワイヤレスボンディング
技術の導入２琴易にし、素子の微細化に対［Ｆ］してボ
ンディングの信頼性の高い半導体装置２製造できる等産
梁上極めて顕著な効果？うむものである。
た。Ｚｎ、Ｓｎ、Ｕｕ等のパンダも軟化させ改良する蔓
ができる。また金バンプに比べ隠めでがん便々工程でバ
ンプを形ＦＲｆる”ｉＺができワイヤレスボンディング
技術の導入２琴易にし、素子の微細化に対［Ｆ］してボ
ンディングの信頼性の高い半導体装置２製造できる等産
梁上極めて顕著な効果？うむものである。
Claims (2)
- （１）Ａｌを主成分とする電極を有する半導体ペレツト
と、この電極に直接形成されたバンプと、このバンプに
接続されたリードを備えた半導体装置において、少なく
ともバンプの電極との接合表面が、Ｚｎ、Ｓｎ及びＣｕ
の少なくとも２種を主成分とする合金もしくはＺｎ、Ｓ
ｎ及びＣｕの少なくとも一種とＩｎ、Ｂｉ及びＣｄの少
なくとも１種とを主成分とする合金で形成されており、
バンプと電極との接合がＡｌ−Ｚｎ及びＡｌ−Ｓｎの共
晶又はＡｌ−Ｃｕの金属間化合物の少なくとも一種の反
応により直接接合されていることを特徴とする半導体装
置。 - （２）前記バンプを有するリード又はテープキャリアボ
ンディング用テープを有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228211A JPH0732170B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228211A JPH0732170B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384127A true JPS6384127A (ja) | 1988-04-14 |
| JPH0732170B2 JPH0732170B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=16872929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61228211A Expired - Lifetime JPH0732170B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732170B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002287A (en) * | 1997-05-08 | 1999-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal outputting apparatus |
| US7709947B2 (en) | 2006-06-15 | 2010-05-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor device having semiconductor element with back electrode on insulating substrate |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61228211A patent/JPH0732170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002287A (en) * | 1997-05-08 | 1999-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal outputting apparatus |
| US7709947B2 (en) | 2006-06-15 | 2010-05-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor device having semiconductor element with back electrode on insulating substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732170B2 (ja) | 1995-04-10 |
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