JPS6385010A - 炭素フィルムの製造法 - Google Patents
炭素フィルムの製造法Info
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- JPS6385010A JPS6385010A JP61227434A JP22743486A JPS6385010A JP S6385010 A JPS6385010 A JP S6385010A JP 61227434 A JP61227434 A JP 61227434A JP 22743486 A JP22743486 A JP 22743486A JP S6385010 A JPS6385010 A JP S6385010A
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Classifications
-
- Y02E60/12—
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は新規な炭素フィルムの製造法に関するものであ
る。
る。
炭素フィルムは電極材料や導電性材料として注目されて
いる物質である。従来から行われてきた製造法には、天
然黒鉛を強い酸化性溶液中で処理して生成した酸化黒鉛
を基盤に塗布し、乾燥後還元雰囲気下で炭素化してフィ
ルムを得る方法、天然黒鉛を硫酸中で電解処理して層間
化合物を形成させ、急熱して得たコロイド状の膨張黒鉛
をシート状にして炭素フィルムを製造する方法、炭素や
黒鉛粉を物理的に圧着して賦形する方法、炭素の蒸着法
などがある。また、最近では高分子フィルムを出発原料
にしてそのまま炭素化したり、可溶性ポリマーであれば
適当な溶剤に溶かしてからガラス板などにキャストして
炭素化する方法が行われている。しかしながら、このよ
うな方法ではフィルムの厚みを制御することができず、
また均一な膜を得にくいなどの欠点がある。そのため、
比較的薄く、かつ均一な炭素フィルムの工業的な製造法
は確立されていない。
いる物質である。従来から行われてきた製造法には、天
然黒鉛を強い酸化性溶液中で処理して生成した酸化黒鉛
を基盤に塗布し、乾燥後還元雰囲気下で炭素化してフィ
ルムを得る方法、天然黒鉛を硫酸中で電解処理して層間
化合物を形成させ、急熱して得たコロイド状の膨張黒鉛
をシート状にして炭素フィルムを製造する方法、炭素や
黒鉛粉を物理的に圧着して賦形する方法、炭素の蒸着法
などがある。また、最近では高分子フィルムを出発原料
にしてそのまま炭素化したり、可溶性ポリマーであれば
適当な溶剤に溶かしてからガラス板などにキャストして
炭素化する方法が行われている。しかしながら、このよ
うな方法ではフィルムの厚みを制御することができず、
また均一な膜を得にくいなどの欠点がある。そのため、
比較的薄く、かつ均一な炭素フィルムの工業的な製造法
は確立されていない。
本発明は前記従来技術とは異なった方法による炭素フィ
ルムの製造方法を提供することを目的とする。
ルムの製造方法を提供することを目的とする。
本発明はベンゼンを支持電解質を含む溶媒に溶かし、二
つの電極間に電気を流して陽極板上に生成したポリフェ
ニレンフィルムを炭素化して炭素フィルムを製造する方
法である。この方法では印加する電気量によって膜厚を
容易に制御することができる上に、生成したポリマーは
固相で収率よく炭素化されるため、膜の形状をほとんど
維持したまま厚さ２〜３０μｍ程度の炭素フィルムを作
ることができる。以下に具体的な製造法を述べる。
つの電極間に電気を流して陽極板上に生成したポリフェ
ニレンフィルムを炭素化して炭素フィルムを製造する方
法である。この方法では印加する電気量によって膜厚を
容易に制御することができる上に、生成したポリマーは
固相で収率よく炭素化されるため、膜の形状をほとんど
維持したまま厚さ２〜３０μｍ程度の炭素フィルムを作
ることができる。以下に具体的な製造法を述べる。
実施例（１）
５Ｑ＋ｌｌｌの三ツロフラスコの中央に２０×２０Ｉｌ
ｌＷｌの白金およびニッケルの平板電極を吊るし、窒素
ガスを流しながら塩化アルミニウム４８と塩化テトラ−
ｎ・ブチルアンモニウム帆５８を３５１のニトロメタン
またはニトロベンゼンに溶かす、これにベンゼン２＋Ｉ
Ｉを加え、白金極をプラス、ニッケル極をマイナスとし
て４８ｍＡの直流定電流を印加する。０．５〜３時間時
間金白金板上リマーをアセトン、加熱した希塩酸で洗い
１００℃で乾燥する。０．５時間程度で約１０μｍ、１
〜２時間で２０μＩ以上になる。得られたフィルムを白
金か石英ボート上に置き、アルゴンガスを流しながら３
℃／ｗｉｎの昇温速度で８００または１０００℃で１時
間熱処理することによフて所望の炭素フィルムを得る。
ｌＷｌの白金およびニッケルの平板電極を吊るし、窒素
ガスを流しながら塩化アルミニウム４８と塩化テトラ−
ｎ・ブチルアンモニウム帆５８を３５１のニトロメタン
またはニトロベンゼンに溶かす、これにベンゼン２＋Ｉ
Ｉを加え、白金極をプラス、ニッケル極をマイナスとし
て４８ｍＡの直流定電流を印加する。０．５〜３時間時
間金白金板上リマーをアセトン、加熱した希塩酸で洗い
１００℃で乾燥する。０．５時間程度で約１０μｍ、１
〜２時間で２０μＩ以上になる。得られたフィルムを白
金か石英ボート上に置き、アルゴンガスを流しながら３
℃／ｗｉｎの昇温速度で８００または１０００℃で１時
間熱処理することによフて所望の炭素フィルムを得る。
膜数率としては７５〜８０Ｘで、多少収縮するが膜の形
状は保たれる。
状は保たれる。
実施例（２）
（１）と同じ反応容器に白金、ニッケル電極を吊るし、
塩化第二銅０．５ｇ、リチウム六フッ化ヒ素０．７８を
３５ｍ１のニトロベンゼンに懸濁させる。これにベンゼ
ン約４１を加え、白金極をプラス、ニッケル極をマイナ
スとして８ｍＡの定電流を印加する。
塩化第二銅０．５ｇ、リチウム六フッ化ヒ素０．７８を
３５ｍ１のニトロベンゼンに懸濁させる。これにベンゼ
ン約４１を加え、白金極をプラス、ニッケル極をマイナ
スとして８ｍＡの定電流を印加する。
１時間後、白金極板上のポリマーをアセトンで洗ってポ
リフェニレンフィルムを得る。ポリマー中にドープされ
たアニオンは、反応積極性を逆にするかアンモニア水に
浸して除く。膜の厚さは１時間で１０〜１２μｍである
。次に前記と同様に得られたフィルムを炭素化する。収
率は８００℃処理で約８５χと実施例（１）よりも高い
。
リフェニレンフィルムを得る。ポリマー中にドープされ
たアニオンは、反応積極性を逆にするかアンモニア水に
浸して除く。膜の厚さは１時間で１０〜１２μｍである
。次に前記と同様に得られたフィルムを炭素化する。収
率は８００℃処理で約８５χと実施例（１）よりも高い
。
本発明によって得られた薄くて均一な炭素フィルムは、
電池用電極や各種エレクトロニクス材料への用途が期待
される。
電池用電極や各種エレクトロニクス材料への用途が期待
される。
Claims (1)
- 電解酸化重合法により、ベンゼンから合成した高分子フ
ィルムを炭素化して炭素フィルムを製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227434A JPS6385010A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 炭素フィルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227434A JPS6385010A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 炭素フィルムの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385010A true JPS6385010A (ja) | 1988-04-15 |
| JPH0371368B2 JPH0371368B2 (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=16860798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227434A Granted JPS6385010A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 炭素フィルムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6385010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282111A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭素原料の製造方法 |
| JP2011195432A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 薄片化黒鉛の製造方法及び薄片化黒鉛 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61227434A patent/JPS6385010A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282111A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭素原料の製造方法 |
| JP2011195432A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 薄片化黒鉛の製造方法及び薄片化黒鉛 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0371368B2 (ja) | 1991-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |