JPS6385538A - Photosettable laminated body and picture image forming method using thereof - Google Patents
Photosettable laminated body and picture image forming method using thereofInfo
- Publication number
- JPS6385538A JPS6385538A JP61231058A JP23105886A JPS6385538A JP S6385538 A JPS6385538 A JP S6385538A JP 61231058 A JP61231058 A JP 61231058A JP 23105886 A JP23105886 A JP 23105886A JP S6385538 A JPS6385538 A JP S6385538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- alkyl group
- substituted
- aryl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な光硬化性積層体およびそれを用いた画
像形成方法に関し、さらに詳しくいえば印刷回路板の製
造、印刷用原版の製造および保護被膜形成などに有用な
、殊に耐酸性、耐アルカリ性に優れた特性を有する光硬
化性積層体、々らびに該光硬化性積層体を用いて恒久的
画像形成用基板表面にレジスト像を形成させるための新
規な方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a novel photocurable laminate and an image forming method using the same, and more specifically, to the production of printed circuit boards and printing original plates. and a photocurable laminate useful for forming a protective film, etc., which has particularly excellent acid resistance and alkali resistance, and a resist image formed on the surface of a substrate for permanent image formation using the photocurable laminate. The present invention relates to a novel method for forming .
本発明でいう恒久的画像形成用基板とは、その基板表面
に形成されたレジスト像を保護膜とし、エツチングまた
は、メッキにより基板自体に画像が形成されるもの、も
しくは上記レジスト像自体が基板上で画像となっている
ものであり、具体的しては銅張積層板、金属板、グラス
チックフィルム等である。また、レジスト像とは光重合
性化合物の光重合によって、基板表面に形成された画像
である。The permanent image forming substrate as used in the present invention refers to one in which a resist image formed on the surface of the substrate is used as a protective film and an image is formed on the substrate itself by etching or plating, or one in which the resist image itself is formed on the substrate. The examples are copper-clad laminates, metal plates, glass films, etc. Furthermore, a resist image is an image formed on a substrate surface by photopolymerization of a photopolymerizable compound.
現在、印刷回路板の製造方法は、次の三法に大別される
。す々わち、銅張積層板上に形成されたレジスト像を保
護膜としてエツチング等Gてより所定の回路を作成して
いぐサブトラクティブ法、絶縁板上に所定のレジスト像
を形成し、化学銅メッキを行ない回路を形成していくフ
ルアディティブ法、および両者の中間的な手法であるセ
ミアディティブ法が挙げられる。これらの中で、現在は
サブトラクティブ法が主流を々しているが、基板の高密
度化、高信頼性化の要求が高まっている技術趨勢の中で
、高アスペクト比ホール、小径ホール等のスルーホール
メッキがましいという欠点を有し、さらに1製造工程が
長く複雑であることがらもセミアディティブ法、フルア
ディティブ法が急速に注目されてきている。一方、各々
の方法に応じて多種多様の光硬化型レジスト材料が開発
されてきており、印刷回路板製造用として様々な特性が
要求されている。これら諸特性として、感度、解像力と
いったリソグラフィー特性はもとより、耐熱性、機械的
強度、耐歳性、耐アルカリ性といった特性が挙げられる
。中でも耐無電解メッキ浴性能、とりわけ、高耐アルカ
リ性能が重要となっている。Currently, printed circuit board manufacturing methods can be roughly divided into the following three methods. The subtractive method uses a resist image formed on a copper-clad laminate as a protective film to create a predetermined circuit by etching, etc., and the subtractive method involves forming a predetermined resist image on an insulating plate and chemical Examples include the full additive method, in which a circuit is formed by plating copper, and the semi-additive method, which is an intermediate method between the two. Among these methods, the subtractive method is currently the mainstream, but with the technological trend of increasing demands for higher density and higher reliability of substrates, it is becoming more and more popular to use high aspect ratio holes, small diameter holes, etc. Semi-additive and full-additive methods are rapidly attracting attention because they have the disadvantage that through-hole plating is undesirable, and one manufacturing process is long and complicated. On the other hand, a wide variety of photocurable resist materials have been developed according to each method, and various properties are required for use in printed circuit board manufacturing. These properties include not only lithography properties such as sensitivity and resolution, but also properties such as heat resistance, mechanical strength, aging resistance, and alkali resistance. Among these, electroless plating bath resistance, especially high alkali resistance, is important.
従来、アディティブ法グロセスに用い得る光硬化型レジ
スト、とりわけ、セミアディティブ法プロセス用のドラ
イフィルム状フォトレジストは十分々性能を有しておら
ず、メッキ時のレジスト像の基板からのズレ、剥離、ま
た、現像液として/。Conventionally, photocurable resists that can be used in additive process processes, especially dry film photoresists for semi-additive process processes, have not had sufficient performance, resulting in problems such as displacement of the resist image from the substrate during plating, peeling, etc. Also as a developer.
/、 / −)リクロロエタンが使用でき々かったり、
解像力が低かったりする等の問題があり、使用に耐え得
るものではない。/, / -) Lichloroethane cannot be used,
It has problems such as low resolution and is not suitable for use.
本発明者らは、こうした技術動向を踏まえ、鋭意検討を
重ねた結果、耐酸性〜耐アルカリ性、耐熱性、機械的強
度に優れた剥離可能な、殊に高耐アルカリ性を有するが
故に無電解銅メッキ法により回路を形成していくプロセ
スに有効な光硬化性積層体および該光硬化性′mM体を
用い恒久的画像形成用基板上にレジスト像を形成するた
めの方法を見い出し、本発明をなすに至った。In light of these technological trends, the present inventors have conducted intensive studies and found that electroless copper has excellent acid resistance, alkali resistance, heat resistance, and mechanical strength, and is peelable, especially since it has high alkali resistance. We have discovered a photocurable laminate that is effective in the process of forming circuits by plating and a method for forming a resist image on a permanent image forming substrate using the photocurable laminate, and have achieved the present invention. I arrived at the eggplant.
本発明は、光硬化性層と支持体とから成り、該光硬化性
層が、下記構造式〔A〕および〔B〕で示される繰返し
構造単位を含む化合物〔以下、化合物(a)と称する〕
を必須成分とすることを特徴とする光硬化性積層体に関
するものである。The present invention consists of a photocurable layer and a support, and the photocurable layer comprises a compound containing repeating structural units represented by the following structural formulas [A] and [B] [hereinafter referred to as compound (a)]. ]
The present invention relates to a photocurable laminate characterized in that it contains as an essential component.
よ−〇
(A) (B)
〔但し、〔A1式中、Roはビニル基、エポキシ基もし
くはエピスルフィド基を表わし、R1は水素、炭!ll
数7ないし乙のアルキル基、もしくはハロゲンを表わす
。また、R8およびRoは主鎖の炭素原子に対して、オ
ルト、メタ、または、パラ位のいずれかに置換する。Yo-〇(A) (B) [However, [In the formula A1, Ro represents a vinyl group, an epoxy group, or an episulfide group, and R1 is hydrogen or carbon! ll
Represents an alkyl group of numbers 7 to 2 or a halogen. Furthermore, R8 and Ro are substituted at the ortho, meta, or para position relative to the carbon atom of the main chain.
CB)式中のw、 x、 yおよび2は各々、水素、ハ
ロゲン、シアン基、炭素数lないし乙のアルキル基、炭
素数lないし乙のハロゲン化アルキル基、炭素数/ない
し乙のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によっ
て置換された炭素数乙ないし30のアリール基、ケイ素
原子を含むUによって4換された炭素@3ないし30の
アリール基、炭1数、4ないしJO17)7リール基、
−COOR2、−COR2、−〇−COR,(Rzは炭
!!′I&/&いし/コのアルキル基もしくけハロゲン
化アルキル基、炭素v!、/ないし乙のアルキル基もし
くけハロゲン化アルキル基で置換された炭素数乙ないし
30のアリール基、ケイ素原子を含む基によってl??
換された炭素数乙ないし30の了り−ル基、または炭素
数tないし30のアリール基)、ニトロ基、ケイ素原子
を含む基、または、R3(Rsけ水素、水酸基、カルボ
キシル基、ハロゲン、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、
炭素rklないし乙のアルキル基もしくはハロゲン化ア
ルキル基、または炭素数6ないし30のアリール基、ケ
イ素原子を含む基)で置換されたヘテロ囚を含む置換基
を表わす〕
本発明の光硬化性積層体における光硼化性jは必須成分
として、化合物(a)を含むものであって、一般的には
1ないし99重i%含有するが、支持体との接着性、安
定性の面で7カいしqり重fチが好ましく、さらに好ま
しくは、!ないし90重量%であり、基板との密着性、
耐薬品性等の諸物性を考慮すると、りないしgo重ic
%が特に好ましい範囲である。CB) In the formula, w, x, y and 2 are each hydrogen, halogen, cyan group, alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. or an aryl group having 2 to 30 carbon atoms substituted with a halogenated alkyl group, an aryl group having 3 to 30 carbon atoms substituted by U containing a silicon atom, a aryl group having 1 carbon, 4 to 17) 7 carbon atoms,
-COOR2, -COR2, -〇-COR, (Rz is carbon!!'I&/&Ishi/co alkyl group or halogenated alkyl group, carbon v!, / or O's alkyl group or halogenated alkyl group An aryl group having from 2 to 30 carbon atoms substituted with l?? by a group containing a silicon atom.
a substituted aryl group having from 1 to 30 carbon atoms, or an aryl group having from t to 30 carbon atoms), a nitro group, a group containing a silicon atom, or R3 (Rs hydrogen, hydroxyl group, carboxyl group, halogen, Nitro group, amino group, cyano group,
Represents a substituent containing a hetero group substituted with a carbon alkyl group or a halogenated alkyl group, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a group containing a silicon atom] Photocurable laminate of the present invention The photoborizing property j in the formula contains the compound (a) as an essential component, and generally contains 1 to 99% by weight, but it has seven components in terms of adhesion to the support and stability. Ishiqrijufchi is preferable, and more preferably! to 90% by weight, adhesion to the substrate,
Considering various physical properties such as chemical resistance,
% is a particularly preferred range.
化合物(a)の数平均分子量はrooないし/、000
.000が一般的で、感度、解像度の面から3.000
ないし5oaoooが好ましい。The number average molecular weight of compound (a) is from roo to /,000
.. 000 is common, and 3.000 in terms of sensitivity and resolution.
to 5oaooo is preferred.
化合物(a)の式(A)中、R1には水素、炭素数/な
いし乙のアルキル基またはハロゲンを用い得るが、水素
が好ましい。In formula (A) of compound (a), R1 may be hydrogen, an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, or a halogen, but hydrogen is preferable.
式(A)中、ROにはビニル基、エポキシ基もしくはチ
イラニル茎を用い得る。これらの選択にあたり各官能基
の反応性、硬化後の保護膜としてのレジスト像の諸物性
を考慮すべきである。例えば、恒久的画像形成用基板と
の密着性が要求される場合、エポキシ基もしくはチイラ
ニル基が一般的で、高感度、機械的強度が要求される場
合!では、ビニル基が一般的である。In formula (A), RO may be a vinyl group, an epoxy group or a thiiranyl group. In selecting these, the reactivity of each functional group and the physical properties of the resist image as a protective film after curing should be considered. For example, when adhesion to a permanent image forming substrate is required, epoxy or thiiranyl groups are common, and high sensitivity and mechanical strength are required! In this case, vinyl groups are common.
式〔A)中、Roは主鎖の炭素原子に対して、オルト、
メタ、甘たけパラ位のいずれの位置でもとり得るが、感
度の点からはメタ位もしくはパラ位が好オしい。In formula [A), Ro is ortho to the carbon atom in the main chain,
It can be in either the meta or para position, but from the viewpoint of sensitivity, the meta or para positions are preferable.
構造式〔A〕で示される繰返し構造単位は一種類である
必要はか<、二種類以上のものを適当な比率で用いるこ
とにより、各々の特徴を合わせもつ、より総合的な性能
の高いレジスト材料を作ることができる。It is not necessary to use only one type of repeating structural unit represented by the structural formula [A], but by using two or more types in an appropriate ratio, a resist with higher overall performance can be obtained that combines the characteristics of each type. You can make materials.
化合物(a)の構造式(B)で示される繰返し構造単位
におけるw、 x、 yおよび2は各々、水素、ハロゲ
ン、シアノ基、炭素数/ないしtのアルキル基、炭素数
/ないし乙のハロゲン化アルキル基、炭素数7ないし乙
のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によって置
換された炭素数乙ないし3゜の了り−ル基、ケイ素原子
を含む基によって置換された炭素数乙ないし30のアリ
ール基、炭素数乙ないし30のアリール基、−COOR
,、−COR2、−OC0Rz (Rzけ炭素数/ない
し/−のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、炭
*’l&/ないし乙のアルキル基もしくはハロゲン化ア
ルキル基で置換された炭素数6ないし30のアリール基
、ケイ走原子を含む基によって置換された炭素数6々い
し30のアリール基、まだは炭素数6ないし3゜のアリ
ール基)、ニトロ基、ケイ素原子を含む基、または、R
3(R3は水素、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン、
ニトロ基、アミン基、シアノu、is数/&いし乙のア
ルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、または、炭素
数6ないし3oの了り−ル基、ケイ素原子を含む基)で
置換されたベテロ環を含む置換基を用い得る。以下に、
これらの−般例を示すが、これにより本発明が#JJ限
を受けるものではない。w, x, y and 2 in the repeating structural unit represented by structural formula (B) of compound (a) are each hydrogen, halogen, cyano group, alkyl group with carbon number / to t, or halogen with carbon number / to an alkyl group having 7 to 3 carbon atoms, an alkyl group having 7 to 3 carbon atoms or an aryl group having 3 to 3 carbon atoms substituted by a halogenated alkyl group, and an aryl group having 3 to 30 carbon atoms substituted by a group containing a silicon atom. group, aryl group having 2 to 30 carbon atoms, -COOR
,, -COR2, -OC0Rz (an alkyl group or halogenated alkyl group with Rz = carbon number / to /-, carbon number 6 to 30 substituted with an alkyl group or halogenated alkyl group) an aryl group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted by a group containing a silicotactic atom, an aryl group having 6 to 3 degrees of carbon atoms), a nitro group, a group containing a silicon atom, or R
3 (R3 is hydrogen, hydroxyl group, carboxyl group, halogen,
Betero ring substituted with a nitro group, an amine group, a cyano group, an alkyl group or a halogenated alkyl group, or an aryol group having 6 to 3 carbon atoms, a group containing a silicon atom) Substituents containing may be used. less than,
Although these general examples are shown below, the present invention is not limited to #JJ.
ハロゲンの一般例として、弗素、塩素、臭素、ヨウ素が
挙げられ、炭素数lないし乙のアルキル基として、メチ
ル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、イソプロピル
基、tere−ブチル基、シクロヘキシル基等であり、
炭素数/ないし乙のハロゲン化アルキル基として、り0
ロメチル3、s、−2゜−一トリクロロエチル基等であ
り、炭素数≦hいし30のアリル基の例としては、置換
フェニル基、f1換インデニル基、置換ナフチル基、置
換アズレニル基、置換へブタレニル基、置換ビフェニレ
ニル基、は換aS−インダセニル基、置換6−インダセ
ニル基、置換アセナフチニル基、置換フルオレニルu、
ammフェノンリル基、置換アントリル基、置換フルオ
ルアントリル基、置換アセアントリレニルu ’ E’
1 m )リフエニレニル基、置換ピレニル基、置換ク
リセニル基、置換ナツタセニル基、は換ビセニル基、q
t換ペリレニル基、置換ペンタフェニル基、置換ペンタ
セニル基、置換テトラフェニレニル基、fdtxへキサ
フェニル基、r!1換ルビセニル基、置換コロネル基、
ロ換トリナフチレニル基、置換へ/タフェニル基、置換
へブタセニル基、tQ換ピラントレニル基等であり、ケ
イ素原子を含む基としては、下記の(1)〜(38)を
挙げることができる。Common examples of halogens include fluorine, chlorine, bromine, and iodine, and examples of alkyl groups having 1 to 2 carbon atoms include methyl, ethyl, butyl, hexyl, isopropyl, tere-butyl, and cyclohexyl groups. and
As a halogenated alkyl group with carbon number/to
Examples of allyl groups having carbon number ≦h and 30 include substituted phenyl group, f1-substituted indenyl group, substituted naphthyl group, substituted azulenyl group, and substituted azulenyl group. butarenyl group, substituted biphenylenyl group, substituted aS-indacenyl group, substituted 6-indacenyl group, substituted acenaphthynyl group, substituted fluorenyl u,
amm phenolyl group, substituted anthryl group, substituted fluoroanthryl group, substituted aceantrylenyl u'E'
1 m) Liphenylenyl group, substituted pyrenyl group, substituted chrysenyl group, substituted natsutacenyl group, substituted vicenyl group, q
t-substituted perylenyl group, substituted pentaphenyl group, substituted pentacenyl group, substituted tetraphenylenyl group, fdtx hexaphenyl group, r! monosubstituted rubicenyl group, substituted coronel group,
Examples of the silicon atom-containing group include (1) to (38) below, such as a ro-substituted trinaphthylenyl group, a substituted he/taphenyl group, a substituted hebutacenyl group, and a tQ-substituted pyranthrenyl group.
−8l (−CH* ・CaHs )s
Sl + C6Hs )3αd+
01)(ロ) (ロ)
(!姉に)
06) α乃(ロ))
(2))に)
(21)@ (ハ
)
(ロ) に)に)
(ロ)(ロ)
(ロ)こ
(52) (5階(9)
いり(ロ)
(@さらに、R1で置換されたヘテロ環を
含む置換基の一般例として、下記構造式群の(1)ない
しく31)を挙げることができる。-8l (-CH* ・CaHs)s
Sl + C6Hs)3αd+
01) (b) (b)
(!To my sister)
06) αノ(ro))
(2))
(21) @ (c) (b) ni)ni)
(b) (b)
(b) Ko (52) (5th floor (9)
Iri (ro)
(@Furthermore, general examples of substituents containing a heterocycle substituted with R1 include (1) to 31) of the following structural formula group.
(4) (5) (a)I3
(ロ)) 0荀
(ロ)(+6) (17)
(財)殉
C:I!J) (イ)
(ロ)馬
(拗 (に) (ロ)(
(へ) (→ (6)(
ロ) (ト) (ト)〔
但し、各構造式中、n ViOもしくは/を表わし、R
sFi水素、水酸基、カルボキシル基、・・ロゲン、ニ
トロ基、アミン基、シアノ基、炭素数/ないし乙のアル
キル基、ハロゲン化アルキル基、炭−A数乙ないし30
のアリール基もしくけケイ素原子を含む基を衷わす)
具体的な好ましいw、 )c、 yおよび2の組合わせ
ヲ(WIXIY、z)ノ形式テ示すと、(H,H,H,
H)、(H,H,H,C6Hs)、(H+ H(H+
C6114−C2H5)、(H,H,H。(4) (5) (a)I3 (b)) 0xun
(b) (+6) (17)
(Foundation) Martyr C: I! J) (B)
(b) Horse (suru) (ni) (b) (
(to) (→ (6)(
B) (G) (G) [
However, in each structural formula, n represents ViO or /, and R
sFi hydrogen, hydroxyl group, carboxyl group,...rogen, nitro group, amine group, cyano group, alkyl group with 1 to 2 carbon atoms, halogenated alkyl group, carbon-A number 2 to 30
The specific preferred combinations of w, )c, y and 2 (WIXIY, z) are shown in the form (H, H, H,
H), (H, H, H, C6Hs), (H+ H(H+
C6114-C2H5), (H,H,H.
Cl0H7)、(H、H、H、Cl4H9)、(H、I
I、CH3,C5Hs)、(H。Cl0H7), (H, H, H, Cl4H9), (H, I
I, CH3, C5Hs), (H.
CH3+ Hr CJ(4−5t(CH3)3 )、(
H1HLC6H5IC6H5)−(C6H5IIITH
、CaB6 ) 、 (C8T(5,H,H、Cl0H
7)−(C6H%+HtHI Cl4H9’))(Cl
0H7+ H+ Hr C1o1b )、(H、H、H
、C00CHa ’)、(H,H,H。CH3+ Hr CJ(4-5t(CH3)3), (
H1HLC6H5IC6H5)-(C6H5IIITH
, CaB6 ), (C8T(5,H,H,Cl0H
7)-(C6H%+HtHI Cl4H9'))(Cl
0H7+ H+ Hr C1o1b ), (H, H, H
, C00CHa'), (H,H,H.
coo CFs )、(H,トCH3、C00CH3)
、(H,HlCI、 C0CHs)、(T(、H,H,
CN)、(T(、H、H、C00C6H5)、H、St
(CT(、)i )、(H+H,H,5i(CsHs
)3) 等であり、耐薬品性の面からより好ましい具
体例として、(H。coo CFs ), (H, TOCH3, C00CH3)
, (H,HlCI, C0CHs), (T(,H,H,
CN), (T(,H,H,C00C6H5),H,St
(CT(,)i), (H+H,H,5i(CsHs
)3) etc., and (H.
I(、H、)()、(HI Hl )(l C6H5)
、(Hr H+ H+ C6)I4− CzHs )、
()I、H汀1 + Cl0I(7) 、 (H+ I
(* H+ CbHg )、 (H、T(、CI(3、
Cs Hs )、(II+ CH3+ H+ C6H4
−Si (CH3)3 )、(H、H、C5Hs 、C
5Hs )、(Cabs 、H、H、CaHs )、(
C6bs 、 )I 、 H、Cl0H7)、(C8H
5+ )(IHlされない。I(,H,)(),(HI Hl)(l C6H5)
, (Hr H+ H+ C6)I4- CzHs),
()I, H 1 + Cl0I(7), (H+ I
(*H+ CbHg), (H, T(, CI(3,
Cs Hs ), (II+ CH3+ H+ C6H4
-Si(CH3)3), (H,H,C5Hs,C
5Hs), (Cabs, H, H, CaHs), (
C6bs, )I, H, Cl0H7), (C8H
5+) (Not IHLed.
寸た、構造式CB)で示される繰返し単位は一種類であ
る必要はなく、二種類以上のものを適当な比率で用いる
ことKより、甘た、第三成分を用いるととKより、光硬
化性層としての総合性能を向上させることができる。In addition, the repeating unit represented by the structural formula CB) does not have to be of one type, but two or more types can be used in an appropriate ratio. The overall performance as a curable layer can be improved.
化合物(a)の構造式(A)で示される繰返し構造単位
のモル分率は、/ないし99%が一般的で、解像度、感
度の点で、左ないし9I%が好ましい。The molar fraction of the repeating structural unit represented by the structural formula (A) of compound (a) is generally 99% to 99%, and preferably 91% to 99% from the viewpoint of resolution and sensitivity.
次に、化合物(2L)の製造方法について説明する。Next, a method for producing compound (2L) will be explained.
構造式(A)中のRoがビニル基の場合は特開昭56−
7乙!09号公報、エポキシ基の場合は特開昭/;/−
223uO号公報、および、エピスルフィド基の場合に
は特開昭A/−3/μ09号公報に記載の方法により製
造できる。When Ro in structural formula (A) is a vinyl group, JP-A-56-
7 Otsu! No. 09, in the case of epoxy group, JP-A-Sho/;/-
223uO, and in the case of an episulfide group, it can be produced by the method described in JP-A-A/-3/μ09.
本発明をさらに有効ならしめるために、光硬化性層に化
合物(a)の池に、熱可塑性W脂〔以下、(b)と称す
る〕および光硬化性化合物〔以下、(。)と称する〕を
含有せしめることが好ましい。In order to make the present invention more effective, a thermoplastic W resin [hereinafter referred to as (b)] and a photocurable compound [hereinafter referred to as (.)] are added to the photocurable layer containing compound (a). It is preferable to contain.
で9j:!ないしr:qs、好ましくは10ニー〇ない
し3oニアo、さらに好オしくは70:30ないし3r
itsの範囲である。At 9j:! to r:qs, preferably 10:30 to 3o, more preferably 70:30 to 3r
It is within the range of its.
また、光硬化性層中の(b)および(c)成分の合計の
含有割合は、下式によって決められる。Moreover, the total content ratio of components (b) and (c) in the photocurable layer is determined by the following formula.
WVc=100−Wa W。WVc=100-Wa W.
W b/’c s Wa % WOけ各々(b)および
(c)成分の合計、化合物(−)およびその他の含有層
′!1チを表わす。W b/' c s Wa % WO ke total of each component (b) and (c), compound (-) and other containing layer'! Represents 1chi.
(b)成分の熱可塑性樹脂としては、(a)および(e
)成分の光重合可能な化合物と相溶性のあるものが望ま
しく、例えばビニル重合体であるポリメタクリル酸メチ
ル、メタクリル酸メチル共重合体、ポリスチレン、スチ
レン共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアル
コール、セルロース誘導体などが挙げられる。これらの
熱可塑性樹脂の中で現像用液体としてハロゲン系炭化水
素類が用いられる場合には、ポリメタクリル階メチルま
たはメタクリル酸メチル共重合体もしくけその混合物、
ポリスチレンまたはスチレン共重合体もしくはその混合
物が特に好ましい。As the thermoplastic resin of component (b), (a) and (e
) components are preferably compatible with the photopolymerizable compound, such as vinyl polymers such as polymethyl methacrylate, methyl methacrylate copolymer, polystyrene, styrene copolymer, polyvinyl chloride, and vinyl chloride copolymer. Union,
Examples include polyvinyl acetate/vinyl acetate copolymer, polyvinyl alcohol, and cellulose derivatives. Among these thermoplastic resins, when halogenated hydrocarbons are used as the developing liquid, polymethacrylic methyl or methyl methacrylate copolymers or mixtures thereof,
Particular preference is given to polystyrene or styrene copolymers or mixtures thereof.
光硬化性化合物の(c)成分としては、(a)および(
b)と相溶性のあるものが望ましく、官能基として、例
えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニルフェ
ニル基、アリル基、シンナモイル基、シンナミリデンア
セチル基、ベンザルアセトフェノン基、マレイミド基、
フェニルマレイミド基、ビニルフリル基、ビニルピリジ
ル基、ビニルイミダゾリル基等の二重結合、グリシジル
基等のエポキシ基等を有するものが望ましい。これらの
−船側として、ケイ皮酸エステル、マレイミド、フェニ
ルマレイミド、ビスマレイミド、あるいけトリメチロー
ルプロパントリアクリレート、ペンタエリトリトールト
リアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレ
ート、ジペンタエリトリトールへキサアクリレート、ジ
ペンタエリトリトールペンタアクリレート、ジペンタエ
リトリトールテトラアクリレート、ジペンタエリトリト
ールトリアクリレート、ジカルボン薗とジオールもしく
はトリオールのエステルのアクリレート、トリス(ヒド
ロキシエチル)トリアジンアクリレートなどのアクリル
酸エステル、またはこれらに対応するメタクリル酸エス
テル、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、N
−t−ブチルアクリルアミド、N−t−オクチルアクリ
ルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−ブトキ
シメチルアクリルアミド、N−イソブトキシメチルアク
リルアミド、ジアセトンアクリルアミド、2−メチル−
3−スルフオプロビルアクリルアミド、トリアクリルア
ミドホルマールなどのアクリルアミド類、まだはこれら
に対応するメタクリルアミド、スチレン、シヒニルベン
ゼン、アクリロニトリル、メタクリロイル基ル、エチル
アクリレート、イングロビルアクリレート、ブチルアク
リレート、シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアク
リレート、−一エチルへキシルアクリレート、ラウリル
アクリレート、カルピトールアクリレート、エトキノア
クリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレ
ート、λ−ヒドロキンエチルアクリレート、−一ヒドロ
キシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−クロ
ロプロピルアクリレート、l1μmブチレングリコール
モノアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート
、ジエチルアミノエチルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、2−クロロエチルアクリレート
、2.3−ジブロムプロピルアクリレート、トリブロム
フェニルアクリレート、アリルアクリレート、オレイル
アクリレートなどのモノアクリレート、さらにベンタン
ジオール、ヘキサンジオール、エチレングリコール、テ
トラエチレングリコール、ノナエチレンクリコール、ポ
リエチレングリコール、ネオベンタンジオール、ポリプ
ロピレングリコール、アジピン酸のネオベンタンジオー
ルエステルなどのジオールのアクリル酸エステルまたは
メタクリル酸エステル、次の構造式(I)(−(J(2
+n (nhl−rの整数である)を表わす〕で示すし
るジアクリレート、次の構造式(II)0+C■■2−
Y、−〇−)−C−CH=CH2・・・(n)は/〜す
の整数である〕
で示されるジアクリレート1エポキシ樹脂のアクリル醸
付加体であるアクリレート、アクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、ビニルr: IJレジンビニル
イミダゾールなどである力監、特にこれらに制限されな
い。例えば、グリシジルメタクリレート、スチレン等の
モノマー類、およびスチレン骨格を有する多官能性七ツ
マー類、あるいはエポキシvi脂といった反応性官能基
を有するものであれば、本発明の光硬化性層の成分とし
て使用できるし、また、これらは常温で液状、もしくは
固体状のいずれであってもよい。Component (c) of the photocurable compound includes (a) and (
Those that are compatible with b) are desirable, and examples of functional groups include acryloyl group, methacryloyl group, vinylphenyl group, allyl group, cinnamoyl group, cinnamylideneacetyl group, benzalacetophenone group, maleimide group,
Those having a double bond such as a phenylmaleimide group, a vinylfuryl group, a vinylpyridyl group, a vinylimidazolyl group, an epoxy group such as a glycidyl group, etc. are desirable. These include cinnamate esters, maleimides, phenylmaleimides, bismaleimides, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, Acrylic acid esters such as dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol triacrylate, acrylates of dicarbonate and diol or triol esters, tris(hydroxyethyl)triazine acrylate, or corresponding methacrylic esters, acrylamide, methylol acrylamide, N
-t-butylacrylamide, N-t-octylacrylamide, N-methylolacrylamide, N-butoxymethylacrylamide, N-isobutoxymethylacrylamide, diacetone acrylamide, 2-methyl-
Acrylamides such as 3-sulfoprobyl acrylamide and triacrylamide formal, but still corresponding methacrylamide, styrene, cyhinylbenzene, acrylonitrile, methacryloyl group, ethyl acrylate, inglovir acrylate, butyl acrylate, cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate , -monoethylhexyl acrylate, lauryl acrylate, carpitol acrylate, ethoxynoacrylate, methoxypolyethylene glycol acrylate, λ-hydroquine ethyl acrylate, -monohydroxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-chloropropyl acrylate, l1μm butylene glycol Monoacrylates such as monoacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, 2-chloroethyl acrylate, 2,3-dibromopropyl acrylate, tribromphenyl acrylate, allyl acrylate, oleyl acrylate, and also bentanediol , acrylic or methacrylic esters of diols such as hexanediol, ethylene glycol, tetraethylene glycol, nonaethylene glycol, polyethylene glycol, neobentanediol, polypropylene glycol, neobentanediol ester of adipic acid, with the following structural formula ( I)(-(J(2
+n (representing an integer of nhl-r)], a diacrylate having the following structural formula (II) 0+C■■2-
Acrylate, acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile which is an acrylic adduct of diacrylate 1 epoxy resin represented by Y, -〇-)-C-CH=CH2...(n) is an integer from / to , vinyl r: IJ resin vinyl imidazole, etc., but are not particularly limited to these. For example, monomers such as glycidyl methacrylate and styrene, polyfunctional heptamers having a styrene skeleton, or monomers having reactive functional groups such as epoxy resin can be used as components of the photocurable layer of the present invention. Moreover, these may be either liquid or solid at room temperature.
本発明においては、反応時間、硬化時間を短縮する目的
で、光重合開始剤や光増感剤を添加することが好ましい
。この光重合開始剤の添加口は光硬化性層中JOIL量
チ以下、好ましくは0.0 /〜20重量%である。In the present invention, it is preferable to add a photopolymerization initiator and a photosensitizer for the purpose of shortening reaction time and curing time. The amount of addition of the photopolymerization initiator is less than the amount of JOIL in the photocurable layer, preferably 0.0 to 20% by weight.
本発明に使用できる光重合開始剤または光増感剤として
は、例えばベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル、
アンスラキノンなト(r)多nキノン類、ペンツフェノ
ン、クロルベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、フレオ
ノン、チオキサントン、ジアルキルチオキサントン、ハ
ロゲン化チオキサントン、ナフタレンスルホニルクロリ
ド、アゾビスイソブチロニトリル、l−アゾビス−7−
シクロヘキサンカルボニトリル1.2.q−ジクロルベ
ンゾイルパーオキシド、ジフェニルジスルフィド、ジベ
ンゾチアゾール、/−(μmイソプロピルフェニル)−
2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−/−オン、2−
ヒドロキゾーコーメチルー/−フェニルプロパン−7−
オン;エリスロシンナトの色素どπを子供与物質、トリ
エチルアミン、p−7ミノ安ホ香酸エステル類、トリフ
ェニルホスフィン1.!−j−ジメトキシーλ−フェニ
ルアセトフェノンなども挙げられ、さらに光イオン重合
開始剤等も有効である。ここで言う光イオン重合開始剤
とは、光度窓によりルイス酸もしくはブレンステッド酸
を生成する化合物のことである。これらの光重合開始剤
または光増感剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、一種
以上組合わせて用いてもよいO
さらしζ、本発明の光重合性r’J Kは、必要に応じ
て染料、安定剤、可塑剤などの添加剤を加えることもて
きる。Examples of the photopolymerization initiator or photosensitizer that can be used in the present invention include benzoin, benzoin alkyl ether,
Anthraquinone tri(r)poly-n quinones, pentuphenone, chlorbenzophenone, Michler's ketone, fleonone, thioxanthone, dialkylthioxanthone, halogenated thioxanthone, naphthalenesulfonyl chloride, azobisisobutyronitrile, l-azobis-7-
Cyclohexane carbonitrile 1.2. q-Dichlorobenzoyl peroxide, diphenyl disulfide, dibenzothiazole, /-(μm isopropylphenyl)-
2-Hydroxy-2-methylpropan-/-one, 2-
Hydroxocomethyl-/-phenylpropane-7-
On; erythrocinnato dye, π-donating substance, triethylamine, p-7 minobenfoate esters, triphenylphosphine 1. ! Examples include -j-dimethoxy λ-phenylacetophenone, and photoionic polymerization initiators are also effective. The photoionic polymerization initiator referred to herein is a compound that generates a Lewis acid or Brønsted acid using a photometric window. These photopolymerization initiators or photosensitizers may be used alone or in combination of one or more types. Additives such as dyes, stabilizers, and plasticizers may also be added.
光重合性層の厚みは用途に応じて異なるが、印刷回路板
作製用には!;−200μ、好ましくはj〜120μで
あり、薄いほど解像力は向上する。The thickness of the photopolymerizable layer varies depending on the application, but for making printed circuit boards! -200μ, preferably j to 120μ; the thinner the thickness, the better the resolution.
本発明の光重合性積層体だ用いる支持体は、高エネルギ
ー線に対して透明であっても、また半透明であってもよ
い。The support used in the photopolymerizable laminate of the present invention may be transparent or semitransparent to high-energy radiation.
高エネルギー線を透過する支持体としては・ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビ
ニル、塩化ビニル共重合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化
ビニリデン共重合体、ポリメタクリル酸メチル、メタク
リル酸メチル共重合体、ポリスチレン、ポリアクリロニ
トリル、スチレン共重合体、ポリアミド、セルロース誘
導体々どのフィルム本しくけ板状のものが挙げられる。Supports that transmit high-energy rays include: polyethylene terephthalate, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyvinylidene chloride, vinylidene chloride copolymer, polymethyl methacrylate, methyl methacrylate copolymer, polystyrene , polyacrylonitrile, styrene copolymers, polyamides, cellulose derivatives, etc., and plate-shaped ones.
不透明な支持体として、アルミ、銅、鉛等の金)lul
i、前記高エネルギー線を透過する支持体の例の中で挙
げた材料を不透明化処理したものなどが挙げられる。As an opaque support, gold (aluminum, copper, lead, etc.) lul
i. Materials listed in the examples of supports that transmit high-energy rays may be treated to make them opaque.
ここで言う高エネルギー線とけ、光硬化性Mを効率良く
硬化させ得る、紫外光、遠紫外光、レーザー光等のこと
であり、軟X線、電子線等も本発明の光硬化性層を硬化
させるのkC有効である。The high-energy rays referred to here refer to ultraviolet light, deep ultraviolet light, laser light, etc. that can efficiently cure the photocurable M, and soft X-rays, electron beams, etc. can also be used to cure the photocurable layer of the present invention. The kC of curing is effective.
次いで、光硬化性層1層体を用いた画像形成方法につい
て説明する。すなわち、下記構造式〔A〕および〔B〕
で示される繰返し構造単位を含む化合物を必須成分とす
る光硬化性層と支持体および、場合により保護層とから
成る光硬化性積層体を画像形成用材料として用い、高エ
ネルギー線により画像形成露光を施し、次いで、該光硬
化性層の未露光部分を現像用液体で溶解もしくは分散除
去して支持体上に画像を形成させるととによ抄達成され
る0
〔A〕 〔B〕
(但し、(A)式中OR6、RtおよびCB)式中ノw
1x、 y、 zは前記と同じ〕
光硬化性層の未露光部分を溶解もしくは分散除去する際
に用い得る現像用液体としては、例えばアセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイノブチルケトン等のケトン類
、ギ酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等
のエステル類、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロ
ロエチレン、四塩化炭素等の塩素系炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭
化水素類、詐mエチレングリコールモノエチルエーテル
、酢酸3−メトキシブチル、酢酸ジエチレンクリコール
モノエチルエーテル等のエーテルエステル類、ジエチル
エーテル、ジオキサン−テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、または、これらの混合物が挙げられる。さらに、
上記現像用液体にメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル
等のアルコール類、ヘキサン、オクタン等の炭化水素類
および水等の光硬化性層に対する貧溶媒を混合すること
ができる。Next, an image forming method using a single photocurable layer will be described. That is, the following structural formulas [A] and [B]
A photocurable laminate consisting of a photocurable layer containing a compound containing a repeating structural unit shown as an essential component, a support, and optionally a protective layer is used as an image-forming material, and image-forming exposure is performed using high-energy radiation. The unexposed portions of the photocurable layer are then dissolved or dispersed in a developing liquid to form an image on the support. , (A) in the formula OR6, Rt and CB) in the formula w
1x, y, and z are the same as above] Examples of the developing liquid that can be used when dissolving or dispersing and removing the unexposed portion of the photocurable layer include acetone, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl ibutyl ketone, and methyl formate. , esters such as ethyl acetate, butyl acetate, and amyl acetate, chlorinated hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform, trichloroethylene, and carbon tetrachloride, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene, and xylene, and fraudulent ethylene. Examples include ether esters such as glycol monoethyl ether, 3-methoxybutyl acetate, and diethylene glycol monoethyl acetate, ethers such as diethyl ether, dioxane-tetrahydrofuran, and mixtures thereof. moreover,
Alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, and ethylene glycol monomethyl ether, hydrocarbons such as hexane and octane, and a poor solvent for the photocurable layer such as water can be mixed with the developing liquid.
本発明の光硬化性積層体は、現像性が良好な故に高い解
像力を有し、かつ露光後の硬化膜の機械的強度、恒久的
画像形成用基板との接着力、耐薬品性、耐メッキ性など
特に耐アルカリ性に優れるフォトレジスト材料として用
いられ、また銅スルーホール法、ハンダスルーホール法
いずれにおいても性能が優れ、かつ、このものを用いる
と高密度、高精密な印刷回路板の作製が容易であ妙、そ
の上印刷回路板作製工程が簡略化できるという利点があ
る。The photocurable laminate of the present invention has high resolution due to good developability, and the cured film after exposure has mechanical strength, adhesive strength with a permanent image forming substrate, chemical resistance, and plating resistance. It is used as a photoresist material with particularly excellent alkali resistance, and has excellent performance in both the copper through-hole method and the solder through-hole method. It is easy and elegant, and has the advantage of simplifying the printed circuit board manufacturing process.
殊に無電解銅メッキ法により回路を形成していくプロセ
スに有効であり、本発明の光硬化性積層体を用い回路を
形成する好ましい態様の−っは、基板上に該光硬化性積
層体をM層し、高エネルギー線により所望のパターンを
露光、現像した後、無電解鋼メッキ液により銅メッキを
行々い、しかる後、基板上に形成されているレジスト像
を剥離し、所定の回路を作製する事例が挙げられる。It is particularly effective in the process of forming a circuit by electroless copper plating, and a preferred embodiment of forming a circuit using the photocurable laminate of the present invention is to deposit the photocurable laminate on a substrate. After exposing and developing a desired pattern with high-energy rays, copper plating is performed using an electroless steel plating solution.Then, the resist image formed on the substrate is peeled off and a desired pattern is formed. An example is creating a circuit.
以下に実施例により具体的実施態様を示すが、これによ
し本発明を制限するものではない。Specific embodiments will be shown below with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
以下の合成例、実施例;参寺暑で用いた分析装置または
分析方法は下記のものである。The following synthesis examples and examples; The analytical apparatus and method used in Sanjisho are as follows.
GPC(ゲルパーミェーションクロマトグラフィー):
日−に4 AN’ ml ゼソプ= wyvssρT
’Ei’ +41−・ム−103、A−10μ直列、
標準ポリスチレン検2線による数平均分子量の測定。GPC (gel permeation chromatography):
4 AN' ml per day = wyvssρT
'Ei' +41-・mu-103, A-10μ series,
Measurement of number average molecular weight using two standard polystyrene detection lines.
NMR(核磁気共鳴スペクトに’) : JEOL%
JMR−axuoo型ET −NMR(4!00 MH
z )によル測定値。NMR (Nuclear Magnetic Resonance Spectrum): JEOL%
JMR-axuoo type ET-NMR (4!00 MH
z).
合成例1 グービニルスチレンオキサイドの合成攪拌機
、温度計を備えた/lの反応器に、p−ジビニルベンゼ
ン(コjg)、炭酸水素ナトリウム(ダOg)、トルエ
ン(弘oomt>を加え、内温を5℃に保持し、攪拌し
ながらメタクロロ過安、α香醗のトルエン溶液(too
9、μ0重iチ)を滴下した後、内温を5℃に保持しな
がら、10時間攪拌を続けた。反応終了後、反応液を炭
酸水票ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。乾燥剤を戸別後、トルエンを減圧下に留
去し、次いで蒸留精製し、グービニルスチレンオキシド
(/ Torrs 7 u’c)を得た。収QFitj
9であった。Synthesis Example 1 Synthesis of Govinylstyrene Oxide Into a /l reactor equipped with a stirrer and a thermometer, p-divinylbenzene (cojg), sodium hydrogen carbonate (daOg), and toluene (Hirooomt>) were added, and the internal temperature was was maintained at 5°C, and a toluene solution (too
After dropping 9.μ0 weight ichi), stirring was continued for 10 hours while maintaining the internal temperature at 5°C. After the reaction was completed, the reaction solution was washed with an aqueous sodium carbonate solution and dried over anhydrous magnesium sulfate. After removing the desiccant, toluene was distilled off under reduced pressure, and then purified by distillation to obtain gouvinyl styrene oxide (/Torrs 7 u'c). Collection QFitj
It was 9.
合成例2 g−ビニルスチレンエピスルフィドの合成
撹拌機、温度計を備えた/73のフラスコに1メタノー
ル(700mA)を加、+てお負、ダービニルスチレン
オキサイド(100g)を加え、内温をjoCない1−
10°Cに保持しながら、チオ尿素(3rg)を徐々に
加え、72時間攪拌を読けた。又応終了後、メタノール
を]縮留去し、残渣を水洗し、ψ−ビニルスチレンエピ
スルフィド(ta9) tr:IFJfc。Synthesis Example 2 Synthesis of g-vinylstyrene episulfide Add 1 methanol (700 mA) to a /73 flask equipped with a stirrer and a thermometer, add 100 g of divinyl styrene oxide (100 g), and bring the internal temperature to joC. No 1-
While maintaining the temperature at 10°C, thiourea (3rg) was gradually added and stirred for 72 hours. After the completion of the reaction, methanol was removed by condensation distillation, and the residue was washed with water to obtain ψ-vinylstyrene episulfide (ta9) tr:IFJfc.
生成物のプロトン核磁気共鳴スペクトルから・δ値で、
7−〜7.よ、乙、乙j、j、7乙、r、20.3.9
!〜ζ/!、コ、t〜3.0に各々4Z、 /、 /、
、/S2個分のプロトンが観測された。From the proton nuclear magnetic resonance spectrum of the product, the δ value is
7-~7. Yo, otsu, otsu j, j, 7 otsu, r, 20.3.9
! ~ζ/! , ko, 4Z at t~3.0, respectively, /, /,
, /S2 protons were observed.
合成例3 l−メチル−7、コージフェニルスチレン
(α−メチル−β−フェニルスチレン)攪拌機を備えた
/lのオートクレーブに、α−メチルスチレン(10m
mO1)、酢酸パラジウムCPd(OAc)2) (/
mmol )トリエチルアミ7 (/□mmol)、
ア−1=)ニトリル(soml)およびフェニルアイオ
ダイド(9j mmol)を加え、/ OO’Cで3j
時間加熱攪拌を行ない、次いで、反応液を冷却後、70
重」チの塩酸水溶液中に注ぎ、不溶物を戸別した後・溶
媒等を除却し、アルミナカラムで精製を行なった。得ら
れたもののNMRスペクトルはδ値7.0ンが観測され
た。Synthesis Example 3 l-methyl-7, cordiphenylstyrene (α-methyl-β-phenylstyrene) α-methylstyrene (10 m
mO1), palladium acetate CPd(OAc)2) (/
mmol) triethylamide 7 (/□mmol),
Add nitrile (soml) and phenyl iodide (9j mmol), add 3j at /OO'C
The reaction solution was heated and stirred for 70 hours, and then cooled.
After pouring into a heavy hydrochloric acid aqueous solution, removing insoluble matter and removing the solvent, it was purified using an alumina column. In the NMR spectrum of the obtained product, a δ value of 7.0 was observed.
合成例V
攪拌機、温度計、還流冷却器を備えた/lのセパラブル
フラスコに%精製したトルエン(uoorrd’Jを加
えておき、合成例1で得られたエポキシ化合物(乙og
> とスチレン(弘0り)を、攪拌下に加えα、α′−
アゾビスイソブチロニトリル(0,にg)を添加、内温
を77’(に保持しながら、窒素気流下Kr時間攪拌を
続けた。反応終了後、反応混合物を大量のメタノール中
に注ぎ一夜放置した。白色の沈殿物を戸別し、メタノー
ル洗浄した後、室温で減圧乾燥し、共重合体を得た。収
ffiは、r二りで・GPCから、その数平均分子量は
+7 t、000であった。Synthesis Example V To a /l separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a reflux condenser, % purified toluene (uoorrd'J) was added, and the epoxy compound obtained in Synthesis Example 1
> and styrene (Hiroori) were added under stirring to form α, α′-
Azobisisobutyronitrile (0,00 g) was added, and stirring was continued under a nitrogen stream for an hour while maintaining the internal temperature at 77'. After the reaction was complete, the reaction mixture was poured into a large amount of methanol and overnight. The white precipitate was separated, washed with methanol, and then dried under reduced pressure at room temperature to obtain a copolymer.The yield was determined by R2. From GPC, the number average molecular weight was +7 t,000. Met.
また1共電合体のプロトン核磁気共鳴スペクトルよりエ
ポキシ化合物が56モルチ含有されていることがわかっ
た。Furthermore, it was found from the proton nuclear magnetic resonance spectrum of the 1-coelectrolyte that it contained 56 moles of epoxy compound.
合成例j〜7
合成例3において、スチレンに代えて表/に示した単量
体を用いて共重合を行りい、各々表/Dて示した共重合
体を得た。Synthesis Examples J to 7 In Synthesis Example 3, copolymerization was performed using the monomers shown in Table/D in place of styrene to obtain copolymers shown in Table/D.
合成例!
攪拌機、滴下漏斗、および温度計を備えたコjのフラス
コに9紫置換し、乾燥したテトラヒドロフラン(soo
mt)とジイソプロピルアミン(200り)を入れ、0
°C1で冷却した。次いで、/j%n−ブチルリチウム
のヘキサン溶ff (,2007りE攪拌下滴下した。Synthesis example! A small flask equipped with a stirrer, a dropping funnel, and a thermometer was filled with 9 ml of dry tetrahydrofuran (SOO).
mt) and diisopropylamine (200 l), and
Cooled at 1 °C. Next, a solution of n-butyllithium in hexane was added dropwise with stirring.
温度をO’CK保持した1ま2−ビニルナフタレン(3
s9)を加え、p−ジビニルベンゼン(/、Sり)のテ
トラヒドロフラン(200Hd)溶液を30 m17n
r の速度で連続的に添加し、さらにg時間9六気流下
で攪拌を続けた。メタノール(3ornl)を添加した
後、反応混合物を大口のメタノール中に徐々に加えたと
ころ、白色の沈殿物が得られた。これを戸別し、水洗後
乾誌し、白色の固体(7r))を得た。この白色固体は
アセトン、酢酸工羊ル、トルエン、クロロホルム’4
ic A +3 テあった。QpCによって求めた数平
均分子]は31000テ:bった。N MRスペクトル
はδ値O0l〜3.0付近に/よ卆ピークとする福広D
1汲収、!?、0〜j、3およびj、r−J’J Kや
や尖った吸収、乙、θ〜7.乙KS≦、6および7.7
をそれぞれピークとする幅広の吸収が観測された。1-2-vinylnaphthalene (3
s9), and a solution of p-divinylbenzene (/, S) in tetrahydrofuran (200Hd) was added to 30ml 17n
The addition was continued at a rate of r 2 and stirring continued under a stream of air for an additional 9 g hours. After adding methanol (3 ornl), the reaction mixture was slowly added into a large mouth of methanol, resulting in a white precipitate. This was taken from house to house, washed with water, and dried to obtain a white solid (7r). This white solid consists of acetone, acetic acid, toluene, and chloroform.
ic A +3 There was. The number average molecule determined by QpC was 31,000 Te:b. N MR spectrum has a peak around δ value O0l~3.0 Fukuhiro D
1 collection! ? , 0~j, 3 and j, r-J'J K slightly sharp absorption, O, θ~7. Otsu KS≦, 6 and 7.7
Broad absorptions with respective peaks were observed.
上記の吸収の相対強度から、ジビニルベンゼンが10モ
ル%含まれることがわかった。次いで、温度計、攪拌機
をつけた100−の反応器に、上記で得られた化合物(
コ、6り)、塩化メチレン(30ml )、炭醗水素す
) IJウム(3,3g)を入れ、r ’CK冷却した
。メタクロロ過安息香酸<tg>を塩化メチレン(お−
)に溶解した液を攪拌しながら滴下した後、反応液を5
℃に保って2j時間攪拌した。From the above relative intensity of absorption, it was found that 10 mol% of divinylbenzene was contained. Next, the compound obtained above (
To the mixture were added methylene chloride (30 ml), carboxylic acid (3.3 g), and the mixture was cooled. Metachloroperbenzoic acid <tg> was mixed with methylene chloride (o-
) was added dropwise with stirring, and then the reaction solution was diluted with
The mixture was kept at ℃ and stirred for 2 hours.
反応液のメタクロロ過安息香酸がなくなったことをヨー
ド澱粉紙で確認した後、反応液を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で3回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。乾憧剤を戸別した後、塩化メチレンを減圧下留去す
ることにより白色の粉末(s、u9)を得た。これはト
ルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、クロロホル
ム等の有口溶媒;で易溶であった。GPCによって求め
fr、yM、平均分子Q 1−ta、zoooであった
。NMRスペクトルは、δ値O0t〜3.0付近K /
Jをピークとする幅広の吸収、r、r、 J、/、 3
.r、 、t、、z および!、7にやや幅広の吸収
、6.o〜7.7に4.≦および7.7をピークとする
幅広の吸収がi測された。After confirming with iodized starch paper that the metachloroperbenzoic acid in the reaction solution had disappeared, the reaction solution was washed three times with a saturated aqueous sodium bicarbonate solution and dried over anhydrous magnesium sulfate. After discharging the drying agent, white powder (s, u9) was obtained by distilling off methylene chloride under reduced pressure. This was easily soluble in oral solvents such as toluene, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, and chloroform. It was determined by GPC that fr, yM, average molecule Q1-ta, zoooo. The NMR spectrum has a δ value of O0t ~ around 3.0 K/
Broad absorption with peak at J, r, r, J,/, 3
.. r, ,t,,z and! , 7 slightly wide absorption, 6. o~7.7 to 4. A broad absorption with a peak of ≦ and 7.7 was measured.
合成例9
攪拌機、滴下漏斗および温度計を備えたコlのフラスコ
を窒素置換し、乾燥したテトラヒドロフラン(soom
t> とジイソプロピルアミン(3009) を入
れ、O″Cまで冷却した。次いで、/!%n−ブチルリ
チウムのヘキサン溶液(/911)mA)を攪拌下滴下
した。Synthesis Example 9 A small flask equipped with a stirrer, a dropping funnel, and a thermometer was purged with nitrogen, and dried tetrahydrofuran (soom
t> and diisopropylamine (3009) and cooled to O″C. Next, a hexane solution of /!% n-butyllithium (/911 mA) was added dropwise with stirring.
温度を0 @CK保持したまま9−ビニルアントラセン
(uOり)を加工、p−ジビニルベンゼン(≦Oり)の
テトラヒドロフラン(2oomt)溶液を3 o mt
/hrの速度で連続的だ添加し、さらKr時間窒素気流
下で攪拌を続けた。メタノール(3omりを添加した後
、反応混合物を大金のメタノール中に徐々に加えたとこ
ろ、白色の沈殿物が得られた。これを戸別;−1水洗後
乾燥し、白色の固体C32g、)を得が。この白色固体
は、アセトン、酢酸エチル、トルエン、クロロホルム等
に易溶であった。GPCKよって求めた数平均分子量け
lユOOOであった。9-vinylanthracene (uO) was processed while maintaining the temperature at 0 @CK, and a solution of p-divinylbenzene (≦O) in tetrahydrofuran (2oomt) was heated to 3 o mt.
The mixture was added continuously at a rate of Kr/hr, and stirring was continued under a nitrogen stream for an additional Kr hour. After adding methanol (3 ml), the reaction mixture was gradually added to Daikane's methanol, and a white precipitate was obtained. I got it. This white solid was easily soluble in acetone, ethyl acetate, toluene, chloroform, and the like. The number average molecular weight determined by GPCK was 0OO.
NMRスペクトルはδ値o、r 〜J、O付近′/Cy
、rをピークとする幅広の吸収、!r、0− j、Jお
よびj、!〜s、rにやや尖った吸収、1.0〜7.6
に、≦、tおよび7.7をそれぞれピークとする幅広の
吸収が観測された。The NMR spectrum has a δ value of o, r ~ J, near O'/Cy
, broad absorption with a peak at r,! r, 0− j, J and j,! ~ Slightly sharp absorption in r, 1.0-7.6
Broad absorption with peaks at ≦, t and 7.7, respectively, was observed.
上記の吸収の相対強度から、ジビニルベンゼンがroモ
ル%含まれることがわかった。From the above relative intensity of absorption, it was found that ro mol% of divinylbenzene was contained.
合成例10%l/、12
合成例9において、9−ビニルアントラセンに代え、表
/に示したモノマーを用いる他は全く同様に反応を行な
い、共重合体を得た。Synthesis Example 10%l/, 12 A copolymer was obtained by carrying out the reaction in exactly the same manner as in Synthesis Example 9, except that the monomers shown in Table 1 were used instead of 9-vinylanthracene.
合成例13
攪拌機、温度計を備えた/lのフラスコに、メタノール
洗浄後エy (20/ r OV/V )を加えチオき
、合成例qで得られた共重合体(100り)を溶解し、
内温を!ないし10′Cに保持し慶から、チオ尿素(6
oり)を徐々に加え、72時間攪拌を続けた。反応終了
後、不溶物を戸別し、次いで、同波を大量のメタノール
中に注ぎ、自沈物を戸別、水洗、乾燥し、白色固体(g
4g)を得た。GPCKより求めた数平均分子量は、y
r、oooであったO核磁気共鳴スペクトルより、エポ
キシ基、エピスルフィド基が各々、lA2.33モル%
含有していることがわかった。Synthesis Example 13 After washing with methanol, add Ey (20/r OV/V) to a /l flask equipped with a stirrer and a thermometer, and dissolve the copolymer (100 liters) obtained in Synthesis Example q. death,
Internal temperature! Thiourea (6
(original liquid) was gradually added, and stirring was continued for 72 hours. After the reaction is complete, the insoluble matter is removed from each house, and the same wave is then poured into a large amount of methanol.
4g) was obtained. The number average molecular weight determined from GPCK is y
From the O nuclear magnetic resonance spectrum of r, ooo, the epoxy group and episulfide group were each 2.33 mol% of lA.
It was found that it contained
合成例7μ
攪拌機、温度計、還流冷却器を備えた/lのセパラブル
フラスコに、精製したトルエン(4!oOttrl)を
加えておき、合成例λで得られたエピスルフィド化合物
(ψ09)とスチレン(to’;l)を攪拌下に加え、
α、α′−アゾビスイソブチロニトリル(/9)を添加
し、内温を70″Cに保持しながら、窒素気流下に7時
間攪拌を続けた。反応終了後、反応混合物を大量のメタ
ノール中に注ぎ、−夜放霞した。Synthesis Example 7 μ Purified toluene (4!oOttrl) was added to a /l separable flask equipped with a stirrer, thermometer, and reflux condenser, and the episulfide compound (ψ09) obtained in Synthesis Example λ and styrene ( to'; l) under stirring,
α, α′-Azobisisobutyronitrile (/9) was added, and stirring was continued for 7 hours under a nitrogen stream while maintaining the internal temperature at 70″C. After the reaction was completed, the reaction mixture was poured into a large amount of Poured into methanol and allowed to evaporate overnight.
白色の沈殿物を戸別し、メタノール洗浄後、室温で減圧
乾燥し、共重合体を得た。収量は≦rりで、GPCから
、その数平均分子量は−J、Q 00であった。The white precipitate was separated, washed with methanol, and dried under reduced pressure at room temperature to obtain a copolymer. The yield was ≦r, and the number average molecular weight was -J,Q00 according to GPC.
また、共重合体のプロトン核磁気共鳴スペクトルから、
エピスルフィド化合物が31rモル係含まれていること
がわかった。Also, from the proton nuclear magnetic resonance spectrum of the copolymer,
It was found that 31 mol of episulfide compound was contained.
合成例1り、lt
合成例/IIにおいて、スチレンに代え、表1に示す単
量体を用いる他は同様Kff応、後処理をして重合体を
得た。Synthesis Example 1, lt A polymer was obtained by carrying out the Kff reaction and post-treatment in the same manner as in Synthesis Example/II, except that the monomers shown in Table 1 were used instead of styrene.
合成例17
合成例弘において、エポキシ化合物に3−ビニルスチレ
ンオキシド(30り)およびスチレン(70り)を用い
る他は全く同様に反応および後処理を行ない、共重合体
を得た(yr9)。GPCからその数平均分子量はコ3
.oooであり、プロトン核磁気共鳴スペクトルより、
エポキシ基が25モル%含まれることがわかった。Synthesis Example 17 A copolymer (yr9) was obtained by carrying out the reaction and post-treatment in exactly the same manner as in Synthesis Example Hiroshi, except that 3-vinylstyrene oxide (30%) and styrene (70%) were used as the epoxy compounds. From GPC, its number average molecular weight is 3
.. ooo, and from the proton nuclear magnetic resonance spectrum,
It was found that 25 mol% of epoxy groups were contained.
合成例it
合成例9において、p−ジビニルベンゼンに代え、市販
のジビニルベンゼン(,1にi量% 、 m 一体/p
一体比 73;/2!;)を用いる也は全く同様に反応
および後処理精製を行ない、共重合体を得た。GPCに
より、その数平均分子量は3/、000であった。Synthesis Example it In Synthesis Example 9, p-divinylbenzene was replaced with commercially available divinylbenzene (i amount % in 1, m unit/p
Integral ratio 73;/2! ;) was used, the reaction and post-treatment and purification were carried out in exactly the same manner to obtain a copolymer. As determined by GPC, its number average molecular weight was 3/,000.
実施例/ −/≦
攪拌機を備えたllのセパラブル7ラヌコに、必須成分
である(a)成分、熱可塑性樹脂としての(b)成分、
および、光硬化性化合物として(c)成分、また、開始
剤および溶媒、さらに必要に応じて、染料を各々表2に
示した割合で加え、75時間攪拌を行ない、各々混合物
を調製した。Example/-/≦ In a 11 separable 7 Lanuko equipped with a stirrer, component (a) which is an essential component, component (b) as a thermoplastic resin,
Component (c) as a photocurable compound, an initiator, a solvent, and, if necessary, a dye were added in the proportions shown in Table 2, and stirred for 75 hours to prepare each mixture.
次いで、支持体としての3rμ厚みのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にブレードコーターを用いて、前
記混合物を塗布した後、75分間10℃の熱風炉で乾燥
した。得られた光硬化性層の厚みは、各々表λに示した
とおりである。Next, the mixture was applied onto a polyethylene terephthalate film having a thickness of 3 rμ as a support using a blade coater, and then dried in a hot air oven at 10° C. for 75 minutes. The thicknesses of the obtained photocurable layers are as shown in Table λ.
さらに、上記で得られた光硬化性積層体を、鋼張ゆガラ
スエポキシ稙層板にlrO″Cの加圧ロールで圧着した
。この積層体にネガマスクフィルムを通して超高圧水銀
ランプ(オーク製作所、フェニックス3ooo型)によ
り、表3に示した照射も1で露光を行なった。次いで、
スプレーノズルを用いハハ/−)リクロロエタンを表3
に示した時間噴射させ、未露光部分を溶解除去せしめた
ところ、各々良好な画像を得た。Furthermore, the photocurable laminate obtained above was pressed onto a steel-clad glass epoxy laminate using an lrO''C pressure roll.A negative mask film was passed through this laminate using an ultra-high pressure mercury lamp (Oak Seisakusho, Exposure was carried out using a Phoenix 3ooo type) with the irradiation shown in Table 3.
Table 3 Haha/-)lichloroethane using a spray nozzle
When spraying was performed for the time indicated in , the unexposed portions were dissolved and removed, and good images were obtained in each case.
次いで、画像(100μm角パターン100個×lOO
個)が形成された基板をpH/s、湿度10″Cの水酸
化ナトIJウム水溶液VCLIO時間浸漬した後のパタ
ーン残存率をもって耐アルカリ性試験とした。その結果
も併せて表3に示した。Next, the image (100 100 μm square patterns × lOO
The pattern survival rate after immersing the substrate on which the pattern was formed was immersed in a sodium hydroxide aqueous solution VCLIO at pH/s and humidity 10''C was used as an alkali resistance test.The results are also shown in Table 3.
比軟例/、2
以下の組成で調製した混合物を用い、実施例と同様に画
像形成、耐アルカリ性試験を行々った。Ratio example/2 Using a mixture prepared with the following composition, image formation and alkali resistance tests were conducted in the same manner as in the examples.
結果は表3に示したとおりである。The results are shown in Table 3.
比較例/の組成
デルペット 70H、!009
トリメチロールプOzsントリアクリレート 、2
20gベンゾフェノン rgミヒラー
ズケトン o、1gダイヤレジ/ブルー
P λりM E K
3009比較例2の組成
スタイoン GP≦r3r o O(1トリメチロール
プロパントリアクリレ−) 1rOQベンゾフ
エノン ?クミヒラーズケトン
o、rりM E K
3009(以下余白)
注:
(b) 成 分
b−/ 旭化成工業株式会社製 スタイロンGP≦
Ifeb−一 同 社 製 アサフレックス AF
X−to。Comparative Example/Composition of Delpet 70H,! 009 Trimethylol triacrylate, 2
20g benzophenone rg michler's ketone o, 1g dial cashier/blue
P λri M E K
Composition of 3009 Comparative Example 2 GP≦r3ro O (1 trimethylolpropane triacrylate) 1rOQ benzophenone? Kumihiraz Ketone
o, rri M E K
3009 (blank below) Note: (b) Component b-/ Asahi Kasei Corporation Styron GP≦
Ifeb-1 Asaflex AF manufactured by the same company
X-to.
b−J 三菱レイヨン株式会社製 アクリベット(
c) 成 分
c−/ 東亜合成化学工業株式会社(以下東亜合成
と略)製[アロニツクスM−3osj(主成分:ペンタ
エリトリトールトリアクリレート)
C−一 日本化薬株式会社製rD−330J(主成分
;ジペンタエリトリトールトリアクリレート)c −3
共栄社油脂化学工業株式会社(以下共栄社油脂と略)製
「エポキシエステル70PAJ(主成分;プロピレング
リコールジグリシジルエーテル・アクリル酸付加物)
C−≠ 大阪有機化学工業株式会社(以下大阪有機化
学と略[Jrビスコート 370(7)(主成分;ビス
(/、j−ベンタンジオール)無水フタル酸−アクリル
醗エステル)
c−! 共栄社油脂以「エポキシエステルBP−<c
PAJc −6東亜合成部「アロニツクスrlooJ
(多官能アクリル酸エステル)
開 始 剤
1−/ −Lμmジイソプロピルチオキサントン1
−2 ψ−(ジメチルアミノ> 安息番mイソプロ
ピル1−J ベンゾフェノン
■−up、u′−(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン!
−4フルオレイン
I −t ジメチルベンジルケタール■−7トリフ
ェニルホスフィン
r −r tA−クロルチオキサントン1−q
tl−(ジメチルアミノ)安α香酸エチル1−10
’l−クロルベンゾフェノン染 料b-J Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Acrybet (
c) Component c-/ Manufactured by Toagosei Chemical Co., Ltd. (hereinafter abbreviated as Toagosei) [Aronix M-3osj (main component: pentaerythritol triacrylate) C-1 rD-330J (main component) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. ; dipentaerythritol triacrylate) c-3
"Epoxy ester 70PAJ (main component: propylene glycol diglycidyl ether acrylic acid adduct)" manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo Co., Ltd. (hereinafter abbreviated as Kyoeisha Yushi) C-≠ Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. (hereinafter abbreviated as Osaka Organic Kagaku) Jr Viscoat 370 (7) (Main component: Bis(/, J-bentanediol) phthalic anhydride-acrylic ester) c-! Kyoeisha Yushii "Epoxy ester BP-<c
PAJc-6 Toagosei Club “Aronix rloooJ
(Polyfunctional acrylic acid ester) Initiator 1-/-Lμm diisopropylthioxanthone 1
-2 ψ-(dimethylamino> rest number m isopropyl 1-J benzophenone ■-up, u'-(dimethylamino)benzophenone!
-4 Fluorine I -t Dimethylbenzyl ketal -7 Triphenylphosphine r -r tA-Chlorthioxanthone 1-q
Ethyl tl-(dimethylamino)benαzoate 1-10
'l-Chlorbenzophenone dye
Claims (2)
、下記構造式〔A〕および〔B〕で示される繰返し構造
単位を含む化合物を必須成分とすることを特徴とする光
硬化性積層体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔A〕 ▲数式、化
学式、表等があります▼〔B〕 〔但し、〔A〕式中、R_0はビニル基、エポキシ基も
しくたエピスルフィド基を表わし、R_1は水素、炭素
数1ないし6のアルキル基、もしくはハロゲンを表わす
。また、R_1およびR_0は主鎖の炭素原子に対して
、オルト、メタ、またはパラ位のいずれかに置換する。 〔B〕式中のW、X、YおよびZは各々水素、ハロゲン
、シアノ基、炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数1
ないし6のハロゲン化アルキル基、炭素数1ないし6の
アルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によって置換
された炭素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を
含む基によって置換された炭素数6ないし30のアリー
ル基、炭素数6ないし30のアリール基、−COOR_
2、−COR_2、−O−COR_2(R_2は炭素数
/ないし/2のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル
基、炭素数1ないし6のアルキル基もしくはハロゲン化
アルキル基で置換された炭素数6ないし30のアリール
基、ケイ素原子を含む基によって置換された炭素数6な
いし30のアリール基、または炭素数6ないし30のア
リール基)、ニトロ基、ケイ素原子を含む基、またはR
_3(R_3は水素、水酸基、カルボキシル基、ハロゲ
ン、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、炭素数1ないし6
のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、または炭
素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を含む基)
で置換されたヘテロ環を含む置換基を表わす〕(1) It consists of a photocurable layer and a support, and the photocurable layer contains as an essential component a compound containing a repeating structural unit represented by the following structural formulas [A] and [B]. Photocurable laminate. ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [A] ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [B] [However, in [A] formula, R_0 represents a vinyl group, epoxy group, or episulfide group, R_1 represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or halogen. Further, R_1 and R_0 are substituted at the ortho, meta, or para position relative to the carbon atom of the main chain. [B] In the formula, W, X, Y and Z are each hydrogen, halogen, cyano group, alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 1 carbon number.
a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted by an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted by a group containing a silicon atom; group, aryl group having 6 to 30 carbon atoms, -COOR_
2, -COR_2, -O-COR_2 (R_2 is an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms or a halogenated alkyl group, a halogenated alkyl group having 6 to 30 carbon atoms substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group) an aryl group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted with a group containing a silicon atom, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms), a nitro group, a group containing a silicon atom, or R
_3 (R_3 is hydrogen, hydroxyl group, carboxyl group, halogen, nitro group, amino group, cyano group, carbon number 1 to 6
an alkyl group or a halogenated alkyl group, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a group containing a silicon atom)
Represents a substituent containing a heterocycle substituted with]
構造単位を含む化合物を必須成分とする光硬化性層と支
持体とから成る光硬化性積層体を画像形成用材料として
用い、高エネルギー線により画像形成露光を施し、次い
で、該光硬化性層の未露光部分を現像用液体で溶解もし
くは分散除去して支持体上に画像を形成させることを特
徴とする画像形成方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔A〕 ▲数式、化
学式、表等があります▼〔B〕 〔但し、〔A〕式中、R_0はビニル基、エポキシ基も
しくはエピスルフィド基を表わし、R_1は水素、炭素
数1ないし6のアルキル基、もしくはハロゲンを表わす
。また、R_1およびR_0は主鎖の炭素原子に対して
、オルト、メタ、または、パラ位のいずれかに置換する
。 〔B〕式中のW、X、YおよびZは各々水素、ハロゲン
、シアノ基、炭素数/ないし6のアルキル基、炭素数1
ないし6のハロゲン化アルキル基、炭素数1ないし6の
アルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によって置換
された炭素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を
含む基によって置換された炭素数6ないし30のアリー
ル基、炭素数6ないし30のアリール基、−COOR_
2、−COR_2、−O−COR_2(R_2は炭素数
1ないし12のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル
基、炭素数1ないし6のアルキル基もしくはハロゲン化
アルキル基で置換された炭素数6ないし30のアリール
基、ケイ素原子を含む基によって置換された炭素数6な
いし30のアリール基、または炭素数6ないし30のア
リール基)、ニトロ基、ケイ素原子を含む基、または、
R_3(R_3は水素、水酸基、カルボキシル基、ハロ
ゲン、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、炭素数1ないし
6のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、または
炭素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を含む基
)で置換されたヘテロ環を含む置換基を表わす〕(2) Using a photocurable laminate comprising a support and a photocurable layer containing as an essential component a compound containing a repeating structural unit represented by the following structural formulas [A] and [B] as an image forming material, 1. An image forming method comprising performing image forming exposure with high energy rays, and then dissolving or dispersing and removing the unexposed portions of the photocurable layer with a developing liquid to form an image on a support. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼[A] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼[B] [However, in the formula [A], R_0 represents a vinyl group, epoxy group, or episulfide group, and R_1 represents a Represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or halogen. Moreover, R_1 and R_0 are substituted at either the ortho, meta, or para position with respect to the carbon atom of the main chain. [B] In the formula, W, X, Y and Z are each hydrogen, halogen, cyano group, alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 1 carbon number.
a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted by an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted by a group containing a silicon atom; group, aryl group having 6 to 30 carbon atoms, -COOR_
2, -COR_2, -O-COR_2 (R_2 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a halogenated alkyl group, an aryl having 6 to 30 carbon atoms substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group) group, a aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted with a group containing a silicon atom, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms), a nitro group, a group containing a silicon atom, or
R_3 (R_3 includes hydrogen, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen, a nitro group, an amino group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a silicon atom) Represents a substituent containing a heterocycle substituted with a group)]
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61231058A JPS6385538A (en) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | Photosettable laminated body and picture image forming method using thereof |
| US07/096,479 US4839261A (en) | 1986-09-29 | 1987-09-15 | Photocurable laminate |
| GB8721966A GB2196639B (en) | 1986-09-29 | 1987-09-18 | Radiation-curable material |
| FR878713384A FR2604534B1 (en) | 1986-09-29 | 1987-09-28 | LAMINATED PHOTOSETTING PRODUCT, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND PRINTED CIRCUIT USING THE SAME |
| KR1019870010861A KR910003964B1 (en) | 1986-09-29 | 1987-09-29 | Photocurable laminate |
| DE19873732801 DE3732801A1 (en) | 1986-09-29 | 1987-09-29 | PHOTO-CURABLE LAYER MATERIAL, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND PRINTED CIRCUIT MANUFACTURED WITH THE HELP |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61231058A JPS6385538A (en) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | Photosettable laminated body and picture image forming method using thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385538A true JPS6385538A (en) | 1988-04-16 |
Family
ID=16917625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61231058A Pending JPS6385538A (en) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | Photosettable laminated body and picture image forming method using thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6385538A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02500152A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-18 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | Silicon-containing negative resist materials and processing methods for patterning substrates |
| JPH0318855A (en) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Image forming method |
| WO2013047305A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 新日鐵住金化学株式会社 | Photosensitive resin composition, and dry film resist |
| JPWO2015125518A1 (en) * | 2014-02-24 | 2017-03-30 | 株式会社スリーボンド | Photocurable composition |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103512A (en) * | 1981-11-30 | 1983-06-20 | チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト | Photosensitive polymer |
| JPS5912434A (en) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Manufacture of printed wiring board |
| JPS5953838A (en) * | 1982-08-21 | 1984-03-28 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | Operation method with negative for manufacturing relief image or resist pattern |
| JPS59160138A (en) * | 1983-03-03 | 1984-09-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel resist material |
| JPS59160137A (en) * | 1983-03-03 | 1984-09-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel resist material |
| JPS60236284A (en) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | 日立化成工業株式会社 | Method of producing printed circuit board |
| JPS6122340A (en) * | 1984-07-11 | 1986-01-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Resist material |
| JPS6131409A (en) * | 1984-07-23 | 1986-02-13 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel episulfide compound and preparation thereof |
| JPS61143746A (en) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel high-energy ray sensitive material |
| JPS61177448A (en) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | Photosensitive resin composition |
| JPS61177449A (en) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | Photosensitive resin composition |
| JPS61199691A (en) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | 日立化成工業株式会社 | Manufacture of printed wiring board |
| JPS62273221A (en) * | 1986-05-20 | 1987-11-27 | Nippon Soda Co Ltd | Photocurable resist resin composition for electroless plating |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61231058A patent/JPS6385538A/en active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103512A (en) * | 1981-11-30 | 1983-06-20 | チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト | Photosensitive polymer |
| JPS5912434A (en) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Manufacture of printed wiring board |
| JPS5953838A (en) * | 1982-08-21 | 1984-03-28 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | Operation method with negative for manufacturing relief image or resist pattern |
| JPS59160138A (en) * | 1983-03-03 | 1984-09-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel resist material |
| JPS59160137A (en) * | 1983-03-03 | 1984-09-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel resist material |
| JPS60236284A (en) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | 日立化成工業株式会社 | Method of producing printed circuit board |
| JPS6122340A (en) * | 1984-07-11 | 1986-01-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Resist material |
| JPS6131409A (en) * | 1984-07-23 | 1986-02-13 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel episulfide compound and preparation thereof |
| JPS61143746A (en) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel high-energy ray sensitive material |
| JPS61177448A (en) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | Photosensitive resin composition |
| JPS61177449A (en) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | Photosensitive resin composition |
| JPS61199691A (en) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | 日立化成工業株式会社 | Manufacture of printed wiring board |
| JPS62273221A (en) * | 1986-05-20 | 1987-11-27 | Nippon Soda Co Ltd | Photocurable resist resin composition for electroless plating |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02500152A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-18 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | Silicon-containing negative resist materials and processing methods for patterning substrates |
| JPH0318855A (en) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Image forming method |
| WO2013047305A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 新日鐵住金化学株式会社 | Photosensitive resin composition, and dry film resist |
| JPWO2015125518A1 (en) * | 2014-02-24 | 2017-03-30 | 株式会社スリーボンド | Photocurable composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4416975A (en) | Photopolymerization process employing compounds containing acryloyl groups and maleimide groups | |
| EP0999473B1 (en) | Photosensitive layer | |
| JP2010160419A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive film, method for forming resist pattern and permanent resist using the same | |
| JP3765272B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| TW201426185A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method of forming resist pattern, and method of producing printed wiring board | |
| KR910003964B1 (en) | Photocurable laminate | |
| WO2003073168A1 (en) | Photosensitive resin composition, process for forming photosensitive elements or resist patterns with the same, and process for production of printed wiring boards | |
| US4454219A (en) | Photosensitive resin composition comprised of a polymer obtained from an aliphatic amino group-containing monomer as a comonomer | |
| JP6332028B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method, and touch panel manufacturing method | |
| KR20130073509A (en) | Photosensitive resin composition for dry film photoresist | |
| JPS6385538A (en) | Photosettable laminated body and picture image forming method using thereof | |
| JP4230227B2 (en) | Photopolymerizable resin composition | |
| JPS61167941A (en) | Highly sensitive polyamideester photoresist composition | |
| US4980266A (en) | Photosensitive resin composition | |
| TW200521624A (en) | Negative blue-violet laser photosensitive composition, image forming material, image former and method of image formation | |
| JP4488875B2 (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive resin composition layer-containing laminate | |
| JP2004302049A (en) | Photosensitive resin composition | |
| CN117693714A (en) | Photosensitive composition, photosensitive element, and method for producing wiring board | |
| JPS6022341B2 (en) | Method of forming resist image by peeling | |
| KR20180077724A (en) | Photosensitive resin composition for dry film photoresist | |
| JPH03223759A (en) | Photosensitive composition | |
| JPH01263646A (en) | Photocurable composition for novel electroless plating | |
| JPH02311846A (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive laminate using the same | |
| JPS61223836A (en) | Photosensitive resin composition and its laminate | |
| JPH02264257A (en) | Novel photosetting composition |