JPS6385538A - 光硬化性積層体およびそれを用いた画像形成方法 - Google Patents

光硬化性積層体およびそれを用いた画像形成方法

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JPS6385538A
JPS6385538A JP61231058A JP23105886A JPS6385538A JP S6385538 A JPS6385538 A JP S6385538A JP 61231058 A JP61231058 A JP 61231058A JP 23105886 A JP23105886 A JP 23105886A JP S6385538 A JPS6385538 A JP S6385538A
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JP
Japan
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carbon atoms
alkyl group
substituted
aryl
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JP61231058A
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English (en)
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Nobuo Nakasaki
中崎 展男
Hideo Ai
愛 英夫
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
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    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な光硬化性積層体およびそれを用いた画
像形成方法に関し、さらに詳しくいえば印刷回路板の製
造、印刷用原版の製造および保護被膜形成などに有用な
、殊に耐酸性、耐アルカリ性に優れた特性を有する光硬
化性積層体、々らびに該光硬化性積層体を用いて恒久的
画像形成用基板表面にレジスト像を形成させるための新
規な方法に関するものである。
本発明でいう恒久的画像形成用基板とは、その基板表面
に形成されたレジスト像を保護膜とし、エツチングまた
は、メッキにより基板自体に画像が形成されるもの、も
しくは上記レジスト像自体が基板上で画像となっている
ものであり、具体的しては銅張積層板、金属板、グラス
チックフィルム等である。また、レジスト像とは光重合
性化合物の光重合によって、基板表面に形成された画像
である。
〔従来の技術〕
現在、印刷回路板の製造方法は、次の三法に大別される
。す々わち、銅張積層板上に形成されたレジスト像を保
護膜としてエツチング等Gてより所定の回路を作成して
いぐサブトラクティブ法、絶縁板上に所定のレジスト像
を形成し、化学銅メッキを行ない回路を形成していくフ
ルアディティブ法、および両者の中間的な手法であるセ
ミアディティブ法が挙げられる。これらの中で、現在は
サブトラクティブ法が主流を々しているが、基板の高密
度化、高信頼性化の要求が高まっている技術趨勢の中で
、高アスペクト比ホール、小径ホール等のスルーホール
メッキがましいという欠点を有し、さらに1製造工程が
長く複雑であることがらもセミアディティブ法、フルア
ディティブ法が急速に注目されてきている。一方、各々
の方法に応じて多種多様の光硬化型レジスト材料が開発
されてきており、印刷回路板製造用として様々な特性が
要求されている。これら諸特性として、感度、解像力と
いったリソグラフィー特性はもとより、耐熱性、機械的
強度、耐歳性、耐アルカリ性といった特性が挙げられる
。中でも耐無電解メッキ浴性能、とりわけ、高耐アルカ
リ性能が重要となっている。
従来、アディティブ法グロセスに用い得る光硬化型レジ
スト、とりわけ、セミアディティブ法プロセス用のドラ
イフィルム状フォトレジストは十分々性能を有しておら
ず、メッキ時のレジスト像の基板からのズレ、剥離、ま
た、現像液として/。
/、 / −)リクロロエタンが使用でき々かったり、
解像力が低かったりする等の問題があり、使用に耐え得
るものではない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明者らは、こうした技術動向を踏まえ、鋭意検討を
重ねた結果、耐酸性〜耐アルカリ性、耐熱性、機械的強
度に優れた剥離可能な、殊に高耐アルカリ性を有するが
故に無電解銅メッキ法により回路を形成していくプロセ
スに有効な光硬化性積層体および該光硬化性′mM体を
用い恒久的画像形成用基板上にレジスト像を形成するた
めの方法を見い出し、本発明をなすに至った。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、光硬化性層と支持体とから成り、該光硬化性
層が、下記構造式〔A〕および〔B〕で示される繰返し
構造単位を含む化合物〔以下、化合物(a)と称する〕
を必須成分とすることを特徴とする光硬化性積層体に関
するものである。
よ−〇 (A)        (B) 〔但し、〔A1式中、Roはビニル基、エポキシ基もし
くはエピスルフィド基を表わし、R1は水素、炭!ll
数7ないし乙のアルキル基、もしくはハロゲンを表わす
。また、R8およびRoは主鎖の炭素原子に対して、オ
ルト、メタ、または、パラ位のいずれかに置換する。
CB)式中のw、 x、 yおよび2は各々、水素、ハ
ロゲン、シアン基、炭素数lないし乙のアルキル基、炭
素数lないし乙のハロゲン化アルキル基、炭素数/ない
し乙のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によっ
て置換された炭素数乙ないし30のアリール基、ケイ素
原子を含むUによって4換された炭素@3ないし30の
アリール基、炭1数、4ないしJO17)7リール基、
−COOR2、−COR2、−〇−COR,(Rzは炭
!!′I&/&いし/コのアルキル基もしくけハロゲン
化アルキル基、炭素v!、/ないし乙のアルキル基もし
くけハロゲン化アルキル基で置換された炭素数乙ないし
30のアリール基、ケイ素原子を含む基によってl??
換された炭素数乙ないし30の了り−ル基、または炭素
数tないし30のアリール基)、ニトロ基、ケイ素原子
を含む基、または、R3(Rsけ水素、水酸基、カルボ
キシル基、ハロゲン、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、
炭素rklないし乙のアルキル基もしくはハロゲン化ア
ルキル基、または炭素数6ないし30のアリール基、ケ
イ素原子を含む基)で置換されたヘテロ囚を含む置換基
を表わす〕 本発明の光硬化性積層体における光硼化性jは必須成分
として、化合物(a)を含むものであって、一般的には
1ないし99重i%含有するが、支持体との接着性、安
定性の面で7カいしqり重fチが好ましく、さらに好ま
しくは、!ないし90重量%であり、基板との密着性、
耐薬品性等の諸物性を考慮すると、りないしgo重ic
%が特に好ましい範囲である。
化合物(a)の数平均分子量はrooないし/、000
.000が一般的で、感度、解像度の面から3.000
ないし5oaoooが好ましい。
化合物(a)の式(A)中、R1には水素、炭素数/な
いし乙のアルキル基またはハロゲンを用い得るが、水素
が好ましい。
式(A)中、ROにはビニル基、エポキシ基もしくはチ
イラニル茎を用い得る。これらの選択にあたり各官能基
の反応性、硬化後の保護膜としてのレジスト像の諸物性
を考慮すべきである。例えば、恒久的画像形成用基板と
の密着性が要求される場合、エポキシ基もしくはチイラ
ニル基が一般的で、高感度、機械的強度が要求される場
合!では、ビニル基が一般的である。
式〔A)中、Roは主鎖の炭素原子に対して、オルト、
メタ、甘たけパラ位のいずれの位置でもとり得るが、感
度の点からはメタ位もしくはパラ位が好オしい。
構造式〔A〕で示される繰返し構造単位は一種類である
必要はか<、二種類以上のものを適当な比率で用いるこ
とにより、各々の特徴を合わせもつ、より総合的な性能
の高いレジスト材料を作ることができる。
化合物(a)の構造式(B)で示される繰返し構造単位
におけるw、 x、 yおよび2は各々、水素、ハロゲ
ン、シアノ基、炭素数/ないしtのアルキル基、炭素数
/ないし乙のハロゲン化アルキル基、炭素数7ないし乙
のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によって置
換された炭素数乙ないし3゜の了り−ル基、ケイ素原子
を含む基によって置換された炭素数乙ないし30のアリ
ール基、炭素数乙ないし30のアリール基、−COOR
,、−COR2、−OC0Rz (Rzけ炭素数/ない
し/−のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、炭
*’l&/ないし乙のアルキル基もしくはハロゲン化ア
ルキル基で置換された炭素数6ないし30のアリール基
、ケイ走原子を含む基によって置換された炭素数6々い
し30のアリール基、まだは炭素数6ないし3゜のアリ
ール基)、ニトロ基、ケイ素原子を含む基、または、R
3(R3は水素、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン、
ニトロ基、アミン基、シアノu、is数/&いし乙のア
ルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、または、炭素
数6ないし3oの了り−ル基、ケイ素原子を含む基)で
置換されたベテロ環を含む置換基を用い得る。以下に、
これらの−般例を示すが、これにより本発明が#JJ限
を受けるものではない。
ハロゲンの一般例として、弗素、塩素、臭素、ヨウ素が
挙げられ、炭素数lないし乙のアルキル基として、メチ
ル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、イソプロピル
基、tere−ブチル基、シクロヘキシル基等であり、
炭素数/ないし乙のハロゲン化アルキル基として、り0
ロメチル3、s、−2゜−一トリクロロエチル基等であ
り、炭素数≦hいし30のアリル基の例としては、置換
フェニル基、f1換インデニル基、置換ナフチル基、置
換アズレニル基、置換へブタレニル基、置換ビフェニレ
ニル基、は換aS−インダセニル基、置換6−インダセ
ニル基、置換アセナフチニル基、置換フルオレニルu、
ammフェノンリル基、置換アントリル基、置換フルオ
ルアントリル基、置換アセアントリレニルu ’ E’
1 m )リフエニレニル基、置換ピレニル基、置換ク
リセニル基、置換ナツタセニル基、は換ビセニル基、q
t換ペリレニル基、置換ペンタフェニル基、置換ペンタ
セニル基、置換テトラフェニレニル基、fdtxへキサ
フェニル基、r!1換ルビセニル基、置換コロネル基、
ロ換トリナフチレニル基、置換へ/タフェニル基、置換
へブタセニル基、tQ換ピラントレニル基等であり、ケ
イ素原子を含む基としては、下記の(1)〜(38)を
挙げることができる。
−8l (−CH* ・CaHs )s       
 Sl + C6Hs )3αd+         
       01)(ロ)         (ロ)
           (!姉に)         
06)         α乃(ロ))       
          (2))に)         
     (21)@             (ハ
) (ロ)              に)に)    
           (ロ)(ロ)        
       (ロ)こ (52)               (5階(9)
             いり(ロ)       
      (@さらに、R1で置換されたヘテロ環を
含む置換基の一般例として、下記構造式群の(1)ない
しく31)を挙げることができる。
(4)      (5)       (a)I3 (ロ))          0荀         
(ロ)(+6)           (17)   
      (財)殉 C:I!J)            (イ)    
     (ロ)馬 (拗        (に)        (ロ)(
(へ)        (→        (6)(
ロ)         (ト)       (ト)〔
但し、各構造式中、n ViOもしくは/を表わし、R
sFi水素、水酸基、カルボキシル基、・・ロゲン、ニ
トロ基、アミン基、シアノ基、炭素数/ないし乙のアル
キル基、ハロゲン化アルキル基、炭−A数乙ないし30
のアリール基もしくけケイ素原子を含む基を衷わす) 具体的な好ましいw、 )c、 yおよび2の組合わせ
ヲ(WIXIY、z)ノ形式テ示すと、(H,H,H,
H)、(H,H,H,C6Hs)、(H+ H(H+ 
C6114−C2H5)、(H,H,H。
Cl0H7)、(H、H、H、Cl4H9)、(H、I
I、CH3,C5Hs)、(H。
CH3+ Hr CJ(4−5t(CH3)3 )、(
H1HLC6H5IC6H5)−(C6H5IIITH
、CaB6 ) 、 (C8T(5,H,H、Cl0H
7)−(C6H%+HtHI Cl4H9’))(Cl
0H7+ H+ Hr C1o1b )、(H、H、H
、C00CHa ’)、(H,H,H。
coo CFs )、(H,トCH3、C00CH3)
、(H,HlCI、 C0CHs)、(T(、H,H,
CN)、(T(、H、H、C00C6H5)、H、St
 (CT(、)i )、(H+H,H,5i(CsHs
)3)  等であり、耐薬品性の面からより好ましい具
体例として、(H。
I(、H、)()、(HI Hl )(l C6H5)
、(Hr H+ H+ C6)I4− CzHs )、
()I、H汀1 + Cl0I(7) 、 (H+ I
(* H+ CbHg )、 (H、T(、CI(3、
Cs Hs )、(II+ CH3+ H+ C6H4
−Si (CH3)3 )、(H、H、C5Hs 、C
5Hs )、(Cabs 、H、H、CaHs )、(
C6bs 、 )I 、 H、Cl0H7)、(C8H
5+ )(IHlされない。
寸た、構造式CB)で示される繰返し単位は一種類であ
る必要はなく、二種類以上のものを適当な比率で用いる
ことKより、甘た、第三成分を用いるととKより、光硬
化性層としての総合性能を向上させることができる。
化合物(a)の構造式(A)で示される繰返し構造単位
のモル分率は、/ないし99%が一般的で、解像度、感
度の点で、左ないし9I%が好ましい。
次に、化合物(2L)の製造方法について説明する。
構造式(A)中のRoがビニル基の場合は特開昭56−
7乙!09号公報、エポキシ基の場合は特開昭/;/−
223uO号公報、および、エピスルフィド基の場合に
は特開昭A/−3/μ09号公報に記載の方法により製
造できる。
本発明をさらに有効ならしめるために、光硬化性層に化
合物(a)の池に、熱可塑性W脂〔以下、(b)と称す
る〕および光硬化性化合物〔以下、(。)と称する〕を
含有せしめることが好ましい。
で9j:!ないしr:qs、好ましくは10ニー〇ない
し3oニアo、さらに好オしくは70:30ないし3r
itsの範囲である。
また、光硬化性層中の(b)および(c)成分の合計の
含有割合は、下式によって決められる。
WVc=100−Wa  W。
W b/’c s Wa % WOけ各々(b)および
(c)成分の合計、化合物(−)およびその他の含有層
′!1チを表わす。
(b)成分の熱可塑性樹脂としては、(a)および(e
)成分の光重合可能な化合物と相溶性のあるものが望ま
しく、例えばビニル重合体であるポリメタクリル酸メチ
ル、メタクリル酸メチル共重合体、ポリスチレン、スチ
レン共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアル
コール、セルロース誘導体などが挙げられる。これらの
熱可塑性樹脂の中で現像用液体としてハロゲン系炭化水
素類が用いられる場合には、ポリメタクリル階メチルま
たはメタクリル酸メチル共重合体もしくけその混合物、
ポリスチレンまたはスチレン共重合体もしくはその混合
物が特に好ましい。
光硬化性化合物の(c)成分としては、(a)および(
b)と相溶性のあるものが望ましく、官能基として、例
えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニルフェ
ニル基、アリル基、シンナモイル基、シンナミリデンア
セチル基、ベンザルアセトフェノン基、マレイミド基、
フェニルマレイミド基、ビニルフリル基、ビニルピリジ
ル基、ビニルイミダゾリル基等の二重結合、グリシジル
基等のエポキシ基等を有するものが望ましい。これらの
−船側として、ケイ皮酸エステル、マレイミド、フェニ
ルマレイミド、ビスマレイミド、あるいけトリメチロー
ルプロパントリアクリレート、ペンタエリトリトールト
リアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレ
ート、ジペンタエリトリトールへキサアクリレート、ジ
ペンタエリトリトールペンタアクリレート、ジペンタエ
リトリトールテトラアクリレート、ジペンタエリトリト
ールトリアクリレート、ジカルボン薗とジオールもしく
はトリオールのエステルのアクリレート、トリス(ヒド
ロキシエチル)トリアジンアクリレートなどのアクリル
酸エステル、またはこれらに対応するメタクリル酸エス
テル、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、N
−t−ブチルアクリルアミド、N−t−オクチルアクリ
ルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−ブトキ
シメチルアクリルアミド、N−イソブトキシメチルアク
リルアミド、ジアセトンアクリルアミド、2−メチル−
3−スルフオプロビルアクリルアミド、トリアクリルア
ミドホルマールなどのアクリルアミド類、まだはこれら
に対応するメタクリルアミド、スチレン、シヒニルベン
ゼン、アクリロニトリル、メタクリロイル基ル、エチル
アクリレート、イングロビルアクリレート、ブチルアク
リレート、シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアク
リレート、−一エチルへキシルアクリレート、ラウリル
アクリレート、カルピトールアクリレート、エトキノア
クリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレ
ート、λ−ヒドロキンエチルアクリレート、−一ヒドロ
キシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−クロ
ロプロピルアクリレート、l1μmブチレングリコール
モノアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート
、ジエチルアミノエチルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、2−クロロエチルアクリレート
、2.3−ジブロムプロピルアクリレート、トリブロム
フェニルアクリレート、アリルアクリレート、オレイル
アクリレートなどのモノアクリレート、さらにベンタン
ジオール、ヘキサンジオール、エチレングリコール、テ
トラエチレングリコール、ノナエチレンクリコール、ポ
リエチレングリコール、ネオベンタンジオール、ポリプ
ロピレングリコール、アジピン酸のネオベンタンジオー
ルエステルなどのジオールのアクリル酸エステルまたは
メタクリル酸エステル、次の構造式(I)(−(J(2
+n (nhl−rの整数である)を表わす〕で示すし
るジアクリレート、次の構造式(II)0+C■■2−
Y、−〇−)−C−CH=CH2・・・(n)は/〜す
の整数である〕 で示されるジアクリレート1エポキシ樹脂のアクリル醸
付加体であるアクリレート、アクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、ビニルr: IJレジンビニル
イミダゾールなどである力監、特にこれらに制限されな
い。例えば、グリシジルメタクリレート、スチレン等の
モノマー類、およびスチレン骨格を有する多官能性七ツ
マー類、あるいはエポキシvi脂といった反応性官能基
を有するものであれば、本発明の光硬化性層の成分とし
て使用できるし、また、これらは常温で液状、もしくは
固体状のいずれであってもよい。
本発明においては、反応時間、硬化時間を短縮する目的
で、光重合開始剤や光増感剤を添加することが好ましい
。この光重合開始剤の添加口は光硬化性層中JOIL量
チ以下、好ましくは0.0 /〜20重量%である。
本発明に使用できる光重合開始剤または光増感剤として
は、例えばベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル、
アンスラキノンなト(r)多nキノン類、ペンツフェノ
ン、クロルベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、フレオ
ノン、チオキサントン、ジアルキルチオキサントン、ハ
ロゲン化チオキサントン、ナフタレンスルホニルクロリ
ド、アゾビスイソブチロニトリル、l−アゾビス−7−
シクロヘキサンカルボニトリル1.2.q−ジクロルベ
ンゾイルパーオキシド、ジフェニルジスルフィド、ジベ
ンゾチアゾール、/−(μmイソプロピルフェニル)−
2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−/−オン、2−
ヒドロキゾーコーメチルー/−フェニルプロパン−7−
オン;エリスロシンナトの色素どπを子供与物質、トリ
エチルアミン、p−7ミノ安ホ香酸エステル類、トリフ
ェニルホスフィン1.!−j−ジメトキシーλ−フェニ
ルアセトフェノンなども挙げられ、さらに光イオン重合
開始剤等も有効である。ここで言う光イオン重合開始剤
とは、光度窓によりルイス酸もしくはブレンステッド酸
を生成する化合物のことである。これらの光重合開始剤
または光増感剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、一種
以上組合わせて用いてもよいO さらしζ、本発明の光重合性r’J Kは、必要に応じ
て染料、安定剤、可塑剤などの添加剤を加えることもて
きる。
光重合性層の厚みは用途に応じて異なるが、印刷回路板
作製用には!;−200μ、好ましくはj〜120μで
あり、薄いほど解像力は向上する。
本発明の光重合性積層体だ用いる支持体は、高エネルギ
ー線に対して透明であっても、また半透明であってもよ
い。
高エネルギー線を透過する支持体としては・ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビ
ニル、塩化ビニル共重合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化
ビニリデン共重合体、ポリメタクリル酸メチル、メタク
リル酸メチル共重合体、ポリスチレン、ポリアクリロニ
トリル、スチレン共重合体、ポリアミド、セルロース誘
導体々どのフィルム本しくけ板状のものが挙げられる。
不透明な支持体として、アルミ、銅、鉛等の金)lul
i、前記高エネルギー線を透過する支持体の例の中で挙
げた材料を不透明化処理したものなどが挙げられる。
ここで言う高エネルギー線とけ、光硬化性Mを効率良く
硬化させ得る、紫外光、遠紫外光、レーザー光等のこと
であり、軟X線、電子線等も本発明の光硬化性層を硬化
させるのkC有効である。
次いで、光硬化性層1層体を用いた画像形成方法につい
て説明する。すなわち、下記構造式〔A〕および〔B〕
で示される繰返し構造単位を含む化合物を必須成分とす
る光硬化性層と支持体および、場合により保護層とから
成る光硬化性積層体を画像形成用材料として用い、高エ
ネルギー線により画像形成露光を施し、次いで、該光硬
化性層の未露光部分を現像用液体で溶解もしくは分散除
去して支持体上に画像を形成させるととによ抄達成され
る0 〔A〕          〔B〕 (但し、(A)式中OR6、RtおよびCB)式中ノw
1x、 y、 zは前記と同じ〕 光硬化性層の未露光部分を溶解もしくは分散除去する際
に用い得る現像用液体としては、例えばアセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイノブチルケトン等のケトン類
、ギ酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等
のエステル類、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロ
ロエチレン、四塩化炭素等の塩素系炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭
化水素類、詐mエチレングリコールモノエチルエーテル
、酢酸3−メトキシブチル、酢酸ジエチレンクリコール
モノエチルエーテル等のエーテルエステル類、ジエチル
エーテル、ジオキサン−テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、または、これらの混合物が挙げられる。さらに、
上記現像用液体にメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル
等のアルコール類、ヘキサン、オクタン等の炭化水素類
および水等の光硬化性層に対する貧溶媒を混合すること
ができる。
〔発明の効果〕
本発明の光硬化性積層体は、現像性が良好な故に高い解
像力を有し、かつ露光後の硬化膜の機械的強度、恒久的
画像形成用基板との接着力、耐薬品性、耐メッキ性など
特に耐アルカリ性に優れるフォトレジスト材料として用
いられ、また銅スルーホール法、ハンダスルーホール法
いずれにおいても性能が優れ、かつ、このものを用いる
と高密度、高精密な印刷回路板の作製が容易であ妙、そ
の上印刷回路板作製工程が簡略化できるという利点があ
る。
殊に無電解銅メッキ法により回路を形成していくプロセ
スに有効であり、本発明の光硬化性積層体を用い回路を
形成する好ましい態様の−っは、基板上に該光硬化性積
層体をM層し、高エネルギー線により所望のパターンを
露光、現像した後、無電解鋼メッキ液により銅メッキを
行々い、しかる後、基板上に形成されているレジスト像
を剥離し、所定の回路を作製する事例が挙げられる。
〔実施例〕
以下に実施例により具体的実施態様を示すが、これによ
し本発明を制限するものではない。
以下の合成例、実施例;参寺暑で用いた分析装置または
分析方法は下記のものである。
GPC(ゲルパーミェーションクロマトグラフィー):
日−に4 AN’ ml  ゼソプ= wyvssρT
’Ei’  +41−・ム−103、A−10μ直列、
標準ポリスチレン検2線による数平均分子量の測定。
NMR(核磁気共鳴スペクトに’)  : JEOL%
JMR−axuoo型ET −NMR(4!00 MH
z )によル測定値。
合成例1 グービニルスチレンオキサイドの合成攪拌機
、温度計を備えた/lの反応器に、p−ジビニルベンゼ
ン(コjg)、炭酸水素ナトリウム(ダOg)、トルエ
ン(弘oomt>を加え、内温を5℃に保持し、攪拌し
ながらメタクロロ過安、α香醗のトルエン溶液(too
9、μ0重iチ)を滴下した後、内温を5℃に保持しな
がら、10時間攪拌を続けた。反応終了後、反応液を炭
酸水票ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。乾燥剤を戸別後、トルエンを減圧下に留
去し、次いで蒸留精製し、グービニルスチレンオキシド
(/ Torrs 7 u’c)を得た。収QFitj
9であった。
合成例2  g−ビニルスチレンエピスルフィドの合成
撹拌機、温度計を備えた/73のフラスコに1メタノー
ル(700mA)を加、+てお負、ダービニルスチレン
オキサイド(100g)を加え、内温をjoCない1−
10°Cに保持しながら、チオ尿素(3rg)を徐々に
加え、72時間攪拌を読けた。又応終了後、メタノール
を]縮留去し、残渣を水洗し、ψ−ビニルスチレンエピ
スルフィド(ta9) tr:IFJfc。
生成物のプロトン核磁気共鳴スペクトルから・δ値で、
7−〜7.よ、乙、乙j、j、7乙、r、20.3.9
!〜ζ/!、コ、t〜3.0に各々4Z、 /、 /、
、/S2個分のプロトンが観測された。
合成例3  l−メチル−7、コージフェニルスチレン
(α−メチル−β−フェニルスチレン)攪拌機を備えた
/lのオートクレーブに、α−メチルスチレン(10m
mO1)、酢酸パラジウムCPd(OAc)2) (/
 mmol )トリエチルアミ7 (/□mmol)、
ア−1=)ニトリル(soml)およびフェニルアイオ
ダイド(9j mmol)を加え、/ OO’Cで3j
時間加熱攪拌を行ない、次いで、反応液を冷却後、70
重」チの塩酸水溶液中に注ぎ、不溶物を戸別した後・溶
媒等を除却し、アルミナカラムで精製を行なった。得ら
れたもののNMRスペクトルはδ値7.0ンが観測され
た。
合成例V 攪拌機、温度計、還流冷却器を備えた/lのセパラブル
フラスコに%精製したトルエン(uoorrd’Jを加
えておき、合成例1で得られたエポキシ化合物(乙og
> とスチレン(弘0り)を、攪拌下に加えα、α′−
アゾビスイソブチロニトリル(0,にg)を添加、内温
を77’(に保持しながら、窒素気流下Kr時間攪拌を
続けた。反応終了後、反応混合物を大量のメタノール中
に注ぎ一夜放置した。白色の沈殿物を戸別し、メタノー
ル洗浄した後、室温で減圧乾燥し、共重合体を得た。収
ffiは、r二りで・GPCから、その数平均分子量は
+7 t、000であった。
また1共電合体のプロトン核磁気共鳴スペクトルよりエ
ポキシ化合物が56モルチ含有されていることがわかっ
た。
合成例j〜7 合成例3において、スチレンに代えて表/に示した単量
体を用いて共重合を行りい、各々表/Dて示した共重合
体を得た。
合成例! 攪拌機、滴下漏斗、および温度計を備えたコjのフラス
コに9紫置換し、乾燥したテトラヒドロフラン(soo
mt)とジイソプロピルアミン(200り)を入れ、0
°C1で冷却した。次いで、/j%n−ブチルリチウム
のヘキサン溶ff (,2007りE攪拌下滴下した。
温度をO’CK保持した1ま2−ビニルナフタレン(3
s9)を加え、p−ジビニルベンゼン(/、Sり)のテ
トラヒドロフラン(200Hd)溶液を30 m17n
r の速度で連続的に添加し、さらにg時間9六気流下
で攪拌を続けた。メタノール(3ornl)を添加した
後、反応混合物を大口のメタノール中に徐々に加えたと
ころ、白色の沈殿物が得られた。これを戸別し、水洗後
乾誌し、白色の固体(7r))を得た。この白色固体は
アセトン、酢酸工羊ル、トルエン、クロロホルム’4 
ic A +3 テあった。QpCによって求めた数平
均分子]は31000テ:bった。N MRスペクトル
はδ値O0l〜3.0付近に/よ卆ピークとする福広D
1汲収、!?、0〜j、3およびj、r−J’J Kや
や尖った吸収、乙、θ〜7.乙KS≦、6および7.7
をそれぞれピークとする幅広の吸収が観測された。
上記の吸収の相対強度から、ジビニルベンゼンが10モ
ル%含まれることがわかった。次いで、温度計、攪拌機
をつけた100−の反応器に、上記で得られた化合物(
コ、6り)、塩化メチレン(30ml )、炭醗水素す
) IJウム(3,3g)を入れ、r ’CK冷却した
。メタクロロ過安息香酸<tg>を塩化メチレン(お−
)に溶解した液を攪拌しながら滴下した後、反応液を5
℃に保って2j時間攪拌した。
反応液のメタクロロ過安息香酸がなくなったことをヨー
ド澱粉紙で確認した後、反応液を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で3回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。乾憧剤を戸別した後、塩化メチレンを減圧下留去す
ることにより白色の粉末(s、u9)を得た。これはト
ルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、クロロホル
ム等の有口溶媒;で易溶であった。GPCによって求め
fr、yM、平均分子Q 1−ta、zoooであった
。NMRスペクトルは、δ値O0t〜3.0付近K /
Jをピークとする幅広の吸収、r、r、 J、/、 3
.r、 、t、、z  および!、7にやや幅広の吸収
、6.o〜7.7に4.≦および7.7をピークとする
幅広の吸収がi測された。
合成例9 攪拌機、滴下漏斗および温度計を備えたコlのフラスコ
を窒素置換し、乾燥したテトラヒドロフラン(soom
t>  とジイソプロピルアミン(3009)  を入
れ、O″Cまで冷却した。次いで、/!%n−ブチルリ
チウムのヘキサン溶液(/911)mA)を攪拌下滴下
した。
温度を0 @CK保持したまま9−ビニルアントラセン
(uOり)を加工、p−ジビニルベンゼン(≦Oり)の
テトラヒドロフラン(2oomt)溶液を3 o mt
/hrの速度で連続的だ添加し、さらKr時間窒素気流
下で攪拌を続けた。メタノール(3omりを添加した後
、反応混合物を大金のメタノール中に徐々に加えたとこ
ろ、白色の沈殿物が得られた。これを戸別;−1水洗後
乾燥し、白色の固体C32g、)を得が。この白色固体
は、アセトン、酢酸エチル、トルエン、クロロホルム等
に易溶であった。GPCKよって求めた数平均分子量け
lユOOOであった。
NMRスペクトルはδ値o、r 〜J、O付近′/Cy
、rをピークとする幅広の吸収、!r、0− j、Jお
よびj、!〜s、rにやや尖った吸収、1.0〜7.6
に、≦、tおよび7.7をそれぞれピークとする幅広の
吸収が観測された。
上記の吸収の相対強度から、ジビニルベンゼンがroモ
ル%含まれることがわかった。
合成例10%l/、12 合成例9において、9−ビニルアントラセンに代え、表
/に示したモノマーを用いる他は全く同様に反応を行な
い、共重合体を得た。
合成例13 攪拌機、温度計を備えた/lのフラスコに、メタノール
洗浄後エy (20/ r OV/V )を加えチオき
、合成例qで得られた共重合体(100り)を溶解し、
内温を!ないし10′Cに保持し慶から、チオ尿素(6
oり)を徐々に加え、72時間攪拌を続けた。反応終了
後、不溶物を戸別し、次いで、同波を大量のメタノール
中に注ぎ、自沈物を戸別、水洗、乾燥し、白色固体(g
4g)を得た。GPCKより求めた数平均分子量は、y
r、oooであったO核磁気共鳴スペクトルより、エポ
キシ基、エピスルフィド基が各々、lA2.33モル%
含有していることがわかった。
合成例7μ 攪拌機、温度計、還流冷却器を備えた/lのセパラブル
フラスコに、精製したトルエン(4!oOttrl)を
加えておき、合成例λで得られたエピスルフィド化合物
(ψ09)とスチレン(to’;l)を攪拌下に加え、
α、α′−アゾビスイソブチロニトリル(/9)を添加
し、内温を70″Cに保持しながら、窒素気流下に7時
間攪拌を続けた。反応終了後、反応混合物を大量のメタ
ノール中に注ぎ、−夜放霞した。
白色の沈殿物を戸別し、メタノール洗浄後、室温で減圧
乾燥し、共重合体を得た。収量は≦rりで、GPCから
、その数平均分子量は−J、Q 00であった。
また、共重合体のプロトン核磁気共鳴スペクトルから、
エピスルフィド化合物が31rモル係含まれていること
がわかった。
合成例1り、lt 合成例/IIにおいて、スチレンに代え、表1に示す単
量体を用いる他は同様Kff応、後処理をして重合体を
得た。
合成例17 合成例弘において、エポキシ化合物に3−ビニルスチレ
ンオキシド(30り)およびスチレン(70り)を用い
る他は全く同様に反応および後処理を行ない、共重合体
を得た(yr9)。GPCからその数平均分子量はコ3
.oooであり、プロトン核磁気共鳴スペクトルより、
エポキシ基が25モル%含まれることがわかった。
合成例it 合成例9において、p−ジビニルベンゼンに代え、市販
のジビニルベンゼン(,1にi量% 、 m 一体/p
一体比 73;/2!;)を用いる也は全く同様に反応
および後処理精製を行ない、共重合体を得た。GPCに
より、その数平均分子量は3/、000であった。
実施例/ −/≦ 攪拌機を備えたllのセパラブル7ラヌコに、必須成分
である(a)成分、熱可塑性樹脂としての(b)成分、
および、光硬化性化合物として(c)成分、また、開始
剤および溶媒、さらに必要に応じて、染料を各々表2に
示した割合で加え、75時間攪拌を行ない、各々混合物
を調製した。
次いで、支持体としての3rμ厚みのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にブレードコーターを用いて、前
記混合物を塗布した後、75分間10℃の熱風炉で乾燥
した。得られた光硬化性層の厚みは、各々表λに示した
とおりである。
さらに、上記で得られた光硬化性積層体を、鋼張ゆガラ
スエポキシ稙層板にlrO″Cの加圧ロールで圧着した
。この積層体にネガマスクフィルムを通して超高圧水銀
ランプ(オーク製作所、フェニックス3ooo型)によ
り、表3に示した照射も1で露光を行なった。次いで、
スプレーノズルを用いハハ/−)リクロロエタンを表3
に示した時間噴射させ、未露光部分を溶解除去せしめた
ところ、各々良好な画像を得た。
次いで、画像(100μm角パターン100個×lOO
個)が形成された基板をpH/s、湿度10″Cの水酸
化ナトIJウム水溶液VCLIO時間浸漬した後のパタ
ーン残存率をもって耐アルカリ性試験とした。その結果
も併せて表3に示した。
比軟例/、2 以下の組成で調製した混合物を用い、実施例と同様に画
像形成、耐アルカリ性試験を行々った。
結果は表3に示したとおりである。
比較例/の組成 デルペット 70H、!009 トリメチロールプOzsントリアクリレート   、2
20gベンゾフェノン         rgミヒラー
ズケトン       o、1gダイヤレジ/ブルー 
P     λりM  E  K          
3009比較例2の組成 スタイoン GP≦r3r o O(1トリメチロール
プロパントリアクリレ−)     1rOQベンゾフ
エノン         ?クミヒラーズケトン   
    o、rりM  E  K          
3009(以下余白) 注: (b)   成  分 b−/   旭化成工業株式会社製 スタイロンGP≦
Ifeb−一  同 社 製  アサフレックス AF
X−to。
b−J   三菱レイヨン株式会社製 アクリベット(
c)   成  分 c−/   東亜合成化学工業株式会社(以下東亜合成
と略)製[アロニツクスM−3osj(主成分:ペンタ
エリトリトールトリアクリレート) C−一  日本化薬株式会社製rD−330J(主成分
;ジペンタエリトリトールトリアクリレート)c −3
共栄社油脂化学工業株式会社(以下共栄社油脂と略)製
「エポキシエステル70PAJ(主成分;プロピレング
リコールジグリシジルエーテル・アクリル酸付加物) C−≠  大阪有機化学工業株式会社(以下大阪有機化
学と略[Jrビスコート 370(7)(主成分;ビス
(/、j−ベンタンジオール)無水フタル酸−アクリル
醗エステル) c−!  共栄社油脂以「エポキシエステルBP−<c
PAJc −6東亜合成部「アロニツクスrlooJ 
 (多官能アクリル酸エステル) 開  始  剤 1−/   −Lμmジイソプロピルチオキサントン1
−2   ψ−(ジメチルアミノ> 安息番mイソプロ
ピル1−J   ベンゾフェノン ■−up、u′−(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン!
−4フルオレイン I −t   ジメチルベンジルケタール■−7トリフ
ェニルホスフィン r −r   tA−クロルチオキサントン1−q  
 tl−(ジメチルアミノ)安α香酸エチル1−10 
 ’l−クロルベンゾフェノン染     料

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光硬化性層と支持体とから成り、該光硬化性層が
    、下記構造式〔A〕および〔B〕で示される繰返し構造
    単位を含む化合物を必須成分とすることを特徴とする光
    硬化性積層体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔A〕 ▲数式、化
    学式、表等があります▼〔B〕 〔但し、〔A〕式中、R_0はビニル基、エポキシ基も
    しくたエピスルフィド基を表わし、R_1は水素、炭素
    数1ないし6のアルキル基、もしくはハロゲンを表わす
    。また、R_1およびR_0は主鎖の炭素原子に対して
    、オルト、メタ、またはパラ位のいずれかに置換する。 〔B〕式中のW、X、YおよびZは各々水素、ハロゲン
    、シアノ基、炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数1
    ないし6のハロゲン化アルキル基、炭素数1ないし6の
    アルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によって置換
    された炭素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を
    含む基によって置換された炭素数6ないし30のアリー
    ル基、炭素数6ないし30のアリール基、−COOR_
    2、−COR_2、−O−COR_2(R_2は炭素数
    /ないし/2のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル
    基、炭素数1ないし6のアルキル基もしくはハロゲン化
    アルキル基で置換された炭素数6ないし30のアリール
    基、ケイ素原子を含む基によって置換された炭素数6な
    いし30のアリール基、または炭素数6ないし30のア
    リール基)、ニトロ基、ケイ素原子を含む基、またはR
    _3(R_3は水素、水酸基、カルボキシル基、ハロゲ
    ン、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、炭素数1ないし6
    のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、または炭
    素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を含む基)
    で置換されたヘテロ環を含む置換基を表わす〕
  2. (2)下記構造式〔A〕および〔B〕で示される繰返し
    構造単位を含む化合物を必須成分とする光硬化性層と支
    持体とから成る光硬化性積層体を画像形成用材料として
    用い、高エネルギー線により画像形成露光を施し、次い
    で、該光硬化性層の未露光部分を現像用液体で溶解もし
    くは分散除去して支持体上に画像を形成させることを特
    徴とする画像形成方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔A〕 ▲数式、化
    学式、表等があります▼〔B〕 〔但し、〔A〕式中、R_0はビニル基、エポキシ基も
    しくはエピスルフィド基を表わし、R_1は水素、炭素
    数1ないし6のアルキル基、もしくはハロゲンを表わす
    。また、R_1およびR_0は主鎖の炭素原子に対して
    、オルト、メタ、または、パラ位のいずれかに置換する
    。 〔B〕式中のW、X、YおよびZは各々水素、ハロゲン
    、シアノ基、炭素数/ないし6のアルキル基、炭素数1
    ないし6のハロゲン化アルキル基、炭素数1ないし6の
    アルキル基もしくはハロゲン化アルキル基によって置換
    された炭素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を
    含む基によって置換された炭素数6ないし30のアリー
    ル基、炭素数6ないし30のアリール基、−COOR_
    2、−COR_2、−O−COR_2(R_2は炭素数
    1ないし12のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル
    基、炭素数1ないし6のアルキル基もしくはハロゲン化
    アルキル基で置換された炭素数6ないし30のアリール
    基、ケイ素原子を含む基によって置換された炭素数6な
    いし30のアリール基、または炭素数6ないし30のア
    リール基)、ニトロ基、ケイ素原子を含む基、または、
    R_3(R_3は水素、水酸基、カルボキシル基、ハロ
    ゲン、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、炭素数1ないし
    6のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、または
    炭素数6ないし30のアリール基、ケイ素原子を含む基
    )で置換されたヘテロ環を含む置換基を表わす〕
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