JPS6385565A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6385565A JPS6385565A JP23304186A JP23304186A JPS6385565A JP S6385565 A JPS6385565 A JP S6385565A JP 23304186 A JP23304186 A JP 23304186A JP 23304186 A JP23304186 A JP 23304186A JP S6385565 A JPS6385565 A JP S6385565A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- amorphous silicon
- periodic table
- gas
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、より詳細には負極性帯
電能にイｚれるとともに光減衰、暗減衰等の電子写真特
性に優れた電子写真感光体及びその製造方法に関する。
電能にイｚれるとともに光減衰、暗減衰等の電子写真特
性に優れた電子写真感光体及びその製造方法に関する。
近年、超高速複写機やレーザービームプリンタなどの開
発が活発に進められており、これにともなってこの機器
に搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性
及び耐久性が要求されている。
発が活発に進められており、これにともなってこの機器
に搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性
及び耐久性が要求されている。
この要求に対して水素化アモルファスシリコンが耐摩耗
性、耐熱性、無公害性並びに光恣度特性等に優れている
という理由から注目されている。
性、耐熱性、無公害性並びに光恣度特性等に優れている
という理由から注目されている。
かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。
即ち、第２図によれば、アルミニウムなどの４電性基板
（１）上にキャリア注入阻止！（２） 、ａ−５ｉ光専
電層（３）及び表面保護層（４）を順次積層しており、
このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）からのキャ
リアの注入を阻止すると共に残留電位を低下させるため
に形成されており、そして、表面像８！！層（４）には
高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。
（１）上にキャリア注入阻止！（２） 、ａ−５ｉ光専
電層（３）及び表面保護層（４）を順次積層しており、
このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）からのキャ
リアの注入を阻止すると共に残留電位を低下させるため
に形成されており、そして、表面像８！！層（４）には
高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。
ところが、このａ−５ｉｉ光体によれば、ａ−３ｔ光導
電層（３）自体が有する暗抵抗率が１０′１Ω・ｃｍ以
下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が大きく
なると共にそれ自体の帯電能を高めることが井しくなり
、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場合には
光メモリ効果により先の画像が完全に除去されずに残留
し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる（ゴースト
現象）と言う問題がある。
電層（３）自体が有する暗抵抗率が１０′１Ω・ｃｍ以
下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が大きく
なると共にそれ自体の帯電能を高めることが井しくなり
、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場合には
光メモリ効果により先の画像が完全に除去されずに残留
し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる（ゴースト
現象）と言う問題がある。
しかも、従来の第２図のａ−Ｓｉから成る感光体では帯
電電位が−４００〜−５００ｖと低く、電子写真法のう
えで、種々の制限を受けている。しかも成膜速度が遅い
ために量産性が難しく、高価なものとなっているのが現
状である。
電電位が−４００〜−５００ｖと低く、電子写真法のう
えで、種々の制限を受けている。しかも成膜速度が遅い
ために量産性が難しく、高価なものとなっているのが現
状である。
従って、本発明の目的は、従来のａ−３ｉ悪感光と同等
の耐久性を有し乍らも優れた負帯電能を有する機能分離
型電子写真感光体を提供するにある。
の耐久性を有し乍らも優れた負帯電能を有する機能分離
型電子写真感光体を提供するにある。
本発明の他の目的は、感光体の製造時の成膜速度を向上
させることによって、量産性、経済性に優れた電子写真
感光体に関する。
させることによって、量産性、経済性に優れた電子写真
感光体に関する。
即ち、本発明によれば、導電性基板上に周期律表第Ｖａ
族元累を含有するアモルファスシリコンを主体としてな
るキャリア注入阻止層と、アモルファスシリコンを主体
としてなるキャリア輸送層と、アモルファスシリコンカ
ーバイドを主体として成るキャリア発生層および表面保
護層を順次形成したことを特徴とする負極性に帯電可能
な電子写真感光体が提供される。
族元累を含有するアモルファスシリコンを主体としてな
るキャリア注入阻止層と、アモルファスシリコンを主体
としてなるキャリア輸送層と、アモルファスシリコンカ
ーバイドを主体として成るキャリア発生層および表面保
護層を順次形成したことを特徴とする負極性に帯電可能
な電子写真感光体が提供される。
以下、本発明を詳述する。
本発明の電子写真感光体は第１図に示す構造を基本とす
る機能分離型積層感光体である。
る機能分離型積層感光体である。
第１図によれば、本発明の感光体は導電性基板（１）上
にキャリア注入阻止層（２）、キャリア輸送π（３ａ）
、キャリア発生層（３ｂ）および表面保護層（４）を順
次設けて成るものであって、キャリア注入阻止層（２）
は４電性基板（１）からキャリア輸送層（３ａ）へのキ
ャリア注入を阻゛止するために設けるものであって、表
面像３１５（４）は、感光体の耐久性、耐環境性を向上
させることを目的として設けられる。
にキャリア注入阻止層（２）、キャリア輸送π（３ａ）
、キャリア発生層（３ｂ）および表面保護層（４）を順
次設けて成るものであって、キャリア注入阻止層（２）
は４電性基板（１）からキャリア輸送層（３ａ）へのキ
ャリア注入を阻゛止するために設けるものであって、表
面像３１５（４）は、感光体の耐久性、耐環境性を向上
させることを目的として設けられる。
これを第１図の構成の感光体を例にとってその電子写真
特性を第３図（ａ）及び（ｂ）をもとに説明すると、ま
ずコロナ放電等の帯電手段により負帯電を施す（第３図
（ａ）参照）。次に露光を行うと、キャリア発生Ｊｆｆ
ｌ（３ａ）に電子と正孔が発生し、正札は感光体表面の
負電荷と中和し、電子は輸送層を移行して基板側に注入
接地され、露光部の全体として電荷は零となる。（第３
図（ｂ）参照）。
特性を第３図（ａ）及び（ｂ）をもとに説明すると、ま
ずコロナ放電等の帯電手段により負帯電を施す（第３図
（ａ）参照）。次に露光を行うと、キャリア発生Ｊｆｆ
ｌ（３ａ）に電子と正孔が発生し、正札は感光体表面の
負電荷と中和し、電子は輸送層を移行して基板側に注入
接地され、露光部の全体として電荷は零となる。（第３
図（ｂ）参照）。
本発明によれば前述の層構成のうち、キャリア注入阻止
層（２）として周期律表第Ｖａ族元素を含有するアモル
ファスシリコンを用い、キャリア輸送ＪＩ（３ａ）とし
てアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）を用
い、キャリア発生層（３ｂ）としてアモルファスカーバ
イド（以下、ａ−５ｉＣと略す）を用いることが重要で
ある。
層（２）として周期律表第Ｖａ族元素を含有するアモル
ファスシリコンを用い、キャリア輸送ＪＩ（３ａ）とし
てアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）を用
い、キャリア発生層（３ｂ）としてアモルファスカーバ
イド（以下、ａ−５ｉＣと略す）を用いることが重要で
ある。
キャリア注入阻止層（２）はそれ自体高抵抗であること
が必要であり、帯電極性に応じ整流作用を成すことが必
要である。本発明の負極性に帯電可能な感光体では、こ
のキャリア注入阻止層に周期律表第Ｖａ族元素を添加す
ることによって高抵抗化し、ｎ型半導体を形成する。
が必要であり、帯電極性に応じ整流作用を成すことが必
要である。本発明の負極性に帯電可能な感光体では、こ
のキャリア注入阻止層に周期律表第Ｖａ族元素を添加す
ることによって高抵抗化し、ｎ型半導体を形成する。
キャリア注入阻止層におけるａ−Ｓｉはダングリングポ
ンドを、終端させる目的でＨあるいはハロゲン元素を添
加されており、その量は全体量に対し５乃至５０原子χ
、特に１０乃至４０原子χの範囲で添加される。
ンドを、終端させる目的でＨあるいはハロゲン元素を添
加されており、その量は全体量に対し５乃至５０原子χ
、特に１０乃至４０原子χの範囲で添加される。
一方、添加される周期律表第Ｖａ族元素としてはＰ、Ｎ
、Ａｓ、Ｓｂが挙げられＰが望ましい。これらはキャリ
ア注入阻止層に０．１乃至１１００００ｐｐ、特に０゜
５乃至１１０００ｐｐの範囲で含有させることが望まし
い。
、Ａｓ、Ｓｂが挙げられＰが望ましい。これらはキャリ
ア注入阻止層に０．１乃至１１００００ｐｐ、特に０゜
５乃至１１０００ｐｐの範囲で含有させることが望まし
い。
なお、キャリア注入阻止層には特に酸素を乃至 の範
囲で含有させることにより、導電性基板（１）との密着
性を向上させることができる。
囲で含有させることにより、導電性基板（１）との密着
性を向上させることができる。
キャリア輸送層におけるａ−３ｉは下記式（１）％式％
（１） 式中、ＡはＩＩ又はハロゲン元素 ０．０５ ≦Ｘ ≦０．５ 特に、０．１ ≦Ｘ ≦
０．４で表されるものが好ましい。なお、このキャリア
輸送層においても前述した周期律表第ＩＩＩａ族元素を
１１００００ｐｐ以下、特に１１０００ｐｐ以下の量で
ドアピングすることができる。この周期律表第ＩＩＩａ
族元素の添加によってキャリア輸送層は真性化されると
ともにキャリア輸送層中でのキャリア移動度を上げるこ
とができ、それにより表面電位、感度を向上させるとと
もに残留電位を低減することができる。
（１） 式中、ＡはＩＩ又はハロゲン元素 ０．０５ ≦Ｘ ≦０．５ 特に、０．１ ≦Ｘ ≦
０．４で表されるものが好ましい。なお、このキャリア
輸送層においても前述した周期律表第ＩＩＩａ族元素を
１１００００ｐｐ以下、特に１１０００ｐｐ以下の量で
ドアピングすることができる。この周期律表第ＩＩＩａ
族元素の添加によってキャリア輸送層は真性化されると
ともにキャリア輸送層中でのキャリア移動度を上げるこ
とができ、それにより表面電位、感度を向上させるとと
もに残留電位を低減することができる。
キャリア発生層において用いられるａ−ＳｉＣは具体的
には下記式（２） ％式％（２） 式中、八は］１又はハロゲン元素 ０．０１ ≦Ｙ≦０．９ 特に、０．０５≦Ｙ≦０．
５０．０５ ≦Ｚ≦０．５ 特に、０．１ ≦ｚ ≦
０．４で表される。
には下記式（２） ％式％（２） 式中、八は］１又はハロゲン元素 ０．０１ ≦Ｙ≦０．９ 特に、０．０５≦Ｙ≦０．
５０．０５ ≦Ｚ≦０．５ 特に、０．１ ≦ｚ ≦
０．４で表される。
キャリア発生層においても前述した周期律表第Ｖａ族元
素を１１００００ｐｐ以下、特に０．５乃至１１０００
ｐｐの範囲で含有させることにより、キャリア発生層は
ｎ型半導体となり、近赤外領域の光波長に対する分光恣
度を向上させるとともに負帯電能を向上することができ
る。
素を１１００００ｐｐ以下、特に０．５乃至１１０００
ｐｐの範囲で含有させることにより、キャリア発生層は
ｎ型半導体となり、近赤外領域の光波長に対する分光恣
度を向上させるとともに負帯電能を向上することができ
る。
本発明によれば、キャリア発生層、キャリア注入阻止層
に添加する周期律表第Ｖａ族元素は各層において前述し
た効果を奏するが、それとともに半導体としての特性上
、エネルギーバンドをｎ型ヘシフトさせる作用を為す。
に添加する周期律表第Ｖａ族元素は各層において前述し
た効果を奏するが、それとともに半導体としての特性上
、エネルギーバンドをｎ型ヘシフトさせる作用を為す。
よってキャリア注入阻止層、キャリア発生層に対し、周
期律表第Ｖａ族元素を添加する場合、各層における添加
量をＰｉ、Ｐ２．とじたとき、ＰＬ＞Ｐ２の関係を満足
することが重要である。この関係を満足しない場合は、
キャリアの移動において、各層間の界面においてエネル
ギー的障壁が形成され、キャリアの注入が困難となる。
期律表第Ｖａ族元素を添加する場合、各層における添加
量をＰｉ、Ｐ２．とじたとき、ＰＬ＞Ｐ２の関係を満足
することが重要である。この関係を満足しない場合は、
キャリアの移動において、各層間の界面においてエネル
ギー的障壁が形成され、キャリアの注入が困難となる。
また、表面保護層にはそれ自体高絶縁性、高耐蝕性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えば、ポリイミド樹脂などの有機材料、Ｓ
ｉＯ□、ＳｉＯ，Ａ１．０３．ＳｉＣ，Ｓｔ：＋Ｎ＜、
非晶質カーボンを用いることができる。
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えば、ポリイミド樹脂などの有機材料、Ｓ
ｉＯ□、ＳｉＯ，Ａ１．０３．ＳｉＣ，Ｓｔ：＋Ｎ＜、
非晶質カーボンを用いることができる。
前述したこれらの４層の層厚は各々の機能を十分に果た
すように決定され、特にキャリア輸送層はキャリア発生
層よりも大きくなるように設定され、キャリア輸送層の
厚みが小さいと帯電の保持能力が低下し、優れた帯電能
が得られない。具体的にはキャリア注入阻止層が０．１
乃至１０μｍ、キャリア輸送層が１０乃至 μｍ、キ
ャリア発生層が０．１乃至１０μｍ、表面保ｉＩ層が０
．１乃至１０ｃｒｍに設定するのが望ましい。
すように決定され、特にキャリア輸送層はキャリア発生
層よりも大きくなるように設定され、キャリア輸送層の
厚みが小さいと帯電の保持能力が低下し、優れた帯電能
が得られない。具体的にはキャリア注入阻止層が０．１
乃至１０μｍ、キャリア輸送層が１０乃至 μｍ、キ
ャリア発生層が０．１乃至１０μｍ、表面保ｉＩ層が０
．１乃至１０ｃｒｍに設定するのが望ましい。
本発明の感光体の製造方法によれば、無機質の感光体の
生成にはグロー放電分解法、イオンブレーティング法、
反応スパッタリング法、真空ｗ着法、ＣＶＤ法等の薄膜
形成技術を用いることができ、例えば本発明の感光体の
うち前述したようなキャリア発生層を形成する際は、グ
ロー放電分解法が望ましい。そこでグロー放電分解法に
よる製造方法をより詳細に説明すると、用いられる反応
ガスとしては５ｉ１１．．５ｉ２１１．．５ｉ３１１．
１などのＳｉ含有ガス、ＣＨａ、、 ＣｚＨａ、 Ｃｚ
ｌｌ□、ＣＪ６．ＣＪｅなどのＣ含有ガス、所望により
Ｈ２，ｌｌｅ、 Ｎｅ、 Ａｒなどをキャリアーガスと
して用いることができ、さらに周期律表第ＩＩＩａ族あ
るいは第Ｖａ族元素含有ガスを含有させる。
生成にはグロー放電分解法、イオンブレーティング法、
反応スパッタリング法、真空ｗ着法、ＣＶＤ法等の薄膜
形成技術を用いることができ、例えば本発明の感光体の
うち前述したようなキャリア発生層を形成する際は、グ
ロー放電分解法が望ましい。そこでグロー放電分解法に
よる製造方法をより詳細に説明すると、用いられる反応
ガスとしては５ｉ１１．．５ｉ２１１．．５ｉ３１１．
１などのＳｉ含有ガス、ＣＨａ、、 ＣｚＨａ、 Ｃｚ
ｌｌ□、ＣＪ６．ＣＪｅなどのＣ含有ガス、所望により
Ｈ２，ｌｌｅ、 Ｎｅ、 Ａｒなどをキャリアーガスと
して用いることができ、さらに周期律表第ＩＩＩａ族あ
るいは第Ｖａ族元素含有ガスを含有させる。
用いられる周期律表第ＩＩＩａ族元素含有ガスとしては
Ｂｚｌ１６． ＢＦｉ＋ ＡＩ （ＣＩ＋３） ！、
Ｇａ （ＣＨ３） ：ｌ、 Ｉｎ （Ｃ１１，３） ！
＋ Ｇａ （ＣＨ３）１等が挙げられ、これらの中でも
Ｂ ２ ＋１６が取扱い、成膜速度の点で好ましい。ま
た周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてはＰＨ３＋Ｎｚ
＋ＡｓＨｓ、ＡｓＦｚ、５ｂＦｘ等が上げられこれらの
中でもＰＨ３が取扱い、成膜速度の点で好ましい。これ
らは反応ガス中に１モル％以下、特に０．１モル２以下
の割合で含有するのが望ましい。
Ｂｚｌ１６． ＢＦｉ＋ ＡＩ （ＣＩ＋３） ！、
Ｇａ （ＣＨ３） ：ｌ、 Ｉｎ （Ｃ１１，３） ！
＋ Ｇａ （ＣＨ３）１等が挙げられ、これらの中でも
Ｂ ２ ＋１６が取扱い、成膜速度の点で好ましい。ま
た周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてはＰＨ３＋Ｎｚ
＋ＡｓＨｓ、ＡｓＦｚ、５ｂＦｘ等が上げられこれらの
中でもＰＨ３が取扱い、成膜速度の点で好ましい。これ
らは反応ガス中に１モル％以下、特に０．１モル２以下
の割合で含有するのが望ましい。
これらのガスは、各々の層の形成に応じて適宜調整され
る。まず、キャリア注入阻止層形成時は、Ｓｉ含有ガス
および１０−ｈ乃至１モルχ１特に１０−Ｓ乃至０．１
モルχの割合で周期律表第Ｖａ族元素含有ガスを用いて
、膜形成を行う。キャリア輸送層形成時はＳｉ含有ガス
を用いてさらにキャリア発生層形成時にはＳｉ含有ガス
、Ｃ含有ガスを用いて膜形成を行う。なお、キャリア発
生層形成時、Ｃ含有ガスとしてＣＺＨ２ガスを用いると
成膜速度を向上させることができる。特に（ＣｚＨｚガ
ス：Ｓｉ含有ガス）組成比が０．０５：１乃至３：１で
あることが望ましい。
る。まず、キャリア注入阻止層形成時は、Ｓｉ含有ガス
および１０−ｈ乃至１モルχ１特に１０−Ｓ乃至０．１
モルχの割合で周期律表第Ｖａ族元素含有ガスを用いて
、膜形成を行う。キャリア輸送層形成時はＳｉ含有ガス
を用いてさらにキャリア発生層形成時にはＳｉ含有ガス
、Ｃ含有ガスを用いて膜形成を行う。なお、キャリア発
生層形成時、Ｃ含有ガスとしてＣＺＨ２ガスを用いると
成膜速度を向上させることができる。特に（ＣｚＨｚガ
ス：Ｓｉ含有ガス）組成比が０．０５：１乃至３：１で
あることが望ましい。
なお、これらの反応ガス組成に対しては前述したキャリ
アガスをさらに添加した方が膜質の安定化の点から望ま
しい。さらに所望によりキャリア輸送層、キャリア発生
層形成時において、周期律表第ＩＩＩａ族元素含有ガス
あるいは周期律表第Ｖａ族元素含有ガスを前述した範囲
で添加することが望ましい。なお、周期律表第Ｖａ族元
素を各層に添加する場合は前述したように各層の添加量
がＰｌ＞ｐ、の関係になるように各々の層の形成時の周
期律表第Ｖａ族元素含有ガスの比率を調整することが必
要である。
アガスをさらに添加した方が膜質の安定化の点から望ま
しい。さらに所望によりキャリア輸送層、キャリア発生
層形成時において、周期律表第ＩＩＩａ族元素含有ガス
あるいは周期律表第Ｖａ族元素含有ガスを前述した範囲
で添加することが望ましい。なお、周期律表第Ｖａ族元
素を各層に添加する場合は前述したように各層の添加量
がＰｌ＞ｐ、の関係になるように各々の層の形成時の周
期律表第Ｖａ族元素含有ガスの比率を調整することが必
要である。
次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第４図により説明する。
分解装置を第４図により説明する。
なお周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてはＰＨ３、周
期律表第ＩＩＩａ族元素含有ガスとしてＢＪ６ガスを用
いて例示する。
期律表第ＩＩＩａ族元素含有ガスとしてＢＪ６ガスを用
いて例示する。
図中、第１、第２、第３、第４タンク（６） （７）
（８）（９）にはそれぞれＳｉＨ４，ＣＪｚ、 ＰＨ３
あるいはａｚｎ６．ｕ２ガスが密封されており、１＋１
はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガスは
対応する第１、第２、第３、第４調整弁（１０） （１
１） （１２） （１３）を解放することにより放出さ
れ、その流量がマスフローコントローラ（１４） （１
５） （１６） （１７）により制限されてメインパイ
プ（１８）へ送られる。
（８）（９）にはそれぞれＳｉＨ４，ＣＪｚ、 ＰＨ３
あるいはａｚｎ６．ｕ２ガスが密封されており、１＋１
はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガスは
対応する第１、第２、第３、第４調整弁（１０） （１
１） （１２） （１３）を解放することにより放出さ
れ、その流量がマスフローコントローラ（１４） （１
５） （１６） （１７）により制限されてメインパイ
プ（１８）へ送られる。
尚、（１９）は止め弁である。
メインパイプ（１８）を通じて流れるガスは反応管（２
０）へと送り込まれるが、この反応管内部には容量結合
型放電用電極（２１）が設置されており、これに印加さ
れる電力は５０讐乃至３にＷが、その周波数はＩＭＨ２
乃至１０ＭＨｚが適当である。反応管（２０）の内部に
は、アルミニウムから成る筒状の成膜用導電性基板（２
２）が試料保持台（２３）の上に載置されており、この
保持台（２３）はモーター（２４）により回転駆動され
るようになっており、そして、基板（２２）は適当な加
熱手段により約５０乃至４００℃、好ましくは約１５０
乃至３００℃の温度に均一に加熱される。
０）へと送り込まれるが、この反応管内部には容量結合
型放電用電極（２１）が設置されており、これに印加さ
れる電力は５０讐乃至３にＷが、その周波数はＩＭＨ２
乃至１０ＭＨｚが適当である。反応管（２０）の内部に
は、アルミニウムから成る筒状の成膜用導電性基板（２
２）が試料保持台（２３）の上に載置されており、この
保持台（２３）はモーター（２４）により回転駆動され
るようになっており、そして、基板（２２）は適当な加
熱手段により約５０乃至４００℃、好ましくは約１５０
乃至３００℃の温度に均一に加熱される。
更に、反応管（２０）の内部はａ−５ｉ膜又はａ−Ｓｉ
Ｃ膜等の形成時に真皮の真空状Ｍ（放電圧０．１乃至２
゜ＯＴｏｒｒ ）を必要とすることにより回転ポンプ（
２５）と拡散ポンプ（２６）に連結される。
Ｃ膜等の形成時に真皮の真空状Ｍ（放電圧０．１乃至２
゜ＯＴｏｒｒ ）を必要とすることにより回転ポンプ（
２５）と拡散ポンプ（２６）に連結される。
以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えばｐがドーピングされたａ−３ｉＣ膜を形成するに
当たって、第１．第２．第３．第４調整弁（１０） （
１１） （１２） （１３）を解放して第１．第２．第
３．第４タンク（６） （７） （８） （９）よりそ
れぞれＳｉ■４ガス、Ｃｚ １１ ｔガス、ＰＨ３ガス
及びＨｚガスを放出し、これらの放出量はマスフローコ
ントローラ（１０） （１１） （１２） （１３）に
より規制されてメインバンプ（１８）を介して反応管（
２０）へと送り込まれ、そして、反応管（２０）の内部
が０゜１乃至２．ＱＴｏｒｒの真空状態、基板温度が５
０乃至４００℃、容量型放電用電極（２１）に周波数１
乃至１０ＭＨ２の高周波電力が５０Ｗ乃至３ＫＷ印加さ
れるのに相まってグロー放電が起こり、ガスが分解して
Ｐ含有のａ−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。
例えばｐがドーピングされたａ−３ｉＣ膜を形成するに
当たって、第１．第２．第３．第４調整弁（１０） （
１１） （１２） （１３）を解放して第１．第２．第
３．第４タンク（６） （７） （８） （９）よりそ
れぞれＳｉ■４ガス、Ｃｚ １１ ｔガス、ＰＨ３ガス
及びＨｚガスを放出し、これらの放出量はマスフローコ
ントローラ（１０） （１１） （１２） （１３）に
より規制されてメインバンプ（１８）を介して反応管（
２０）へと送り込まれ、そして、反応管（２０）の内部
が０゜１乃至２．ＱＴｏｒｒの真空状態、基板温度が５
０乃至４００℃、容量型放電用電極（２１）に周波数１
乃至１０ＭＨ２の高周波電力が５０Ｗ乃至３ＫＷ印加さ
れるのに相まってグロー放電が起こり、ガスが分解して
Ｐ含有のａ−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。
なお、本発明による感光体における層構成中、有機材料
を用いる場合はいずれも周知の手段によって形成するこ
とができ、具体的には、高分子材料あるいは有機顔料、
有機染料等を揮発性溶媒中に溶解又は分散した塗布液を
用いて、浸漬法、ドクターブレード法等によって設ける
ことができる。
を用いる場合はいずれも周知の手段によって形成するこ
とができ、具体的には、高分子材料あるいは有機顔料、
有機染料等を揮発性溶媒中に溶解又は分散した塗布液を
用いて、浸漬法、ドクターブレード法等によって設ける
ことができる。
以下、本発明を実施例により説明する。
（感光体の製造例１）
ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用のアルミニウム製ドラムを、有機溶剤を用
いた超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って洗浄
し、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反
応管（２０）内に設置した。
上げた基板用のアルミニウム製ドラムを、有機溶剤を用
いた超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って洗浄
し、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反
応管（２０）内に設置した。
そして、第１タンク（６）にＳｉＨ４ガス、第２タンク
（７）にＣｚＴｏガス、第３タンク（８）にＢ、Ｈｈガ
ス、あるいはＰＨ３ガス、第４タンク（９）にＨ２ガス
を設置して第１表に示す流量で反応ガスを流して、導電
性基板上にキャリア注入阻止層としてａ−５ｔ：Ｈ：Ｐ
：０：Ｎ、キャリア輸送層としてａ−３ｉ：Ｈ（Ｘ＃０
．２）、キャリア発生層としてａ−３ｉＣ：Ｆｌ 、
（Ｙ ＃０．２５．２＃０．３）表面保護層としてＳｉ
Ｃを設け、厚み２９．６μｍの感光体１を得た。
（７）にＣｚＴｏガス、第３タンク（８）にＢ、Ｈｈガ
ス、あるいはＰＨ３ガス、第４タンク（９）にＨ２ガス
を設置して第１表に示す流量で反応ガスを流して、導電
性基板上にキャリア注入阻止層としてａ−５ｔ：Ｈ：Ｐ
：０：Ｎ、キャリア輸送層としてａ−３ｉ：Ｈ（Ｘ＃０
．２）、キャリア発生層としてａ−３ｉＣ：Ｆｌ 、
（Ｙ ＃０．２５．２＃０．３）表面保護層としてＳｉ
Ｃを設け、厚み２９．６μｍの感光体１を得た。
（製造例２）
製造例１と同様にして、第２表に示す流量で反応ガスを
導入し、ａ−５ｉ：Ｈ：Ｐ：０：Ｎのキャリア注入阻止
層、ａ−Ｓｉ ：旧Ｂ（Ｘ ＝０．２．Ｂ：約３１）ｐ
Ｈ＋）のキャリア輸送層、ａ−３ｔＣ：Ｈ（Ｙ ＃０．
２５．Ｚ′ｑ０．３）のキャリア発生層、およびＳｉＣ
の表面保護層を順次設け、３３．６μｍの感光体２を得
た。
導入し、ａ−５ｉ：Ｈ：Ｐ：０：Ｎのキャリア注入阻止
層、ａ−Ｓｉ ：旧Ｂ（Ｘ ＝０．２．Ｂ：約３１）ｐ
Ｈ＋）のキャリア輸送層、ａ−３ｔＣ：Ｈ（Ｙ ＃０．
２５．Ｚ′ｑ０．３）のキャリア発生層、およびＳｉＣ
の表面保護層を順次設け、３３．６μｍの感光体２を得
た。
（製造例３）
製造例１と同様にして第３表に示す流量で反応ガスを導
入し、ａ−３ｔ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏのキャリア注入阻止層
、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ（Ｘ＃０．２．Ｂ：約３ ｐｐｍ）
のキャリア輸送層、ａ−５ｉＣ：ｔ（：Ｐ（Ｙ ＃０．
２５、Ｚ ＝０．３ 、Ｂ：約１ｐｐｍ）のキャリア発
生層、およびＳｉＣの表面保護層を順次設け、２９．６
μｍの感光体３を得た。
入し、ａ−３ｔ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏのキャリア注入阻止層
、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ（Ｘ＃０．２．Ｂ：約３ ｐｐｍ）
のキャリア輸送層、ａ−５ｉＣ：ｔ（：Ｐ（Ｙ ＃０．
２５、Ｚ ＝０．３ 、Ｂ：約１ｐｐｍ）のキャリア発
生層、およびＳｉＣの表面保護層を順次設け、２９．６
μｍの感光体３を得た。
得られた３種の感光体に対し、−５，６ＫＶのコロナ放
電を行い表面電位、光感度６５０ｎ…の単色光（０，３
μＷ／ｃｍ”）、残留電位を測定した。
電を行い表面電位、光感度６５０ｎ…の単色光（０，３
μＷ／ｃｍ”）、残留電位を測定した。
結果は第４表に示す。
第４表
表からも明らかなように、−６００Ｖ以上の高い表面電
位が得られ、光感度の０．５８ｃｍ”／ｅｒｇ以上、残
留電位−４５Ｖ以下の優れた特性を示した。
位が得られ、光感度の０．５８ｃｍ”／ｅｒｇ以上、残
留電位−４５Ｖ以下の優れた特性を示した。
以上、詳述したように、本発明の感光体は機能分離型積
層感光体でなり、導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素
な含有するアモルファスシリコンを主体としてなるキャ
リア注入阻止層と、アモルファスシリコンを主体として
なるキャリア輸送層と、アモルファスシリコンカーバイ
ドを主体としてなるキャリア発生層および表面保護層を
順次形成することによって高い負極性帯電能を得ること
ができるとともに光感度、残留電位においても実用上支
障のない特性を得られ、しかも耐久性に優れた感光体を
得ることができる。
層感光体でなり、導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素
な含有するアモルファスシリコンを主体としてなるキャ
リア注入阻止層と、アモルファスシリコンを主体として
なるキャリア輸送層と、アモルファスシリコンカーバイ
ドを主体としてなるキャリア発生層および表面保護層を
順次形成することによって高い負極性帯電能を得ること
ができるとともに光感度、残留電位においても実用上支
障のない特性を得られ、しかも耐久性に優れた感光体を
得ることができる。
第１図は本発明の実施例に用いられる感光体の層構成を
示す断面図、第２図は感光体の一般的な層構成を示す断
面図、第３図（ａ）および（ｂ）は本発明の電子写真特
性を説明するための図、第４図は本発明の実施例に用い
られる容量結合型グロー放電分解装置の説明図である。 １・・・基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３・・・光導電層 ３ａ・・・キャリア発生層 ３ｂ・・・キャリア輸送層 ４・・・表面保護層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社同 河村
孝夫
示す断面図、第２図は感光体の一般的な層構成を示す断
面図、第３図（ａ）および（ｂ）は本発明の電子写真特
性を説明するための図、第４図は本発明の実施例に用い
られる容量結合型グロー放電分解装置の説明図である。 １・・・基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３・・・光導電層 ３ａ・・・キャリア発生層 ３ｂ・・・キャリア輸送層 ４・・・表面保護層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社同 河村
孝夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素を含有する
アモルファスシリコンを主体としてなるキャリア注入阻
止層と、アモルファスシリコンを主体としてなるキャリ
ア輸送層と、アモルファスシリコンカーバイドを主体と
して成るキャリア発生層および表面保護層を順次形成し
たことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体
。 （２）前記アモルファスシリコンカーバイドが下記式 〔Ｓｉ＿（＿１＿−＿Ｘ＿）Ｃ＿Ｘ〕＿（＿１＿−＿Ｙ
＿）Ａ＿Ｙ式中、ＡはＨ又はハロゲン元素 ０．０１≦ｘ≦０．９ ０．０５≦ｙ≦０．５ で表わされることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。 （３）前記キャリア輸送層が下記式 Ｓｉ＿（＿１＿−＿Ｚ＿）Ａ＿Ｚ 式中、ＡはＨ又はハロゲン元素 ０．０５≦Ｚ≦０．５ で表わされるアモルファスシリコンから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 （４）前記キャリア輸送層が周期律表第Ｖａ族元素を含
有する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 （５）前記キャリア発生層が周期律表第IIIａ族元素を
含有する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233041A JP2566762B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233041A JP2566762B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385565A true JPS6385565A (ja) | 1988-04-16 |
| JP2566762B2 JP2566762B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=16948873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233041A Expired - Lifetime JP2566762B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2566762B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5995541A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-01 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPS6059364A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Toshiba Corp | 非晶質半導体装置 |
| JPS6228764A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61233041A patent/JP2566762B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5995541A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-01 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPS6059364A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Toshiba Corp | 非晶質半導体装置 |
| JPS6228764A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2566762B2 (ja) | 1996-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |