JPS638637B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は絶縁基板に金属を選択的に被着するた
めの方法、特に、シード剤排斥性を有する疎水性
マスクを用いて行う絶縁基板上に金属を選択的に
被着するための方法に関するものである。

以下においては、本発明をメツキ貫通孔を有す
るプリント回路板の製造に関連して説明するが、
本発明によつて開示される技術は、これ以外の種
類のプリント回路板を始めとする各種の金属被覆
製品の製造に利用することもできる。

基板に貫通孔があけてあり、その貫通孔の周壁
はメツキが施してあるタイプのプリント回路板は
すでによく知られており、この種のプリント回路
板は信頼度が高く、かつメツキ貫通孔を利用して
金属ろう付け等の方法によりいろいろな付属部品
を簡単に取付けたり、電気接続したりすることが
できるので広い用途に供されている。

従来のプリント回路製造技術によつて作られる
メツキ貫通孔を有するプリント回路板において
は、金属回路パターンが基板の表面上に裸のまま
形成され、ろう付けたとえば浸漬ろう付けを行う
まえに貫通孔、基板表面上の貫通孔を取り囲む部
分（パツドと呼ばれる）、および回路パターンの
端子ないしは接続部となる部分（フインガと呼ば
れる）を除いて回路パターン全体にソルダマスク
がかぶせられる。そのあと、回路基板をろう付け
浴に浸たして、ソルダマスクでおおわれていない
部分、すなわちパツド、フインガおよび金属メツ
キされている貫通孔に金属ろうを付着させる。そ
の際、回路パターンの大部分はソルダマスクでお
おわれているのでろうが付着することはなく、従
つて、回路パターンを構成する回路導体が相互が
ろうによつて短絡されるのを防ぐことができる。

要するに、上に述べた従来のプリント回路板の
製作に際しては、回路基板中のパツド、フインガ
部分および貫通孔の周壁は露呈されたままである
一方、回路パターンを構成する導体はソルダマス
クでおおわれている。

本発明の一実施例によればメツキ貫通孔を備
え、または備えないタイプのプリント回路板を製
作するための新しい方法が提供され、この方法に
よれば回路板の製造ないしは再加工の際にシード
剤（seeder）排斥用の疎水性マスクを回路基板の
表面に選択的にかぶせることによつて、所定の回
路パターンが無電メツキ（無電解メツキ）により
基板表面上に付着形成される。すなわち本発明の
方法では、無電解メツキ用増感剤としてのシード
液によつて実質上湿潤されることのない疎水性マ
スクを回路基板中の回路パターンをプリントしよ
うとする面に重さね合せ、その基板表面において
回路パターンがプリントされるべき部分以外の部
分をこの疎水性マスクでおおう、その後必要であ
れば、回路基板の所定の箇所に貫通孔をあける。
次に、回路基板をシード液に浸漬して疎水性マス
クでおおわれていない部分を無電解メツキ可能な
ように増感する。増感処理した回路基板を無電解
メツキ液に浸漬すると、基板中の増感面（貫通孔
があけてある場合にはその内壁を含む）に金属が
着床して所定の回路パターンができあがる。

次に、本発明について詳しく説明する。後述す
る所により明らかなように、本発明方法により回
路板を製造するに際しては、プリント回路板製造
用として一般に市販されている増感用シード液を
排斥する、いいかえれば実質上これらの液によつ
て湿潤されることのないある種のシード剤排斥用
の疎水性樹脂マスクを使用する。その結果、疎水
性マスクがそのようなシード液に接することがあ
つても、これがために無電解金属メツキに対する
受容性を有するように増感されることはほとんど
ない。本発明のように、シード液に湿潤されるこ
とのない「非湿潤性」ないしは「疎水性」樹脂マ
スクを使用することにより、プリント回路板の製
造が容易になる。

なお、以下においては、基板に触媒性を付与す
るか、または基板を増感することによつて、これ
に無電解メツキ金属を受け入れることのできる性
質を付与するものとして当該業界において一般的
に知られているものを称して「シード剤」または
「シード液」と呼ぶことにする。

また、薄いフイルム状あるいはストリツプ状で
あろうと、厚い板状であろうと、その形状、厚さ
に関係なく、一般に絶縁性基板に無電解メツキ金
属の付着ないしは着床を可能ならしめる性質を付
与するのに使用される各種のシード液によつて湿
潤されることのない樹脂あるいはプラスチツク材
あるいはその性質を呼称するのに、以下において
は「シード液排斥性」ないしは「疎水性」という
言葉を使用する。

本発明の方法では、回路基板中の回路パターン
をプリントしようとする表面にシード液によつて
湿潤されることのない疎水性マスクをコーテイン
グし、回路パターンがプリントされるべき部分以
外の部分をマスクでおおう。このマスクとして適
した材料は後に列挙する。この種のマスクは、シ
ード液によつて湿潤されることのない疎水性を有
するもので、逆にいえば、マスクはシード液を排
斥ないしは駆除する性質を有する。さらに、マス
クはプリント回路板がその製造工程中に露呈され
る酸やアルカリによる腐食に対する耐性を有し、
かつ表面が滑らかで光沢のあるものであるのが望
ましい。回路基板を貫通する孔をあける場合に
は、きりもみ、穴抜き等のマスクや基板材料を傷
付けることのない方法によつて形成する。次に、
疎水性マスクがかぶせてある基板をシード液に浸
漬すると、貫通孔の内壁を含むマスクでおおわれ
ていない部分が増感され、無電解メツキ金属に対
する受容性すなわち無電解メツキを受け入れる性
質が生じる。マスクはシード液に対して非湿潤性
であるので、基板表面のうちでマスクによつてお
おわれている部分には無電解メツキ金属に対する
受容性が付与されることはない。次に、回路基板
を良く洗浄して、基板表面や貫通孔の周壁から余
計なシード液を洗い落す。そのあと、回路基板を
無電解メツキ液に浸接して疎水性マスクでおおわ
れていない増感面（貫通孔があけてある場合には
その内壁を含む）に金属を無電解メツキする。こ
の無電金属メツキ法のみにより所定の厚さの金属
被膜を増感面に着床させることができるが、必要
でありかつ導体回路パターンがそれに適している
のであれば、無電解メツキに続いて電解メツキを
行つてもよい。

実際には、シード剤排斥用疎水性マスクを施し
た基板といえども、シード液で処理する際に疎水
性マスク自体が全く増感処理の影響を受けないと
いうことは有り得ない。マスク表面にもごくわず
かであるが増感される部分ができる。このため増
感処理を施したのちに基板を無電解メツキ液に浸
すと、マスク表面の小さな穴や陥没部分、あるい
は凹凸部分に金属が着床することがあるが、その
量は疎水性マスクでおおわれておらず、従つて増
感された部分における着床金属の量に比べて極く
わずかである。しかし、これも除去しようとする
のであれば、回路基板を無電メツキ液に浸漬した
あとエツチング液に短時間浸して、シード剤排斥
用マスクの表面に不規則に着床している若干の無
電解メツキ金属を溶解除去すればよい。無電解メ
ツキされる金属が銅であれば、エツチング液とし
ては塩化第二鉄溶液を使用すればよい。なお、こ
の処理を以下においては「クイツクエツチング」
ないしは「エツチング」と呼ぶことにする。必要
であれば、一回の無電解メツキ作業中にこのクイ
ツクエツチングを何度も繰り返してもよい。

シード剤排斥用疎水性マスクに不規則に点状に
着床する無電解メツキ金属の厚さは、基板の増感
処理を施された面に着床した無電メツキ金属の厚
さに比べて相対的に薄いので、上記のクイツクエ
ツチングを行つても増感面上の着床金属は全くな
いしはほとんど影響を受けない。

回路基板に無電銅メツキを行う場合には、エツ
チング液としては塩化第二鉄または過硫酸アンモ
ニウムを用いる。クイツクエツチングは回路基板
の表面にエツチング液を噴霧しながら行うか、ま
たはエツチング液をタンクに入れてこれを撹拌
し、その中に回路基板を浸漬して行う。エツチン
グに際してはエツチング液の温度、濃度、漬接時
間等を適当に調節する必要があるが、これらは経
験に即して最も妥当な結果が得られるように調節
すればよい。クイツクエツチングのあと水洗いを
行つて、基板の表面や側縁からエツチング液を完
全に除去する。

本発明に使用する絶縁性回路基板の材料として
は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれ
らの混合物をあげることができる。

適当な熱可塑性樹脂としては次のものがある。
アセタル樹脂、アクリル酸メチルのようなアクリ
リツクス、エチルセルローズ、セルローズアセテ
ート、セルローズプロピオネート、セルローズア
セテートブチレート、セルローズニトレートのよ
うなセルローズ樹脂、塩素化ポリエステル類、ナ
イロン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、アクリロニトリル・スチレン共重合体お
よびアクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共
重合体のようなスチレンブレンド、ポリカーボネ
ート類、ポリクロロトリフルオロエチレン、およ
びビニルアセテート、ビニルアルコール、ビニル
ブチラール、塩化ビニル、塩化ビニル・アセテー
ト共重合体、塩化ビニリデン、ビニルホルマルの
ごときビニル重合体ないしはビニル共重合体。

熱硬化性樹脂としては次のものがある。アリル
フタレート、フラン、メラミン・ホルムアルデヒ
ド、フエノルホルムアルデヒドとフエノルフルフ
ラルの共重合体単独またはこれとブタジエンアク
リロニトリルの共重合体またはアクリロニトリ
ル・ブタジエン・スチレン共重合体とを化合させ
たもの、ないしはそれらの共重合体そのもの、ポ
リアクリル酸エステル類、シリコン類、尿素ホル
ムアルデヒド類、エポキシ樹脂類、アリル樹脂
類、グリセリルフタレート類、ポリエステル類。

絶縁性回路基板を無電解メツキ可能なように増
感するのに使用するシード液は一般に水性液であ
るので、シード剤排斥用マスクにも前述のように
疎水性のものすなわち水を排除する性質のものを
用いる。

そのようなマスクを作るのに適した疎水性樹脂
としては次のものをあげることができる。シリコ
ン樹脂、ポリエチレン樹脂、フルオロカーボン樹
脂（たとえばテフロン）、ポリウレタン樹脂、ア
クリル樹脂、およびこれらの混合物、これらの疎
水性樹脂を単独で使用してもよいが、できれば他
の樹脂、たとえば、絶縁性基板材料として上にあ
げた樹脂のどれかと組み合せて使用するのがよ
い。ただし、その場合でも組合せて使用する樹脂
は得られる組成物の疎水性が失われない程度の量
に限定しなければならない。

エポキシ樹脂と、フエノルホルムアルデヒド樹
脂と、シリコン樹脂とを後述するように混合する
と特に良好な疎水性マスクが得られる。

特に疎水性マスクを永久マスクとして使用する
場合には、マスクの材料としては硬化したとき滑
らかで光沢があり、かつプリント回路の製造工程
中に使用されるアルカリや酸性溶液に対して耐性
を有する表面を形成することができるものでなけ
ればならない。

代表的な疎水性マスクの組成を次に記す。

第１部 材料 重 量 DEN 438 100 ブチルカルビトール 51.5 モダフロー 2.0 キヤブオシルM5 6.0 アツタゲル―50 5.2 サーコシル―０ 1.3 166.0 第２部 ジメチルホルムアミド 22.5 ジシアンジアミド 4.0 DC＃21 6.0 TMBDA 1.2 33.7 上の組成表において、DEN438はダウケミカル
社から発売されているエポキシノボラツク（フエ
ノルホルムアルデヒド）樹脂であり、モダフロー
（Modaflow）はモンサント社から発売されてい
る高分子重量の重合体であり、表面をより平らに
するために使用する。また、キヤブオシル（Cab
―Ｏ―Sil）M5はシリカエーロゲル（Attagel）−
50は珪酸アルミニウム充填剤、サーコシル
（Sarkosyl）−０はオレオイルサルコシン（陽性
湿潤剤）、DC＃21はダウコーニング社のシリコン
樹脂、TMBDAはＮ，Ｎ，N′，N′―テトラメチ
ルベンジルジアミンである。これらの組成分のう
ちモダフローとDC＃21とは、組成物に疎水性を
付与するためのものである。また、この２つの組
成分は当該組成物の平面性を向上させる働きをも
有する。このため組成物を絶縁基板に塗布すると
組成物は波打つたり泡を作つたりすることなく滑
らかな平面状に広ろがり、乾燥したときには平坦
でつやのある表面を形成するようになる。

キヤブオシルとアツタゲルは粘度調整剤、ブチ
ルカルビトールとジメチルホルムアミドは溶剤で
ある。ジシアンジアミドはエポキシ樹脂の硬化剤
であり、TMBDAは促進剤として作用する。使
用にあたつては、まず第１部と第２部とをそれぞ
れ調整し、次にこれらを混合する。たとえば、第
１部の組成分166重量部と第２部の組成分33.7重
量部とを混合し、これをスプレーかブラシを用い
て基板上に所望の厚さに平らに塗布する。121℃
（250〓）の温度で約10分間加熱すると、塗布組成
物は粘着性を有しない程度にまで硬化する。さら
に、132℃（270〓）の温度で約30分加熱すると完
全に硬化して、シード剤排斥用疎水性マスクがで
きあがる。

シード液が有機溶媒を基材としている場合に
は、マスク材料にも有機溶媒排斥性のもの、すな
わち有機溶媒により実質上湿潤されることのない
ものを使用する。

本発明の疎水性マスクとしては、接着剤をコー
テイングしたプラスチツクないしは樹脂性フイル
ムも含まれる。そのようなフイルム状のマスクの
場合には、これを基板材料に固着可能ならしめる
ために片方の表面に感圧性接着剤を塗つておく。
接着剤を塗布したマスク材として代表的なもの
に、弗素化エチレンプロピレン、ポリエチレン、
ポリプロピレン等がある。これらの材料に感圧性
接着剤を塗布してなるフイルム状のシートは当該
業界においてよく知られており、感圧性接着剤を
コーテイングしたポリエチレンが、たとえば、
「ポリスポツトステイク（Poly Spot Stik）」の
名で市販されている。接着剤がコーテイングして
あるフイルムを疎水性マスクとして使用すれば、
これを基板に接着するのに加熱その他の硬化処理
を行う必要がなくなる。また、剥す必要が生じた
ときには容易に取り剥すことができるのも利点で
ある。

絶縁性基板を無電メツキ可能なように増感する
のに用いるシード剤には、さまざまなものがあ
る。たとえば、貫通孔を取り囲こむ絶縁基板の周
壁やその他の露出面域を増感するには、第一スズ
イオン、あるいはたとえばジメチルアミンボラ
ン、モルホリンボラン、イソプロピルアミンボラ
ンのようなジアルキルアミンボラン類のごときア
ミンボラン類、あるいはナトリウムボロヒドリ
ド、カリウムボロヒドリドのようなアルカリボロ
ヒドリド類の水溶液で処理し、続いてパラジウム
のような貴金属イオンの水溶液で処理する。後者
の処理を前者の処理に先行させてもよい。具体的
には、たとえば、すでに貫通孔があけてある絶縁
基板をまず塩化第一スズの酸性水溶液に浸漬し、
次にこれを水洗してから塩化パラジウムの酸性水
溶液に浸漬してシードないしは増感処理を行う。

絶縁基板の増感処理は、浸漬あるいは噴霧等の
方法によつて絶縁基板を第一スズイオンと貴金属
イオンとを含む透明な酸性水溶液に接触させるこ
とによつても行うことができる。使用可能な貴金
属としては、パラジウムの他にプラチナ、金、ロ
ジウム、オスミウム、イリジウムがある。これら
の貴金属の混合物であつてもよい。

次に代表的なシード液の例をあげ、合せて増感
処理の方法についても言及する。これらは、絶縁
回路基板のうちでシード剤排斥用疎水性マスクに
よつておおわれていない露出面を無電解メツキ可
能なように増感するのに使用するものである。

シード液〔１〕 シード剤排斥用疎水性マスクをかぶせた回路基
板を、次の組成を有する酸性化塩化第一スズ溶液
に浸して洗浄する。

塩化第一スズ 50ｇ 塩酸（12N） 50ｇ 水 １の溶液を作るに必要な量 塩化第一スズ溶液に10分間浸漬し、そのあと希
釈塩酸、続いて水で洗浄する。次に、基板を以下
の組成を有する塩化パラジウム液に２分間浸漬す
る。

塩化パラジウム 20ｇ／ 塩酸（12N） 20ml／ 水 残余 このあと基板を完全に水洗すると、基板中の貫
通孔周壁を含む疎水性マスクでおおわれていない
部分が、無電解メツキ金属を受け入れることので
きる状態に増感されている。

シード液〔２〕 マスクでおわれた絶縁回路基板を次の組成を有
する１部のシード液に浸漬する。

塩化第一スズ 70ｇ／ 塩化パラジウム １ｇ／ 塩酸（37％） 200〜300ml／ 水 １の液を作るに必要な量 こののち基板を水で完全に洗い終えると、貫通
孔の周壁を含む基板中のマスクでおおわれていな
い露出面が、無電メツキ金属を受け入れることの
できる状態に増感されている。

上記の増感処理のあと、絶縁回路基板の増感面
を無電解銅、無電解金、無電解ニツケルメツキ液
等の無電解メツキ液に接触させることによつて、
金属を無電解メツキする。このような無電解メツ
キ液は当該技術分野において公知であり、電気を
用いないで基板中の増感された面域に金属を目触
媒的に着床させる能力を有する。

本発明方法において利用可能な無電解銅メツキ
液は、米国特許第3095309号明細書に開示されて
おり、その記述を必要な限りにおいて本明細書中
で引用する。一般的に、無電銅メツキ液は硫酸銅
のごとき第二銅イオン供給源と、ホルムアルデヒ
ドのごとき第二銅イオンの還元剤、テトラナトリ
ウムエチレンジアミンテトラ酢酸のごとき第二銅
イオンの錯化剤、水酸化ナトリウムのごときPH調
整剤とからなる。

本発明に利用できる無電解ニツケルメツキ浴
は、1954年発行のブレナー（Brenner）著、「金
属仕上げ（Metal Finising）」の第68〜76頁に記
載されている。それを引用すると、無電解ニツケ
ルメツキ浴は塩化ニツケルのようなニツケル塩の
溶液と、次亜燐酸塩イオンのごときニツケル塩の
活性還元剤と、カルボン酸類、その塩類等の錯化
剤とからなる。

本発明に利用できる無電解メツキ浴は、米国特
許第2976181号に開示されており、それを引用す
ると、無電金メツキ浴はシアン化金のごときやや
水溶性のある金塩と、次亜燐酸塩イオンのごとき
金塩の還元剤と、シアン化ナトリウム、シアン化
カリウムのごときキレート試薬ないしは錯化剤と
からなる。次亜燐酸塩イオンはナトリウムカルシ
ウム、アンモニウム塩のごとき酸ないしは塩類の
形で導入してもよい。錯化剤を用いるのは、溶液
中の少量の金を水溶性金錯体として維持すること
により、金の大部分が「金準備」として溶液外に
とどまつているようにするためである。浴のPH値
は約13.5または約13〜14の間に維持し、次亜燐酸
塩対不溶性金塩のイオン比は約0.33〜10：１とす
る。

本発明方法の実施に際して使用するのに特に適
した無電解銅メツキ浴を次に記す。

硫酸銅 0.03Mol／ 水酸化ナトリウム 0.125〃 シアン化ナトリウム 0.0004〃 ホルムアルデヒド 0.08〃 テトラナトリウム エチレンジアミン―テトラ
アセテート 0.035〃 水 残余 この浴は約55℃の温度で作用させるのが望まし
く、上記温度において約51時間経過すると約１ミ
ルの厚さの延性のある銅の被膜が基板の増感面上
に着床形成される。

上述のタイプの無電解金属メツキ浴を使用する
ことにより、極めて薄い導電性金属膜を着床させ
ることができる。通常この方法によつて0.1〜７
ミル程度の厚さの金属膜を無電メツキすることが
でき、厚さ0.1ミル以下のものをメツキすること
も可能である。

次に、本発明の方法を添付の図面を参照して具
体的に説明する。添付の図面には本発明方法によ
つて貫通孔を有するプリント回路板を製作する工
程が図式的に示してある。

先ず第１Ａ図に示すように、絶縁基板１００の
両面には疎水性マスク１０２をかぶせて、プリン
トされるべき回路パターンに対応する部分１０
４，１０６を除く基板の表面をこのマスク１０２
でおおう。次に、必要であれば適当な方法によつ
て基板１００を貫通する孔１０８をあける（第１
Ｂ図）。そのあと回路基板１００をシード液〔１〕
または〔２〕を用い、そこで述べたように処理し
て貫通孔１０８の周壁１０９および疎水性マスク
１０２でおおわれていない基板の露出面１０４，
１０６を無電解メツキ可能なように増感する（第
１Ｃ図）。増感処理を終えたら回路基板１００を
シード液からひきあげて洗浄し、貫通孔内壁を含
む基板の露出面に付着している余計なシード液を
除去する。この場にも、疎水性マスク１０２はシ
ード液によつて実質上湿潤されることがないの
で、増感処理を行つてもマスク１０２はほとんど
増感されることがない。最後に、増感処理済みの
回路基板を無電解メツキ液に浸接すると貫通孔１
０８の内壁１０９に金属膜１１０が無電解メツキ
される。これと同時に、基板表面の疎水性マスク
１０２でおおわれていない露出増感面にも参照符
号１１２，１１４，１１６，１１８で示すように
金属が無電解メツキされ、基板１００の両面に回
路パターンが形成される。さらに、基板１００を
そのまま引続き無電解メツキ液に浸接しておく
と、貫通孔周壁上の金属膜１１０が徐々に成長し
て隆起部１２２ができあがる。第１Ｄ図に示すよ
うに、この隆起部１２２は貫通孔１０８の上下端
を取り囲こむ疎水性マスク１０２のうえに重なり
合う。無電解メツキ液としては、たとえば前にあ
げた無電解銅メツキ液を使用することができる。
なおこの無電解メツキ作業の後回路基板を塩化第
二鉄溶液のごときエツチング液に数秒間浸漬し
て、疎水性マスク１０２の表面上にわずかに着床
する銅等の無電解メツキ金属を溶かし去る。こう
してできあがつた回路板は第１Ｄ図に示すような
外観を提する。必要であれば、第１Ｅ図に示すよ
うに、回路板の両面に整合マスク１３０をかぶせ
て基板上のプリント回路パターンを保護してもよ
い。

以上においては、本発明をメツキ貫通孔を有
し、両面にプリント回路が形成してあるタイプの
プリント回路板との関連で説明したのであるが、
本発明の方法はそのような貫通孔を有しもしくは
有しないものであつて、片面にのみプリント回路
が形成してあるタイプのプリント回路を製造する
ためにも適用可能である。また、回路板を２層以
上重ねてなる多層回路板の製造に適用することが
できる。また、回路板に限らず、たとえば、装飾
その他の物品、自動車の内装品などを作る場合の
ように、絶縁性基板表面のあらかじめ定められた
特定の部分にのみ金属を被着する必要がある場合
に一般的に応用することができる。さらにエツチ
ング処理を無電解メツキ作業の終了後に行うだけ
ではなく、無電解メツキ作業中に必要に応じて作
業を一時中断してエツチング処理を行つてもよ
い。疎水性マスク上に付着するメツキ金属は微少
かつ微細であるので、エツチング処理は短時間で
終えることができる。また疎水マスク上に付着す
る金属の厚みも金属膜１１０，１１２，１１４，
１１６，１１８に比べて極めて薄いので、短時間
のエツチング処理によつてこれらのメツキ金属膜
１１０〜１１８が亜影響を受けることはほとんど
ない。

以上に詳述したように、本発明の方法では絶縁
基板表面の金属メツキを必要としない部分に無電
解メツキ用シード液で湿潤されることのない疎水
性マスクをあらかじめかぶせておくので、従来の
類似の方法より工程が単純化され、作業能率が向
上すると共に、作業コストが著しく軽減される。
従来の技術でも、絶縁基板に金属を無電解メツキ
によつて被着しようとする場合には基板表面の金
属メツキを必要としない部分にマスクをかぶせ、
基板をシード液に浸漬した時にそのメツキ不要部
分がシード液で増感されることのないようにして
いた。しかし使用するマスクが本発明のような疎
水性マスクではないために、基板をシード液に浸
漬するとシード液中の金属成分がマスクに付着残
留する傾向にある。シード液中の金属成分がマス
ク上に付着残留しているとあたかもマスク表面が
部分的に増感されたと同じ効果が現われ、後に絶
縁基板を無電解メツキ液につけた時にマスクでお
おわれていない基板表面部分だけではなく、マス
ク上にも金属が析出着床する。すなわち本来無電
解メツキされてはならない部分にも金属が部分的
にメツキされ、プリント回路板等を製造する場合
にはプリント回路相互が不用意に短絡されたり、
そうでなくとも漏れ電流路を形成したりする恐れ
があつた。このような不都合を防止するために、
マスク表面に無電解メツキ金属の受容性を失わせ
るための薬剤、たとえば硫黄、セレン、砒素等を
含む薬剤（「触媒毒」とも呼ばれる）を塗布する
ことが行われている。

しかしそのような触媒毒を塗布した絶縁基材を
増感液や無電解メツキに浸接すると、触媒毒物質
が徐々に増感液や無電メツキ液中に混入して行
く。プリント回路板等は大量生産するのが普通で
あり、従つて多数の絶縁基板が増感液や無電解メ
ツキ液に浸接され、その度に触媒毒物質がこれら
の液に混入する。このため増感液や無電解メツキ
液はまたたく間に品質が低下するので、新たな液
を頻繁に補給しなければならない。そうでないと
無電解メツキの質が悪くなり、欠陥製品が続出す
る。しかし増感液や無電解メツキ液は高価である
ので、消費量が多くなると必然的に製品のコスト
が高くなる。ところが、本発明法の疎水性絶縁マ
スクを使用する場合には、組成分が増感液やメツ
キ液中に溶け出してこれらの液「疲労させる」こ
とは絶無とは言えないまでもほとんど問題にする
程のものではない。従つて、従来方法の触媒毒を
含むマスク塗布剤のような問題は全く生じること
がなく、前述のように作業能率を高め、作業コス
トを軽減することが可能となる。

特許請求の範囲に記載の第１番目の発明の方法
では、絶縁基板表面の金属を被着しようとする部
分を除く部分に疎水性絶縁マスクをかぶせ、この
基板を無電解金属メツキ用シード液に浸接して基
板表面の疎水性マスクでおおわれていない露出部
分を増感する。増感処理後絶縁基板を無電解メツ
キ液に浸漬すると、基板の増感面に金属が無電解
メツキされる。

これに対し特許請求の範囲に記載の第２番目の
発明の方法では、基板の露出増感面に金属を無電
解メツキした後基板をエツチング液で処理して基
板の露出増感面に無電解メツキされた金属を実質
上損うことなく疎水性マスク上にわずかに付着し
ている無電解メツキ金属を溶かし去る。これは前
述したように疎水性マスクをかぶせた絶縁基板を
シード液に浸接すると、「疎水性」マスクと言え
ども表面の多少のシード液が付着残留することは
避けられず部分的に若干増感されることがあり、
従つて基板を無電解メツキ液につけた時に疎水性
マスクの所々に金属がわずかに析出着床すること
があるからである。着床金属の量は極くわずかで
あるがエツチング処理によつて疎水性マスクから
完全に金属を除去することができ、短絡、漏れ電
流路等が生じる恐れはなくなる。

特許請求の範囲に記載の第３番目の発明の方法
では、基板表面の所定部分に疎水性マスクをかぶ
せてから基板のあらかじめ定められた箇所に孔を
あける。孔をあけた後基板をシード液に浸接して
孔の内壁を含む露出面を増感し、次いで無電解メ
ツキ液につけて孔の内壁を含む増感面に金属を無
電解メツキする。疎水性マスクを基板表面にかぶ
せた後で所定箇所に孔をあけるので、孔をあけて
からマスクをかぶせる場合のように、基板中の孔
に対応する孔をマスク中に形成し、これと基板中
の孔とを整合させるという複雑で手数の要する作
業を行う必要がなくなる。また基板をシード液に
つけると孔の内壁も増感され、無電解メツキ金属
はこの部分にも析出着床する。従つてメツキ孔を
通じて基板表面上のメツキ金属相互またはこれら
と基板内部とを必要に応じて電気的に接続するこ
とができる。

特許請求の範囲に記載の第３番目の発明の方法
では、最終の工程で基板をエツチング処理して、
疎水性マスク上に析出着床することのあるわずか
の金属をも完全に除去する。増感面にメツキされ
た金属に比らべて疎水性マスク上に着床する金属
は極くわずかであるので、これを溶かし去るため
に基板をエツチング液に浸接しても、増感面上の
メツキ金属が溶け出すことはほとんどない。従つ
て増感面上のメツキ金属はエツチング処理によつ
て実質上損われることがない。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ〜１Ｅ図は本発明になる絶縁基板に金属
を被着する方法の工程を示す図である。 １００……絶縁基板、１０２……疎水性マス
ク、１０４，１０６……露出面、１０８……貫通
孔、１０９……触媒性を付与された貫通孔周壁、
１１０……無電金属メツキ、１１２，１１４，１
１６，１１８……回路パターン、１２０，１２２
……パツド（隆起部）、１３０……整合マスク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板の少なくとも片面上に無電解金属メ
   ツキ用シード液によつて実質上湿潤されることの
   ない疎水性絶縁マスクを形成して、当該基板表面
   のあらかじめ定められた面域を除く部分をその疎
   水性絶縁マスクでおおう工程と、 絶縁性基板を無電解金属メツキ用シード液に浸
   接して、基板表面の疎水性マスクでおおわれてい
   ない露出面部分に無電解金属メツキに対する受容
   性を与える工程と、 絶縁基板を無電解金属メツキ液に浸接して、疎
   水性絶縁マスクでおおわれている基板表面に金属
   を付着させることなく前記露出面部分にのみ金属
   を無電解メツキする工程、 とからなる絶縁基板に金属を選択的に被着する方
   法。 ２ 絶縁基板の少なくとも片面上に無電解金属メ
   ツキ用シード液によつて実質上湿潤させることの
   ない疎水性絶縁マスクを形成して、当該基板表面
   のあらかじめ定められた面域を除く部分をその疎
   水性絶縁マスクでおおう工程と、 絶縁基板を無電解金属メツキ用シード液に浸接
   して、基板表面の疎水性マスクでおおわれていな
   い露出面部分に無電解金属メツキに対する受容性
   を与える工程と、 絶縁基板を無電解金属メツキ液に浸接して、疎
   水性絶縁マスクでおおわれている基板表面に金属
   を付着させることなく前記露出面部分にのみ金属
   を無電解メツキする工程と、 絶縁基板を無電解メツキ金属を溶かすことので
   きるエツチング液で処理して、前記露出面部分に
   無電解メツキされたメツキ金属を実質上損うこと
   なく疎水性絶縁マスク上にわずかに付着している
   無電解メツキ金属を除去する工程、 とからなる絶縁基板に金属を選択的に被着する方
   法。 ３ 絶縁基板の少なくとも片面上に無電金属メツ
   キ用シード液によつて実質上湿潤されることのな
   い疎水性絶縁マスクを形成して、当該基板表面の
   あらかじめ定められた面域を除く部分をその疎水
   性絶縁マスクでおおう工程と、 絶縁基板のあらかじめ定められた箇所に孔をあ
   ける工程と、 絶縁基板を無電金属メツキ用のシード液に浸接
   して、孔の内壁を含む絶縁基板の露出面に無電金
   属メツキに対する受容性を与える工程と、 絶縁基板を無電金属メツキ液に浸接して、疎水
   性絶縁マスクでおおわれている基板表面に金属を
   付着させることなく孔の内壁を含む絶縁基板の露
   出面にのみ金属を無電解メツキする工程、 とから成る絶縁基板に金属を選択的に被着する方
   法。 ４ 絶縁基板の少なくとも片面上に無電解金属メ
   ツキ用シード液によつて実質上湿潤されることの
   ない疎水性絶縁マスクを形成して、当該基板表面
   のあらかじめ定められた面域を除く部分をその疎
   水性絶縁マスクでおおう工程と、 絶縁基板のあらかじめ定められた箇所に孔をあ
   ける工程と、 絶縁基板を無電解金属メツキ用のシード液に浸
   接して、孔の内壁を含む絶縁基板の露出面に無電
   解金属メツキに対する受容性を与える工程と、 絶縁基板を無電解金属メツキ液に浸接して、疎
   水性絶縁マスクにおおわれている基板表面に金属
   を付着させることなく孔の内壁を含む絶縁基板の
   露出面にのみ金属を無電解メツキする工程と、 絶縁基板を無電解メツキ金属を溶かすことので
   きるエツチング液で処理して、前記孔の内壁を含
   む絶縁基板の露出面にメツキされた無電解メツキ
   金属を実質上損うことなく疎水性絶縁マスク上に
   わずかに付着している無電解メツキ金属を除去す
   る工程、 とから成る絶縁基板に金属を選択的に被着する方
   法。