JPS6390802A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPS6390802A JPS6390802A JP61236741A JP23674186A JPS6390802A JP S6390802 A JPS6390802 A JP S6390802A JP 61236741 A JP61236741 A JP 61236741A JP 23674186 A JP23674186 A JP 23674186A JP S6390802 A JPS6390802 A JP S6390802A
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- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 34
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 28
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 8
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl) carbonochloridate Chemical compound FC1=CC=C(OC(Cl)=O)C=C1 MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
。
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリンク電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雪サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリンク電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雪サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がきわ
めて少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に開
示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3のうち
10%以上をγ−Bi2O3として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3のうち
10%以上をγ−Bi2O3として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重け%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−B i 203 )
にすることによって、きわめて苛酷な課電条件下におい
ても長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少な
く、しかも時間とともに減少するような特性をもつバリ
スタに関するものである。
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガラ
スが添加され、焼結体中のBi2O3の90重け%以上
を体心立法品系酸化ビスマス(γ−B i 203 )
にすることによって、きわめて苛酷な課電条件下におい
ても長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少な
く、しかも時間とともに減少するような特性をもつバリ
スタに関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−Bi203相。
によって焼結体にα−Bi203相。
β−Bi203相、γ−Bi2O3相の他にδ−Bi2
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bi2O
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi203相、β−B
i203相、δ−Bi203相がγ−Bi2O3相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはバ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(DI)の液相を生じ、酸化亜鉛の
焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi203相、δ
−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ・アブ
ライズド・フィジックス(日本国)、15巻(1976
年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中において
700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビス
マス(III)の90%以上をγ−Bi2O3相に相変
化させることによって安定なバリスタが得られることを
究明したものである。
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−Bi2O
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi203相、β−B
i203相、δ−Bi203相がγ−Bi2O3相に変
態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のときに安
定なバリスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して得ら
れた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する酸化ビスマス
は通常800〜900℃で反応を開始し、いったんはバ
イロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネル結
晶相と酸化ビスマス(DI)の液相を生じ、酸化亜鉛の
焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi203相、δ
−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ・アブ
ライズド・フィジックス(日本国)、15巻(1976
年)1847頁に記載の方法に準じて、大気中において
700℃で再焼成することによって焼結体中の酸化ビス
マス(III)の90%以上をγ−Bi2O3相に相変
化させることによって安定なバリスタが得られることを
究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検討を重ね
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
た結果、上記従来技術として開示されている前者、後者
とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−Bi2O3相に変態(相変化)し低電流領域で電圧
−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−Bi2O3相に変態(相変化)し低電流領域で電圧
−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成する酸化亜鉛を主成
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
i2O3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−■特性の低下を防止することがで
きない。
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望の量のγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域でのV−■特性の低下を防止することがで
きない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するBi2O3相
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
を減らすことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくともバリウム、ビスマス。
て少なくともバリウム、ビスマス。
チタン、アンチモンを含み、該添加物中のバリウムとビ
スマス、チタンとビスマスの関係が8a/8 i =0
.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して0.
05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸化亜
鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をバイロクロア型化合物で
あるように構成してなるものである。
スマス、チタンとビスマスの関係が8a/8 i =0
.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンをSb2O3に換算して0.
05〜3.0モル%含有してなる焼結体における酸化亜
鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をバイロクロア型化合物で
あるように構成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−3i203相に相変化
するB12O3相が極力少なくなり、低電流領域でのV
−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をバイロクロア型化合物にすることによ
って1000℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−3i203相に相変化
するB12O3相が極力少なくなり、低電流領域でのV
−1特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることの
できない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(B 1203 ) 、Fa化バリウム(Ba
d)、Fli化チクチタンi02)、1jfi化アンチ
モン(Sb203)、R化コバルト(Coo)、M化り
ロム(Cr203)、酸化ニッケル(NiO)、M化マ
ンガン(MnO)の酸化物の中から少なくとも酸化バリ
ウム、酸化ビスマス、酸化チタン、酸化アンチモンを含
み、該添加物中のバリウムとビスマス、チタンとビスマ
スの関係が Ba/B i=0.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2〜2.0の範囲で、Bi2O30,
05〜i、oモル%。
ビスマス(B 1203 ) 、Fa化バリウム(Ba
d)、Fli化チクチタンi02)、1jfi化アンチ
モン(Sb203)、R化コバルト(Coo)、M化り
ロム(Cr203)、酸化ニッケル(NiO)、M化マ
ンガン(MnO)の酸化物の中から少なくとも酸化バリ
ウム、酸化ビスマス、酸化チタン、酸化アンチモンを含
み、該添加物中のバリウムとビスマス、チタンとビスマ
スの関係が Ba/B i=0.05〜0.5゜ Ti/Bi=0.2〜2.0の範囲で、Bi2O30,
05〜i、oモル%。
Sb203 0.05〜3.0モル%を含有するセラミ
ック粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼
成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
ック粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼
成し、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加岱(モル%)のちがいによ
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマスaと、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たyiooμA−VlmAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によって測定したVloo μA−VI T
rLAのα、ざらにはVl mA/mを示したものであ
る。
る銀焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインビーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のバイロクロア型化合物に含まれるビスマスaと、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によって測定し
たyiooμA−VlmAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によって測定したVloo μA−VI T
rLAのα、ざらにはVl mA/mを示したものであ
る。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径が14繭
、厚さが1履で、電極直径は13.4.wである。
、厚さが1履で、電極直径は13.4.wである。
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくするため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図は3a/BiまたはTi/Biと非
直線性tx (Vloo uA−VlmA)の関係を示
すもので、第2図および第4図はBa/Biまたは”z
/s;とバイロクロア型化合物に含まれるビスマス間を
示すもので、第1図および第2図におけるTi/Biは
1.0、第3図および第4図におけるBa/Biは0.
25のときである。また第5図はバイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と700℃のアニールによるLC
変動との関係を示すもので、第6図はバイロクロア型化
合物に含まれるビスマス固と高温課電(105℃、DC
2mA。
直線性tx (Vloo uA−VlmA)の関係を示
すもので、第2図および第4図はBa/Biまたは”z
/s;とバイロクロア型化合物に含まれるビスマス間を
示すもので、第1図および第2図におけるTi/Biは
1.0、第3図および第4図におけるBa/Biは0.
25のときである。また第5図はバイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と700℃のアニールによるLC
変動との関係を示すもので、第6図はバイロクロア型化
合物に含まれるビスマス固と高温課電(105℃、DC
2mA。
1000h)後によるL C’!:を動との関係を示す
ものである。なお、この試料はアルミニウムメタリコン
電極によるものである。さらに第7図は前記表に示す実
施例9と従来例73のV100μA−VlmAの電圧−
電流特性を丞ずものであり、第8図および第9図は第7
図で用いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもの
で、第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(70
0℃)後である。
ものである。なお、この試料はアルミニウムメタリコン
電極によるものである。さらに第7図は前記表に示す実
施例9と従来例73のV100μA−VlmAの電圧−
電流特性を丞ずものであり、第8図および第9図は第7
図で用いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもの
で、第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(70
0℃)後である。
前記表および第1図〜第4図から明らかなように、3a
/BiおよびTi/Biが大きくなるほどバイロクロア
型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を示
す中で、非直線性αが極大となる3a/3iおよびTi
/Biの範囲はBa/B i=0.05〜0.5゜Ti
/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すなわち
焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含まれる
ビスマスmの増加によってBi2O3が減少しすぐれた
非直線性を示すが、Ba/B i、T i/B iが上
限を越して大きくなりすぎるとバイロクロア化する反応
ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるもの
と推量される。また前記表はもとより第5図および第6
図から明らかなように、バイロクロア型化合物に含まれ
るビスマスMが50%以上となるものは熱履歴による非
直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリスタ
特性を示している。さらに第7図から明らかなようにバ
イロクロア型化合物が存在しない従来例のものは低電流
領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電
流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで漏
れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして、本発
明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮する根
拠については第8図および第9図によって明らかなよう
に、焼結体の結品粒子間の粒界偏析部にバイロクロア型
化合物を含み、該パイ0クロア型化合物に焼結体中に含
まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴により
相変化するBi2O3相を少なく抑制できることによる
ものである。
/BiおよびTi/Biが大きくなるほどバイロクロア
型化合物に含まれるビスマスの割合が増加する傾向を示
す中で、非直線性αが極大となる3a/3iおよびTi
/Biの範囲はBa/B i=0.05〜0.5゜Ti
/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。すなわち
焼結体の粒界偏析部にバイロクロア型化合物に含まれる
ビスマスmの増加によってBi2O3が減少しすぐれた
非直線性を示すが、Ba/B i、T i/B iが上
限を越して大きくなりすぎるとバイロクロア化する反応
ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによるもの
と推量される。また前記表はもとより第5図および第6
図から明らかなように、バイロクロア型化合物に含まれ
るビスマスMが50%以上となるものは熱履歴による非
直線性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリスタ
特性を示している。さらに第7図から明らかなようにバ
イロクロア型化合物が存在しない従来例のものは低電流
領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のものは電
流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわずかで漏
れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして、本発
明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮する根
拠については第8図および第9図によって明らかなよう
に、焼結体の結品粒子間の粒界偏析部にバイロクロア型
化合物を含み、該パイ0クロア型化合物に焼結体中に含
まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴により
相変化するBi2O3相を少なく抑制できることによる
ものである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推量される。
として存在するものと推量される。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわめて安定した実
用的価値の高いバリスタを得ることができる。
第1図はBa/Bi−α特性曲線図、第2図はBa/8
1−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はTi/Bi−α特性曲線図、第4図はTi
/Bi−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マスm−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス組−高温
課電によるへLC/LG特性曲線図、第7図は電流−電
圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回折
グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフで
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Ba/3i 第 1 図 Ba/B i 第 2 図 Ti/Bi 第 3 図 Ti/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるごス7スff1(%)
第 5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6 図 電 流(1) 第 7 図 従 来 例 (7+) 50 実 1+M(9゛)2 θ
(deQ) Dy:DVrOChlOre 従 来 例 (ワ3) 実 施 例 (9) sp:5pinel
1−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相関
図、第3図はTi/Bi−α特性曲線図、第4図はTi
/Bi−バイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の
相関図、第5図はバイロクロア型化合物に含まれるビス
マスm−アニールによるΔLC/LC特性曲線図、第6
図はバイロクロア型化合物に含まれるビスマス組−高温
課電によるへLC/LG特性曲線図、第7図は電流−電
圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回折
グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グラフで
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 Ba/3i 第 1 図 Ba/B i 第 2 図 Ti/Bi 第 3 図 Ti/Bi 第 4 図 バイロクロア型化合物に含まれるごス7スff1(%)
第 5 図 バイロクロア型化合物に含まれるビスマスa (%)第
6 図 電 流(1) 第 7 図 従 来 例 (7+) 50 実 1+M(9゛)2 θ
(deQ) Dy:DVrOChlOre 従 来 例 (ワ3) 実 施 例 (9) sp:5pinel
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともバリウム、ビスマ
ス、チタン、アンチモンの添加物を含み、該添加物中の
バリウムとビスマス、チタンとビスマスの関係が Ba/Bi=0.05〜0.5、 Ti/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したバイロク
ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236741A JPS6390802A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236741A JPS6390802A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390802A true JPS6390802A (ja) | 1988-04-21 |
| JPH0253928B2 JPH0253928B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236741A Granted JPS6390802A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390802A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236741A patent/JPS6390802A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0253928B2 (ja) | 1990-11-20 |
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Legal Events
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