JPS63281405A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電圧非直線抵抗体

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JPS63281405A
JPS63281405A JP62117432A JP11743287A JPS63281405A JP S63281405 A JPS63281405 A JP S63281405A JP 62117432 A JP62117432 A JP 62117432A JP 11743287 A JP11743287 A JP 11743287A JP S63281405 A JPS63281405 A JP S63281405A
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bismuth
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tantalum
calcium
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JP62117432A
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Takeshi Suzuki
武志 鈴木
Kiyoshi Matsuda
清 松田
Yukiteru Kikuchi
菊地 幸輝
Takamichi Momoki
桃木 孝道
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Marcon Electronics Co Ltd
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Marcon Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビスマスを
含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体(以下バリスタ
と称す)に関する。
(従来の技術) 昨今、各種バリスタの開発はめざましいものがあり、中
でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバリスタはその優
れた非直線性、サージ吸収性および定電圧性などの安定
性が認められ、雷サージおよび異常電圧に対する防護用
バリスタまたは定電圧バリスタとして広く用いられてい
る。しかしてこの種バリスタは、主成分としての酸化亜
鉛に添加物としてビスマス、コバルト。
マンガン、ニッケル、クロムなどを数種から10数種添
加混合し、造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペース
トを塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコン
するかなどの手段を経て電極を形成し実用に供している
しかして、このようにして用いられるバリスタは、実用
上通常(正常)の電圧状態においてはアイドリング電流
(漏れ電流)が少なく、異常電圧、雷サージ吸収時はそ
の吸収能力が大きく、その後の電気的特性の変化がぎわ
めで少ないことが要求されている。従来、このような要
求に応える技術として特公昭53−21509号公報、
または特公昭60−38841号公報に開示されたもの
がある。
特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に開
示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3のうち
10%以上をγ−81203として含ませることにより
直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流に対しても
安定で優れたバリスタ特性を発揮するようにしたもので
ある。
また特公昭6.0−38841号公報(以下後者と称ず
)に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマスガ
ラスが添加され、焼結体中の8i、、03の90重尾%
以上を体心立法晶系酸化ビスマス(γ−Bi2O3)に
することによって、きわめて苛酷な課電条件下において
も長時間経過後の漏れ電流の経時変化がきわめて少なく
、しかも特開とともに減少するような特性をもつバリス
タに関するものである。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件、焼成条件など
によって焼結体にα−Bi203相。
β−Bi203相、γ−Bi2O3相の他にδ−812
03相が生成され、また焼成した時点ではγ−B12o
3相を含まない焼結体でも電極焼付、または使用中の再
加熱下などの熱履歴を経るとα−Bi  O相、β−B
i203相、δ−Bi  O相が7−8 + 2o3相
に変態する場合のγ−Bi2O3相が10%以上のとき
に安定なバリスタが得られることを究明したものである
。後者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加して
得られた酸化どスマスを含む焼結体を構成する酸化ビス
マスは通常800〜900℃で反応を開始し、いったん
はパイロクロア結晶相を形成し、ついで分解してスピネ
ル結晶相と酸化ビスマス(III)の液相を生じ、酸化
亜鉛の焼結が進行する過程で形成されるβ−Bi103
相、δ−Bi203相を含む焼結体をジャーナル・オブ
・アブライズド・フィジックス(日本国)、15巻(1
976年)1847頁に記載の方法に準じて、人気中に
おいて700℃で再焼成づることによって焼結体中の酸
化ビスマス(III)の90%以上をγ−Bi203相
5相変化させることによって安定なバリスタが得られる
ことを究明したものである。
本発明者らは以上に述べた技術を前・提に種々検討を重
ねた結果、上記従来技術として開示されている前者、後
者とも焼結体中に含まれるα。
β、δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが
製造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または電極
形成として熱履歴をともなわないメッキ、メタリコンの
ものでも実用時の電気エネルギーの累積熱履歴によって
γ−Bi2O3相に変態(相変化)し低電流領域で電圧
−電流(V−1)特性が低下する点がわかった。
しかして本発明者らは焼結体を構成する酸化亜鉛を主成
分とした結晶粒子の粒界偏析部に熱に安定なビスマス化
合物を生成させることによって粒界偏析部を構成するB
12o3相の熱による相変化を少なくすることができる
点に着目し種々開発を進め本発明にいたった。
(発明が解決しようとする問題点) 以上のように安定なバリスタを得るため、添加物の種類
や仮焼条件、焼成条件などによって焼結体中の結晶粒子
の粒界偏析部に形成されるBi2O3相中所望のωのγ
−Bi2O3相を得たとしても、残りのα、β、δそれ
ぞれのBi2O3相がその後の熱履歴、つまり電極焼付
および使用中の電気エネルギーによって相変化を起こし
、低電流領域での■−■特性の低下を防止することがで
きない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在するBi2O3相
を減らずことによって、非直線性に優れ経時変化のない
きわめて安定性の高いバリスタを提供することを目的と
するものである。
[発明の構成コ (問題点を解決するための手段) 本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添加物とし
て少なくともカルシウム、どスマス。
タンタル、アンチモンを含み、該添加物中のカルシウム
とどスマス、タンタルとビスマスの関係が Ca/B i 〜0.05〜0.5゜ Ta/Bi=0.2 〜2.0 の範囲で、ビスマスをB12o3に換算して0.05〜
1.0モル%、アンチモンを5b2o3に換算L T 
0 、05〜3 、 Oモ)Li %含有してなる焼結
体における酸化亜鉛を主成分とする結晶粒子の粒界偏析
部に、前記焼結体中の全どスマスの50%以上をパイロ
クロア型化合物であるように構成してなるものである。
(作用) 以上のような構成になるバリスタによれば、焼結体中の
結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析物として全ビスマ
スの50%以上をパイロクロア型化合物にすることによ
って1ooo℃程度まで変態しない熱的に安定な物質と
して形成でき、熱履歴過程でγ−Bi2O3相に相変化
する81203相が極力少なくなり、低電流領域でのV
i特性の低下はきわめて少なく、従来では得ることので
きない優れた非直線特性を得ることができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として酸化
ビスマス(Bi203)、酸化カルシウム(Cab)、
酸化タンタル(Ta205)。
酸化アンチモン(Sb203)、酸化コバルト(Coo
)、酸化クロム(Cr203 )、酸化ニッケ)Lt 
(N i O> 、酸化マンガン(MnO)の酸化物の
中から少なくとも酸化カルシウム。
酸化ビスマス、酸化タンタル、酸化アンチモンを含み、
該添加物中のカルシウムとビスマス。
タンタルとビスマスの関係が Ca/B i=0.05〜0.5゜ Ta/B i 〜0.2〜2.0の範囲で、81203
 0.05〜1.0モル%。
8b Oo、05〜3.0モル%を含有するセラミック
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し
、得た板状焼結体の両面に銀焼付、メッキまたはメタリ
コンなどを施し電極を形成してなるものである。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のちがいによ
る鍋焼付電極形成と同じ条件となる700℃熱処理を施
した焼結体のX線回折によるメインピーク強度比から求
めたZnO結晶粒子間を構成する粒界偏析部成分として
のパイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊と、焼結
体自体の電気的特性を把握するために熱履歴をともなわ
せないアルミニウムメタリコン電極形成によッテ測定し
たVloo μA−VI TrLA17)α、熱履歴を
ともなう鍋焼付電極形成によって測定したv100μA
−VlmAのα、さらニハV17rLA/#を示したも
のである。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径が14#
、厚さが1mで、電極直径は13.4履である。
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくするため、第
1図〜第9図を参照して説明する。
第1図および第3図はca/srまたは丁a/B1と非
直線性a (Vloo μA−v 1 mA )の関係
を示すもので、第2図および第4図はCa/Biまたは
Ta/[3iとパイロクロア型化合物に含まれるビスマ
ス量を示すもので、第1図および第2図に85けるTa
/Biは1.01第3図および第4図におけるCa/B
iは0.25のときである。また第5図はパイロクロア
型化合物に含まれるビスマス量と700℃のアニールに
よるLC変動との関係を示すもので、第6図はパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量と高温課電(105
℃、DC2mA。
1000h)後によるLC変動との関係を示寸ものであ
る。なお、この試料はアルミニウムメタリコン電極によ
るものである。さらに第7図は前記表に示す実施例9と
従来例73のV1μA−VlomAの電圧−電流特性を
示すものであり、第8図および第9図は第7図で用いた
ものと同一試料のX線回折グラフを示すもので、第8図
は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理(700℃)後で
ある。
前記表および第1図〜第4図から明らかなように、Ca
/B iおよびTa/Biが大きくなるほどパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマスの割合が増加(る傾向を
示す中で、非直線性αが極大となるCa/B iおよび
Ta/B iの範囲はCa/B i=0.05〜0.5
゜Ta/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。す
なわち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合物に含
まれるビスマス量の増加によってB12O3が減少しず
ぐれた非直線性を示ずが、Ca/B i 、Ta/B 
iが上限を越して大きくなりすぎるとパイロクロア化す
る反応ステージが早くなりすぎ、焼結性を損うことによ
るものと推量される。また前記表はもとより第5図およ
び第6図から明らかなように、パイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量が50%以上となるものは熱履歴に
よる非直線性α特性の変化がきわめて少なく覆ぐれたバ
リスタ特性を示している。さらに第7図から明らかなよ
うにパイロクロア型化合物が存在しない従来例のものは
低電流領域での電圧低下が著しいのに対し、本発明のも
のは電流が1μAという低電流領域でも電圧降下はわず
かで漏れ電流がきわめて小さい結果を示した。しかして
、本発明によるものが以上のようなすぐれた効果を発揮
する根拠については第8図および第9図によって明らか
なように、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロク
ロア型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に焼結体
中に含まれる全ビスマスの50%以上を含有させ熱履歴
により相変化するB12o3相を少なく抑制できること
によるものである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化ビスマス
として存在するものと推量される。
[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、非直線性にすぐれ、
かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわ− 15 = めて安定した実用的価値の高いバリスタを得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はCa/Bi−α特性曲線図、第2図はCa/B
 +−パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量の相
関図、第3図はTa/B i−α特性曲線図、第4図は
Ta/Bi−パイロクロア型化合物に含まれるどスマス
量の相関図、第5図はパイロクロア型化合物に含まれる
ビスマス聞−アニールによるΔLC/I C特性曲線図
、第6図はパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量
−高温課電によるへLC/LC特性曲線図、第7図は電
流−電圧比特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX
線回折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折グ
ラフである。 特  許  出  願  人 マルコン電子株式会社 (Vm LA 〜V7700LΔ)  X)(%)  
ulrとと29甘f昼フ)伶髪q1尚/口60ハlTa
/B i 第  3  図 ご ; 区 ン80 区 運 θ = を 仰 目 く口 4戸 百H P\ 口 へ パイロクロア型化合物に含まれるビスマス吊 (%)第
  5  図     V

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、少なくともカルシウム、ビスマ
    ス、タンタル、アンチモンの添加物を含み、該添加物中
    のカルシウムとビスマス、タンタルとビスマスの関係が Ca/Bi=0.05〜0.5、 Ta/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi_2O_3に換算して0.0
    5〜1.0モル%、アンチモンを Sb_2O_3に換算して0.05〜3.0モル%含有
    してなる焼結体における結晶粒子の粒界偏析部に、前記
    焼結体中の全ビスマスの50%以上を化合したパイロク
    ロア型化合物を含有したことを特徴とする電圧非直線抵
    抗体。
JP62117432A 1987-05-13 1987-05-13 電圧非直線抵抗体 Granted JPS63281405A (ja)

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JPH0379849B2 JPH0379849B2 (ja) 1991-12-20

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109796202A (zh) * 2019-03-25 2019-05-24 电子科技大学 一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109796202A (zh) * 2019-03-25 2019-05-24 电子科技大学 一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料

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