JPS6394656A - 半導体素子の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子特に■−■族化合物からなる半導体
基板を利用して製造する発光ダイオードペレットの分割
方法に関する。

（従来の技術） 発光ダイオードはｍ−ｖ族化合物に属するＧａＰ基板に
その表面と平行なＰＮ接合を設け、この基板表面に電極
を設置する方法が採用されているのは、良く知られてい
る通りである。この電極形成に当っては前述のようにＰ
Ｎ接合（図示せず）を形成したＧａＰ半導体基板２０表
面に厚さ１μｍ程度のＡｕ層を蒸着後パターニングを行
って一素子当り一表面側に一個、地表面側に三個の電極
２１を設ける。この形成電極数は半導体素子に特性に応
じて選択するもので、発光ダイオードでは発光時におけ
る吸収を抑制するために設置する。このパターニング後
の断面を第３図口に示し、尚半導体基板として適用する
ＧａＰの厚さは２００乃至３００μ票が一般的である。

次に電極２１及びＰＮ接合を持ったＧａＰ半導体基板を
一素子当りに分割する工程に移行するが、いわゆるブレ
ードダイサーによる機械的切削手段が適用されている。

と言うのはＧａＰならびにＧａＡｓ等の単結晶基板をブ
レーキングにより分割するとその切断面が、結晶構造に
よりギザギザとなり、又レーザを使用した際には、切断
面に露出するＰＮ接合端及び昨結晶基板の汚れを考慮し
てこれらの手段は採用されていないのが実情である。

前述の機械的切削工程を施すに当ってはＧａＰ半導体基
板２０をマスキングテープ（ツカサ商会販売今後粘着性
テープと記載する）２２に固定し、個々の半導体素子２
３・・・に分割する。分割後の断面を第３図ハに示した
。この分割に先立ってＧａＰ半導体基板２０の分割位置
にいわゆるケガキ手法によって目印を書込み厚さ２００
〜３００μｍの厚さを機械的に切削するために、破砕層
が発生する。

この破砕層の除去をリン酸系の食刻液で溶除してから（
第２図二）粘着性テープを剥離して次工程であるマウン
ト工程へ進む。

（発明が解決しようとする問題点） 半導体素子の形成すなわちに半導体ウェーハに造込まれ
た素子を個々に分割する手段としていわゆるブレードダ
イシングが実施されているが、このダイシング面に弾性
歪が発生し、この破砕層を食刻手段によって除去するこ
とが通常実施されている。

この発明では食刻手段として、手軽な等方性食刻手段に
頼っており、その結果第３図示に示すように粘着性テー
プと半導体基板間に気泡が入り込みそのま一食刻を行う
とその気泡存在位置まで食刻液が浸入して基板裏面まで
反応が進行し、この食刻により除去する部分を２３に示
す。更に、食刻液に渇されるのは分割面だけでなく電極
以外の半導体基板表面であるので、この表面も食刻され
るために、電極剥れを生じ易い、このため食刻も軽くな
らざるを得なくなって、分割面に発生した破砕層の除去
はどうしても充分でない難点をもっている０本発明は上
記難点を除去する新規な半導体素子の処理方法を提供す
ることを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この目的を達成するために本発明では電極を形成した半
導体基板の両表面をレジスト層で被覆してこの電極を埋
設し、一方のレジスト層を粘着性テープに固定後、機械
的切削手段により半導体基板を一素子毎に分割してから
等方性食刻により破砕層を完全に除去する。この工程後
半導体基板の一面に被着したレジスト層を現像液で溶除
して露出した電極に他の粘着性テープを固定し、先に固
定した粘着性テープを剥雑して再びレジスト層を現像液
で溶除する手法を採用した。

（作　用） このように本発明に係る半導体素子の処理方法ではダイ
シング工程に適用する機械的切削手段により発生する破
砕層の除去を、保；５層としてレジスト層を採用するこ
とによって完全に実施して発光ダイオードの発光出力低
下を防止するものである。

第２図に示すように本発明方法を適用した発光素子は１
０００時間の通電後でもその発光出力が低下しないのに
対して従来方法を適用して破砕層が充分に排除されてい
ない発光素子は１０時間の通常で早くも発光出力の低下
が発生し、１０００時間後にあっては本発明方法を適用
した発光素子の発光出力に比較して２割乃至３割の低下
をもたらすことが判明している。

この事実は、本発明方法の有効性を明らかにするもので
あり、粘着性テープにより規則正しく配列した発光素子
をマウンタ等の組立工程に供給可能とする利点を持ち、
量産上の効果をもたらすものである。

（実施例） 第１図イルへならびに第２図により本発明に係る実施例
を詳述するが、従来の技術と重複する箇所についても新
番号を付して説明する。

■−■族化合物半導体であるＧａＰからなる半導体基板
に発光素子（ＬＥＤ）に本発明を適用する例を示す。先
ず、従来の技術欄で説明したようにＧａＰ半導体基板１
内部にはその表面と平行にＰＮ接合（図示せず）を形成
し、この基板表面に厚さ１μｍ程度に蒸着したＡｕをパ
ターニングして電極２・・・を設ける。この電極２・・
・は−素子当り前記半導体基板表面の一面に１側地面に
は３個設け、発光がこの他面で吸収されるのを防止する
が、機種によってこの筒数を選択するのは勿論である。

次にポジレジスト膜（商品名マイクロポジエツト）３を
半導体基板１の表面に被着して電極２・・・を埋設後粘
着性テープ５に固定する。この状態で複数の素子が形成
された半導体基板１を素子毎に分割するためにブレード
ダイサーによるダイシング工程を実施して第１図ハの断
面を得る。この工程で発生する破砕層を除去するのにリ
ン酸系の等方性食刻液を適用しく第１図二）次にポジレ
ジスト膜３の現像液によって溶除して第１図ホの断面と
する。次に露出した電極２・・・に新しい他の粘着性テ
ープを張りつけてから今迄使用していた粘着性テープ２
を引剥してから（第１図へ）残存しているポジレジスト
層を除去して処理方法を完了し、この結果粘着性テープ
に固定した半導体素子は次のマウント工程に移行する。

〔発明の効果〕

第２図は縦軸に発光効率横軸に通電時間を採り、両者の
関係を示したものであるが、前述のように本発明方法を
適用した発光素子の発光効率は１０００時間でも殆んど
低下していないのに対して従来の方法を適用した場合に
は僅か１０時間から劣化を始め、１０００時間で約２０
〜３０％も悪化している。この現像から本発明方法では
機械的切削方法によって発生する破砕層が完全に除去さ
れていると判断できる。

【図面の簡単な説明】

第１図イルへは本発明方法を説明する断面図、第２図は
縦軸に発光効率横軸に通電時間を採りその関係を示す図
、第３図イ〜ホは従来の方法を説明する断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 内部に接合をもつ半導体基板表面に電極を設け、この半
   導体基板にレジスト層を被着し、この一方のレジスト層
   を粘着性テープに固定後前記半導体基板を機械的切削手
   段により分割し、この手段により発生する破砕層だけを
   等方性食刻法で除去することを特徴とする半導体素子の
   処理方法。