JPS61276383A - 半導体素子のエツチング方法 - Google Patents
半導体素子のエツチング方法Info
- Publication number
- JPS61276383A JPS61276383A JP60117947A JP11794785A JPS61276383A JP S61276383 A JPS61276383 A JP S61276383A JP 60117947 A JP60117947 A JP 60117947A JP 11794785 A JP11794785 A JP 11794785A JP S61276383 A JPS61276383 A JP S61276383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic solvent
- film
- protection film
- elements
- semiconductor element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は保持膜に裏面が接着された半導体素子表面に形
成されている保護膜を除去するためのエツチング方法に
関する。
成されている保護膜を除去するためのエツチング方法に
関する。
例えば発光素子等の化合物半導体装置の製造においては
、裏面に保持膜が接着された半導体ウェハは、素子形成
工程が終了した時点でスクライバにより分割され、小片
の半導体素子（チップ）となる。従って、これら半導体
素子はバラバラにはならず保持膜上に整然とした配列状
態で保持される。
、裏面に保持膜が接着された半導体ウェハは、素子形成
工程が終了した時点でスクライバにより分割され、小片
の半導体素子（チップ）となる。従って、これら半導体
素子はバラバラにはならず保持膜上に整然とした配列状
態で保持される。
そして、次に分割面のエツチング工程（サイドエッチ）
に入って、エツチング液によるエツチングが行われ、こ
の工程の後にそのサイドエッチの際のマスクとなってい
た素子表面の保護膜の除去工程に移るが、この工程で、
上記した保持膜の接着剤も共に溶解してしまう場合があ
り、この場合は半導体素子が保持膜より剥離し、個々に
バラバラになる。
に入って、エツチング液によるエツチングが行われ、こ
の工程の後にそのサイドエッチの際のマスクとなってい
た素子表面の保護膜の除去工程に移るが、この工程で、
上記した保持膜の接着剤も共に溶解してしまう場合があ
り、この場合は半導体素子が保持膜より剥離し、個々に
バラバラになる。
しかし、このように半導体素子が個々にバラバラなると
、素子同志がぶつかり合って、その半導体素子に、割れ
、欠け、クランク等の損傷が発生し、また半導体素子の
洗浄においてはその作業を極めて面倒なものとさせる欠
点がある。また、半導体素子をダイボンディングする場
合には、素子を配列し直す煩雑な工程が必要とされ、後
の他の工程の効率を低下させる原因ともなる。
、素子同志がぶつかり合って、その半導体素子に、割れ
、欠け、クランク等の損傷が発生し、また半導体素子の
洗浄においてはその作業を極めて面倒なものとさせる欠
点がある。また、半導体素子をダイボンディングする場
合には、素子を配列し直す煩雑な工程が必要とされ、後
の他の工程の効率を低下させる原因ともなる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、半導体素子表面に被覆されている保護膜を除去す
る際に、半導体素子が保持膜より剥離することがないよ
うにして、上記した種々の問題点が発生しないようにし
たエツチング方法を提供するものである。
的は、半導体素子表面に被覆されている保護膜を除去す
る際に、半導体素子が保持膜より剥離することがないよ
うにして、上記した種々の問題点が発生しないようにし
たエツチング方法を提供するものである。
このために、本発明のエツチング方法は、エツチング液
を有機溶剤とし、保護膜を有機溶剤に可溶な材質のもの
とすると共に保持膜に塗布されている接着剤を有機溶剤
に難溶な材質のものとして構成している。
を有機溶剤とし、保護膜を有機溶剤に可溶な材質のもの
とすると共に保持膜に塗布されている接着剤を有機溶剤
に難溶な材質のものとして構成している。
以下、本発明のエツチング方法の実施例について説明す
る。
る。
図はスクライブ工程が終わり、その次のサイドエツチン
グ工程も完了し、小片となった化合物半導体素子（例え
は発光ダイオード）を示したものである。
グ工程も完了し、小片となった化合物半導体素子（例え
は発光ダイオード）を示したものである。
これら半導本素子１の表面は、サイドエツチング工程で
のマスクとして作用した保護膜２によって被覆され、そ
の裏面は保持膜３の接着面に接着されていて、半導体素
子１は分割時の整列状態のまま保持された状態にある。
のマスクとして作用した保護膜２によって被覆され、そ
の裏面は保持膜３の接着面に接着されていて、半導体素
子１は分割時の整列状態のまま保持された状態にある。
本実施例のエツチングでは、上記保護膜２に有機溶剤に
よって溶解する材質のものを使用し、また上記保持膜３
には、その接着面に、有機溶剤に難溶性の接着剤３ａが
塗布されているものを使用する。
よって溶解する材質のものを使用し、また上記保持膜３
には、その接着面に、有機溶剤に難溶性の接着剤３ａが
塗布されているものを使用する。
次に、この状態で、有機溶剤よりなる保護膜除去剤を接
触させてエツチングすると、上記保護膜２が溶解し、半
導体素子１より取り除かれる。
触させてエツチングすると、上記保護膜２が溶解し、半
導体素子１より取り除かれる。
このエツチング時、上記保持膜３の接着剤３ａは保護膜
除去剤によって何らその影響を受けることはないので、
半導体素子１は保持膜３に接着されたまま保持され、バ
ラバラの状態にはならない。
除去剤によって何らその影響を受けることはないので、
半導体素子１は保持膜３に接着されたまま保持され、バ
ラバラの状態にはならない。
なお、例えば上記した保護膜除去剤としてはメチルアル
コールを、保護膜としてはレジストＡＺを、保持膜とし
ては日東電工型のＶＤ−８を使用することができる。
コールを、保護膜としてはレジストＡＺを、保持膜とし
ては日東電工型のＶＤ−８を使用することができる。
以上のように、本発明のエツチング方法によれば、保護
膜除去剤によって何ら影響を受けることがない保持膜に
半導体素子が保持されているので、保護膜除去剤によっ
て保護膜を除去する際に、半導体素子が保持膜より剥離
することはない。
膜除去剤によって何ら影響を受けることがない保持膜に
半導体素子が保持されているので、保護膜除去剤によっ
て保護膜を除去する際に、半導体素子が保持膜より剥離
することはない。
よって、その素子がバラバラとなることはなく、半導体
素子同志がぶつかり合って互いに傷付は合うということ
はなくなり、半導体素子の品質および信頼性を高める。
素子同志がぶつかり合って互いに傷付は合うということ
はなくなり、半導体素子の品質および信頼性を高める。
また、半導体素子は保持膜に整然と配列された状態のま
ま次の工程に送ることができるので、次の洗浄工程にお
ける作業が極めてやり易くなり、該工程を簡素化にする
ことが可能となる。
ま次の工程に送ることができるので、次の洗浄工程にお
ける作業が極めてやり易くなり、該工程を簡素化にする
ことが可能となる。
更に、半導体素子をダイポンディングする工程において
も半導体素子を配列および位置決めする煩雑な工程が不
必要となり、該工程の効率を向上させることができる。
も半導体素子を配列および位置決めする煩雑な工程が不
必要となり、該工程の効率を向上させることができる。
図は半導体素子が保持膜に接着されている状態を示す正
面図である。 １・・・半導体素子、２・・・保護膜、３・・・保持膜
、３ａ・・・接着剤
面図である。 １・・・半導体素子、２・・・保護膜、３・・・保持膜
、３ａ・・・接着剤
Claims (1)
- （１）、保持膜に裏面が接着された半導体素子表面の保
護膜を除去するエッチング方法において、エッチング液
を有機溶剤とし、上記保護膜を有機溶剤に可溶な材質の
ものとすると共に上記保持膜に塗布されている接着剤を
有機溶剤に難溶な材質のものとしたエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117947A JPS61276383A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体素子のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117947A JPS61276383A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体素子のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276383A true JPS61276383A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14724168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117947A Pending JPS61276383A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体素子のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276383A (ja) |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60117947A patent/JPS61276383A/ja active Pending
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