JPS6398806A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents

磁気ヘツド及びその製造方法

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JPS6398806A
JPS6398806A JP24436986A JP24436986A JPS6398806A JP S6398806 A JPS6398806 A JP S6398806A JP 24436986 A JP24436986 A JP 24436986A JP 24436986 A JP24436986 A JP 24436986A JP S6398806 A JPS6398806 A JP S6398806A
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JP
Japan
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film
ceramics
magnetic head
gap
ferromagnetic metal
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JP24436986A
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English (en)
Inventor
Hideji Fujimoto
藤本 秀次
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は磁気へリドに関するものであり、より特定的に
は抗磁力の高いメタルテープに対応する磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術 VTR等の磁気記録再生装置においてはε鎌信号の高密
度化や高周波数化が進められており、磁気!?、録媒体
として磁性粉にFe、co、N1等の強磁性金属の粉末
を用いた塗布型メタルテープや強磁性金属材料を蒸着に
よりベースフィルム上に被着したテープが使用されるよ
うになってきた。
このようなテープは高い抗磁力を有するために記録に用
いる磁気ヘッドの材料にも高い飽和磁束密度を有するこ
とが要求される。従来のフェライト材を用いた磁気ヘッ
ドでは飽和磁束密度が低いという問題があった。
そこで、従来、第10図に示すようにガラス等の非磁性
基板(1)上に強磁性金属薄膜(21を被着形成し、こ
れをトラック部分とした複合磁気ヘッドが提案されてい
る(特開昭60−106011に+公報、011B5/
127)。また、第15図に示すようにテープ摺接面に
jφn−Znフェライト等の強磁性金属酸化物(3)、
強磁性金属薄膜(4)を有する複合型の磁気ヘッドも提
案されている(特開昭60−32107号公報)。
(/″4 発明が解決しようとする問題点しかしながら
、前者の磁気へ・ノドでは磁路が膜17の薄い金属M(
2)のみによって構成されるので、磁気抵抗が大きくて
記録にも再生にも効率上好ましくない。また、第11図
1こ示すようtこ金属薄膜(2)の膜厚が正味、トラッ
ク幅となるので、膜形成に時間を要する等の問題がある
。更にテープ当接面が比較的硬度の低いガラス及び強磁
性金属薄膜で構成されているので耐摩耗性の点で問題が
あった。
後者の磁気へリドではテープ当接面が強磁性酸化物(3
)と強磁性金属薄膜(4)で構成されているため一層、
耐摩耗性が低くなる。しかも、後者の磁気ヘッドではト
ラ・ツク幅を規定するi;/? +51を挾んで金属M
膜(4)と強磁性酸化物(3)が対峙するので、溝(5
)して 部分が擬似ギャップと4C用する。そのため、その影響
を緩和するべく溝(5)ができるだけ大きくなるように
第15図tb+に示すように強磁性酸化物のコア半休+
31 +31の各々に9JS1の溝(5a)J2を外に
第2の溝(5b)を設けなければならないから、工数が
多く、生産性が低下するという問題があった。
に)問題点を解決するための手段 上記の問題を解決するため本発明の磁気へ・リドは、テ
ープ当接面を形成するように配されたセラミ9クスと、
前記セラミックスの後方に接合された強磁性金属酸化物
と、前記セラミ・ノクスのテープ当接面と直交する方向
に設けられた強磁性の金属薄膜と、@配合1iA薄膜上
に設けられた作動ギャップとを備える溝造をしており、
また、その製造方法はセラミづクスと強磁性金属酸化物
を交互に積層した基板の接合面に斜面を有する切溝を設
け前ε切溝の斜面上に強磁性の金属薄膜を成膜し、次い
でその金属薄膜を研磨により前記切溝内にのみ残すよう
になし、このように形成された一対の基板を前記金属薄
膜の上端同士がギャップを挾んで対向するように突き合
せ且つ接合し、その後へ一ノドチ・ツブ単位に分断する
ことを特徴とする。
けり作 用 テープ当接面の大部分が硬度の高いセラミックスで構成
されているため、耐摩耗性の優れた磁気へづドを得るこ
とができると共に、後方部分の強磁性酸化物と、金属薄
膜とは磁気的に繋がるので全体として島い飽和磁束密度
を有し磁気抵抗は小さくなって記録及び再生効率が向上
する。また、トラック幅規定溝は擬似ギャップとして作
用しないので、トラック幅規定溝は1つのコア半休に1
つ形成するだけでよい。
((へ)実施例 952図に示すようにMn−Znのフェライト板(11
1と高硬度のセラミ−)クス板αGのいずれか一方に予
めスパッタ等により高融点ガラス膜O2を形成した後、
セラミックス板(11とフェライト板(111を交互に
&tJt1し、しかる後、積層方向に加圧しながら、加
熱してガラス溶着を行ない第3図に示す積層板α3を形
成する。ここで、フェライト板01の熱膨張係数は12
0X10  /’C程度であり、ビッカース硬度は60
0〜700程度である。高硬度セラミックスの材質とし
てはチタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸マ
グネシウム、チタン酸カルシウム等が使用される。チタ
ン酸カルシウムはCaTiO3とTie、  の固溶体
とし、チタン酸マグネシウムはMgTiOsとMgOの
固溶体にすることにより熱膨張係数を変化させることが
可能である。本実施例では熱膨張係&114X107℃
、ビッカース硬度800kg/ln  のセラミックス
板(1υを使用した。また、セラミックス板(IGとフ
ェライト板111とを融着させる高融点がラス0zの組
成比及び諸性質を第13図に示す。この前ξ積層板u3
をうqプ処理等により平行度よく且つ平面度よく加工を
行なった後に、第4図1こ示すように積層板(131の
ギヤ・ノブ形成面041Iこ所定の角度を有する切溝(
19を回転砥石等により複数(固平行に形成する。前記
切iJOωを設けるこ吉により積f<J板(13にはセ
ンダスト膜形成面としての斜面(15a)が形成される
。尚、この斜面の角度は20’〜70’であることが望
ましい。前記角度を90’にした場合、テープ当接面上
でセンダスト膜の面積が極めて大きくなり、耐摩耗性の
上で問題となるので、前述の20°〜70°が望ましい
のである。
次に、前記積層板(131に対し真空薄膜形成技術によ
りセンダストを被着し、第5図に示すように前2斜面(
15a)上にセンダスト膜(16)を形成する。センダ
ストの代りにアモルファス合金等を使用してもよい。
前記センダスト膜印によって囲まれる切溝にはガラス等
の非磁性体(171を充填する。しかる後、上面に被着
している不要な不要なセンダスト膜(1θを平面研削し
て除去した後に鏡面仕上げを行なう。非破性体Q71と
して使用する低融点ガラスの組成比と緒特性を第14図
に示す。その軟化温度は430℃、熱膨張係数は101
 X 10  /’C程度である。
以上の工程によって第6図に示すコアプロ、・ツク03
を2個作成し、これら2個のコアブローツクのうち一方
のコアブロック止′(第7図)に対して切溝0りに直交
する方向に巻線溝G’JIとガラス充填溝001の加工
を行なう。このとき、後工程の加工によりテープ当接面
になるところ+C+からギャップデプスになるところの
)までの部分はセラミ−!クス板(仰向1こ位置せしめ
る。
前記コアブロックa81a81’はその一方又は双方に
スパツクにより5i−02や−A7?、03等のギャッ
プスベヅサを互いに対接され且つ接合されて第8図のよ
うIこ合体さね、る。その際、ガラス充填溝■に棒状の
低融点のガラスを挿入し、これを溶融してコアプロ・ツ
クQ81 (181’を接合する。低融点ガラス■の軟
化温度は430℃、熱膨張係ツζは101X10−7i
℃とした。
次に、第8図の合体物をガラス充填溝ω付近で切断して
第9図の単位ブローツクP21)を得、この単位ブロッ
クC1lのテープ当接面にR付は加工を施こす。
最後に、単位プロ・ツクc21Jの長手方向とは直角な
方向にスライスして第1図1こ示す形のヘッドチップ力
を複数個得る。このへ・ラドチップ■には更にコイルが
巻装されて磁気ヘッドが完成する。
以上のようにして製造された磁気ヘッドは、作動ギャッ
プtGlを有するテープ当接面Gの殆んどの部分を硬度
の高いセラミックス0■が占める。テープ当接面のにお
いてセンダスト膜00は非磁性体αηを挾んでセラミッ
クスa■と対峙するので、擬似ギャップを生じない。セ
ラミ・ノクスαGの後方に接合されたフェライト(11
)はセンダスト膜ト繋ってイルので磁路を構成する。そ
のため、磁気へラドの磁気抵抗(ま小さく磁気的効率は
高まる。
(ト) 発明の効果 本発明の磁気ヘッドによればテープ当接面の殆んどの部
分を硬度の高いセラミックスで占めることかできるので
、耐摩耗性が従来例に比し、著しく向上する。また、ト
ラック幅規定に関与する切溝がテープ当接面における擬
似ギャップを形成しないので特性が向上するばかりでな
く、その切溝を大きくする必要がないから、コア半休に
つき1つだけ前Ω切溝を形成するだけでよく、従って、
製造工数が少なくて済むという効果もある。また、本発
明の製造方法によれば、前述の磁気ヘッドが極めて好適
に形成できる。その庵、積層板に波谷形成される強磁性
金属薄膜の膜厚(匂は第12図に示すようにトラック幅
をTとするとt = Ts inOでよいことからトラ
ック幅(Tjに相当する厚さに膜付けする必要がないか
ら、磁気へ・lド作成に要する時間を短縮できる。尚、
θは第4図における切溝0りの斜面と積層板(13の上
面との成す角度である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施した磁気ヘッドを示す図である。 第2図、第3図、第4図、第5図、第6図、ff17図
、第8図及び第9図は本発明Iこよる製造方法を示す工
程図である。第10図は従来の磁気ヘッドの斜視図であ
り、第11図はその正面図である。第12図は本発明を
実施した磁気ヘッドの正面からみた説明図であり、第1
3図及び第14図は本発明で使用するガラスについて説
明するための図である。第15図は従来例を示す図であ
る。 0■・・・セラミックス、ol)・・・フェライト(強
磁性金属酸化物)、(151・・・切溝、口0・・・セ
ンダスト膜(金;4M膜)、Cl81I a81’・・
・コアブロック、■・・・テープ当接面、IQ+・・・
作動ギヤーノブ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)テープ当接面を形成するように配されたセラミッ
    クスと、前記セラミックスの後方に接合された強磁性金
    属酸化物と、前記セラミックスのテープ当接面と直交す
    る方向に設けられた強磁性の金属薄膜と、前記金属薄膜
    上に設けられた作動ギャップとを備える磁気ヘッド。
  2. (2)前記強磁性金属酸化物はフェライト材であり、前
    記金属薄膜はセンダスト材である特許請求の範囲第1項
    に記載の磁気ヘッド。
  3. (3)セラミックスと強磁性金属酸化物を交互に積層し
    た基板の接合面に斜面を有する切溝を設け前記切溝の斜
    面上に強磁性の金属薄膜を成膜し、次いでその金属薄膜
    を研磨により前記切溝内にのみ残すようになし、このよ
    うに形成された一対のコアブロックを前記金属薄膜の上
    端同士がギャップを挾んで対向するように突き合せ且つ
    接合し、その後ヘッドチップ単位に分断することを特徴
    とする磁気ヘッドの製造方法。
JP24436986A 1986-10-15 1986-10-15 磁気ヘツド及びその製造方法 Pending JPS6398806A (ja)

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