JPS6398806A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS6398806A JPS6398806A JP24436986A JP24436986A JPS6398806A JP S6398806 A JPS6398806 A JP S6398806A JP 24436986 A JP24436986 A JP 24436986A JP 24436986 A JP24436986 A JP 24436986A JP S6398806 A JPS6398806 A JP S6398806A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は磁気へリドに関するものであり、より特定的に
は抗磁力の高いメタルテープに対応する磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
は抗磁力の高いメタルテープに対応する磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
VTR等の磁気記録再生装置においてはε鎌信号の高密
度化や高周波数化が進められており、磁気!?、録媒体
として磁性粉にFe、co、N1等の強磁性金属の粉末
を用いた塗布型メタルテープや強磁性金属材料を蒸着に
よりベースフィルム上に被着したテープが使用されるよ
うになってきた。
度化や高周波数化が進められており、磁気!?、録媒体
として磁性粉にFe、co、N1等の強磁性金属の粉末
を用いた塗布型メタルテープや強磁性金属材料を蒸着に
よりベースフィルム上に被着したテープが使用されるよ
うになってきた。
このようなテープは高い抗磁力を有するために記録に用
いる磁気ヘッドの材料にも高い飽和磁束密度を有するこ
とが要求される。従来のフェライト材を用いた磁気ヘッ
ドでは飽和磁束密度が低いという問題があった。
いる磁気ヘッドの材料にも高い飽和磁束密度を有するこ
とが要求される。従来のフェライト材を用いた磁気ヘッ
ドでは飽和磁束密度が低いという問題があった。
そこで、従来、第10図に示すようにガラス等の非磁性
基板(1)上に強磁性金属薄膜(21を被着形成し、こ
れをトラック部分とした複合磁気ヘッドが提案されてい
る(特開昭60−106011に+公報、011B5/
127)。また、第15図に示すようにテープ摺接面に
jφn−Znフェライト等の強磁性金属酸化物(3)、
強磁性金属薄膜(4)を有する複合型の磁気ヘッドも提
案されている(特開昭60−32107号公報)。
基板(1)上に強磁性金属薄膜(21を被着形成し、こ
れをトラック部分とした複合磁気ヘッドが提案されてい
る(特開昭60−106011に+公報、011B5/
127)。また、第15図に示すようにテープ摺接面に
jφn−Znフェライト等の強磁性金属酸化物(3)、
強磁性金属薄膜(4)を有する複合型の磁気ヘッドも提
案されている(特開昭60−32107号公報)。
(/″4 発明が解決しようとする問題点しかしながら
、前者の磁気へ・ノドでは磁路が膜17の薄い金属M(
2)のみによって構成されるので、磁気抵抗が大きくて
記録にも再生にも効率上好ましくない。また、第11図
1こ示すようtこ金属薄膜(2)の膜厚が正味、トラッ
ク幅となるので、膜形成に時間を要する等の問題がある
。更にテープ当接面が比較的硬度の低いガラス及び強磁
性金属薄膜で構成されているので耐摩耗性の点で問題が
あった。
、前者の磁気へ・ノドでは磁路が膜17の薄い金属M(
2)のみによって構成されるので、磁気抵抗が大きくて
記録にも再生にも効率上好ましくない。また、第11図
1こ示すようtこ金属薄膜(2)の膜厚が正味、トラッ
ク幅となるので、膜形成に時間を要する等の問題がある
。更にテープ当接面が比較的硬度の低いガラス及び強磁
性金属薄膜で構成されているので耐摩耗性の点で問題が
あった。
後者の磁気へリドではテープ当接面が強磁性酸化物(3
)と強磁性金属薄膜(4)で構成されているため一層、
耐摩耗性が低くなる。しかも、後者の磁気ヘッドではト
ラ・ツク幅を規定するi;/? +51を挾んで金属M
膜(4)と強磁性酸化物(3)が対峙するので、溝(5
)して 部分が擬似ギャップと4C用する。そのため、その影響
を緩和するべく溝(5)ができるだけ大きくなるように
第15図tb+に示すように強磁性酸化物のコア半休+
31 +31の各々に9JS1の溝(5a)J2を外に
第2の溝(5b)を設けなければならないから、工数が
多く、生産性が低下するという問題があった。
)と強磁性金属薄膜(4)で構成されているため一層、
耐摩耗性が低くなる。しかも、後者の磁気ヘッドではト
ラ・ツク幅を規定するi;/? +51を挾んで金属M
膜(4)と強磁性酸化物(3)が対峙するので、溝(5
)して 部分が擬似ギャップと4C用する。そのため、その影響
を緩和するべく溝(5)ができるだけ大きくなるように
第15図tb+に示すように強磁性酸化物のコア半休+
31 +31の各々に9JS1の溝(5a)J2を外に
第2の溝(5b)を設けなければならないから、工数が
多く、生産性が低下するという問題があった。
に)問題点を解決するための手段
上記の問題を解決するため本発明の磁気へ・リドは、テ
ープ当接面を形成するように配されたセラミ9クスと、
前記セラミックスの後方に接合された強磁性金属酸化物
と、前記セラミ・ノクスのテープ当接面と直交する方向
に設けられた強磁性の金属薄膜と、@配合1iA薄膜上
に設けられた作動ギャップとを備える溝造をしており、
また、その製造方法はセラミづクスと強磁性金属酸化物
を交互に積層した基板の接合面に斜面を有する切溝を設
け前ε切溝の斜面上に強磁性の金属薄膜を成膜し、次い
でその金属薄膜を研磨により前記切溝内にのみ残すよう
になし、このように形成された一対の基板を前記金属薄
膜の上端同士がギャップを挾んで対向するように突き合
せ且つ接合し、その後へ一ノドチ・ツブ単位に分断する
ことを特徴とする。
ープ当接面を形成するように配されたセラミ9クスと、
前記セラミックスの後方に接合された強磁性金属酸化物
と、前記セラミ・ノクスのテープ当接面と直交する方向
に設けられた強磁性の金属薄膜と、@配合1iA薄膜上
に設けられた作動ギャップとを備える溝造をしており、
また、その製造方法はセラミづクスと強磁性金属酸化物
を交互に積層した基板の接合面に斜面を有する切溝を設
け前ε切溝の斜面上に強磁性の金属薄膜を成膜し、次い
でその金属薄膜を研磨により前記切溝内にのみ残すよう
になし、このように形成された一対の基板を前記金属薄
膜の上端同士がギャップを挾んで対向するように突き合
せ且つ接合し、その後へ一ノドチ・ツブ単位に分断する
ことを特徴とする。
けり作 用
テープ当接面の大部分が硬度の高いセラミックスで構成
されているため、耐摩耗性の優れた磁気へづドを得るこ
とができると共に、後方部分の強磁性酸化物と、金属薄
膜とは磁気的に繋がるので全体として島い飽和磁束密度
を有し磁気抵抗は小さくなって記録及び再生効率が向上
する。また、トラック幅規定溝は擬似ギャップとして作
用しないので、トラック幅規定溝は1つのコア半休に1
つ形成するだけでよい。
されているため、耐摩耗性の優れた磁気へづドを得るこ
とができると共に、後方部分の強磁性酸化物と、金属薄
膜とは磁気的に繋がるので全体として島い飽和磁束密度
を有し磁気抵抗は小さくなって記録及び再生効率が向上
する。また、トラック幅規定溝は擬似ギャップとして作
用しないので、トラック幅規定溝は1つのコア半休に1
つ形成するだけでよい。
((へ)実施例
952図に示すようにMn−Znのフェライト板(11
1と高硬度のセラミ−)クス板αGのいずれか一方に予
めスパッタ等により高融点ガラス膜O2を形成した後、
セラミックス板(11とフェライト板(111を交互に
&tJt1し、しかる後、積層方向に加圧しながら、加
熱してガラス溶着を行ない第3図に示す積層板α3を形
成する。ここで、フェライト板01の熱膨張係数は12
0X10 /’C程度であり、ビッカース硬度は60
0〜700程度である。高硬度セラミックスの材質とし
てはチタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸マ
グネシウム、チタン酸カルシウム等が使用される。チタ
ン酸カルシウムはCaTiO3とTie、 の固溶体
とし、チタン酸マグネシウムはMgTiOsとMgOの
固溶体にすることにより熱膨張係数を変化させることが
可能である。本実施例では熱膨張係&114X107℃
、ビッカース硬度800kg/ln のセラミックス
板(1υを使用した。また、セラミックス板(IGとフ
ェライト板111とを融着させる高融点がラス0zの組
成比及び諸性質を第13図に示す。この前ξ積層板u3
をうqプ処理等により平行度よく且つ平面度よく加工を
行なった後に、第4図1こ示すように積層板(131の
ギヤ・ノブ形成面041Iこ所定の角度を有する切溝(
19を回転砥石等により複数(固平行に形成する。前記
切iJOωを設けるこ吉により積f<J板(13にはセ
ンダスト膜形成面としての斜面(15a)が形成される
。尚、この斜面の角度は20’〜70’であることが望
ましい。前記角度を90’にした場合、テープ当接面上
でセンダスト膜の面積が極めて大きくなり、耐摩耗性の
上で問題となるので、前述の20°〜70°が望ましい
のである。
1と高硬度のセラミ−)クス板αGのいずれか一方に予
めスパッタ等により高融点ガラス膜O2を形成した後、
セラミックス板(11とフェライト板(111を交互に
&tJt1し、しかる後、積層方向に加圧しながら、加
熱してガラス溶着を行ない第3図に示す積層板α3を形
成する。ここで、フェライト板01の熱膨張係数は12
0X10 /’C程度であり、ビッカース硬度は60
0〜700程度である。高硬度セラミックスの材質とし
てはチタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸マ
グネシウム、チタン酸カルシウム等が使用される。チタ
ン酸カルシウムはCaTiO3とTie、 の固溶体
とし、チタン酸マグネシウムはMgTiOsとMgOの
固溶体にすることにより熱膨張係数を変化させることが
可能である。本実施例では熱膨張係&114X107℃
、ビッカース硬度800kg/ln のセラミックス
板(1υを使用した。また、セラミックス板(IGとフ
ェライト板111とを融着させる高融点がラス0zの組
成比及び諸性質を第13図に示す。この前ξ積層板u3
をうqプ処理等により平行度よく且つ平面度よく加工を
行なった後に、第4図1こ示すように積層板(131の
ギヤ・ノブ形成面041Iこ所定の角度を有する切溝(
19を回転砥石等により複数(固平行に形成する。前記
切iJOωを設けるこ吉により積f<J板(13にはセ
ンダスト膜形成面としての斜面(15a)が形成される
。尚、この斜面の角度は20’〜70’であることが望
ましい。前記角度を90’にした場合、テープ当接面上
でセンダスト膜の面積が極めて大きくなり、耐摩耗性の
上で問題となるので、前述の20°〜70°が望ましい
のである。
次に、前記積層板(131に対し真空薄膜形成技術によ
りセンダストを被着し、第5図に示すように前2斜面(
15a)上にセンダスト膜(16)を形成する。センダ
ストの代りにアモルファス合金等を使用してもよい。
りセンダストを被着し、第5図に示すように前2斜面(
15a)上にセンダスト膜(16)を形成する。センダ
ストの代りにアモルファス合金等を使用してもよい。
前記センダスト膜印によって囲まれる切溝にはガラス等
の非磁性体(171を充填する。しかる後、上面に被着
している不要な不要なセンダスト膜(1θを平面研削し
て除去した後に鏡面仕上げを行なう。非破性体Q71と
して使用する低融点ガラスの組成比と緒特性を第14図
に示す。その軟化温度は430℃、熱膨張係数は101
X 10 /’C程度である。
の非磁性体(171を充填する。しかる後、上面に被着
している不要な不要なセンダスト膜(1θを平面研削し
て除去した後に鏡面仕上げを行なう。非破性体Q71と
して使用する低融点ガラスの組成比と緒特性を第14図
に示す。その軟化温度は430℃、熱膨張係数は101
X 10 /’C程度である。
以上の工程によって第6図に示すコアプロ、・ツク03
を2個作成し、これら2個のコアブローツクのうち一方
のコアブロック止′(第7図)に対して切溝0りに直交
する方向に巻線溝G’JIとガラス充填溝001の加工
を行なう。このとき、後工程の加工によりテープ当接面
になるところ+C+からギャップデプスになるところの
)までの部分はセラミ−!クス板(仰向1こ位置せしめ
る。
を2個作成し、これら2個のコアブローツクのうち一方
のコアブロック止′(第7図)に対して切溝0りに直交
する方向に巻線溝G’JIとガラス充填溝001の加工
を行なう。このとき、後工程の加工によりテープ当接面
になるところ+C+からギャップデプスになるところの
)までの部分はセラミ−!クス板(仰向1こ位置せしめ
る。
前記コアブロックa81a81’はその一方又は双方に
スパツクにより5i−02や−A7?、03等のギャッ
プスベヅサを互いに対接され且つ接合されて第8図のよ
うIこ合体さね、る。その際、ガラス充填溝■に棒状の
低融点のガラスを挿入し、これを溶融してコアプロ・ツ
クQ81 (181’を接合する。低融点ガラス■の軟
化温度は430℃、熱膨張係ツζは101X10−7i
℃とした。
スパツクにより5i−02や−A7?、03等のギャッ
プスベヅサを互いに対接され且つ接合されて第8図のよ
うIこ合体さね、る。その際、ガラス充填溝■に棒状の
低融点のガラスを挿入し、これを溶融してコアプロ・ツ
クQ81 (181’を接合する。低融点ガラス■の軟
化温度は430℃、熱膨張係ツζは101X10−7i
℃とした。
次に、第8図の合体物をガラス充填溝ω付近で切断して
第9図の単位ブローツクP21)を得、この単位ブロッ
クC1lのテープ当接面にR付は加工を施こす。
第9図の単位ブローツクP21)を得、この単位ブロッ
クC1lのテープ当接面にR付は加工を施こす。
最後に、単位プロ・ツクc21Jの長手方向とは直角な
方向にスライスして第1図1こ示す形のヘッドチップ力
を複数個得る。このへ・ラドチップ■には更にコイルが
巻装されて磁気ヘッドが完成する。
方向にスライスして第1図1こ示す形のヘッドチップ力
を複数個得る。このへ・ラドチップ■には更にコイルが
巻装されて磁気ヘッドが完成する。
以上のようにして製造された磁気ヘッドは、作動ギャッ
プtGlを有するテープ当接面Gの殆んどの部分を硬度
の高いセラミックス0■が占める。テープ当接面のにお
いてセンダスト膜00は非磁性体αηを挾んでセラミッ
クスa■と対峙するので、擬似ギャップを生じない。セ
ラミ・ノクスαGの後方に接合されたフェライト(11
)はセンダスト膜ト繋ってイルので磁路を構成する。そ
のため、磁気へラドの磁気抵抗(ま小さく磁気的効率は
高まる。
プtGlを有するテープ当接面Gの殆んどの部分を硬度
の高いセラミックス0■が占める。テープ当接面のにお
いてセンダスト膜00は非磁性体αηを挾んでセラミッ
クスa■と対峙するので、擬似ギャップを生じない。セ
ラミ・ノクスαGの後方に接合されたフェライト(11
)はセンダスト膜ト繋ってイルので磁路を構成する。そ
のため、磁気へラドの磁気抵抗(ま小さく磁気的効率は
高まる。
(ト) 発明の効果
本発明の磁気ヘッドによればテープ当接面の殆んどの部
分を硬度の高いセラミックスで占めることかできるので
、耐摩耗性が従来例に比し、著しく向上する。また、ト
ラック幅規定に関与する切溝がテープ当接面における擬
似ギャップを形成しないので特性が向上するばかりでな
く、その切溝を大きくする必要がないから、コア半休に
つき1つだけ前Ω切溝を形成するだけでよく、従って、
製造工数が少なくて済むという効果もある。また、本発
明の製造方法によれば、前述の磁気ヘッドが極めて好適
に形成できる。その庵、積層板に波谷形成される強磁性
金属薄膜の膜厚(匂は第12図に示すようにトラック幅
をTとするとt = Ts inOでよいことからトラ
ック幅(Tjに相当する厚さに膜付けする必要がないか
ら、磁気へ・lド作成に要する時間を短縮できる。尚、
θは第4図における切溝0りの斜面と積層板(13の上
面との成す角度である。
分を硬度の高いセラミックスで占めることかできるので
、耐摩耗性が従来例に比し、著しく向上する。また、ト
ラック幅規定に関与する切溝がテープ当接面における擬
似ギャップを形成しないので特性が向上するばかりでな
く、その切溝を大きくする必要がないから、コア半休に
つき1つだけ前Ω切溝を形成するだけでよく、従って、
製造工数が少なくて済むという効果もある。また、本発
明の製造方法によれば、前述の磁気ヘッドが極めて好適
に形成できる。その庵、積層板に波谷形成される強磁性
金属薄膜の膜厚(匂は第12図に示すようにトラック幅
をTとするとt = Ts inOでよいことからトラ
ック幅(Tjに相当する厚さに膜付けする必要がないか
ら、磁気へ・lド作成に要する時間を短縮できる。尚、
θは第4図における切溝0りの斜面と積層板(13の上
面との成す角度である。
第1図は本発明を実施した磁気ヘッドを示す図である。
第2図、第3図、第4図、第5図、第6図、ff17図
、第8図及び第9図は本発明Iこよる製造方法を示す工
程図である。第10図は従来の磁気ヘッドの斜視図であ
り、第11図はその正面図である。第12図は本発明を
実施した磁気ヘッドの正面からみた説明図であり、第1
3図及び第14図は本発明で使用するガラスについて説
明するための図である。第15図は従来例を示す図であ
る。 0■・・・セラミックス、ol)・・・フェライト(強
磁性金属酸化物)、(151・・・切溝、口0・・・セ
ンダスト膜(金;4M膜)、Cl81I a81’・・
・コアブロック、■・・・テープ当接面、IQ+・・・
作動ギヤーノブ。
、第8図及び第9図は本発明Iこよる製造方法を示す工
程図である。第10図は従来の磁気ヘッドの斜視図であ
り、第11図はその正面図である。第12図は本発明を
実施した磁気ヘッドの正面からみた説明図であり、第1
3図及び第14図は本発明で使用するガラスについて説
明するための図である。第15図は従来例を示す図であ
る。 0■・・・セラミックス、ol)・・・フェライト(強
磁性金属酸化物)、(151・・・切溝、口0・・・セ
ンダスト膜(金;4M膜)、Cl81I a81’・・
・コアブロック、■・・・テープ当接面、IQ+・・・
作動ギヤーノブ。
Claims (3)
- (1)テープ当接面を形成するように配されたセラミッ
クスと、前記セラミックスの後方に接合された強磁性金
属酸化物と、前記セラミックスのテープ当接面と直交す
る方向に設けられた強磁性の金属薄膜と、前記金属薄膜
上に設けられた作動ギャップとを備える磁気ヘッド。 - (2)前記強磁性金属酸化物はフェライト材であり、前
記金属薄膜はセンダスト材である特許請求の範囲第1項
に記載の磁気ヘッド。 - (3)セラミックスと強磁性金属酸化物を交互に積層し
た基板の接合面に斜面を有する切溝を設け前記切溝の斜
面上に強磁性の金属薄膜を成膜し、次いでその金属薄膜
を研磨により前記切溝内にのみ残すようになし、このよ
うに形成された一対のコアブロックを前記金属薄膜の上
端同士がギャップを挾んで対向するように突き合せ且つ
接合し、その後ヘッドチップ単位に分断することを特徴
とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24436986A JPS6398806A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24436986A JPS6398806A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398806A true JPS6398806A (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=17117668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24436986A Pending JPS6398806A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6398806A (ja) |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24436986A patent/JPS6398806A/ja active Pending
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