JPS6399781A - インバ−タ装置 - Google Patents
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- JPS6399781A JPS6399781A JP61243201A JP24320186A JPS6399781A JP S6399781 A JPS6399781 A JP S6399781A JP 61243201 A JP61243201 A JP 61243201A JP 24320186 A JP24320186 A JP 24320186A JP S6399781 A JPS6399781 A JP S6399781A
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はインバータ装置に関し、特に、直流電圧入力点
と負荷の間にMOS (金属酸化物半導体)トランジス
タ、より広くはMIS(金属絶縁物半導体)トランジス
タ、を直列に介在させ、該MOSトランジスタを単一周
波数の信号により駆動することにより直流電圧を該単一
周波数に応じた交流電圧に変換するインバータ装置に関
する。本発明による装置は、例えばRF(高周波)励起
型COZ <炭酸ガス)レーザ装置の高周波電源とし
て利用され得る。
と負荷の間にMOS (金属酸化物半導体)トランジス
タ、より広くはMIS(金属絶縁物半導体)トランジス
タ、を直列に介在させ、該MOSトランジスタを単一周
波数の信号により駆動することにより直流電圧を該単一
周波数に応じた交流電圧に変換するインバータ装置に関
する。本発明による装置は、例えばRF(高周波)励起
型COZ <炭酸ガス)レーザ装置の高周波電源とし
て利用され得る。
第4図には上述したインバータ装置の従来形の一構成例
が示される。同図においてQ41 、 Q42 。
が示される。同図においてQ41 、 Q42 。
Q43およびQ44はNチャネル型MOSトランジスタ
を示し、直流電圧E、の入力点間に、トランジスタQ4
1およびQ42が直列接続され、かつトランジスタQ4
3およびQ44が直列接続されている。トランジスタQ
41およびQ42の接続点とトランジスタQ43および
Q44の接続点との間には負荷45が接続される。また
、各トランジスタQ41〜Q44のゲート・ソース間に
はそれぞれ駆動回路41 、42 。
を示し、直流電圧E、の入力点間に、トランジスタQ4
1およびQ42が直列接続され、かつトランジスタQ4
3およびQ44が直列接続されている。トランジスタQ
41およびQ42の接続点とトランジスタQ43および
Q44の接続点との間には負荷45が接続される。また
、各トランジスタQ41〜Q44のゲート・ソース間に
はそれぞれ駆動回路41 、42 。
43 、44が接続されており、駆動回路41および4
4は同じ構成であって、同一の駆動電圧■6.を出力す
る。一方、駆動回路42および43は同じ構成であって
、上述の駆動電圧VGSとは逆位相の駆動電圧VC,S
を出力する。従って、トランジスタ対Q41およびQ4
4と、Q42およびQ43は、駆動電圧■。、(また1
■Ti)の周波数に応じて交互にオン・オフ動作を行う
。これによって、トランジスタQ41およびQ44がオ
ン状態の時は負荷45にESの電圧が印加され、トラン
ジスタQ42およびQ43がオン状態の時は負荷45に
−E、の負電圧が印加される。
4は同じ構成であって、同一の駆動電圧■6.を出力す
る。一方、駆動回路42および43は同じ構成であって
、上述の駆動電圧VGSとは逆位相の駆動電圧VC,S
を出力する。従って、トランジスタ対Q41およびQ4
4と、Q42およびQ43は、駆動電圧■。、(また1
■Ti)の周波数に応じて交互にオン・オフ動作を行う
。これによって、トランジスタQ41およびQ44がオ
ン状態の時は負荷45にESの電圧が印加され、トラン
ジスタQ42およびQ43がオン状態の時は負荷45に
−E、の負電圧が印加される。
第5図には第4図に示される駆動回路の具体的な一構成
例が示される。第5図において破線表示されるキャパシ
タcs+’ はMOS)ランジスタQ41のゲート・
ソース間の入力容量を表わす。ごのような入力容量はM
OSトランジスタのソース領域(拡散領域)の大きさお
よび不純物4度、ゲート・ソース間の形成位置等により
決まるものであり、その存在は当業者には一般に知られ
ている。
例が示される。第5図において破線表示されるキャパシ
タcs+’ はMOS)ランジスタQ41のゲート・
ソース間の入力容量を表わす。ごのような入力容量はM
OSトランジスタのソース領域(拡散領域)の大きさお
よび不純物4度、ゲート・ソース間の形成位置等により
決まるものであり、その存在は当業者には一般に知られ
ている。
駆動回路41は、単一周波数の信号を発生ずる発振器O
8Cと、この発振信号を電気的に絶縁して2次側に伝達
する変成器Tと、該変成器と並列に接続された抵抗R1
と、抵抗R1より後段シ、二おいて回路と直列に接続さ
れた抵抗R2とを有している。この駆動回路41から負
荷側を見た場合にに)トランジスタQ41は容量性負荷
として機能し、これによって駆動回路内に寄生振動が発
生する可能性があるので、これを防止するために上述の
抵抗R1およびR2が用いられている。この場合、キャ
パシタC3I“ の影響を極力小さくするために1氏抗
R2の値は大きく選定され、一方、トランジスタQ41
から入力側を見たインピーダンスを極力小さくするため
に抵抗R1の値は抵抗R2の値に比して小さく選定され
る。
8Cと、この発振信号を電気的に絶縁して2次側に伝達
する変成器Tと、該変成器と並列に接続された抵抗R1
と、抵抗R1より後段シ、二おいて回路と直列に接続さ
れた抵抗R2とを有している。この駆動回路41から負
荷側を見た場合にに)トランジスタQ41は容量性負荷
として機能し、これによって駆動回路内に寄生振動が発
生する可能性があるので、これを防止するために上述の
抵抗R1およびR2が用いられている。この場合、キャ
パシタC3I“ の影響を極力小さくするために1氏抗
R2の値は大きく選定され、一方、トランジスタQ41
から入力側を見たインピーダンスを極力小さくするため
に抵抗R1の値は抵抗R2の値に比して小さく選定され
る。
上述した従来形のインバータ装置においては、スイッチ
ング用MO3)ランジスタのゲート・ソース間に入力容
量(キャパシタ)が存在ずろために、該キャパシタの充
放電特性に起因して該トランジスタの入力電圧V(,5
が発振信号■。、c電圧の変化に迅速に追従できないと
いう問題点があった。
ング用MO3)ランジスタのゲート・ソース間に入力容
量(キャパシタ)が存在ずろために、該キャパシタの充
放電特性に起因して該トランジスタの入力電圧V(,5
が発振信号■。、c電圧の変化に迅速に追従できないと
いう問題点があった。
第6図にはこの問題点を説明するための動作波形図が示
される。第6図に示されるように例えばキャパシタの充
電時においては、MO3I−ランジスタの入力電圧VG
Sが該トランジスタのターンオンに必要な所定レヘル、
すなわちスレッショルド電圧Vい、に達するまでにR4
の遅延時間を要している。従って、第6図の波形図から
明らかなように、発振信号■。、Cの周波数f0が所定
値以上に高くなった場合には、電圧■G、のピーク値が
スレッショルド電圧■いに達する前に該電圧■。、が立
下るといった事態が発生し、これによって、所望とする
高周波出力電圧が得られないという問題があった。
される。第6図に示されるように例えばキャパシタの充
電時においては、MO3I−ランジスタの入力電圧VG
Sが該トランジスタのターンオンに必要な所定レヘル、
すなわちスレッショルド電圧Vい、に達するまでにR4
の遅延時間を要している。従って、第6図の波形図から
明らかなように、発振信号■。、Cの周波数f0が所定
値以上に高くなった場合には、電圧■G、のピーク値が
スレッショルド電圧■いに達する前に該電圧■。、が立
下るといった事態が発生し、これによって、所望とする
高周波出力電圧が得られないという問題があった。
また、従来のインバータ装置の駆動回路(第5図参照)
においては、抵抗R1およびR2による消費電力の分だ
け発振器の出力電力が無駄になるため、駆動効率が低下
するという問題もあった。
においては、抵抗R1およびR2による消費電力の分だ
け発振器の出力電力が無駄になるため、駆動効率が低下
するという問題もあった。
本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑みなさ
れたもので、所望とする高周波電圧を得ることができる
と共に、駆動系の高効率化を可能にするインバータ装置
を提供することを目的としている。
れたもので、所望とする高周波電圧を得ることができる
と共に、駆動系の高効率化を可能にするインバータ装置
を提供することを目的としている。
本発明によれば、単一周波数の駆動信号を発生する回路
と、直流電圧入力点と負荷の間に直列に介在され、上述
の駆動信号に応答して上述の単一周波数に応じたスイッ
チング動作を行う少くとも1個のMISI−ランジスタ
と、このMISトランジスタのゲート・ソース間に接続
され、ゲートの入力容量と並列共振するインダクタンス
素子と、を備えてなるインバータ装置が提供される。
と、直流電圧入力点と負荷の間に直列に介在され、上述
の駆動信号に応答して上述の単一周波数に応じたスイッ
チング動作を行う少くとも1個のMISI−ランジスタ
と、このMISトランジスタのゲート・ソース間に接続
され、ゲートの入力容量と並列共振するインダクタンス
素子と、を備えてなるインバータ装置が提供される。
〔作 用]
本発明によるインバータ装置においては、スイッチング
動作を行うMISI−ランジスタのゲート・ソース間に
該トランジスタの入力容量(キャパシタ)と並列共振す
るインダクタンス素子が設けられているので、該MIS
)ランジスタの入力電圧は単一周波数の駆動信号の変化
に迅速に追従することができる。すなわち、該M I
S I−ランジスタは駆動信号のレベルが変化した時に
遅延を伴うことなく速やかにスイッチング動作を行う。
動作を行うMISI−ランジスタのゲート・ソース間に
該トランジスタの入力容量(キャパシタ)と並列共振す
るインダクタンス素子が設けられているので、該MIS
)ランジスタの入力電圧は単一周波数の駆動信号の変化
に迅速に追従することができる。すなわち、該M I
S I−ランジスタは駆動信号のレベルが変化した時に
遅延を伴うことなく速やかにスイッチング動作を行う。
このようにして本発明の装置は、MISトランジスタを
駆動する信号の周波数がたとえ高くなった場合でも該周
波数に応じた高周波電圧を得ることを可能にするもので
ある。
駆動する信号の周波数がたとえ高くなった場合でも該周
波数に応じた高周波電圧を得ることを可能にするもので
ある。
また、M■Sトランジスタの入力容量による悪影響を抑
制するために駆動信号発生回路内に設けられていた電力
消費素子(例えば第5図の抵抗R1及びR2)が不要と
なる分だけ駆動系の効率を高めることができる。
制するために駆動信号発生回路内に設けられていた電力
消費素子(例えば第5図の抵抗R1及びR2)が不要と
なる分だけ駆動系の効率を高めることができる。
第1図には本発明の一実施例としてのインバータ装置の
回路構成が示される。第1図の例示は、RF励起型CO
Z レーザ装置の高周波電源として本装置を組込んだ場
合を示す。
回路構成が示される。第1図の例示は、RF励起型CO
Z レーザ装置の高周波電源として本装置を組込んだ場
合を示す。
第1図においてQl−Q4はそれぞれNチャネル型M
OS )ランジスタを示し、直流電圧E、の入力点間に
、トランジスタQ1およびQ2が直列接続され、かつト
ランジスタQ3およびQ4が接続されている。トランジ
スタQlおよびQ2の接続点とトランジスタQ3および
Q4の接続点との間には負荷としてレーザ管5が接続さ
れる。このレーザ管5は、交流電圧が印加される1対の
電ワi5a 、5bと、放電用の石英管5cとからなっ
ている。また、各トランジスタQ1〜Q4のゲート・ソ
ース間にはそれぞれコイルL l 、 L 2 、 L
3 。
OS )ランジスタを示し、直流電圧E、の入力点間に
、トランジスタQ1およびQ2が直列接続され、かつト
ランジスタQ3およびQ4が接続されている。トランジ
スタQlおよびQ2の接続点とトランジスタQ3および
Q4の接続点との間には負荷としてレーザ管5が接続さ
れる。このレーザ管5は、交流電圧が印加される1対の
電ワi5a 、5bと、放電用の石英管5cとからなっ
ている。また、各トランジスタQ1〜Q4のゲート・ソ
ース間にはそれぞれコイルL l 、 L 2 、 L
3 。
R4が接続され、さらに該コイルに並列にそれぞれ駆動
回路1 .2 .3 .4が接続されている。駆動回路
1および4は同じ構成であって、同一の駆動電圧Vt、
Sを出力し、一方、駆動回路2および3は同じ構成であ
って、上述の駆動電圧Vいとは逆位相の駆動電圧■を出
力する。従って、トランジスタ対Q1およびQ4と、Q
2およびQ3は、駆動電圧周波数に応じて交互にオン・
オフ動作を行うので、レーザ管5の電極間には該駆動電
圧周波数に対応した、振幅E、の高周波電圧が印加され
る。
回路1 .2 .3 .4が接続されている。駆動回路
1および4は同じ構成であって、同一の駆動電圧Vt、
Sを出力し、一方、駆動回路2および3は同じ構成であ
って、上述の駆動電圧Vいとは逆位相の駆動電圧■を出
力する。従って、トランジスタ対Q1およびQ4と、Q
2およびQ3は、駆動電圧周波数に応じて交互にオン・
オフ動作を行うので、レーザ管5の電極間には該駆動電
圧周波数に対応した、振幅E、の高周波電圧が印加され
る。
第2図には第1図に示される駆動回路の一構成例が示さ
れる。図中破線で示されるキャパシタC3IはMOS)
ランジスタQ1のゲート・ソース間の入力容量を表わす
。駆動回路lは、単一周波数f。の信号を発生する発振
器OSCと、この発振信号を電気的に絶縁して2次側に
伝達する変成器Tとを有している。また、トランジスタ
Q1のゲート・ソース間に接続されるコイルLlは、該
トランジスタのゲート人力容量すなわちキャパシタC3
+と並列共振する値に選定されている。すなわち、各素
子の値と発振信号■。5.の周波数f0との間には、 の関係がある。このように、コイルLlとキャパシタC
S+は並列共振を起こすので、トランジスタQ1のゲー
ト・ソース間から駆動回路1側を見た入力インピーダン
スは穫めて太き(なる。また、キャパシタC3Iの充放
電特性に起因する悪影響、すなわち周波数特性の劣下、
がコイルL1の機能により相殺されるので、トランジス
タQ1の入力電圧VGSは発振信号V。、C電圧の変化
に迅速に追従可能となる。言い換えると、発振信号■。
れる。図中破線で示されるキャパシタC3IはMOS)
ランジスタQ1のゲート・ソース間の入力容量を表わす
。駆動回路lは、単一周波数f。の信号を発生する発振
器OSCと、この発振信号を電気的に絶縁して2次側に
伝達する変成器Tとを有している。また、トランジスタ
Q1のゲート・ソース間に接続されるコイルLlは、該
トランジスタのゲート人力容量すなわちキャパシタC3
+と並列共振する値に選定されている。すなわち、各素
子の値と発振信号■。5.の周波数f0との間には、 の関係がある。このように、コイルLlとキャパシタC
S+は並列共振を起こすので、トランジスタQ1のゲー
ト・ソース間から駆動回路1側を見た入力インピーダン
スは穫めて太き(なる。また、キャパシタC3Iの充放
電特性に起因する悪影響、すなわち周波数特性の劣下、
がコイルL1の機能により相殺されるので、トランジス
タQ1の入力電圧VGSは発振信号V。、C電圧の変化
に迅速に追従可能となる。言い換えると、発振信号■。
5.電圧が変化した場合には、トランジスタQlは遅延
を伴うことなく速やかにスイッチング動作を行う。
を伴うことなく速やかにスイッチング動作を行う。
第3図には第1図装置の各部の動作波形が示される。同
図に示されるように、発振信号V。、Cのレベル変化に
応じて駆動電圧、すなわち%10Sトランジスタのゲー
ト・ソース間電圧VG3、が速やかに追従してレベル変
化している。従って、従来形の一例として示される第6
図の波形図との対比からも明らかなように、インバータ
出力電圧〜′0.。
図に示されるように、発振信号V。、Cのレベル変化に
応じて駆動電圧、すなわち%10Sトランジスタのゲー
ト・ソース間電圧VG3、が速やかに追従してレベル変
化している。従って、従来形の一例として示される第6
図の波形図との対比からも明らかなように、インバータ
出力電圧〜′0.。
は遅延を伴うことなく発生される。また、発振信号V0
8.がレベル変化した時点で駆動電圧VCSは〜10S
)ランジスタのスレッショルド電圧Vいのレベルに充分
達しているので、発振信号周波数foが極めて高(なっ
た場合でも該周波数f0に応じた高周波出力電圧■。L
ITを確実に得ろごとができる。
8.がレベル変化した時点で駆動電圧VCSは〜10S
)ランジスタのスレッショルド電圧Vいのレベルに充分
達しているので、発振信号周波数foが極めて高(なっ
た場合でも該周波数f0に応じた高周波出力電圧■。L
ITを確実に得ろごとができる。
従って、本実施例で使用したレーザ管5のように印加電
圧量波数の増大に伴い効率が増大するような負荷に対し
ては、本実施例のインバータ装置は極めて有利となる。
圧量波数の増大に伴い効率が増大するような負荷に対し
ては、本実施例のインバータ装置は極めて有利となる。
また、第2図の駆動回路の一構成例に示されるように、
MO3hランジスタの入力容量による悪影響を抑制する
ために従来、駆動回路内に設けられていた電力消費素子
(例えば第5図の抵抗R1およびR2)が不要となって
いるため、駆動系全体としての諸費電力を低減すること
ができる。これによって、駆動系の効率が増大する。
MO3hランジスタの入力容量による悪影響を抑制する
ために従来、駆動回路内に設けられていた電力消費素子
(例えば第5図の抵抗R1およびR2)が不要となって
いるため、駆動系全体としての諸費電力を低減すること
ができる。これによって、駆動系の効率が増大する。
なお、本実施例ではC(hレーザを用いたが、それに限
らず、例えばHe Ne 、 Co 、エキシマ等の
池のすべてのガスレーザにも適用可能である。
らず、例えばHe Ne 、 Co 、エキシマ等の
池のすべてのガスレーザにも適用可能である。
以上説明したように本発明によれば、所望とする高周波
電圧を確実に得ることができると共に、駆動系の高効率
化を図ることができる。
電圧を確実に得ることができると共に、駆動系の高効率
化を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例としてのインバータ装置を示
す回路構成図、 第2図は第1図の駆動回路の一構成例を示す図、第3図
は第1図装置の動作波形図、 第4図は従来形の一例としてのインバータ装置を示す回
路構成図、 第5図は第4図の駆動回路の一構成例を示す図、第6図
は第4図装置の動作波形図、である。 (符号の説明) 1〜4・・・駆動回路、 5・・・負荷(レーザ管)
、Ql〜Q4・・・MOSトランジスタ、Ll〜L4・
・・コイル、 C31・・・入力容量(キャパシタ)、OSC・・・発
振器、 E、・・・直流電圧、VO3゜・・・発振
信号、 VGS・・・駆動電圧、V OVT・・・イ
ンバータ出力電圧。 第1図 一、1 第1図の駆動回路の一構成例を示す図 ・4・2図 ヒ≠。← 第1図装置の動作波形図 第3図 第4図
す回路構成図、 第2図は第1図の駆動回路の一構成例を示す図、第3図
は第1図装置の動作波形図、 第4図は従来形の一例としてのインバータ装置を示す回
路構成図、 第5図は第4図の駆動回路の一構成例を示す図、第6図
は第4図装置の動作波形図、である。 (符号の説明) 1〜4・・・駆動回路、 5・・・負荷(レーザ管)
、Ql〜Q4・・・MOSトランジスタ、Ll〜L4・
・・コイル、 C31・・・入力容量(キャパシタ)、OSC・・・発
振器、 E、・・・直流電圧、VO3゜・・・発振
信号、 VGS・・・駆動電圧、V OVT・・・イ
ンバータ出力電圧。 第1図 一、1 第1図の駆動回路の一構成例を示す図 ・4・2図 ヒ≠。← 第1図装置の動作波形図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単一周波数の駆動信号を発生する回路と、 直流電圧入力点と負荷の間に直列に介在され、該駆動信
号に応答して該単一周波数に応じたスイッチング動作を
行う少くとも1個のMISトランジスタと、 該MISトランジスタのゲート・ソース間に接続され、
該ゲートの入力容量と並列共振するインダクタンス素子
と、 を備えてなるインバータ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243201A JPH07118921B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | インバ−タ装置 |
| US07/207,092 US4811192A (en) | 1986-10-15 | 1987-10-15 | Inverter apparatus |
| DE8787906772T DE3781402T2 (de) | 1986-10-15 | 1987-10-15 | Wechselrichter. |
| PCT/JP1987/000781 WO1988002949A1 (fr) | 1986-10-15 | 1987-10-15 | Onduleur |
| EP87906772A EP0285674B1 (en) | 1986-10-15 | 1987-10-15 | Inverter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243201A JPH07118921B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | インバ−タ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399781A true JPS6399781A (ja) | 1988-05-02 |
| JPH07118921B2 JPH07118921B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17100335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243201A Expired - Fee Related JPH07118921B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | インバ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118921B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437029B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2004-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 3상 유도전동기 구동시스템 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP61243201A patent/JPH07118921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437029B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2004-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 3상 유도전동기 구동시스템 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118921B2 (ja) | 1995-12-18 |
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