JPS6410085B2 - - Google Patents
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- JPS6410085B2 JPS6410085B2 JP57128120A JP12812082A JPS6410085B2 JP S6410085 B2 JPS6410085 B2 JP S6410085B2 JP 57128120 A JP57128120 A JP 57128120A JP 12812082 A JP12812082 A JP 12812082A JP S6410085 B2 JPS6410085 B2 JP S6410085B2
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N cobalt(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Co+3].[Co+3] KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical group [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 Co 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は立上り電圧のきわめて低い電圧非直線
抵抗器と、その製造方法に関するものである。 近年、各種電気機器や電子機器に半導体素子が
広く用いられるようになつた。しかし、これら半
導体素子は一般にサージ（異常過電圧）に弱いも
のである。そこで、半導体素子をサージの発生す
る回路に使用する場合には耐圧の高いものを選ん
で使用するか、あるいはサージから保護するため
のサージ吸収器を用いるか、いずれかの方法がと
られている。通常、前者のサージ対策では十分で
なく、また価格も高くなるため、後者の方法がと
られている。 従来、これらのサージ保護素子として、ZnOに
Bi2O3，Co2O3，MnO2などの微量の添加物を加
えて焼結して得られるZnO電圧非直線抵抗器（以
下バリスタと云う）が知られている。ZnOバリス
タはサージに対して安定であり、優れたサージ保
護能力を示す。しかし、ZnOバリスタは焼結体の
粒界の非オーム性を利用しており、そのため低圧
用のものを得ることが困難である。すなわち、立
上り電圧は電極間に直列に挿入された粒界の数に
比例するため、立上り電圧の低いものを得ようと
すると、素子の厚みを薄くしなければならない。
しかし、ZnO粒子の粒径は数μmから10数μmのた
め、低圧用のものを得ようとすると、厚みを数
100μm以下にする必要があるが、機械的強度の関
係で、そのような薄いものを得ることはきわめて
困難である。したがつて、集積回路などの半導体
素子を保護するための適当なバリスタが得られて
いない。 これらの焼結形バリスタの欠点をなくすものと
して、ZnOを主成分とする基板に、酸化ビスマ
ス、酸化コバルト、希土類酸化物、アルカリ土類
酸化物などから成る膜をスパツタリングによつて
形成し、さらにZnO膜を同じくスパツタリングに
よつてその上に重ねたバリスタが報告されてい
る。これらのバリスタは、立上り電圧が低く、低
圧半導体のサージ保護に適している。しかし、こ
れらの素子のバリスタとしての性能を現わす定
数、電圧非直線指数、α（αはＩ＝（Ｖ／Ｃ）〓で定
義される。但し、Ｉ：電流、Ｖ：電圧、Ｃ：定
数）はそれほど大きくない。 本発明はこれらの欠点を改善するもので、立上
り電圧が低く、αの大きな電圧非直線抵抗器を実
現したものである。以下、その実施例について詳
細に説明する。 図面は本発明による素子の基本的な構造を示し
たもので、１はZnOを主成分とする層、２は酸化
コバルトと他の金属酸化物を含む層、３は電極で
ある。このような構成とすることにより、ZnO主
成分層と酸化コバルトと他の金属酸化物を含む層
の界面にエネルギー障壁が形成され、このエネル
ギー障壁が非オーム性を示し、バリスタとしての
効果が得られる。エネルギー障壁は２つの界面に
それぞれ形成されるので、正負いずれの電圧に対
しても同じように動作することから、本構造の素
子は正負対称型の電圧非直線性を示す。 （実施例 １） ZnO粉体を、通常の成形方法によつて直径40
mm、厚さ20mmに成型し、SiCの型に入れて1200℃
で圧力200Kg／cm2を加えながら、空気中で10時間
加圧焼成した。得られた焼結体を厚み0.5mmの円
板に切断加工し、アルミナ微粉を用いて鏡面研磨
を施した後、有機溶剤で十分に洗浄した。次に、
第１表に示す酸化物組成粉体を有機バインダーお
よび有機溶剤に分散してペースト状とし、前記
ZnO鏡面基板上に塗布した。このようにして得た
２組の塗布膜付基板を、塗布膜同志が接し合うよ
うに重ねた。この積層基板を750℃の温度で400
Kg／cm2の圧力を加えながら空気中において１時間
加圧焼成し、その後素子両面のZnO基板上にAl
蒸着電極を設け、１mm角のチツプに切り出して電
気特性を測定した。第１表に、それぞれの素子に
ついて0.1〜１ｍＡ／cm2の領域における電圧非直
線指数αおよび立上り電圧（1mA／mm2の電流を
流した時の端子電圧）を示す。第１表の組成No.１
〜34は本発明の範囲内の例であり〓印を付したNo.
35〜38は比較例として示したものである。第１表
より、酸化コバルトをCo2O3の形に換算して、
99.96モル％〜45モル％、酸化ビスマスをBi2O3の
形に換算して0.01〜54.97モル％、酸化プラセオ
ジウムをPr2O3の形に換算して0.01〜54.97モル
％、酸化バリウムをBaOの形に換算して0.01〜
54.97モル％およびマンガン、アンチモン、ホウ
素、ニツケル、リチウムのうち少なくとも１種以
上を、MnO2，Sb2O3，B2O3，NiO，Li2Oの形に
換算して、それぞれ0.01〜20.0モル％、0.01〜5.0
モル％、0.01〜10.0モル％、0.01〜20.0モル％、
0.001〜0.5モル％含む組成を用いることにより、
αが15以上、立上り電圧が8V以下の良好な低圧
バリスタの得られることがわかる。
抵抗器と、その製造方法に関するものである。 近年、各種電気機器や電子機器に半導体素子が
広く用いられるようになつた。しかし、これら半
導体素子は一般にサージ（異常過電圧）に弱いも
のである。そこで、半導体素子をサージの発生す
る回路に使用する場合には耐圧の高いものを選ん
で使用するか、あるいはサージから保護するため
のサージ吸収器を用いるか、いずれかの方法がと
られている。通常、前者のサージ対策では十分で
なく、また価格も高くなるため、後者の方法がと
られている。 従来、これらのサージ保護素子として、ZnOに
Bi2O3，Co2O3，MnO2などの微量の添加物を加
えて焼結して得られるZnO電圧非直線抵抗器（以
下バリスタと云う）が知られている。ZnOバリス
タはサージに対して安定であり、優れたサージ保
護能力を示す。しかし、ZnOバリスタは焼結体の
粒界の非オーム性を利用しており、そのため低圧
用のものを得ることが困難である。すなわち、立
上り電圧は電極間に直列に挿入された粒界の数に
比例するため、立上り電圧の低いものを得ようと
すると、素子の厚みを薄くしなければならない。
しかし、ZnO粒子の粒径は数μmから10数μmのた
め、低圧用のものを得ようとすると、厚みを数
100μm以下にする必要があるが、機械的強度の関
係で、そのような薄いものを得ることはきわめて
困難である。したがつて、集積回路などの半導体
素子を保護するための適当なバリスタが得られて
いない。 これらの焼結形バリスタの欠点をなくすものと
して、ZnOを主成分とする基板に、酸化ビスマ
ス、酸化コバルト、希土類酸化物、アルカリ土類
酸化物などから成る膜をスパツタリングによつて
形成し、さらにZnO膜を同じくスパツタリングに
よつてその上に重ねたバリスタが報告されてい
る。これらのバリスタは、立上り電圧が低く、低
圧半導体のサージ保護に適している。しかし、こ
れらの素子のバリスタとしての性能を現わす定
数、電圧非直線指数、α（αはＩ＝（Ｖ／Ｃ）〓で定
義される。但し、Ｉ：電流、Ｖ：電圧、Ｃ：定
数）はそれほど大きくない。 本発明はこれらの欠点を改善するもので、立上
り電圧が低く、αの大きな電圧非直線抵抗器を実
現したものである。以下、その実施例について詳
細に説明する。 図面は本発明による素子の基本的な構造を示し
たもので、１はZnOを主成分とする層、２は酸化
コバルトと他の金属酸化物を含む層、３は電極で
ある。このような構成とすることにより、ZnO主
成分層と酸化コバルトと他の金属酸化物を含む層
の界面にエネルギー障壁が形成され、このエネル
ギー障壁が非オーム性を示し、バリスタとしての
効果が得られる。エネルギー障壁は２つの界面に
それぞれ形成されるので、正負いずれの電圧に対
しても同じように動作することから、本構造の素
子は正負対称型の電圧非直線性を示す。 （実施例 １） ZnO粉体を、通常の成形方法によつて直径40
mm、厚さ20mmに成型し、SiCの型に入れて1200℃
で圧力200Kg／cm2を加えながら、空気中で10時間
加圧焼成した。得られた焼結体を厚み0.5mmの円
板に切断加工し、アルミナ微粉を用いて鏡面研磨
を施した後、有機溶剤で十分に洗浄した。次に、
第１表に示す酸化物組成粉体を有機バインダーお
よび有機溶剤に分散してペースト状とし、前記
ZnO鏡面基板上に塗布した。このようにして得た
２組の塗布膜付基板を、塗布膜同志が接し合うよ
うに重ねた。この積層基板を750℃の温度で400
Kg／cm2の圧力を加えながら空気中において１時間
加圧焼成し、その後素子両面のZnO基板上にAl
蒸着電極を設け、１mm角のチツプに切り出して電
気特性を測定した。第１表に、それぞれの素子に
ついて0.1〜１ｍＡ／cm2の領域における電圧非直
線指数αおよび立上り電圧（1mA／mm2の電流を
流した時の端子電圧）を示す。第１表の組成No.１
〜34は本発明の範囲内の例であり〓印を付したNo.
35〜38は比較例として示したものである。第１表
より、酸化コバルトをCo2O3の形に換算して、
99.96モル％〜45モル％、酸化ビスマスをBi2O3の
形に換算して0.01〜54.97モル％、酸化プラセオ
ジウムをPr2O3の形に換算して0.01〜54.97モル
％、酸化バリウムをBaOの形に換算して0.01〜
54.97モル％およびマンガン、アンチモン、ホウ
素、ニツケル、リチウムのうち少なくとも１種以
上を、MnO2，Sb2O3，B2O3，NiO，Li2Oの形に
換算して、それぞれ0.01〜20.0モル％、0.01〜5.0
モル％、0.01〜10.0モル％、0.01〜20.0モル％、
0.001〜0.5モル％含む組成を用いることにより、
αが15以上、立上り電圧が8V以下の良好な低圧
バリスタの得られることがわかる。
【表】
【表】
＊印は比較例
（実施例 ２） 実施例１で用いた組成のうち、第１表のNo.28に
示す組成を用いて、製造条件の効果を調べた。第
２表は積層して加圧焼成する時の焼成温度と電気
特性の関係を示したものであり、500℃から950℃
の焼成温度で良好な特性が得られている。なお、
500℃未満で焼成した場合、積層部の接着強度が
弱く、実用的なものが得られなかつた。
（実施例 ２） 実施例１で用いた組成のうち、第１表のNo.28に
示す組成を用いて、製造条件の効果を調べた。第
２表は積層して加圧焼成する時の焼成温度と電気
特性の関係を示したものであり、500℃から950℃
の焼成温度で良好な特性が得られている。なお、
500℃未満で焼成した場合、積層部の接着強度が
弱く、実用的なものが得られなかつた。
【表】
本実施例では400Kg／cm2の圧力で積層加圧焼成
しているが、その時の圧力の効果について更に検
討してみた。その結果、50Kg／cm2未満の圧力で
は、焼成後取り出した時、ZnO基板と、酸化コバ
ルトと他の金属酸化物を含む層の接着強度の十分
なものが得られなかつた。一方、1000Kg／cm2より
大きい圧力で焼成すると、ZnO基板にひび割れの
生ずるものが多く、適当でなかつた。50Kg／cm2〜
1000Kg／cm2の圧力で焼成されたものは、ほぼ同じ
電気特性を示し、接着強度、ひび割れの点でも問
題がなかつた。以上の結果から積層加圧圧力とし
て50〜1000Kg／cm2が適当であることがわかつた。 次に、積層加圧焼成の焼成時間の効果について
検討した。その結果、焼成温度で10分以上保て
ば、とくに電気特性に大きな変化の現われないこ
とがわかつた。 次に、基板として用いるZnO基板の焼成条件に
ついて検討した。焼成圧力を０〜1500Kg／cm2、焼
成温度を700℃〜1500℃の間で変化させ、その効
果を調べた。その結果、焼成時の圧力が50Kg／cm2
未満であると研磨後のZnO基板表面に気孔が多
く、そのため特性のきわめて不安定なものしか得
られなかつた。50Kg／cm2以上の圧力をかけて焼成
した場合には、いずれの圧力においても良好な
ZnO基板が得られた。圧力はあまり高くすると装
置が高価になるなど他の問題も生ずるので、特に
著しい効果がない場合にはあまり圧力を上げても
意味がない。ZnO基板の焼成圧力としては50〜
1500Kg／cm2が適当であつた。 焼成温度は800℃未満の場合、焼結が不十分で
あり、1400℃より高温にするとZnOの粒成長が進
みすぎて、機械的強度が弱くなるなどの問題を生
じた。したがつて800℃〜1400℃が適当な焼成温
度である。また、焼成時間は１時間以上あれば十
分緻密なZnO基板の得られることがわかつた。 本実施例では、酸化コバルトと他の金属酸化物
を含む１つの層を２つのZnO基板でサンドイツチ
状に積層しているが、さらにこの上にもう１つの
酸化コバルトと他の金属酸化物を含む層を設け、
さらにZnO基板を積層してやれば、実施例の初め
に述べた如く、本発明のバリスタ作用が酸化コバ
ルトと他の金属酸化物を含む層とZnO基板の界面
で生じることから考えて、実施例１のバリスタを
直列に２ケ接続したのと同様の効果が得られるこ
とは明らかであり、このように積層数を増すこと
によつて、さらに高電圧のバリスタを得ることが
できる。 なお、本実施例ではZnO基板を用いたが、ZnO
基板の比抵抗を制御する各種の添加物、たとえば
３価元素であるアルミニウムやガリウム、また１
価元素であるリチウムなどを加えて、特性を種々
に変化させることも可能であり、したがつて本発
明は純粋なZnO基板に限定されるものではない。 また、酸化コバルトと他の金属酸化物を含む層
を形成する場合、本実施例ではそれぞれCo2O3，
Pr2O3，MnO2などを用いたが、CoO，Co3O4，
MnOなどを用いても同様の結果が得られた。し
たがつて本発明は本実施例に示した酸化物にのみ
限定されるものではない。 以上述べた如く、本発明は材料組成および法の
巧みな組み合せにより初めて得られたものであ
り、本発明より得られる素子は、半導体素子を用
いた電子機器の信頼性を向上させるのに有用なも
のなのである。
しているが、その時の圧力の効果について更に検
討してみた。その結果、50Kg／cm2未満の圧力で
は、焼成後取り出した時、ZnO基板と、酸化コバ
ルトと他の金属酸化物を含む層の接着強度の十分
なものが得られなかつた。一方、1000Kg／cm2より
大きい圧力で焼成すると、ZnO基板にひび割れの
生ずるものが多く、適当でなかつた。50Kg／cm2〜
1000Kg／cm2の圧力で焼成されたものは、ほぼ同じ
電気特性を示し、接着強度、ひび割れの点でも問
題がなかつた。以上の結果から積層加圧圧力とし
て50〜1000Kg／cm2が適当であることがわかつた。 次に、積層加圧焼成の焼成時間の効果について
検討した。その結果、焼成温度で10分以上保て
ば、とくに電気特性に大きな変化の現われないこ
とがわかつた。 次に、基板として用いるZnO基板の焼成条件に
ついて検討した。焼成圧力を０〜1500Kg／cm2、焼
成温度を700℃〜1500℃の間で変化させ、その効
果を調べた。その結果、焼成時の圧力が50Kg／cm2
未満であると研磨後のZnO基板表面に気孔が多
く、そのため特性のきわめて不安定なものしか得
られなかつた。50Kg／cm2以上の圧力をかけて焼成
した場合には、いずれの圧力においても良好な
ZnO基板が得られた。圧力はあまり高くすると装
置が高価になるなど他の問題も生ずるので、特に
著しい効果がない場合にはあまり圧力を上げても
意味がない。ZnO基板の焼成圧力としては50〜
1500Kg／cm2が適当であつた。 焼成温度は800℃未満の場合、焼結が不十分で
あり、1400℃より高温にするとZnOの粒成長が進
みすぎて、機械的強度が弱くなるなどの問題を生
じた。したがつて800℃〜1400℃が適当な焼成温
度である。また、焼成時間は１時間以上あれば十
分緻密なZnO基板の得られることがわかつた。 本実施例では、酸化コバルトと他の金属酸化物
を含む１つの層を２つのZnO基板でサンドイツチ
状に積層しているが、さらにこの上にもう１つの
酸化コバルトと他の金属酸化物を含む層を設け、
さらにZnO基板を積層してやれば、実施例の初め
に述べた如く、本発明のバリスタ作用が酸化コバ
ルトと他の金属酸化物を含む層とZnO基板の界面
で生じることから考えて、実施例１のバリスタを
直列に２ケ接続したのと同様の効果が得られるこ
とは明らかであり、このように積層数を増すこと
によつて、さらに高電圧のバリスタを得ることが
できる。 なお、本実施例ではZnO基板を用いたが、ZnO
基板の比抵抗を制御する各種の添加物、たとえば
３価元素であるアルミニウムやガリウム、また１
価元素であるリチウムなどを加えて、特性を種々
に変化させることも可能であり、したがつて本発
明は純粋なZnO基板に限定されるものではない。 また、酸化コバルトと他の金属酸化物を含む層
を形成する場合、本実施例ではそれぞれCo2O3，
Pr2O3，MnO2などを用いたが、CoO，Co3O4，
MnOなどを用いても同様の結果が得られた。し
たがつて本発明は本実施例に示した酸化物にのみ
限定されるものではない。 以上述べた如く、本発明は材料組成および法の
巧みな組み合せにより初めて得られたものであ
り、本発明より得られる素子は、半導体素子を用
いた電子機器の信頼性を向上させるのに有用なも
のなのである。
図面は本発明の一実施例の構造を示す断面図で
ある。 １……ZnO主成分層、２……酸化コバルトとそ
の他の金属酸化物を含む層、３……電極。
ある。 １……ZnO主成分層、２……酸化コバルトとそ
の他の金属酸化物を含む層、３……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コバルトを酸化コバルト（Co2O3）の形に換
算して45〜99.96モル％およびビスマスを酸化ビ
スマス（Bi2O3）の形に換算して0.01〜54.97モル
％、プラセオジウムを酸化プラセオジウム
（Pr2O3）の形に換算して0.01〜54.97モル％、バ
リウムを酸化バリウム（BaO）の形に換算して
0.01〜54.97モル％、およびマンガン、アンチモ
ン、ホウ素、ニツケル、リチウムのうち少なくと
も１種以上を、MnO2，Sb2O3，B2O3，NiO，
Li2Oの形に換算して、それぞれ0.01〜20.0モル
％、0.01〜5.0モル％、0.01〜10.0モル％、0.01〜
20.0モル％、0.001〜0.5モル％含む領域を、酸化
亜鉛を主成分とする２つの領域によつてサンドイ
ツチ状にはさみ、これを一組以上積み重ねて積層
体を構成し、この積層体の表裏両主面に電極を設
けたことを特徴とする電圧非直線抵抗器。 ２ 酸化亜鉛を主成分とする領域が多結晶焼結体
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電圧非直線抵抗器。 ３ 少なくとも２枚の酸化亜鉛を主成分とする基
板の主面上に、それぞれ酸化コバルト、酸化ビス
マス、酸化プラセオジウム、酸化バリウムの全て
と、酸化マンガン、酸化アンチモン、酸化ホウ
素、酸化ニツケル、酸化リチウムのうち１種以上
を含む膜を形成し、前記基板と前記膜が交互に配
置され、かつ最外層が前記酸化亜鉛を主成分とす
る基板となるように積層した後、圧力を加えなが
ら熱処理を行つて接着し、得られた積層体の表裏
両主面に電極を形成することを特徴とする電圧非
直線抵抗器の製造方法。 ４ 基板として、酸化亜鉛を主成分とする粉末を
成形して800〜1400℃の空気中で50〜1500Kg／cm2
の圧力を加えながら焼成して得られた焼結体を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
の電圧非直線抵抗器の製造方法。 ５ 50〜1000Kg／cm2の圧力を加えながら、500〜
950℃で熱処理を行つて積層体を接着することを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の電圧非直
線抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128120A JPS5918601A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 電圧非直線抵抗器とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128120A JPS5918601A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 電圧非直線抵抗器とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918601A JPS5918601A (ja) | 1984-01-31 |
| JPS6410085B2 true JPS6410085B2 (ja) | 1989-02-21 |
Family
ID=14976872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128120A Granted JPS5918601A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 電圧非直線抵抗器とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918601A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116655369B (zh) * | 2023-06-19 | 2024-03-22 | 陕西科技大学 | 一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57128120A patent/JPS5918601A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5918601A (ja) | 1984-01-31 |
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