JPS641074B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS641074B2 JPS641074B2 JP16611882A JP16611882A JPS641074B2 JP S641074 B2 JPS641074 B2 JP S641074B2 JP 16611882 A JP16611882 A JP 16611882A JP 16611882 A JP16611882 A JP 16611882A JP S641074 B2 JPS641074 B2 JP S641074B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- semiconductor layer
- semiconductor
- ingaasp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体発光装置、特にサブナノ秒の超
短パルス光を優れた量子効率をもつて発生し、か
つ安定した基本零次横モードが容易に得られる半
導体発光装置に関する。
短パルス光を優れた量子効率をもつて発生し、か
つ安定した基本零次横モードが容易に得られる半
導体発光装置に関する。
(b) 技術の背景
光フアイバ通信システムなどにおいて、半導体
レーザの直接高速変調動作とフオトダイオードの
高速応答性が活用されているがこれらの動作は１
乃至２〔ＧHz〕以下に止まつている。
レーザの直接高速変調動作とフオトダイオードの
高速応答性が活用されているがこれらの動作は１
乃至２〔ＧHz〕以下に止まつている。
他方固体レーザ、色素レーザの分野においては
既にピコ秒領域が開拓されて、計測、物性、核融
合等の分野で大きな役割を果たしつつある。
既にピコ秒領域が開拓されて、計測、物性、核融
合等の分野で大きな役割を果たしつつある。
半導体レーザは、バンド間遷移を用いるために
利得帯域幅が広く、また利得が大で共振器長が短
いために光子寿命及び共振器走行時間が著るしく
短かく本質的には短パルス光発生に適したもので
あり、前記計測等に使用出来る簡便なピコ秒領域
の超短パルス光源となるものが望まれている。
利得帯域幅が広く、また利得が大で共振器長が短
いために光子寿命及び共振器走行時間が著るしく
短かく本質的には短パルス光発生に適したもので
あり、前記計測等に使用出来る簡便なピコ秒領域
の超短パルス光源となるものが望まれている。
(c) 従来技術と問題点
注入型半導体レーザとして従来よりダブルヘテ
ロ構造のもの（以下短にDHレーザと略記する）
が知られており、数ナノ秒幅のパルス光が得られ
ているが、直接変調可能とは言え、パルス発生の
ための変調入力装置、或いは間接変調装置の部分
を含めると簡便な装置とは言い難く、計測用等に
使用するためには不適当であると言う欠点があつ
た。
ロ構造のもの（以下短にDHレーザと略記する）
が知られており、数ナノ秒幅のパルス光が得られ
ているが、直接変調可能とは言え、パルス発生の
ための変調入力装置、或いは間接変調装置の部分
を含めると簡便な装置とは言い難く、計測用等に
使用するためには不適当であると言う欠点があつ
た。
(d) 発明の目的
本発明は、ｐ−ｎ−ｐ又はｎ−ｐ−ｎ接合部分
を備えたDHレーザにより、簡易に超短パルス光
を発生し、量子効率が高く且つ安定した基本零次
横モードのレーザパルス光が得られる半導体発光
装置を提供することを目的とする。
を備えたDHレーザにより、簡易に超短パルス光
を発生し、量子効率が高く且つ安定した基本零次
横モードのレーザパルス光が得られる半導体発光
装置を提供することを目的とする。
(e) 発明の構成
本発明の前記目的は、第１導電型の第１の半導
体層と、該第１の半導体層に接して該第１の半導
体層より禁制帯幅が小なる第２の半導体層と、該
第２の半導体層に接して該第２の半導体層より禁
制帯幅が大なる第２導電型の第３の半導体層と、
該第３の半導体層に接してストライプ状をなし、
該第２の半導体層より禁制帯幅が大なる第２導電
型の第４の半導体層と、該第３の半導体層及び第
４の半導体を被覆し、且つ該第３及び第４の半導
体層より禁制帯幅が小なる第１導電型の第５の半
導体層と、前記第４の半導体層に対応した領域に
該第５の半導体層を介して配設された第２導電型
の第６の半導体領域とを備えてなり、前記第３及
び第４の半導体層と第５の半導体層と第６の半導
体層とによりｐ−ｎ−ｐ接合又はｎ−ｐ−ｎ接合
を形成することを特徴とする半導体発光装置によ
り達成される。
体層と、該第１の半導体層に接して該第１の半導
体層より禁制帯幅が小なる第２の半導体層と、該
第２の半導体層に接して該第２の半導体層より禁
制帯幅が大なる第２導電型の第３の半導体層と、
該第３の半導体層に接してストライプ状をなし、
該第２の半導体層より禁制帯幅が大なる第２導電
型の第４の半導体層と、該第３の半導体層及び第
４の半導体を被覆し、且つ該第３及び第４の半導
体層より禁制帯幅が小なる第１導電型の第５の半
導体層と、前記第４の半導体層に対応した領域に
該第５の半導体層を介して配設された第２導電型
の第６の半導体領域とを備えてなり、前記第３及
び第４の半導体層と第５の半導体層と第６の半導
体層とによりｐ−ｎ−ｐ接合又はｎ−ｐ−ｎ接合
を形成することを特徴とする半導体発光装置によ
り達成される。
特に前記第５の半導体層の禁制帯幅を前記第２
の半導体層の禁制帯幅より小とすることにより、
光導波路に横方向の損失ガイドが形成される。
の半導体層の禁制帯幅より小とすることにより、
光導波路に横方向の損失ガイドが形成される。
更に前記第５の半導体層の不純物濃度を前記第
３及び第５の半導体層の不純物濃度より小とする
ことにより、前記第３の半導体層の厚さを小にす
ることが可能となつて前記損失ガイドの効果を充
分に生かすことができる。
３及び第５の半導体層の不純物濃度より小とする
ことにより、前記第３の半導体層の厚さを小にす
ることが可能となつて前記損失ガイドの効果を充
分に生かすことができる。
(f) 発明の実施例
以下、本発明の参考例及び実施例を図によつて
説明する。第１図は本発明の超短光パルスの発光
原理のみを適用した参考例を示す断面図である。
説明する。第１図は本発明の超短光パルスの発光
原理のみを適用した参考例を示す断面図である。
図において、１はｎ型ガリウム・砒素
（GaAs）基板、２はｎ型ガリウム・アルミニウ
ム・砒素（GaAlAs）層、３はｎ型もしくはｐ型
ガリウム・砒素（GaAs）活性層、４はｐ型ガリ
ウム・アルミニウム・砒素（GaAlAs）層、５は
ｎ型ガリウム・砒素（GaAs）層、６は例えば亜
鉛（Zn）拡散によつて形成されたｐ型ガリウ
ム・砒素（GaAs）領域、７はｐ側電極、８はｎ
側電極である。
（GaAs）基板、２はｎ型ガリウム・アルミニウ
ム・砒素（GaAlAs）層、３はｎ型もしくはｐ型
ガリウム・砒素（GaAs）活性層、４はｐ型ガリ
ウム・アルミニウム・砒素（GaAlAs）層、５は
ｎ型ガリウム・砒素（GaAs）層、６は例えば亜
鉛（Zn）拡散によつて形成されたｐ型ガリウ
ム・砒素（GaAs）領域、７はｐ側電極、８はｎ
側電極である。
この参考例では、ｐ型GaAs領域６、ｎ型
GaAs層５及びｐ型GaAlAs層４によつて、ｐ−
ｎ−ｐ接合が形成されており、この部分による電
流のオンオフによつてレーザ光がオンオフするの
で、その動作を以下説明する。
GaAs層５及びｐ型GaAlAs層４によつて、ｐ−
ｎ−ｐ接合が形成されており、この部分による電
流のオンオフによつてレーザ光がオンオフするの
で、その動作を以下説明する。
ｐ側電極７を正、ｎ側電極を負とする電圧を
電極間に印加すると、ｎ型GaAs層５とｐ型
GaAlAs層４との間のｎ−ｐ接合は逆バイアスさ
れてこの接合を挾んで空乏層が形成され、印加電
圧が大きくてこの空乏層がｐ型GaAs領域６に達
すると、このｐ−ｎ−ｐ接合に電流が流れレー
ザ光を発生するが、電流が流れると空乏層が消
滅するので、電流は流れなくなり、レーザ光の
発生はサブナノ秒（数百ピコ秒程度）であり超短
パルス光のレーザ光となる。印加電圧はそのまま
に保持しておくと、再び〜の動作を繰り返
す、即ち超短パルス光を一定の周期で発生させる
ことができる。
電極間に印加すると、ｎ型GaAs層５とｐ型
GaAlAs層４との間のｎ−ｐ接合は逆バイアスさ
れてこの接合を挾んで空乏層が形成され、印加電
圧が大きくてこの空乏層がｐ型GaAs領域６に達
すると、このｐ−ｎ−ｐ接合に電流が流れレー
ザ光を発生するが、電流が流れると空乏層が消
滅するので、電流は流れなくなり、レーザ光の
発生はサブナノ秒（数百ピコ秒程度）であり超短
パルス光のレーザ光となる。印加電圧はそのまま
に保持しておくと、再び〜の動作を繰り返
す、即ち超短パルス光を一定の周期で発生させる
ことができる。
以上が本発明の参考例の超短パルスレーザ光の
発生原理と動作である。
発生原理と動作である。
然しながら、第１図の構成では、電流狭窄はｐ
型GaAs領域６の幅のみに依存しており、不純物
拡散によるｐ型GaAs領域６の形成では現在5μｍ
程度が最小限度であり、電流狭窄は不十分であ
り、更にレーザ光の横モードについてはガイドを
具備しておらず、量子効果が低く、又横モードが
不安定となる欠点があり、これらの点を本発明に
より改善した実施例を次に示す。
型GaAs領域６の幅のみに依存しており、不純物
拡散によるｐ型GaAs領域６の形成では現在5μｍ
程度が最小限度であり、電流狭窄は不十分であ
り、更にレーザ光の横モードについてはガイドを
具備しておらず、量子効果が低く、又横モードが
不安定となる欠点があり、これらの点を本発明に
より改善した実施例を次に示す。
第２図は本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
図において、１１は不純物濃度１×1018〔cm-3〕
程度のｎ型インジウム・燐（InP）基板、１２は
不純物濃度５×1017〔cm-3〕程度のｎ型InP層、１
３はｎ型もくはｐ型のインジウム・ガリウム・砒
素・燐（InGaAsP）活性層、１４は不純物濃度
１×1018〔cm-3〕程度のｐ型InP層、１５はストラ
イプ状をなすｐ型InP層であり、本実施例におい
ては前記層１４と組成及び不純物濃度が等しい。
程度のｎ型インジウム・燐（InP）基板、１２は
不純物濃度５×1017〔cm-3〕程度のｎ型InP層、１
３はｎ型もくはｐ型のインジウム・ガリウム・砒
素・燐（InGaAsP）活性層、１４は不純物濃度
１×1018〔cm-3〕程度のｐ型InP層、１５はストラ
イプ状をなすｐ型InP層であり、本実施例におい
ては前記層１４と組成及び不純物濃度が等しい。
１６は不純物濃度が１×1017〔cm-3〕程度のｎ
型InGaAsP層でその禁制帯幅がInGaAsP活性層
１３より狭い組成が選択されている。１７は不純
物濃度１×1019〔cm-3〕程度のｐ型InGaAsP領域、
１８はｐ側電極、１９はｎ側電極である。
型InGaAsP層でその禁制帯幅がInGaAsP活性層
１３より狭い組成が選択されている。１７は不純
物濃度１×1019〔cm-3〕程度のｐ型InGaAsP領域、
１８はｐ側電極、１９はｎ側電極である。
本実施例においては、ｎ型InP基板１１上に例
えば液相エピタキシヤル成長法によつて、ｎ型
InP層１２を厚さ１乃至２〔μｍ〕程度に、
InGaAsP活性層１３を厚さ例えば0.1乃至0.2〔μ
ｍ〕程度に、次いで層１４及び１５を一体化して
ｐ型InP層を厚さ例えば1.5乃至２〔μｍ〕程度に
順次形成する。
えば液相エピタキシヤル成長法によつて、ｎ型
InP層１２を厚さ１乃至２〔μｍ〕程度に、
InGaAsP活性層１３を厚さ例えば0.1乃至0.2〔μ
ｍ〕程度に、次いで層１４及び１５を一体化して
ｐ型InP層を厚さ例えば1.5乃至２〔μｍ〕程度に
順次形成する。
次いでフオトリソグラフイ法と化学エツチング
法を用いて、前記ｐ型InP層の断面形状を凸状と
する。本実施例の層１４を構成する前記ｐ型InP
層の平担部分は厚さ0.2乃至0.5〔μｍ〕程度、層
１５を構成するストライプ状の凸部分は幅２乃至
５〔μｍ〕程度である。
法を用いて、前記ｐ型InP層の断面形状を凸状と
する。本実施例の層１４を構成する前記ｐ型InP
層の平担部分は厚さ0.2乃至0.5〔μｍ〕程度、層
１５を構成するストライプ状の凸部分は幅２乃至
５〔μｍ〕程度である。
次いで再び液相エピタキシヤル成長法によつて
ｎ型InGaAsP層１６を最も厚い領域において、
厚さ例えば２乃至３〔μｍ〕に形成した後に、二
酸化シリコン（SiO2）もしくは窒化シリコン
（Si3N4）等の皮膜をマスクとして、前記ｎ型
InGaAsP層１６の表面より例えば亜鉛（Zn）等
のアクセプタ不純物を熱拡散させて、ｐ型
InGaAsP領域１７を形成する。
ｎ型InGaAsP層１６を最も厚い領域において、
厚さ例えば２乃至３〔μｍ〕に形成した後に、二
酸化シリコン（SiO2）もしくは窒化シリコン
（Si3N4）等の皮膜をマスクとして、前記ｎ型
InGaAsP層１６の表面より例えば亜鉛（Zn）等
のアクセプタ不純物を熱拡散させて、ｐ型
InGaAsP領域１７を形成する。
ただし本実施例において、ｐ型InGaAsP領域
１７とｐ型InP層１５との間に残されたｎ型
InGaAsP層１６の厚さは0.5乃至１〔μｍ〕程度で
あり、ｐ型InGaAsP領域１７の幅（ストライプ
状をなすｐ型InP層１５の幅方向の長さ）は５乃
至20〔μｍ〕程度である。そしてｐ側電極１８及
びｎ側電極１９は従来技術によつて形成される。
尚、本実施例ではｐ型InGaAsP領域１７を拡散
によつてｎ型InGaAsP層１６内に形成したがｎ
型InGaAsP層１６上に選択的又は全面にｐ型
InGaAsP層を積層してもよい。
１７とｐ型InP層１５との間に残されたｎ型
InGaAsP層１６の厚さは0.5乃至１〔μｍ〕程度で
あり、ｐ型InGaAsP領域１７の幅（ストライプ
状をなすｐ型InP層１５の幅方向の長さ）は５乃
至20〔μｍ〕程度である。そしてｐ側電極１８及
びｎ側電極１９は従来技術によつて形成される。
尚、本実施例ではｐ型InGaAsP領域１７を拡散
によつてｎ型InGaAsP層１６内に形成したがｎ
型InGaAsP層１６上に選択的又は全面にｐ型
InGaAsP層を積層してもよい。
以上説明した本実施例の半導体発光装置にｐ側
電極１８を正、ｎ側電極１９を負とする電圧Ｖを
印加すれば、ｎ型InGaAsP層１６とｐ型InP層１
５及び１４との間は逆バイアス状態となり、その
間の界面を挾んで破線で示された空乏層２０が形
成される。この空乏層２０の幅をＷ、幅Ｗのうち
ｐ型層内の幅をXp、ｎ型層内の幅をXnと表わせ
ば、 ただし、 NA：アクセプタ不純物の濃度 ND：ドナー不純物の濃度 ｋ：比例定数 であることが既に知られている。
電極１８を正、ｎ側電極１９を負とする電圧Ｖを
印加すれば、ｎ型InGaAsP層１６とｐ型InP層１
５及び１４との間は逆バイアス状態となり、その
間の界面を挾んで破線で示された空乏層２０が形
成される。この空乏層２０の幅をＷ、幅Ｗのうち
ｐ型層内の幅をXp、ｎ型層内の幅をXnと表わせ
ば、 ただし、 NA：アクセプタ不純物の濃度 ND：ドナー不純物の濃度 ｋ：比例定数 であることが既に知られている。
本実施例においては、ｐ型InP層１５及び１４
の不純物濃度NAは１×1018〔cm-3〕、ｎ型
InGaAsP層１６の不純物濃度NDは１×1017〔cm
-3〕程度であるために、空乏層２０のｎ型
InGaAsP層１６内の幅Xnはｐ型InP層１５及び
１４内の幅Xpの約10倍に広がり、ｐ型InP層１５
とｐ型InGaAsP領域１７との間のｎ型InGaAsP
層１６の厚さが0.5乃至１〔μｍ〕であるとき、印
加される電圧を2.5乃至５〔Ｖ〕にし、その値に保
持すると、即ちアバランシユ降伏が生じる程度に
電圧を保持すると、ｎ型InGaAsP層１６内の空
乏層２０はｐ型InGaAsP領域１７に到達してこ
の半導体発光装置にパルス状の電流が通じる。
の不純物濃度NAは１×1018〔cm-3〕、ｎ型
InGaAsP層１６の不純物濃度NDは１×1017〔cm
-3〕程度であるために、空乏層２０のｎ型
InGaAsP層１６内の幅Xnはｐ型InP層１５及び
１４内の幅Xpの約10倍に広がり、ｐ型InP層１５
とｐ型InGaAsP領域１７との間のｎ型InGaAsP
層１６の厚さが0.5乃至１〔μｍ〕であるとき、印
加される電圧を2.5乃至５〔Ｖ〕にし、その値に保
持すると、即ちアバランシユ降伏が生じる程度に
電圧を保持すると、ｎ型InGaAsP層１６内の空
乏層２０はｐ型InGaAsP領域１７に到達してこ
の半導体発光装置にパルス状の電流が通じる。
この電流が通じる幅Ｓは、ｐ型InP層１５のス
トライプ幅をS0とすればS0＋2Xn≒S0＋2Wであ
つて、例えばS0＝３〔μｍ〕、Ｗ＝0.5〔μｍ〕とす
ればＳ≒４〔μｍ〕であり、電流狭窄が有効に行
なわれている。
トライプ幅をS0とすればS0＋2Xn≒S0＋2Wであ
つて、例えばS0＝３〔μｍ〕、Ｗ＝0.5〔μｍ〕とす
ればＳ≒４〔μｍ〕であり、電流狭窄が有効に行
なわれている。
本実施例においては、ｎ型InGaAsP層１６の
禁制帯幅がInGaAsP活性層１３の禁制帯幅より
狭く、InGaAsP活性層１３からしみ出した光が
ｐ型InP層１５が存在しない領域においてはｎ型
InGaAsP層１６によつて吸収される損失ガイド
が構成されている。特にｐ型InP層１４の不純物
濃度NAが先に説明した如く高濃度であればその
内部での空乏層２０の幅Xpが小さく、ｐ型InP層
１４の厚さを例えば0.2〔μｍ〕程度に薄くするこ
とが可能であつて、前記損失ガイドの効果が充分
に発揮される。
禁制帯幅がInGaAsP活性層１３の禁制帯幅より
狭く、InGaAsP活性層１３からしみ出した光が
ｐ型InP層１５が存在しない領域においてはｎ型
InGaAsP層１６によつて吸収される損失ガイド
が構成されている。特にｐ型InP層１４の不純物
濃度NAが先に説明した如く高濃度であればその
内部での空乏層２０の幅Xpが小さく、ｐ型InP層
１４の厚さを例えば0.2〔μｍ〕程度に薄くするこ
とが可能であつて、前記損失ガイドの効果が充分
に発揮される。
第３図は本発明の第２の実施例を示す断面図で
あり、第２図と同一符号により同一対象部分を示
す。
あり、第２図と同一符号により同一対象部分を示
す。
本第２の実施例は、ストライプ状をなすｐ型半
導体層１５′がｐ型InP層１４とは組成を異にす
るｐ型InGaAsPによつて形成されている。
導体層１５′がｐ型InP層１４とは組成を異にす
るｐ型InGaAsPによつて形成されている。
すなわち本実施例においては、エピタキシヤル
成長に際してｐ型InP層１４の厚さを0.2乃至0.3
〔μｍ〕程度に止め、続いてｐ型InGaAsP層１
５′を厚さ例えば1.2乃至1.5〔μｍ〕程度成長させ
て、両層の組成の差により選択的にｐ型
InGaAsP層１５′をストライプ状にエツチングす
ることによつて、両層の形状を安定させている。
成長に際してｐ型InP層１４の厚さを0.2乃至0.3
〔μｍ〕程度に止め、続いてｐ型InGaAsP層１
５′を厚さ例えば1.2乃至1.5〔μｍ〕程度成長させ
て、両層の組成の差により選択的にｐ型
InGaAsP層１５′をストライプ状にエツチングす
ることによつて、両層の形状を安定させている。
なお、ｐ型InGaAsP層１５′が活性層１３より
しみ出してくる光を吸収することを防止するため
に、ｐ型InGaAsP層１５′の禁制帯幅はInGaAsP
活性層の禁制帯幅より0.2〔eV〕程度以上大きく
とることが望ましい。
しみ出してくる光を吸収することを防止するため
に、ｐ型InGaAsP層１５′の禁制帯幅はInGaAsP
活性層の禁制帯幅より0.2〔eV〕程度以上大きく
とることが望ましい。
(g) 発明の効果
以上説明したように、本発明の半導体発光装置
は、半導体発光装置に直流電圧を印加するだけ
で、定周期で超短パルスレーザ光を周期的に発生
させることができ、少ない電流で安定した横モー
ドのレーザ光が得られるので、簡易な超短パルス
レーザ光源として有効であり、特に燐光特性の測
定、光センサの応答特性等周期的超短パルス光を
必要とする測定に効果がある。
は、半導体発光装置に直流電圧を印加するだけ
で、定周期で超短パルスレーザ光を周期的に発生
させることができ、少ない電流で安定した横モー
ドのレーザ光が得られるので、簡易な超短パルス
レーザ光源として有効であり、特に燐光特性の測
定、光センサの応答特性等周期的超短パルス光を
必要とする測定に効果がある。
第１図は本発明の参考例を示す断面図、第２
図、第３図は夫々本発明の第１、第２の実施例を
示す断面図である。 図において、１１はｎ型InP基板、１２はｎ型
InP層、１３はInGaAsP活性層、１４はｐ型InP
層、１５はｐ型InP層、１５′はｐ型InGaAsP層、
１６はｎ型InGaAsP層、１７はｐ型InGaAsP領
域、１８はｐ側電極、１９はｎ側電極、２０は空
乏層を示す。
図、第３図は夫々本発明の第１、第２の実施例を
示す断面図である。 図において、１１はｎ型InP基板、１２はｎ型
InP層、１３はInGaAsP活性層、１４はｐ型InP
層、１５はｐ型InP層、１５′はｐ型InGaAsP層、
１６はｎ型InGaAsP層、１７はｐ型InGaAsP領
域、１８はｐ側電極、１９はｎ側電極、２０は空
乏層を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半
導体層に接して該第１の半導体層より禁制帯幅が
小なる第２の半導体層と、該第２の半導体層に接
して該第２の半導体層より禁制帯幅が大なる第２
導電型の第３の半導体層と、該第３の半導体層に
接してストライプ状をなし、該第２の半導体層よ
り禁制帯幅が大なる第２導電型の第４の半導体層
と、該第３及び第４の半導体を被覆し、且つ該第
３及び第４の半導体層より禁制帯幅が小なる第１
導電型の第５の半導体層と、前記第４の半導体層
に対応した領域に該第５の半導体層を介して配設
された第２導電型の第６の半導体領域とを備えて
なり、前記第３及び第４の半導体層と第５の半導
体層と第６の半導体層とによりｐ−ｎ−ｐ接合又
はｎ−ｐ−ｎ接合を形成することを特徴とする半
導体発光装置。 ２ 前記第５の半導体の禁制帯幅が、前記第２の
半導体層の禁制帯幅より小なることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置。 ３ 前記段５の半導体層の不純物濃度が前記第３
及び第４の半導体層の不純物濃度より小なること
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16611882A JPS5955085A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16611882A JPS5955085A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955085A JPS5955085A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS641074B2 true JPS641074B2 (ja) | 1989-01-10 |
Family
ID=15825359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16611882A Granted JPS5955085A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955085A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100988A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| US5107311A (en) * | 1989-08-02 | 1992-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290280A (en) * | 1976-01-22 | 1977-07-29 | Nec Corp | Semiconductor laser element |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP16611882A patent/JPS5955085A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5955085A (ja) | 1984-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6058598B2 (ja) | ヘテロ構造接合レ−ザ | |
| JPS641074B2 (ja) | ||
| JPS6083389A (ja) | 面発光レ−ザ発振装置 | |
| JPH11284280A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH0834338B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH03133189A (ja) | 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ | |
| JP2738040B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2555984B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS5925399B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS62279688A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JP2865325B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS5925398B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2814124B2 (ja) | 埋込み形半導体発光素子 | |
| JP2663118B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| Thompson et al. | Twin-transverse-junction stripe laser with linear light/current characteristic and low threshold | |
| JPS58114478A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2921053B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS5831593A (ja) | 光集積化素子 | |
| JPH02181491A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH05226775A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS5840881A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ・フオトダイオ−ド光集積化素子の製造方法 | |
| JPS61164280A (ja) | 双安定半導体レ−ザ | |
| JPS61220388A (ja) | 光半導体装置 | |
| Yamakawa et al. | Fabrication and characteristics of GalnAsP/InP surface‐emitting laser with circular buried heterostructure |