JPS60107249A - 半導体へのイオン注入処理装置 - Google Patents
半導体へのイオン注入処理装置Info
- Publication number
- JPS60107249A JPS60107249A JP58215335A JP21533583A JPS60107249A JP S60107249 A JPS60107249 A JP S60107249A JP 58215335 A JP58215335 A JP 58215335A JP 21533583 A JP21533583 A JP 21533583A JP S60107249 A JPS60107249 A JP S60107249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- wafer
- chamber
- thermal processing
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体への不純物のイオン注入およびそのイ
オン注入層の活性化のための熱処理を行う装置の改良に
関するものである。
オン注入層の活性化のための熱処理を行う装置の改良に
関するものである。
従来イオン注入されたウェーハは、その表面に付着して
いる種々の汚染を除去する定めに、硫酸。
いる種々の汚染を除去する定めに、硫酸。
硝酸などの酸ＶＣよる洗浄処理を行った後、イオン注入
層を活性化するために、窒素（ＮＱ） 、酸素（ｏ２）
などのガスが満たされ９００−１２００’ｃ Ｖｃ昇温
された電気炉の中ＶＣ３０分〜２時間放置する処理が行
われていた。
層を活性化するために、窒素（ＮＱ） 、酸素（ｏ２）
などのガスが満たされ９００−１２００’ｃ Ｖｃ昇温
された電気炉の中ＶＣ３０分〜２時間放置する処理が行
われていた。
このような従来の方法では、（イ）各工程間の移動。
ウェーハの移し替え時にウェーハが汚染される。
（ロ）従って、高温炉にウェーハを挿入する前には酸に
よる前処理が必要である。（ハ）長時間の熱処理によっ
てイオン注入された不純物が再分布するので、不純物分
布は熱処理ＶＣよって律則され、イオン注入の優れた不
純物制御性が生かされない。などの欠点があった。
よる前処理が必要である。（ハ）長時間の熱処理によっ
てイオン注入された不純物が再分布するので、不純物分
布は熱処理ＶＣよって律則され、イオン注入の優れた不
純物制御性が生かされない。などの欠点があった。
この発１Ｊは以上のような点に鑑みてなされたもので、
同一真空槽内にイオン注入部と短時間で被処理ウェーハ
を昇温させる熱処理部とを設けることｌ’ｃよって、イ
オン注入と、注入後の不純物活性化とを同一装置内で行
うことができ、両］二程間における汚染の発生がなく、
従って汚染除去の処理の必要がなく、注入不純物の再分
布も少なく、イオン注入の優れた不純物分布の制御性の
生かさね。
同一真空槽内にイオン注入部と短時間で被処理ウェーハ
を昇温させる熱処理部とを設けることｌ’ｃよって、イ
オン注入と、注入後の不純物活性化とを同一装置内で行
うことができ、両］二程間における汚染の発生がなく、
従って汚染除去の処理の必要がなく、注入不純物の再分
布も少なく、イオン注入の優れた不純物分布の制御性の
生かさね。
る半導体へのイオン注入処理装置全提供するものである
。
。
第１図はこの発明の一実施例のイオン注入段階での状態
をボす模式断面図で、（ｌｉは１Ｘ１０’Ｔｏｒｒ程度
に排気された真空槽、（，１ａ） Ｉｄその内部のイオ
ン注入室、（ｌｂ）は真空槽ｉｌｌ内の一部でイオン注
入室（ＩＡ）から仕切られるように設けられた熱処理室
、（２）はイオン注入室（ｌａ）内に設けられ一端が回
転軸で支持されｔウェーハ載置台、（３）はこのウェー
ハ載置台＋２＋’ ｔ ｔｆとしたファラデー管・（４
）はイオン注入室（１ａ）の予備排気室、（５１は熱処
理室（１ｂ）の予ｆｒｔＲ排気室、（６）は熱処理室−
に設けられ外部から温度制御が可能な加熱板、＋７１
ｉ−１：イオン注入室（ＩＡ）とポル処理室（１ｂ）と
全仕切る回転−１イ）可能な熱鏡へい板、（８）はウェ
ーハ載置台（２）に置かれた被処理ウェーハ、（９）は
ウェーハ（８）が熱処理室（１ｂ）へ尋人されたときに
こｔ′Ｌを支承するウェーハストッパである。
をボす模式断面図で、（ｌｉは１Ｘ１０’Ｔｏｒｒ程度
に排気された真空槽、（，１ａ） Ｉｄその内部のイオ
ン注入室、（ｌｂ）は真空槽ｉｌｌ内の一部でイオン注
入室（ＩＡ）から仕切られるように設けられた熱処理室
、（２）はイオン注入室（ｌａ）内に設けられ一端が回
転軸で支持されｔウェーハ載置台、（３）はこのウェー
ハ載置台＋２＋’ ｔ ｔｆとしたファラデー管・（４
）はイオン注入室（１ａ）の予備排気室、（５１は熱処
理室（１ｂ）の予ｆｒｔＲ排気室、（６）は熱処理室−
に設けられ外部から温度制御が可能な加熱板、＋７１
ｉ−１：イオン注入室（ＩＡ）とポル処理室（１ｂ）と
全仕切る回転−１イ）可能な熱鏡へい板、（８）はウェ
ーハ載置台（２）に置かれた被処理ウェーハ、（９）は
ウェーハ（８）が熱処理室（１ｂ）へ尋人されたときに
こｔ′Ｌを支承するウェーハストッパである。
ウェーハ（８）は第１図に示したように、イオン注入室
（ＩＡ）内のウェーハ載置台（２）装置いて、矢印で示
した方向から飛んでくるイオンビームＫＪ、ってイオン
注入される。
（ＩＡ）内のウェーハ載置台（２）装置いて、矢印で示
した方向から飛んでくるイオンビームＫＪ、ってイオン
注入される。
第２図はこの実施例のイオン注入が完了したウェーハを
熱処理室へ移す状態を示す模式断面図である。
熱処理室へ移す状態を示す模式断面図である。
イオン注入が完了した段階で、ウェーハ載置台＋２１お
よび熱遮へい板（７）を第２図に示したような位置に回
転移動させると、ウェーハ載置台ｔ２］の上面と熱処理
室（１ｂ）の下面とが一致して降下斜面を構成するよう
になっており、イオン注入が行われたウェーハ（８）は
自重によって熱処理室（１ｂ）内に移し、ウェーハスト
ッパ＋９＋ ＶＣ支承される。その状態で熱鏡へい板（
７）を元に戻すと、熱処理室（１ｂ）はイオン注入室（
１ａ）から熱鏡へい板（７）によって遮断される。熱処
理室（１ｂ）内部では加熱板＋ｆｉｌが所要温度にあら
かじめ昇温されており、熱処理室（１１）） ＶＣ移動
したウェーハ（８）は加熱板ｔ（ｉｌからの輻射熱で急
激に加熱され、通常１ｏ秒間（′Ｊ」１蜆で充分な不純
物活性化効果が得られる。従って、この同量をあらかじ
め設定しておいて、その時開音経過すると、ウェーハス
トッパ（９＋ ｆｃ引下げると、ウェーハ（８）は予備
排気室（５］へ移動する。イオン注入室（凰）へのウェ
ーハ（８）の導入ｔま予備排気りえ（４］を介し、熱処
理室（１ｂ）からのウェーハ［８１の収り出しは予備排
気室（５）を介して効率的に行うことができる。
よび熱遮へい板（７）を第２図に示したような位置に回
転移動させると、ウェーハ載置台ｔ２］の上面と熱処理
室（１ｂ）の下面とが一致して降下斜面を構成するよう
になっており、イオン注入が行われたウェーハ（８）は
自重によって熱処理室（１ｂ）内に移し、ウェーハスト
ッパ＋９＋ ＶＣ支承される。その状態で熱鏡へい板（
７）を元に戻すと、熱処理室（１ｂ）はイオン注入室（
１ａ）から熱鏡へい板（７）によって遮断される。熱処
理室（１ｂ）内部では加熱板＋ｆｉｌが所要温度にあら
かじめ昇温されており、熱処理室（１１）） ＶＣ移動
したウェーハ（８）は加熱板ｔ（ｉｌからの輻射熱で急
激に加熱され、通常１ｏ秒間（′Ｊ」１蜆で充分な不純
物活性化効果が得られる。従って、この同量をあらかじ
め設定しておいて、その時開音経過すると、ウェーハス
トッパ（９＋ ｆｃ引下げると、ウェーハ（８）は予備
排気室（５］へ移動する。イオン注入室（凰）へのウェ
ーハ（８）の導入ｔま予備排気りえ（４］を介し、熱処
理室（１ｂ）からのウェーハ［８１の収り出しは予備排
気室（５）を介して効率的に行うことができる。
なお、上記実施例では、ウェーハを１枚ずつ処理する形
式のものを示したが、この発明は複数枚のウェーハを同
時に処理する形式にも同様ＶＣ適用できる。また、上記
実施例では不純物活性化に加熱板からの熱輻射を利用し
たが、ラングアニーリング、レーザアニーリング等の方
法を用いても（一様の効果が得られる。
式のものを示したが、この発明は複数枚のウェーハを同
時に処理する形式にも同様ＶＣ適用できる。また、上記
実施例では不純物活性化に加熱板からの熱輻射を利用し
たが、ラングアニーリング、レーザアニーリング等の方
法を用いても（一様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発ｌ：ｌＩＪになる半導体へ
のイオン注入処理装置では同一真空槽内にイオン注入部
と熱処理部とそれらの間を被処理ウェーハを移行さぜる
手段とを設けたので、イオン注入および注入不純物の活
性化が１つの真空槽内で行うことができ、工程の途中で
汚染の発生がすく、従って汚染除去の処理の必要がなく
、高温で短時間に注入不純物の活性化を行うようにした
ので、注入不純物の再分布も少なく、イオン注入法の優
れた不純物分布の制御性を十分生かすことができる。
のイオン注入処理装置では同一真空槽内にイオン注入部
と熱処理部とそれらの間を被処理ウェーハを移行さぜる
手段とを設けたので、イオン注入および注入不純物の活
性化が１つの真空槽内で行うことができ、工程の途中で
汚染の発生がすく、従って汚染除去の処理の必要がなく
、高温で短時間に注入不純物の活性化を行うようにした
ので、注入不純物の再分布も少なく、イオン注入法の優
れた不純物分布の制御性を十分生かすことができる。
第１図はこの発明の一実施例のイオン注入段階での状態
を示す模式断面図、第２図はこの実施例のイオン注入を
完了したウェーハを熱処理室へ移す状態を示す模式断面
図である。 図において、（ｌｊは真空槽、（１ａ）はイオン注入部
、（１ｂ）は熱処理部、（２）はウェーハ載置台、（６
）は加熱板（加熱装置）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
を示す模式断面図、第２図はこの実施例のイオン注入を
完了したウェーハを熱処理室へ移す状態を示す模式断面
図である。 図において、（ｌｊは真空槽、（１ａ）はイオン注入部
、（１ｂ）は熱処理部、（２）はウェーハ載置台、（６
）は加熱板（加熱装置）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ １つの真空槽内に、半導体ウェーッ・に対して
不純物をイオン注入するイオン注入部と、このイオン注
入され之半導体ウェーハを短時間高温に加熱して上記半
導体ウェーッ・に注入された不純物を活性化する熱処理
部と、上記イオン注入部から上記熱処理部へ移行させる
移行手段とを備えたことを特徴とする半導体へのイオン
注入処理装置。 ＋２１ 熱処理部をイオン注入部より低い位置に設け、
上記イオン注入部において半導体ウェーッ・を載置する
ウェーッ・載置台全回動可能とし、上記イオン注入部で
のイオン注入完了後、上記ウェーハ載置台を回動させ上
記熱処理部へ上記半導体ウェーハをその自重ＶＣよって
移行させるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体へのイオン注入処理装置。 （３）熱処理部には内部に半導体ウェーハを輻射エネル
ギーで加熱する加熱装装置を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項ま之は第２項記惑の半導体へのイオ
ン注入処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215335A JPS60107249A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 半導体へのイオン注入処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215335A JPS60107249A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 半導体へのイオン注入処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107249A true JPS60107249A (ja) | 1985-06-12 |
Family
ID=16670588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215335A Pending JPS60107249A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 半導体へのイオン注入処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107249A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022115A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体基板の製造装置 |
| KR100419686B1 (ko) * | 2000-03-17 | 2004-02-21 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 이온 주입 시스템 |
| CN113903490A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-01-07 | 国核铀业发展有限责任公司 | 一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124237A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor treatment device |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58215335A patent/JPS60107249A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124237A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor treatment device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022115A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体基板の製造装置 |
| KR100419686B1 (ko) * | 2000-03-17 | 2004-02-21 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 이온 주입 시스템 |
| CN113903490A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-01-07 | 国核铀业发展有限责任公司 | 一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法 |
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