JPS641849B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS641849B2 JPS641849B2 JP24266883A JP24266883A JPS641849B2 JP S641849 B2 JPS641849 B2 JP S641849B2 JP 24266883 A JP24266883 A JP 24266883A JP 24266883 A JP24266883 A JP 24266883A JP S641849 B2 JPS641849 B2 JP S641849B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive elements
- sense current
- conducting wire
- magnetoresistive
- wire portions
- Prior art date
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、狭トラツク化が容易でかつ記録ヘツ
ドからの漏れ磁束（クロスフイード）の影響の少
ない磁気記録用薄膜再生ヘツドに関するものであ
る。
ドからの漏れ磁束（クロスフイード）の影響の少
ない磁気記録用薄膜再生ヘツドに関するものであ
る。
磁気記録装置では、小形・大容量化のために、
記録密度を向上させることが望まれている。これ
を実現するために、最近では、狭トラツク化が容
易な薄膜磁器ヘツドが研究され、実用に供され始
めている。薄膜再生ヘツドにおいては、磁気抵抗
効果を利用したヘツドが電磁誘導型のヘツドより
も再生感度が大きく優れている。ところで、一般
に磁気記録装置においては、書込み情報の信頼度
を高めるために、書込みと並行して読取り情報を
検査する、いわゆるリードアフタライトチエツク
が一般的に行なわれる。また、録音機において
も、録音と並行して再生音をモニタできる機能が
必要とされることがある。記録と同時に再生を行
なうこれらの装置では、再生ヘツドの近傍に配置
された記録ヘツドからの漏れ磁束を再生ヘツドが
感知する、いわゆるクロスフイード雑音が問題と
なる。
記録密度を向上させることが望まれている。これ
を実現するために、最近では、狭トラツク化が容
易な薄膜磁器ヘツドが研究され、実用に供され始
めている。薄膜再生ヘツドにおいては、磁気抵抗
効果を利用したヘツドが電磁誘導型のヘツドより
も再生感度が大きく優れている。ところで、一般
に磁気記録装置においては、書込み情報の信頼度
を高めるために、書込みと並行して読取り情報を
検査する、いわゆるリードアフタライトチエツク
が一般的に行なわれる。また、録音機において
も、録音と並行して再生音をモニタできる機能が
必要とされることがある。記録と同時に再生を行
なうこれらの装置では、再生ヘツドの近傍に配置
された記録ヘツドからの漏れ磁束を再生ヘツドが
感知する、いわゆるクロスフイード雑音が問題と
なる。
第１図は、従来の磁気抵抗効果を利用した薄膜
再生ヘツドの要部を示すもので、ここでは記録媒
体（図示せず）上の１トラツクに対応した構成を
示す。１は長方形状の磁性薄膜よりなる磁気抵抗
効果素子、２は左側導線部、３は右側導線部、４
は中央導線部で、前記各導線部２，３，４は磁気
抵抗効果素子１の各端部及び中央部に一端を接触
しかつ直交方向に延びる如く並設されている。５
はセンス電流の向きである。このヘツドはヘツド
と差動増幅器（図示せず）を結ぶ接続線で拾う外
来雑音を少なくする目的で、磁気抵抗効果素子１
の一方の端部に接続される左側導線部２およびも
う一方の端部に接続される右側導線部３の他に、
中央部に接続される中央導線部４を配置したもの
である。すなわち、磁気抵抗効果素子１の一方向
５にセンス電流を流し、左側導線部２および右側
導線部３は前記差動増幅器の入力端子に接続し、
中央導線部４は差動増幅器の接地端子に接続して
用いることによつて、外来雑音は同相入力となる
ので、差動増幅器では増幅されず、相殺される。
しかしながら、左側導線部２、磁気抵抗効果素子
１、および中央導線部４で構成されるループの内
側を通過する記録ヘツドからの漏れ磁束の方向
と、中央導線部４、磁気抵抗効果素子１、および
右側導線部３で構成されるループの内側を通過す
る記録ヘツドからの漏れ磁束の方向とは同一（図
面の表から裏へ、または裏から表へ）なので、左
側導線部２と中央導線部４間に誘起されるクロス
フイード雑音と右側導線部３と中央導線部４間に
誘起されるクロスフイード雑音とは逆相になる。
したがつて、クロスフイード雑音については再生
信号と同様に差動増幅されるので、クロスフイー
ド雑音が大きく、実用に供し得ないという欠点が
あつた。
再生ヘツドの要部を示すもので、ここでは記録媒
体（図示せず）上の１トラツクに対応した構成を
示す。１は長方形状の磁性薄膜よりなる磁気抵抗
効果素子、２は左側導線部、３は右側導線部、４
は中央導線部で、前記各導線部２，３，４は磁気
抵抗効果素子１の各端部及び中央部に一端を接触
しかつ直交方向に延びる如く並設されている。５
はセンス電流の向きである。このヘツドはヘツド
と差動増幅器（図示せず）を結ぶ接続線で拾う外
来雑音を少なくする目的で、磁気抵抗効果素子１
の一方の端部に接続される左側導線部２およびも
う一方の端部に接続される右側導線部３の他に、
中央部に接続される中央導線部４を配置したもの
である。すなわち、磁気抵抗効果素子１の一方向
５にセンス電流を流し、左側導線部２および右側
導線部３は前記差動増幅器の入力端子に接続し、
中央導線部４は差動増幅器の接地端子に接続して
用いることによつて、外来雑音は同相入力となる
ので、差動増幅器では増幅されず、相殺される。
しかしながら、左側導線部２、磁気抵抗効果素子
１、および中央導線部４で構成されるループの内
側を通過する記録ヘツドからの漏れ磁束の方向
と、中央導線部４、磁気抵抗効果素子１、および
右側導線部３で構成されるループの内側を通過す
る記録ヘツドからの漏れ磁束の方向とは同一（図
面の表から裏へ、または裏から表へ）なので、左
側導線部２と中央導線部４間に誘起されるクロス
フイード雑音と右側導線部３と中央導線部４間に
誘起されるクロスフイード雑音とは逆相になる。
したがつて、クロスフイード雑音については再生
信号と同様に差動増幅されるので、クロスフイー
ド雑音が大きく、実用に供し得ないという欠点が
あつた。
さらに、再生分解能を高めるために磁気抵抗効
果素子１の片面あるいは両面を磁性体で覆い磁気
シールドを施したシールド型薄膜再生ヘツドにお
いては、記録ヘツドからの漏れ磁束が前記シール
ド用磁性体に集中し易く、クロスフイード雑音は
より深刻な問題であつた。
果素子１の片面あるいは両面を磁性体で覆い磁気
シールドを施したシールド型薄膜再生ヘツドにお
いては、記録ヘツドからの漏れ磁束が前記シール
ド用磁性体に集中し易く、クロスフイード雑音は
より深刻な問題であつた。
なお、第１図に示したセンス電流の方向５は、
磁気抵抗効果素子１全体に一方向のバイアス磁界
を加える形式のものに関する場合である。磁気抵
抗効果素子１の中央部を境にバイアス磁界の向き
を逆にした形式のものもあるが、磁気抵抗効果素
子１の中央部を境にして逆方向にセンス電流を流
す点が異なるだけで、前記の説明は同様である。
磁気抵抗効果素子１全体に一方向のバイアス磁界
を加える形式のものに関する場合である。磁気抵
抗効果素子１の中央部を境にバイアス磁界の向き
を逆にした形式のものもあるが、磁気抵抗効果素
子１の中央部を境にして逆方向にセンス電流を流
す点が異なるだけで、前記の説明は同様である。
本発明はこれらの欠点に鑑み、記録媒体上の１
トラツク分の記録内容を再生する薄膜再生ヘツド
において、長方形状の磁性薄膜よりなる一対の磁
気抵抗効果素子を、それらの一の端部側が所定間
隔をおいて対向する如く互いの長手方向の延長線
上に並設し、前記各磁気抵抗効果素子の各端部に
一端を接触しかつ直交方向に延びる如く複数の導
線部を並設し、前記各磁気抵抗効果素子の同一側
の端部に位置する一対の導線部のみを該各磁気抵
抗効果素子から所定長離れた所で互いに接続し、
これを差動増幅器の接地端子に接続し、また、前
記各磁気抵抗効果素子の他の同一側の端部に位置
する他の一対の導線部を前記差動増幅器の入力端
子に接続し、さらに前記各磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を同一方向に加えるとともにセンス電
流を逆方向に流すか或いはバイアス磁界を逆方向
に加えるとともにセンス電流を同一方向に流すこ
とによつて、クロスフイード雑音を著しく低減さ
せることができるようにしたもので、以下、図面
について詳細に説明する。
トラツク分の記録内容を再生する薄膜再生ヘツド
において、長方形状の磁性薄膜よりなる一対の磁
気抵抗効果素子を、それらの一の端部側が所定間
隔をおいて対向する如く互いの長手方向の延長線
上に並設し、前記各磁気抵抗効果素子の各端部に
一端を接触しかつ直交方向に延びる如く複数の導
線部を並設し、前記各磁気抵抗効果素子の同一側
の端部に位置する一対の導線部のみを該各磁気抵
抗効果素子から所定長離れた所で互いに接続し、
これを差動増幅器の接地端子に接続し、また、前
記各磁気抵抗効果素子の他の同一側の端部に位置
する他の一対の導線部を前記差動増幅器の入力端
子に接続し、さらに前記各磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を同一方向に加えるとともにセンス電
流を逆方向に流すか或いはバイアス磁界を逆方向
に加えるとともにセンス電流を同一方向に流すこ
とによつて、クロスフイード雑音を著しく低減さ
せることができるようにしたもので、以下、図面
について詳細に説明する。
第２図は本発明の薄膜再生ヘツドの一実施例を
示すもので、ここでは従来例と同様、記録媒体上
の１トラツクに対応した構成を示す。図中、１
０，１１は各々長方形状の磁性薄膜よりなる一対
の磁気抵抗効果素子で、一端部１０ａ，１１ｂが
所定間隔をおいて対向する如く互いの長手方向の
延長線上に並設される。１２は第１の右側導線
部、１３は第２の右側導線部、１４は第１の左側
導線部、１５は第２の左側導線部であり、各導線
部１２，１３，１４，１５は第１及び第２の磁気
抵抗効果素子１０，１１の対応する各端部１０
ａ，１１ａ，１０ｂ，１１ｂに一端を接触しかつ
直交方向に延びる如く並設され、第１の右側導線
部１２と第２の右側導線部１３は、第１の磁気抵
抗効果素子１０および第２の磁気抵抗効果素子１
１から所定長離れた所で接続されている。そして
第１の磁気抵抗効果素子１０の一方向１６と第２
の磁気抵抗効果素子１１の逆方向１７にセンス電
流を流し、第１の左側導線部１４および第２の左
側導線部１５は差動増幅器（図示せず）の入力端
子に接続し、接続後の右側導線部１８は前記差動
増幅器の接地端子に接続して用いる。
示すもので、ここでは従来例と同様、記録媒体上
の１トラツクに対応した構成を示す。図中、１
０，１１は各々長方形状の磁性薄膜よりなる一対
の磁気抵抗効果素子で、一端部１０ａ，１１ｂが
所定間隔をおいて対向する如く互いの長手方向の
延長線上に並設される。１２は第１の右側導線
部、１３は第２の右側導線部、１４は第１の左側
導線部、１５は第２の左側導線部であり、各導線
部１２，１３，１４，１５は第１及び第２の磁気
抵抗効果素子１０，１１の対応する各端部１０
ａ，１１ａ，１０ｂ，１１ｂに一端を接触しかつ
直交方向に延びる如く並設され、第１の右側導線
部１２と第２の右側導線部１３は、第１の磁気抵
抗効果素子１０および第２の磁気抵抗効果素子１
１から所定長離れた所で接続されている。そして
第１の磁気抵抗効果素子１０の一方向１６と第２
の磁気抵抗効果素子１１の逆方向１７にセンス電
流を流し、第１の左側導線部１４および第２の左
側導線部１５は差動増幅器（図示せず）の入力端
子に接続し、接続後の右側導線部１８は前記差動
増幅器の接地端子に接続して用いる。
本発明ヘツドは、前述の如くセンス電流の方向
が第１の磁気抵抗効果素子１０と第２の磁気抵抗
効果素子１１で互に逆になつているので、第１の
左側導線部１４と接続後の右側導線部１８間に生
じる再生信号と第２の左側導線部１５と接続後の
右側導線部１８間に生じる再生信号とは逆相とな
る。一方、第１の左側導線部１４、第１の磁気抵
抗効果素子１０、および第１の右側導線部１２で
構成されるループの内側を通過する記録ヘツドか
らの漏れ磁束の方向と、第２の左側導線部１５、
第２の磁気抵抗効果素子１１、および第２の右側
導線部１３で構成されるループの内側を通過する
記録ヘツドからの漏れ磁束の方向とは同一（図面
の表から裏へ、または裏から表へ）なので、第１
の左側導線部１４と接続後の右側導線部１８間に
誘起されるクロスフイード雑音と、第２の左側導
線部１５と接続後の右側導線部１８間に誘起され
るクロスフイード雑音とは同相となる。したがつ
て、再生信号は差動増幅されるが、クロスフイー
ド雑音は相殺される。
が第１の磁気抵抗効果素子１０と第２の磁気抵抗
効果素子１１で互に逆になつているので、第１の
左側導線部１４と接続後の右側導線部１８間に生
じる再生信号と第２の左側導線部１５と接続後の
右側導線部１８間に生じる再生信号とは逆相とな
る。一方、第１の左側導線部１４、第１の磁気抵
抗効果素子１０、および第１の右側導線部１２で
構成されるループの内側を通過する記録ヘツドか
らの漏れ磁束の方向と、第２の左側導線部１５、
第２の磁気抵抗効果素子１１、および第２の右側
導線部１３で構成されるループの内側を通過する
記録ヘツドからの漏れ磁束の方向とは同一（図面
の表から裏へ、または裏から表へ）なので、第１
の左側導線部１４と接続後の右側導線部１８間に
誘起されるクロスフイード雑音と、第２の左側導
線部１５と接続後の右側導線部１８間に誘起され
るクロスフイード雑音とは同相となる。したがつ
て、再生信号は差動増幅されるが、クロスフイー
ド雑音は相殺される。
前記の効果は、左側導線部と右側導線部の関係
を入れかえた構成であつても、また２つの磁気抵
抗効果素子に流すセンス電流の方向が逆であつて
も、同様に得られる。さらに、磁気抵抗効果素子
の片面または両面を磁性体で覆い磁気シールドを
施したシールド型磁気抵抗効果ヘツドであつて
も、同様の効果を得ることができる。
を入れかえた構成であつても、また２つの磁気抵
抗効果素子に流すセンス電流の方向が逆であつて
も、同様に得られる。さらに、磁気抵抗効果素子
の片面または両面を磁性体で覆い磁気シールドを
施したシールド型磁気抵抗効果ヘツドであつて
も、同様の効果を得ることができる。
なお、第２図に示したセンス電流の方向は、２
つの磁気抵抗効果素子に同一方向のバイアス磁界
を加える形式のものに関する場合である。２つの
磁気抵抗効果素子に互に逆のバイアス磁界を加え
る形式のものについては、いずれか一方の磁気抵
抗効果素子に流すセンス電流を逆にする点が異な
るだけで、前記の説明は同様である。
つの磁気抵抗効果素子に同一方向のバイアス磁界
を加える形式のものに関する場合である。２つの
磁気抵抗効果素子に互に逆のバイアス磁界を加え
る形式のものについては、いずれか一方の磁気抵
抗効果素子に流すセンス電流を逆にする点が異な
るだけで、前記の説明は同様である。
以上説明したように本発明によれば、記録媒体
上の１トラツク分の記録内容を再生する薄膜再生
ヘツドにおいて、長方形状の磁性薄膜よりなる一
対の磁気抵抗効果素子を、それらの一の端部側が
所定間隔をおいて対向する如く互いの長手方向の
延長線上に並設し、前記各磁気抵抗効果素子の各
端部に一端を接触しかつ直交方向に延びる如く複
数の導線部を並設し、前記各磁気抵抗効果素子の
同一側の端部に位置する一対の導線部のみを該各
磁気抵抗効果素子から所定長離れた所で互いに接
続し、これを差動増幅器の接地端子に接続し、ま
た、前記各磁気抵抗効果素子の他の同一側の端部
に位置する他の一対の導線部を前記差動増幅器の
入力端子に接続し、さらに前記各磁気抵抗効果素
子にバイアス磁界を同一方向に加えるとともにセ
ンス電流を逆方向に流すか或いはバイアス磁界を
逆方向に加えるとともにセンス電流を同一方向に
流すようになしたため、再生信号になんら影響を
及ぼすことなく、クロスフイード雑音を著しく低
減させることができ、記録と同時に再生を行なう
必要のある磁気記録装置に用いても、正しく忠実
な再生ができる利点がある。
上の１トラツク分の記録内容を再生する薄膜再生
ヘツドにおいて、長方形状の磁性薄膜よりなる一
対の磁気抵抗効果素子を、それらの一の端部側が
所定間隔をおいて対向する如く互いの長手方向の
延長線上に並設し、前記各磁気抵抗効果素子の各
端部に一端を接触しかつ直交方向に延びる如く複
数の導線部を並設し、前記各磁気抵抗効果素子の
同一側の端部に位置する一対の導線部のみを該各
磁気抵抗効果素子から所定長離れた所で互いに接
続し、これを差動増幅器の接地端子に接続し、ま
た、前記各磁気抵抗効果素子の他の同一側の端部
に位置する他の一対の導線部を前記差動増幅器の
入力端子に接続し、さらに前記各磁気抵抗効果素
子にバイアス磁界を同一方向に加えるとともにセ
ンス電流を逆方向に流すか或いはバイアス磁界を
逆方向に加えるとともにセンス電流を同一方向に
流すようになしたため、再生信号になんら影響を
及ぼすことなく、クロスフイード雑音を著しく低
減させることができ、記録と同時に再生を行なう
必要のある磁気記録装置に用いても、正しく忠実
な再生ができる利点がある。
第１図は従来の磁気抵抗効果を利用した薄膜再
生ヘツドの要部構成図、第２図は本発明に係る薄
膜再生ヘツドの要部構成図である。 １０，１１……磁気抵抗効果素子、１２，１
３，１４，１５……導線部。
生ヘツドの要部構成図、第２図は本発明に係る薄
膜再生ヘツドの要部構成図である。 １０，１１……磁気抵抗効果素子、１２，１
３，１４，１５……導線部。
Claims (1)
- １ 記録媒体上の１トラツク分の記録内容を再生
する薄膜再生ヘツドにおいて、長方形状の磁性薄
膜よりなる一対の磁気抵抗効果素子を、それらの
一の端部側が所定間隔をおいて対向する如く互い
の長手方向の延長線上に並設し、前記各磁気抵抗
効果素子の各端部に一端を接触しかつ直交方向に
延びる如く複数の導線部を並設し、前記各磁気抵
抗効果素子の同一側の端部に位置する一対の導線
部のみを該各磁気抵抗効果素子から所定長離れた
所で互いに接続し、これを差動増幅器の接地端子
に接続し、また、前記各磁気抵抗効果素子の他の
同一側の端部に位置する他の一対の導線部を前記
差動増幅器の入力端子に接続し、さらに前記各磁
気抵抗効果素子にバイアス磁界を同一方向に加え
るとともにセンス電流を逆方向に流すか或いはバ
イアス磁界を逆方向に加えるとともにセンス電流
を同一方向に流すようになしたことを特徴とする
薄膜再生ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24266883A JPS60133518A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24266883A JPS60133518A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜再生ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133518A JPS60133518A (ja) | 1985-07-16 |
| JPS641849B2 true JPS641849B2 (ja) | 1989-01-12 |
Family
ID=17092461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24266883A Granted JPS60133518A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133518A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020105872A1 (ko) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 파킹클라우드 주식회사 | 차량 내부에서의 결제를 위한 전자 장치 및 시스템 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW349690U (en) * | 1994-12-16 | 1999-01-01 | Ibm | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120810A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Membraneous magnetic head |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP24266883A patent/JPS60133518A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020105872A1 (ko) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 파킹클라우드 주식회사 | 차량 내부에서의 결제를 위한 전자 장치 및 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60133518A (ja) | 1985-07-16 |
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