JPS6418769U - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6418769U
JPS6418769U JP1987113227U JP11322787U JPS6418769U JP S6418769 U JPS6418769 U JP S6418769U JP 1987113227 U JP1987113227 U JP 1987113227U JP 11322787 U JP11322787 U JP 11322787U JP S6418769 U JPS6418769 U JP S6418769U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
opposite conductivity
current path
low resistivity
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1987113227U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1987113227U priority Critical patent/JPS6418769U/ja
Publication of JPS6418769U publication Critical patent/JPS6418769U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図,第2図は一実施例であるホール効果素
子の平面図およびその―線断面図である。第
3図,第4図は従来の素子例を示す平面図および
その―線断面図である。 1,2:電源バイアス用n+拡散領域、3:n
形領域、6:P形領域、7:電極、8:Sio2
膜、41,51:コンタクト用n+拡散領域、4
2,52:n+埋め込みプローブ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 一導電形半導体基板上に形成された高比抵抗な
    反対導電形領域である電流路と、 この電流路内に設けられ互いに離隔対向する少
    なくとも一対の低比抵抗反対導電形領域である電
    源端子と、 この一対の電源端子を結ぶ線と直交する方向で
    前記電流路を挟んで離隔対向し、高比抵抗な幅狹
    反対導電形領域を介して前記電流路と接続される
    一対の低比抵抗な島状反対導電形領域と、 この島状反対導電形領域内に所定深さで形成さ
    れた低比抵抗な反対導電形領域である出力電圧検
    出用端子と、 この端子領域の所定深さ位置から前記電流路に
    少なくともその先端が突出するよう形成された低
    比抵抗な反対導電形埋め込みプローブとを具備す
    ることを特徴とする半導体ホール効果装置。
JP1987113227U 1987-07-22 1987-07-22 Pending JPS6418769U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987113227U JPS6418769U (ja) 1987-07-22 1987-07-22

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987113227U JPS6418769U (ja) 1987-07-22 1987-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6418769U true JPS6418769U (ja) 1989-01-30

Family

ID=31352875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987113227U Pending JPS6418769U (ja) 1987-07-22 1987-07-22

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6418769U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR9807987A (pt) Sensor e sistema de sensoriamento
EP0272453A3 (en) Merged bipolar/cmos technology using electrically active trench
ATE29340T1 (de) Integrierbares hallelement.
JPH11233795A5 (ja)
JPS57208177A (en) Semiconductor negative resistance element
EP0190855A3 (en) Improved photovoltaic device tolerant of low resistance defects
JPS6230304U (ja)
JPS5819150B2 (ja) ホ−ル素子
JPS6212974U (ja)
JPS59143358A (ja) 半導体薄膜抵抗素子
JPH0328517Y2 (ja)
EP0409370A3 (en) Bipolar transistor
EP0077921A3 (en) Semiconductor device
JPS6240528U (ja)
JPS6320125Y2 (ja)
JPH01130534U (ja)
JPH0371660U (ja)
JPH01179250U (ja)
JPS6316471U (ja)
JPS6314169U (ja)
JPH01110448U (ja)
JPH0215747U (ja)
JPS6165762U (ja)
JPS6210679U (ja)
JPS6379656U (ja)