JPS6422067U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6422067U JPS6422067U JP11696287U JP11696287U JPS6422067U JP S6422067 U JPS6422067 U JP S6422067U JP 11696287 U JP11696287 U JP 11696287U JP 11696287 U JP11696287 U JP 11696287U JP S6422067 U JPS6422067 U JP S6422067U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor
- laser device
- detection
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Description
第1図は本考案の半導体レーザ装置の一実施例
を示す斜視図、第2図はボンデング方法を示す要
部斜視図、第3図は本考案の半導体レーザ装置を
光学ヘツドに適用した場合の模式的な一部を断面
とする側面図、第4図は従来の半導体レーザ装置
の斜視図、第5図は従来の出射レーザビームを示
す半導体レーザ装置の一部を断面とする側面図で
ある。 2は半導体基板、5はレーザ半導体素子、9は
遮蔽部材、10はプリント基板、11はワイヤ、
12は中継電極である。
を示す斜視図、第2図はボンデング方法を示す要
部斜視図、第3図は本考案の半導体レーザ装置を
光学ヘツドに適用した場合の模式的な一部を断面
とする側面図、第4図は従来の半導体レーザ装置
の斜視図、第5図は従来の出射レーザビームを示
す半導体レーザ装置の一部を断面とする側面図で
ある。 2は半導体基板、5はレーザ半導体素子、9は
遮蔽部材、10はプリント基板、11はワイヤ、
12は中継電極である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板上に形成された第1及び第2の光検
出手段と、該第1の光検出手段の受光面に接して
配設された半透過反射面を有する光路設定用プリ
ズムと、該半透過反射面及び第2の光検出手段に
信号検出用及び光出力検出用のレーザビームを個
別に出射するレーザ半導体素子とから成る半導体
レーザ装置に於いて、 上記第2の光検出手段上に光遮蔽部材を配設し
て成る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11696287U JPS6422067U (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11696287U JPS6422067U (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6422067U true JPS6422067U (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=31359969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11696287U Pending JPS6422067U (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6422067U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180106B2 (en) | 2001-04-04 | 2007-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having enhanced di/dt tolerance and dV/dt tolerance |
-
1987
- 1987-07-30 JP JP11696287U patent/JPS6422067U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180106B2 (en) | 2001-04-04 | 2007-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having enhanced di/dt tolerance and dV/dt tolerance |
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