JPS643321B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS643321B2
JPS643321B2 JP56144073A JP14407381A JPS643321B2 JP S643321 B2 JPS643321 B2 JP S643321B2 JP 56144073 A JP56144073 A JP 56144073A JP 14407381 A JP14407381 A JP 14407381A JP S643321 B2 JPS643321 B2 JP S643321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
hexaboride
screen printing
glass
tcr
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56144073A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5787007A (en
Inventor
Orutega Furansowa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JPS5787007A publication Critical patent/JPS5787007A/ja
Publication of JPS643321B2 publication Critical patent/JPS643321B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/14Silica-free oxide glass compositions containing boron
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
    • H01C17/06566Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of borides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は1種以上の金属六ホウ化物と、一時的
結合剤と、永久結合剤としてのガラスとより成
り、中性雰囲気中で加熱することにより抵抗体を
製造するためのスクリーン捺染用インキに関する
ものである。 本発明はマイクロエレクトロニクスの分野、特
にスクリーン捺染により形成し中性雰囲気中で加
熱して得られる電気回路の製造に使用される。こ
の場合上記回路には種々の組成のペーストが相互
に、特に英国特許第1489031号明細書による銅を
基にした導電性インキと相溶性であることが必要
である。 ガラスフリツトおよび1種以上の金属六ホウ化
物の混合物を含む抵抗インキは英国特許第
2021093号から知られている。かかるインキは、
ホウ化物と銅との間の反応がなく、更に加熱条件
が同じであるので、銅を基にした導電性インキと
高度に相溶性である。然し高抵抗インキを製造す
るにはガラスの含有量が大である必要があり、こ
のためTCR(抵抗の温度係数)の負の値が極めて
大になる。 上記高抵抗インキのTCRの絶対値を減ずるた
めには、インキ変性剤を出発混合物に添加しなけ
ればならない。ヨーロツパ特許第0008133号明細
書に被瀝されている方法によると変性剤が有機ビ
ヒクルに添加される。選定される変性剤は六ホウ
化物と妨害するように反応してはならず、特に六
ホウ化物により還元されてはならない。この形の
変性剤の特定例は就中C、SiおよびGeである。 本発明においては、変性剤をガラス相に添加す
る。この方法は既知方法と比較してガラス相に添
加する変性剤が一層均一に分布し、更にこれが高
い抵抗値を有する材料中の最も重要な相であるた
め著しく有利である。 TCR用変性剤は上記特許明細書において半導
電性を有する六ホウ化ストロンチウムの如き金属
六ホウ化物と金属の特性を有する六ホウ化ランタ
ンとの混合物または混合固溶体の形態で既に提案
されている。然しガラスの割合が著しく大になる
場合には、温度係数はこの混合物により影響され
ずガラス相の性質を変性することが必要になる。 本発明の目的は、加熱後得られる層のTCRの
絶対値を減ずるためにガラス相のかかる変性剤を
提供せんとするにある。 本発明のスクリーン捺染用インキは、ガラスが
バナジウム、モリブデン、ニオブ、タングステン
およびタンタルの酸化物から選ばれた1種以上の
金属酸化物5モル%以下の分量含有するアルカリ
土類金属ホウ酸塩または珪ホウ酸塩である。 この方法でガラス相の加熱中の挙動が、100K
Ω/□の抵抗を有するスクリーン捺染した抵抗体
のTCRが±100×10-6/℃の程度であるように変
えられる。 六ホウ化物の選択は広範囲に亘り、例えば2価
金属、例えばストロンチウムの六ホウ化物
(SrB6)または少くとも3価の金属、例えばラン
タンの六ホウ化物(LaB6)或いは六ホウ化物の
混合物または混合固溶体で、半導体物質のTCR
に影響を及ぼす手段を提供する。 本発明の一例においては、1〜100KΩの抵抗
を有する層に対するガラスは前記金属酸化物が添
加されるホウ酸カルウムで、次の組成(モル%) CaCO3:30〜35% B2O2:60〜65% 変性剤:1〜5% を有する。 使用する出発混合物は主としてガラスフリツト
および1種以上の金属ホウ化物を含む。ガラスは
酸化ホウ素(B2O3)とまたは酸化ホウ素および
酸化珪素(SiO2)とアルカリ土類金属酸化物、
例えばCaO、BaOまたはSrOを主成分とし、バナ
ジウム、モリブデン、ニオブ、タングステンおよ
びタンタルの酸化物から選ばれた1種以上の金属
酸化物5モル%以下で変性されて成る。ガラスフ
リツトはガラス業界で通常行われている方法によ
り1300〜1400℃の温度で2回溶融し、次いで冷却
し例えばボールミル中で約5μmの粒径が得られ
るまで粉砕する。 また金属六ホウ化物は、極めて硬く且つ約1μ
またはこれより小さい大きさを有する粒子の粉末
状で使用する。適当な金属は半導電性を有する2
価金属、例えばカルシウム、ストロンチウム、バ
リウムまたはユウロピウム、或いは金属の特性を
有する少くとも3価の金属、例えばランタン、サ
マリウム、トリウムでよく、或いはまた金属六ホ
ウ化物の混合固溶体を使用することもできる。 真空中で適当な金属の酸化物をホウ素により還
元して六ホウ化物、更に特に六ホウ化物の混合固
溶体の合成を行うのが好ましい。1種以上の金属
酸化物粉末とホウ素の混合物を高圧下で圧縮して
タブレツトを形成し、然る後真空中で1300℃以上
の温度で数時間加熱する。この方法により微粒子
セラミツク物質を得、然る後更に粉砕して粉末に
する。 材料のTCRの状態は、材料が半導電性を有す
るかまたは金属特性を有するかにより決定する。
金属は正のTCRを有し、このことは固有抵抗が
温度に対し増加することを意味し、伝導に関与す
る自由電子が運動するイオンネツトウワークが自
由電子の移動速度が大になるに従つて上記運動を
一層阻止するようになるという事実により説明さ
れる。これに対して半導体は負のTCRを有し、
これは固有抵抗が温度の上昇に従つて低下するこ
とを意味し、熱運動エネルギーが価電子帯から伝
導帯まで電子集団の分布を変える傾向を有すると
いうことにより説明される。 或いはまた2価金属の六ホウ化物と少くとも3
価の金属の六ホウ化物をTCRが可能な最低値に
低下するような方法で混合するか、または金属イ
オンのイオン半径が折り合う場合六ホウ化物の混
合固溶体を実現することができる。 次いでガラスフリツトおよび1種以上の六ホウ
化物の粉末を所望抵抗により異なる比で、10/1
〜1/10間の比で混合する。一般に大量のガラス
を含む混合物がガラスを介して高い固有抵抗およ
び負のTCRを有し、一方少量のガラスを含む混
合物は低い固有抵抗および半導体物質のTCRに
近いTCRを有する。 前記英国特許第2021093号に記載されているよ
うに、TCRを低減する第1の方法は、混合物を
例えばボールミルで数時間粉砕することである。
粉砕中極めて硬い六ホウ化物粒子がガラス粒子の
大きさを5μから0.01μ以下までに低減する。この
結果、スクリーン捺染した抵抗体の製造後TCR
は少くともフアクター10で低減した。 第2の手段はガラス相を加熱する際の挙動を変
えることから成り、後述する処置の目的である。 スクリーン捺染法用のインキは、抵抗物質とガ
ラス粉末の混合物を一時的結合剤中に分散させる
ことにより製造される。この一時的結合剤は、樹
脂または重合体、例えばメタクリレート、メチル
メタクリレート、エチルセルロースと、溶媒、増
粘剤、可塑剤、例えばテルピネオール、ブチルカ
ルビトールアセテート等および表面活性剤およ
び/または潤滑剤、例えばエチレンオキシド、大
豆レシチン、ステアリン酸またはパルミチン酸の
混合物から成る。種々の混合物、例えば安定剤、
スクリーン捺染後迅速に蒸発させるための速揮発
性液体を添加することができる。極めて適する一
時的結合剤は例えばエチルセルロースのテルピネ
オール溶液である。結合剤の濃度はかなりかえる
ことができ、インキに対して80容量%までの分量
とすることができる。 有機結合剤は主としてスクリーン捺染用スクリ
ーンを介して捺染し且つスクリーンに含まれるパ
ターンを再生するための流動作用並びに通常酸化
アルミニウムから成る基体上に硬質物質を結合す
るための結合剤作用を有し、最後に結合剤は加熱
中炭化することなく消失しなくてはならず、イン
キの固形部分と不利になるように反応してはなら
ない。 通常ステンレス・スチールからでき乳濁液で被
覆したスクリーンを介してスクリーン捺染し、次
いで迅速に乾燥し、段階的温度プロフイルが得ら
れるように数領域を有する炉内で窒素雰囲気中で
800〜1000℃の温度で約10分間加熱した後抵抗と
して役立つスクリーン捺染した層が得られ、その
製造方法は従来開発された銅導体(英国特許第
1489031号明細書)および亜鉛並びにコバルト誘
電体材料(ヨーロツパ特許出願第2416498号)の
製造方法と両立する。 前記方法により得られた抵抗体は満足な抵抗並
びに吸湿−熱安定性を有しなければならない。抵
抗は、レーザートリミングによりあとで調整する
ことができるので、決定的因子ではない。これに
対して安定性、特に層の電気特性の安定性は決定
的因子である。吸湿安定性は構成部分を適当に選
定することにより確保されるので、酸化バリウム
の如き酸化物の存在は推しようされない。一方ガ
ラスの粘度を著しくは変えない分量で酸化珪素を
添加することにより電気特性をかえることなく有
利な結果を得ることができる。 TCRはインキ製造中の主要な目的である必要
がある。この係数は、かなりの割合のガラスによ
り抵抗が高くなるに従つて負の値が一層大にな
る。TCRの絶体値が150×10-6/℃以上である抵
抗体は一般にマイクロエレクトロニクスには受入
れられない。 従つて本発明者はインキの組成物に変性剤を添
加することを行い、この変性剤は少量でも満足な
効果が得られた。 例えば2価金属の六ホウ化物と3価金属の六ホ
ウ化物が適当に釣合つて分布している場合、金属
六ホウ化物の電気特性を修正しても、ガラスの部
分が多過ぎる場合には、得られる層の電気特性に
は極めて僅かな程度しか影響を与えない。 2相系ガラス(絶縁体)/金属(導体)におけ
る導電様式は、むしろ複雑で、少くとも3つの概
念がある: 1 任意の異なる環境における前記限界値に従う
導体通路を介しての電気輸送; 2 導電性粒子間の密着する絶縁領域を電子が通
過し得る電子の伝導による電気輸送; 3 最初の導電性粒子とガラス相との間の反応に
よる導電性粒界相を介しての電気輸送或いは上
記3つ可能性の組合せ。 最初の可能性は、その結果導電性粒子の粒度を
減ずると前記限界値を減ずることができる。 第2の可能性は、その結果永久結合剤の電気特
性がガラス中に異なる構成成分(特に遷移金属
の)を混入することにより修正されるか、または
前記英国特許第2021093号明細書に記載されてい
る如くガラス粒子の粒度を減ずることにより永久
結合剤の厚さが減ぜられる。 最後に、第3の可能性は遷移金属の一定の酸化
物を含む一定のガラス組成物を加熱すると最初の
出発成分のTCR(負)に対して得られる抵抗層の
TCR(僅かな正)の正負が逆転するという、明ら
かでないことを見出したことによるもので、この
逆転は明らかに2相間の反応により起る。これは
明らかに金属六ホウ化物の導電粒子間の粒界導電
相が生ずる結果である。 驚くべき効果を有するこれ等の遷移金属酸化物
が長い一連の実験後本発明者により選ばれた。最
も重要な実験を以下に記載する。酸化物は次の群
バナジウム、モリブデン、ニオブ、タングステン
およびタンタルの酸化物から成る。 実施例 1 バナジウム量の多い多数の抵抗体を次の方法で
つくつた。 酸化バナジウムを添加したホウ酸カルシウムガ
ラスを、酸化ホウソ(B2O3)、酸化カルシウム
(CaCO3から得たCaO)および酸化バナジウム
(V2O5の形のもの)の次のモル比:B2O3(65−
x/2)、CaO(35−x/2)、V2O3(x)(但しxは
0〜 5の範囲の値を示す)の混合物から、該混合物を
2回溶融し、次いで冷却し、ボールミルで粉砕す
ることにより得た。 選定した六ホウ化物は混合固溶体La0.2Sr0.8B6
であり、ガラスを70容量%と六ホウ化物を30容量
%の比で2種の粉末を混合することにより高抵抗
性組成物のスクリーン捺染用インキを得た。 有機結合剤は全混合物の60容量%の割合のエチ
ルセルローステルピネオール溶液であつた。 このようにして製造した抵抗インキを用い乳濁
液被覆した325メツシユステンレススクリーンを
介して捺染し、125℃で10分間乾燥し、次いで多
数領域を有するオーブン中で中性雰囲気(酸素
10ppm以下)中で加熱した。 第1図は酸化バナジウム量による抵抗(Ω/
□)および層のTCRの変化を示す。酸化バナジ
ウム量零で層は極めて高い抵抗および高い負の
TCRを有した。 実施例 2 同様に次のモル比:CaO(33−y/2)、B2O3
(65−y/2)およびWO3(y)で酸化タングス
テンを添加したホウ酸カルシウムガラスおよび六
ホウ化ストロンチウムSrB6から出発して高抵抗
組成物のスクリーン捺染用インキを製造した。 上記出発混合物における2相の夫々の容量で表
わした割合はガラスが70%六ホウ化物が30%であ
つた。 従来の有機結合剤に溶解し、スクリーン捺染乾
燥および加熱を行つた後、第2図に実線で示す電
気的数値を得た。第2図は酸化タングステンの割
合を関数とした抵抗R(Ω/□)およびTCRの変
化を示す。 六ホウ化ストロンチウムは半導電性であり、そ
のTCRは高い負の値である(フランス国特許第
2397704号明細書参照)。上記ドープしたガラスに
よるTCRが零または低い正の値を有する抵抗層
の形成は、六ホウ化物と変性ガラス相との反応が
おこることおよび出発混合物の電気特性と異なる
電気特性を有する相が形成されることにより説明
することができる。 実施例 3 次のモル比:BaO(35−z/2)、B2O3(65−z/2
) およびNb2O(z)で酸化ニオブを添加したホウ
酸バリウムガラスと六ホウ化ストロンチウムから
同様のスクリーン捺染用インキを製造した。 出発混合物における2相の夫々の割合はガラス
70%および六ホウ化物30%であつた。 従来の有機結合剤に分散し、スクリーン捺染
し、乾燥し、窒素中で加熱した後、電気特性を測
定し、第3図に示す。第3図は酸化ニオブの割合
に対する抵抗R(Ω/□)およびTCRの変化を示
す。 実施例 4 第2図に示したと同様の抵抗インキを、酸化タ
ングステン(WO3)を添加したホウ酸カルシウ
ムガラスから製造した。この場合半導電性物質は
混合固与体La0.2Sr0.8B6中のランタン−およびス
トロンチウム−六ホウ化物であつた。 上記出発混合物中の2相の容量で表わした割合
はそれぞれ実施例2のものと同様であつた。 従来の有機結合剤に分散し、スクリーン捺染
し、乾燥し、加熱した後、電気特性値を測定し、
比較のため第2図に示す(破線)。 変性ガラス相が抵抗体の最終値に重要な役割を
はたすにも拘らず、半導電性出発物質(六ホウ化
物)は、本例において第2図の混合物に対して抵
抗値がフアクター10で減少するので、重要な役
割をはたすことに注意すべきである。 実施例 5 次のモル比:CaO(35−t/2)、B2O3(65−t/2
) およびTa2O5(t)で酸化タンタルにより変性し
たホウ酸カルシウムおよび六ホウ化ストロンチウ
ムから同様の抵抗インキを製造した。 出発混合物における2相の容量で表わした夫々
の割合は前記実施例と同様であつた。 従来の結合剤に分散し、スクリーン捺染し、乾
燥し、窒素中で加熱した後、電気特性の評価を行
い、第4図に示す。第4図は酸化タンタルの割合
に対する抵抗R(Ω/□)とTCRの変化を示す。 実施例 6 本発明の特定例において、本発明者は導電性部
分が不活性絶縁性物質を導入することにより妨害
され生成層の抵抗が増大するという当業者によく
知られている原理をチエツクせんとした。 六ホウ化物に基づく記載した形の系において、
この役割は、粉末状窒化ホウ素または窒化珪素に
より、行われる。 次のモル比:BaO(24)、B2O3(63)、MoO3(3)
で酸化モリブデンを添加したホウ酸バリウムガラ
スと六ホウ化ストロンチウム(SrB6)を基にし
て製造した生成混合物につき評価を行つた。 上記出発混合物における2相の容量による割合
は、夫々ガラスが75%、六ホウ化物が25%であつ
た。 導電性物質(SrB6)を、六ホウ化物ストロン
チウムまたは窒化ホウ素を増加した割合で含有す
る混合物と置き換える場合には、次の測定結果を
示す表により示すように電気特性が著しく変化し
た。
【表】 上表より満足なTCRを維持しながら抵抗値を
著しく増加させることができることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図はガラスが酸化バナジウム(V2O5)を
添加したホウ酸カルシウムである抵抗体の酸化バ
ナジウム量(モル%)に対する抵抗およびその温
度係数(TCR)の変化を示す曲線図、第2図は
ガラスが酸化タングステンにより変性された以外
は第1図のガラスと同様である抵抗体の酸化タン
グステン量(モル%)に対する同様の曲線図、第
3図は酸化ニオブにより変性されたホウ酸塩ガラ
スを含む抵抗体の酸化ニオブ量(モル%)に対す
る第1図と同様の曲線図、第4図は酸化タンタル
により変性されたホウ酸カルシウムガラスを含む
抵抗体の酸化タングステン量(モル%)に対する
第1図と同様の曲線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 1種以上の金属六ホウ化物と一時的結合剤と
    永久結合剤としてのガラスから成り、中性雰囲気
    中で加熱することにより抵抗体を製造するための
    スクリーン捺染用インキにおいて、ガラスがバナ
    ジウム、モリブデン、ニオブ、タングステンおよ
    びタンタルの酸化物から選ばれた1種以上の金属
    酸化物を5モル%以下の分量含有するアルカリ土
    類金属ホウ酸塩または珪ホウ酸塩であることを特
    徴とするスクリーン捺染用インキ。 2 金属六ホウ化物が2価金属の六ホウ化物であ
    る特許請求の範囲第1項記載のスクリーン捺染用
    インキ。 3 2価金属がストロンチウムである特許請求の
    範囲第2項記載のスクリーン捺染用インキ。 4 金属六ホウ化物が少なくとも3価の金属の六
    ホウ化物である特許請求の範囲第1項記載のスク
    リーン捺染用インキ。 5 少なくとも3価の金属がランタンである特許
    請求の範囲第4項記載のスクリーン捺染用イン
    キ。 6 2価金属の六ホウ化物と少くとも3価の金属
    の六ホウ化物の混合物を含む特許請求の範囲第1
    項記載のスクリーン捺染用インキ。 7 2価金属の六ホウ化物と少くとも3価の金属
    の固溶体を含む特許請求の範囲第1項記載のスク
    リーン捺染用インキ。 8 ガラスが前記金属酸化物の1種以上が添加さ
    れるホウ酸カルシウムであり、次に組成(モル
    %): CaCO3:30〜35% B2O3:60〜65% 変性剤:1〜5% を有する特許請求の範囲第1項記載のスクリーン
    捺染用インキ。 9 1時的結合剤がメチルセルロースのテルピネ
    オール溶液から成る特許請求の範囲第1〜8項の
    いずれか1つの項に記載のスクリーン捺染用イン
    キ。
JP56144073A 1980-09-15 1981-09-14 Ink for printing screen Granted JPS5787007A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8019851A FR2490210A1 (fr) 1980-09-15 1980-09-15 Melange de depart pour une composition fortement resistante, encre serigraphiable constituee avec et circuits electriques ainsi realises

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5787007A JPS5787007A (en) 1982-05-31
JPS643321B2 true JPS643321B2 (ja) 1989-01-20

Family

ID=9245926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56144073A Granted JPS5787007A (en) 1980-09-15 1981-09-14 Ink for printing screen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4420338A (ja)
EP (1) EP0048063B1 (ja)
JP (1) JPS5787007A (ja)
DE (1) DE3174567D1 (ja)
FR (1) FR2490210A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4467009A (en) * 1983-01-21 1984-08-21 Rca Corporation Indium oxide resistor inks
US4452844A (en) * 1983-01-21 1984-06-05 Rca Corporation Low value resistor inks
US4512917A (en) * 1983-08-22 1985-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hexaboride resistor composition
FR2566386A1 (fr) * 1984-06-22 1985-12-27 Labo Electronique Physique Melange de depart pour une composition isolante comprenant un verre au plomb, encre serigraphiable comportant un tel melange et utilisation de cette encre pour la protection de microcircuits hybrides sur substrat ceramique
US4655965A (en) * 1985-02-25 1987-04-07 Cts Corporation Base metal resistive paints
US4597897A (en) * 1985-06-24 1986-07-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hexaboride resistor composition
FR2623684A1 (fr) * 1987-11-24 1989-05-26 Labo Electronique Physique Element chauffant en vitroceramique
US4985176A (en) * 1987-12-04 1991-01-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resistive paste
JPH01147801A (ja) * 1987-12-04 1989-06-09 Murata Mfg Co Ltd 抵抗ペースト
US5252809A (en) * 1991-02-26 1993-10-12 Lapin-Demin Gmbh Panel heating element and process for its production
JP3927250B2 (ja) * 1995-08-16 2007-06-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 窒化アルミニウム基板用厚膜導体ペースト組成物
JP3209089B2 (ja) * 1996-05-09 2001-09-17 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
US5792716A (en) * 1997-02-19 1998-08-11 Ferro Corporation Thick film having acid resistance
US6399230B1 (en) * 1997-03-06 2002-06-04 Sarnoff Corporation Multilayer ceramic circuit boards with embedded resistors
WO2003031373A2 (en) * 2001-10-09 2003-04-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions for use on aluminum nitride substrates

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA944938A (en) * 1970-01-16 1974-04-09 Rajnikant B. Amin Critical temperature resistors comprising a selected glass and vanadium dioxide or metal-doped vanadium dioxide
FR2305478A1 (fr) 1975-03-25 1976-10-22 Labo Electronique Physique Pate serigraphiable pour conducteurs en couches epaisses a deposer sur un substrat ceramique et procede de preparation de couches conductrices utilisant une telle pate
FR2397704A1 (fr) 1978-05-11 1979-02-09 Labo Electronique Physique Resistance electrique, comprenant un hexaborure metallique, et procede de fabrication
US4585580A (en) * 1978-08-16 1986-04-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film copper compatible resistors based on hexaboride conductors and nonreducible glasses

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5787007A (en) 1982-05-31
EP0048063A1 (fr) 1982-03-24
DE3174567D1 (en) 1986-06-12
FR2490210B1 (ja) 1984-03-16
FR2490210A1 (fr) 1982-03-19
EP0048063B1 (fr) 1986-05-07
US4420338A (en) 1983-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS643321B2 (ja)
JPH0350365B2 (ja)
KR890001785B1 (ko) 저항값을 갖는 개량된 저항체 잉크
JPS6130365B2 (ja)
US4814107A (en) Nitrogen fireable resistor compositions
US4209764A (en) Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
US4585580A (en) Thick film copper compatible resistors based on hexaboride conductors and nonreducible glasses
US3441516A (en) Vitreous enamel resistor composition and resistor made therefrom
EP0012002B1 (en) Glaze resistor compositions
CN115443513B (zh) 厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件
EP0068167A2 (en) Conductive composition comprising copper, and flash bar produced therewith
US4810420A (en) Thick film copper via-fill inks
US3962143A (en) Reactively-bonded thick-film ink
KR102341611B1 (ko) 정온도 계수 저항체용 조성물, 정온도 계수 저항체용 페이스트, 정온도 계수 저항체 및 정온도 계수 저항체의 제조 방법
US3413240A (en) Compositions
EP0201362B1 (en) Base metal resistive paints
US4698265A (en) Base metal resistor
KR100246720B1 (ko) Lcr 동시소성을 위한 저항체용 페이스트 제조방법 및 그를 이용한 후막 저항체 제조방법
JP7116362B2 (ja) 抵抗体用組成物と抵抗ペースト、及び抵抗体
KR102623406B1 (ko) 저저항 ntc 서미스터 후막 제조용 조성물 및 그 제조방법
KR100201160B1 (ko) 저항 재료 조성물, 저항 페이스트 및 저항체
JP2644017B2 (ja) 抵抗ペースト
KR100213343B1 (ko) 저항재료와, 이것을 사용한 저항 페이스트 및 저항체
Weißmann et al. Glasses for High‐Resistivity Thick‐Film Resistors
KR0159032B1 (ko) 저항 페이스트