JPS643678B2 - - Google Patents

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JPS643678B2
JPS643678B2 JP54166258A JP16625879A JPS643678B2 JP S643678 B2 JPS643678 B2 JP S643678B2 JP 54166258 A JP54166258 A JP 54166258A JP 16625879 A JP16625879 A JP 16625879A JP S643678 B2 JPS643678 B2 JP S643678B2
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JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
absorbing layer
recording medium
recording
Prior art date
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Expired
Application number
JP54166258A
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English (en)
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JPS5692095A (en
Inventor
Buruumu Aren
Josefu Baaku Uiriamu
Ruisu Rosu Danieru
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Publication date
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Publication of JPS643678B2 publication Critical patent/JPS643678B2/ja
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この発明は新規な光学記録媒体、特にAlGaAs
固体注入型レーザに用いる光学記録媒体に関す
る。 <発明の背景> 米国特許第4097895号明細書にはフルオレセイ
ン等の吸光層で被覆されたアルミニウムまたは金
等の光反射材料を含み、アルゴンレーザ光源によ
つて作動する記録媒体が記載されている。この吸
光層の厚さは構体の反射率が最小になるように選
ばれている。 入力光ビームがこの吸光層を融除、蒸発または
熔融して開孔を残し、光反射層を露出するため、
記録後はその記録光の波長において吸光層の最小
反射率と反射層に反射率との間に最大のコントラ
ストを生じる。また光反射材料自体が不導体基板
上の薄膜のときは、吸光薄膜からの反射によつて
も反射層の透過によつてもエネルギは殆んど失わ
れない。このようにして光ビームから吸収された
エネルギは極めて薄い膜に集中されるため、記録
感度は驚異的に高い。 所要入力が低く、小型で、駆動電流の変調によ
る光出力の直接変調ができるため、光学記録方式
には固体注入型レーザ特に波長範囲約750〜850ナ
ノメートル(nm)動作するAlGaAsレーザが光
源として好ましい。従つてこの波長範囲の光エネ
ルギを吸収して低温度で融除、蒸発または溶融す
る材料が光学記録方式に最も有用である。 上記記録媒体用の吸光層として有用であるため
には、材料は基板に所定厚さの高い光学品質を持
つ平滑薄膜の形で被着することができ、使用する
光源の周波数で吸光性を呈し、融除、蒸発または
熔融により均一な開孔を形成する必要がある。 1977年9月29日付米国特許願第837853号明細書
には基板に光反射層を被着し、さらに鉛フタロシ
アニン、クロロアルミニウムフタロシアニン、バ
ナジルフタロシアニン、錫スタロシアニンおよび
クロロアルミニウム、クロロフタロシアニンより
成る群から選んだ吸光層を被着したAlGaAsレー
ザで働らく融除型光学記録媒体が記載されてい
る。 しかしこれらの材料はその融除温度が300〜400
℃であるという欠点を有する。融除温度が低い材
料ほどその温度に達するに要するエネルギが少な
く、従つて感度が高い。波長750〜850nmの光を
吸収し、鏡面状無定形(アモルフアス)薄膜を形
成し、融点の低い材料を得ることが当業界では著
しい進歩である。 <発明の概要> この発明による光学記録媒体は光反射層と波長
約750〜850nmの光を吸収する層とを含み、その
吸光層はエチレン基の置換基がフエニル基または
置換フエニル基であるビス(ジチオαジケトン)
の白金錯塩より成つている。 <作 用> 光反射層は記録に用いる光を反射しなければな
らない。適当な光反射材料にはアルミニウム、ロ
ジウム、金等がある。光反射層材料は実質的にす
べての記録光の反射するような厚さを持つてい
る。 一般にこの光反射層は基板に被着されるが、こ
の基板の表面は光学的に平滑で、後に形成される
光反射層の接着が良好でなければならない。ガラ
ス板、ガラス円板またはプラスチツク円板がこれ
に適している。この光反射層を光学的に平滑な自
立層として形成することができれば、基板は不要
になる。 この記録媒体の吸光層として有用であることを
発見した材料は下式で表わされるビス(ジチオα
ジケトン)の白金錯塩である。 但しRはそれぞれフエニル基またはP−イソプ
ロピルフエニルまたはP−メトキシフエニル等の
アルキル基またはアルコキシ基で置換されたフエ
ニル基である。この化合物の製造法は1965年発行
のジヤーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソ
サイエテイ(Journal of American Chemical
Society)第87巻第1483頁〜第1489頁にシユラン
ツア(Schranzer)およびマイベーク(Mayveg)
により記載されている。 これらの材料は波長750〜850nmの固体注入型
レーザ光を吸収し、光反射層に蒸着されて高信号
対雑音比で情報を記録し得る平滑な光学的品質の
吸光層を形成することができる。 この発明の材料は普通の真空蒸着により光反射
層に被着することができる。この材料を抵抗加熱
器を取付けた適当な容器に入れて真空室内にお
き、加熱器を電流源に接続する。基板を回転支持
器上の上記吸光層材料(ダイ:dye)の上方部に
配置し、約50回転/分の速さで回転させる。 真空室を約10-6mmHgまで排気し、加熱器に電
流を流して材料の温度をその蒸発温度まで上げ、
光反射層上に所要厚さの吸光層が被着するまで蒸
着を続け、この厚さが得られると電流を遮断して
真空室に空気を入れる。 蒸着層の厚さはその材料で被覆された反射面の
反射率を測定する光学系を用いて監視し、反射率
が最小値に達したとき蒸着を停止する。 <実施例> 次に添付図面を参照しつつこの発明をさらに詳
細に説明する。 第1図は記録用光ビームに露出する前のこの発
明の記録媒体で、ガラス基板110、約600Åの
金属または適当厚さの他の金属層から処る光反射
層112および上記材料の1つの吸光層114を
備えている。 第2図は記録用光ビームに露出した後のこの発
明の記録媒体で、吸光層114は開孔116が形
成されるように融除され、光反射層112を露出
している。第2図には1個しか示されていない
が、記録後の記録媒体には複数個の開孔またはピ
ツト116があることが判る。 この発明の記録媒体の用法は第3図を参照して
さらに詳細に説明することができる。記録時には
AlGaAs注入型レーザ10から発射された光が入
力電気信号14に応じてせ直接変調され、この変
調光ビームが記録用光学系16により拡大されて
レーザ10の平面に平行および垂直の平面内にお
いて対物レンズ18の開口を充たすように強度変
調レーザービームの直径を大きくする。この拡大
された変調レーザービームは偏光ビーム分割器2
0により全反射され、1/4波長板22を通つて対
物レンズ18に入る。さらにこの変調記録ビーム
は第1図に示す記録媒体24に衝突してその吸光
層の一部を融除または蒸発して光反射層の一部を
露出させる。記録媒体24はターンテーブル26
により約1800回転/分で回転される。集束サーボ
機構28は対物レンズ18と記録媒体24の表面
との距離を一定に維持する。 再生時には未変調のあまり強くないレーザービ
ームすなわち記録媒体の融除を起さないビームが
記録媒体24に対し記録ビームと同じ径路をたど
る。記録された反射非反射パタンが対物レンズ1
8および1/4波長板22を通つて戻る反射光を変
調する。この光は1/4波長板22を2回通過して
偏光面が90゜回転しているが、偏光ビーム分割器
20を通り、再生用光学系30によつて光検知器
32に導かれる。光検知器32は反射光ビームを
端子34において信号源14からの入力信号に対
応する電気的出力信号に変換する。追跡サーボ機
構36は再生用光学系30を通る反射光を監視し
て入射光ビームを半径方向に偏向し、これが常に
問題のトラツク上に集中するようにする。 次にこの発明を例を挙げて説明するが、これは
この発明がこの説明の細部に限定されることを意
味するものではない。 例 1 ビニル円板の基板に厚さ約600Åの金属を蒸着
により被着し、被覆基板を真空室内の白金のビス
(ジフエニルジチオαジケトン)錯塩を入れて50
回転/分で回転する蒸発ボート上におき、真空室
を約60-6mmHに排気し、電流源をボートに接続し
てこれを約225〜275℃に加熱し、この温度でシヤ
ツタを開いて材料を約4Å/秒の速さで蒸着し
た。蒸着は金層の上に厚さ約600Åの吸光層が被
着するまで続けた。 平滑な無定形鏡面状連続層が被着された。
800nmにおける白金ビス(ジフエニルジチオα
ジケトン)層の誘電定数の実数部nおよび虚数部
kはそれぞれ2.08および0.5である。 でき上つた記録媒体を第3図の装置により
AlGaAs注入型レーザからの波長約800nmの50n
秒光パルス列に露出したところ、吸光材料は10m
Wの入射光の多回露光により円板から融除され
た。 例 2 例1の一般手順に従つて例1の金被覆基板を厚
さ1324Åの白金のビス(ジ−p−イソピロピルフ
エニルジチオαジケトン)錯塩の層で被覆した。
白金ビス(ジ−p−イソプロピルフエニルチオα
ジケトン)層の800nmにおける誘電定数の実数
部nおよび虚数部kはそれぞれ1.75および0.78で
ある。 平滑な無定形鏡面状連続層が被着された。 例 3 例1の一般手順に従つて例1の金被覆基板を厚
さ1900Åの白金のビス(ジ−p−メトキシフエニ
ルジチオαジケトン)錯塩の層で被覆した。白金
ビス(ジ−p−メトキシフエニルジチオαジケト
ン)の層の800nmにおける誘電定数の実数部n
および虚数部kはそれぞれ1.61および0.76であ
る。 平滑な無定形鏡面状連続層が被着された。この
被膜は吸光層を追加する前の金層の反射率約95%
から記録媒体の反射率を約7%に低下させた。 比較例 例1の一般手順に続いて金被覆ビニル円板に同
じまたは異なるアリルまたはアルキル置換基を有
するPt、PdまたはNiのビス(ジチオαジケトン)
錯塩を被着した。この錯塩は次式を持つ部類に属
する。 但しMはPt、PdまたはNi、R1およびR2はアル
キル基、フエニル基またはアルキルまたはアルコ
キシ置換フエニル基である。これらの材料は蒸着
後反射防止性能の悪い非鏡面状被膜を形成した。
殆んどすべての場合被膜は最初から曇つていて数
日中に結晶化が進んだ。この発明にはこれらの材
料(ダイ)はすべて不適である。データを表1に
示す。 【表】
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明を実施した記録媒体の記録前
の断面図、第2図はこの発明を実施した記録媒体
の記録後の断面図、第3図はこの発明の記録媒体
を使用し得る記録再生方式の略図である。 110……ガラス基板、112……光反射層、
114……吸光層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 吸光層で被覆された光反射層を含み、その吸
    光層として次式を有する白金ビス(ジチオαジケ
    トン)錯化合物を用いたことを特徴とする所定周
    波数の光を発生する記録用レーザと使用するため
    の融除型光学記録媒体。 但しRはフエニル基または置換フエニル基とす
    る。 2 吸光層で被覆された光反射層を含み、その吸
    光層に形成された情報トラツクを有し、上記吸光
    層として次式を有する白金ビス(ジチオαジケト
    ン)錯化合物を用いたことを特徴とする所定周波
    数の光の再生用ビームを用いる再生装置に使用す
    るための情報記録体。 但しRはフエニル基または置換フエニル基とす
    る。
JP16625879A 1979-12-19 1979-12-19 Melting removing type optical recording medium Granted JPS5692095A (en)

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JP16625879A JPS5692095A (en) 1979-12-19 1979-12-19 Melting removing type optical recording medium

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JPS5692095A JPS5692095A (en) 1981-07-25
JPS643678B2 true JPS643678B2 (ja) 1989-01-23

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL184729C (nl) * 1982-01-06 1989-10-16 Mitsui Toatsu Chemicals Werkwijze voor het registreren/uitlezen met laserstralen.
US5512416A (en) * 1982-07-30 1996-04-30 Tdk Corporation Optical recording medium

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JPS5692095A (en) 1981-07-25

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