JPS644367B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS644367B2 JPS644367B2 JP2280881A JP2280881A JPS644367B2 JP S644367 B2 JPS644367 B2 JP S644367B2 JP 2280881 A JP2280881 A JP 2280881A JP 2280881 A JP2280881 A JP 2280881A JP S644367 B2 JPS644367 B2 JP S644367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- base
- metal ring
- ferromagnetic metal
- piezoelectric vibrator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; ELECTRIC HEARING AIDS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、圧電振動子用気密容器とその製造方
法の改良に関する。
法の改良に関する。
この種の気密容器は、圧電振動子の安定な発振
を維持させるために、その内部にチツソガスを封
入したり、真空にして使用されることから、その
特性としては先ず気密性が厳しく要求される。
を維持させるために、その内部にチツソガスを封
入したり、真空にして使用されることから、その
特性としては先ず気密性が厳しく要求される。
この要求に対して、半田付、抵抗溶接及び冷間
圧接の気密容器が出現したことから、一応気密性
についてはほぼ満足しているものの、これらはい
ずれも、コスト上の問題でより安価なものを追求
するにも限界を来たしていた。
圧接の気密容器が出現したことから、一応気密性
についてはほぼ満足しているものの、これらはい
ずれも、コスト上の問題でより安価なものを追求
するにも限界を来たしていた。
一方、比較的安価な気密容器として、樹脂同志
を高温加熱により接合する技術があるが、これは
高温高湿の試験に対して充分耐えられず、気密性
の点で問題が残されていた。
を高温加熱により接合する技術があるが、これは
高温高湿の試験に対して充分耐えられず、気密性
の点で問題が残されていた。
本発明の第１の目的は、気密性の向上を図つた
圧電振動子用の気密容器を提供することであり、
第２の目的は、圧電振動子の組立作業の自動化を
可能にし、圧電振動子のコスト低減を図つた圧電
振動子用気密容器を提供することである。
圧電振動子用の気密容器を提供することであり、
第２の目的は、圧電振動子の組立作業の自動化を
可能にし、圧電振動子のコスト低減を図つた圧電
振動子用気密容器を提供することである。
このような目的を達成するため本発明は、強磁
性体リングを熱可塑性樹脂からなるベースとフタ
との間に介在して、その強磁性体リングに接する
部分のベースとフタを溶融固着している。
性体リングを熱可塑性樹脂からなるベースとフタ
との間に介在して、その強磁性体リングに接する
部分のベースとフタを溶融固着している。
第１図は本発明の主要部を示す実施例図であ
る。
る。
ベース１とフタ２は、凝集力、接着力、たわみ
性及び他樹脂との相溶性の良い熱可塑性樹脂、例
えばエチレン―酢酸ビニルコポリマー（EVA）、
ポリエチレン、アタクチツクポリプロピレン
（APP）、エチレン―アクリル酸エチルコポリマ
ー（EEA）、ポリアミド、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリフエニレンサルフアイド
（PPS）、ポリフエニレンオキサイド（PPO）、ポ
リブチレンテレフタレート（PBT）などから成
形加工される。ベース１の形状は第１図イに示す
ように、円板の内部に小円形の底面をもつた構
造、すなわち断面が凹部状に形成されており、そ
の凹部上面３に一周するようにリング状に形成さ
れた鉄、ニツケル又はそれらの合金などからなる
強磁性体リング４を設置する。その際、強磁性体
リング４の一部は、凹部上面３の溝内に埋設さ
れ、残りの部分は凹部上面３から突出されてい
る。次にフタ２は、前記したベース１の凹部上面
３に対向する部分を薄くし、凹部の内径に対向す
る部分を厚くした、断面が凸部形状の円板であ
る。
性及び他樹脂との相溶性の良い熱可塑性樹脂、例
えばエチレン―酢酸ビニルコポリマー（EVA）、
ポリエチレン、アタクチツクポリプロピレン
（APP）、エチレン―アクリル酸エチルコポリマ
ー（EEA）、ポリアミド、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリフエニレンサルフアイド
（PPS）、ポリフエニレンオキサイド（PPO）、ポ
リブチレンテレフタレート（PBT）などから成
形加工される。ベース１の形状は第１図イに示す
ように、円板の内部に小円形の底面をもつた構
造、すなわち断面が凹部状に形成されており、そ
の凹部上面３に一周するようにリング状に形成さ
れた鉄、ニツケル又はそれらの合金などからなる
強磁性体リング４を設置する。その際、強磁性体
リング４の一部は、凹部上面３の溝内に埋設さ
れ、残りの部分は凹部上面３から突出されてい
る。次にフタ２は、前記したベース１の凹部上面
３に対向する部分を薄くし、凹部の内径に対向す
る部分を厚くした、断面が凸部形状の円板であ
る。
そこで、第１図ロの断面図で示すように矢印の
方向でベース１とフタ２を１〜20Kg／cm程度の圧
力で加圧し、強磁性体リング４を目がけて高周波
誘導加熱５（高周波電流10〜1000mA）を加える
ことにより、その強磁性体リング４は加熱され、
それに接するベース１とフタ２の部分が溶融し、
この溶融した部分は、強磁性体リング４の突出部
によつて形成されるベース１の凹部上面３とそれ
に対向するフタ２の部分との間の空隙個所にはみ
出し、第１図ニの詳細図で示すように強磁性体に
接するベース１とフタ２の部分６が溶融状態で接
合する。この接合部分６は、先の圧力と高周波誘
導加熱を解いて室温放置することにより固着す
る。その結果、ベース１とフタ２との間は完全に
気密を得ることができる。なお、本例では強磁性
体リング４の埋設をベース１の凹部上面３側にし
たが、この凹部上面３に対向するフタ２の上面７
側に埋設してもよい。なお高周波誘導加熱では、
高周波によつて渦電流損とヒステリシス損とを利
用して加熱するが、被加熱物が渦電流損では導体
であればよく、主に金属が用いられるが、特に金
属の中でも鉄やニツケル等の強磁性体のものを用
いればヒステリシス損による発熱が大きくなり、
最も効率良く加熱出来る。
方向でベース１とフタ２を１〜20Kg／cm程度の圧
力で加圧し、強磁性体リング４を目がけて高周波
誘導加熱５（高周波電流10〜1000mA）を加える
ことにより、その強磁性体リング４は加熱され、
それに接するベース１とフタ２の部分が溶融し、
この溶融した部分は、強磁性体リング４の突出部
によつて形成されるベース１の凹部上面３とそれ
に対向するフタ２の部分との間の空隙個所にはみ
出し、第１図ニの詳細図で示すように強磁性体に
接するベース１とフタ２の部分６が溶融状態で接
合する。この接合部分６は、先の圧力と高周波誘
導加熱を解いて室温放置することにより固着す
る。その結果、ベース１とフタ２との間は完全に
気密を得ることができる。なお、本例では強磁性
体リング４の埋設をベース１の凹部上面３側にし
たが、この凹部上面３に対向するフタ２の上面７
側に埋設してもよい。なお高周波誘導加熱では、
高周波によつて渦電流損とヒステリシス損とを利
用して加熱するが、被加熱物が渦電流損では導体
であればよく、主に金属が用いられるが、特に金
属の中でも鉄やニツケル等の強磁性体のものを用
いればヒステリシス損による発熱が大きくなり、
最も効率良く加熱出来る。
第２図は、水晶振動子を収容した気密容器の実
施例図であり、ベース８とフタ９は前実施例のベ
ース１とフタ２にそれぞれ対応する。ベース８
は、第２図イの斜視図、同図ハのフタ９を取り外
した状態の平面図及び同図ニの断面図で示される
ように、水晶板１０を収容する凹部形状の収容室
８１と、後述する水晶板１０の引出電極１３，１
４と後述する金属端子１９，２０，２１，２２を
連結する帯状部分１７，１８との間の導電性接着
剤２３，２４，２５，２６を塗布するための小室
８２，８３，８４，８５とを形成している。水晶
板１０は、ATカツトの円板であつて、その両主
面上の中心に厚みすべり振動すべき励振電極１
１，１２と、それぞれの励振電極から水晶板１０
の周辺に向かい、その周辺に沿つて円孤状に伸び
た引出電極１３，，１４とを真空蒸着により配置
形成する。なお、引出電極１４の円孤部分は、励
振電極１２の配置面から水晶板１０の側面（厚さ
面）を通して、引出電極１３の配置と同じ側の面
までまわしこんでいる。
施例図であり、ベース８とフタ９は前実施例のベ
ース１とフタ２にそれぞれ対応する。ベース８
は、第２図イの斜視図、同図ハのフタ９を取り外
した状態の平面図及び同図ニの断面図で示される
ように、水晶板１０を収容する凹部形状の収容室
８１と、後述する水晶板１０の引出電極１３，１
４と後述する金属端子１９，２０，２１，２２を
連結する帯状部分１７，１８との間の導電性接着
剤２３，２４，２５，２６を塗布するための小室
８２，８３，８４，８５とを形成している。水晶
板１０は、ATカツトの円板であつて、その両主
面上の中心に厚みすべり振動すべき励振電極１
１，１２と、それぞれの励振電極から水晶板１０
の周辺に向かい、その周辺に沿つて円孤状に伸び
た引出電極１３，，１４とを真空蒸着により配置
形成する。なお、引出電極１４の円孤部分は、励
振電極１２の配置面から水晶板１０の側面（厚さ
面）を通して、引出電極１３の配置と同じ側の面
までまわしこんでいる。
金属端子１９，２０，２１，２２は、水晶振動
子の外部接続端子であつて、その材質については
ベース８とフタ９の樹脂の熱膨脹係数と大略等し
い金属が望ましく、例えばベース８とフタ９の材
質がポリカーボネート樹脂（熱膨脹係数：２〜３
×10-5／deg）であれば、金属端子の材質として
は黄銅（同：1.8〜2.3×10-5／deg）が選定され
る。そして、これら金属端子は、ベース８の収容
室８１の底面にて平行に設置した円孤状の帯状部
分１７，１８にて連結し、この帯状部分１７，１
８は、収容室８１にて露出している部分が水晶板
１０の円孤状引出電極１３，１４に対応するよう
配置され、その残りの部分がベース８に埋設され
ている。
子の外部接続端子であつて、その材質については
ベース８とフタ９の樹脂の熱膨脹係数と大略等し
い金属が望ましく、例えばベース８とフタ９の材
質がポリカーボネート樹脂（熱膨脹係数：２〜３
×10-5／deg）であれば、金属端子の材質として
は黄銅（同：1.8〜2.3×10-5／deg）が選定され
る。そして、これら金属端子は、ベース８の収容
室８１の底面にて平行に設置した円孤状の帯状部
分１７，１８にて連結し、この帯状部分１７，１
８は、収容室８１にて露出している部分が水晶板
１０の円孤状引出電極１３，１４に対応するよう
配置され、その残りの部分がベース８に埋設され
ている。
このような構造であることから、本例の水晶振
動子の組立は、水晶板１０をベース８の収容室８
１に投入して、その引出電極１３を小室８２，８
３にて金属端子の帯状部分１７と、引出電極１４
を小室８４，８５にて金属端子の帯状部分１８と
にそれぞれ導電性接着剤２３，２４，２５，２６
を塗布することにより終了する。そして、ベース
８の凹部上面に形成された円形の溝に鉄製の強磁
性体リング２７の一部分を埋め込んで、その残り
部分を凹部上面から突き出しておき、その突出面
に接するようにフタ９を被ぶせる。このフタ９は
第２図ロに示すようにベース８の収容室８１の開
口部分を多少占有するような凹部１５を設けてい
る。ベース８とフタ９は前実施例と同様な圧力と
高周波誘導加熱により、強磁性体リング２７に接
するベースとフタの部分２８を溶融固着する。な
お、本例においても、強磁性体リング２７の埋設
をベース８の凹部上面に対向するフタ９の部分１
６に溝を形成して行なつてもよい。
動子の組立は、水晶板１０をベース８の収容室８
１に投入して、その引出電極１３を小室８２，８
３にて金属端子の帯状部分１７と、引出電極１４
を小室８４，８５にて金属端子の帯状部分１８と
にそれぞれ導電性接着剤２３，２４，２５，２６
を塗布することにより終了する。そして、ベース
８の凹部上面に形成された円形の溝に鉄製の強磁
性体リング２７の一部分を埋め込んで、その残り
部分を凹部上面から突き出しておき、その突出面
に接するようにフタ９を被ぶせる。このフタ９は
第２図ロに示すようにベース８の収容室８１の開
口部分を多少占有するような凹部１５を設けてい
る。ベース８とフタ９は前実施例と同様な圧力と
高周波誘導加熱により、強磁性体リング２７に接
するベースとフタの部分２８を溶融固着する。な
お、本例においても、強磁性体リング２７の埋設
をベース８の凹部上面に対向するフタ９の部分１
６に溝を形成して行なつてもよい。
以上の実施例において、圧電振動子として水晶
振動子を取り挙げたが、これに限らず、タンタル
酸リチウム、ニオブ酸リチウム、圧電セラミツク
などの振動子であつてもよく、また、その形状に
ついて円板に限らず、長円形、矩形であつてもよ
い。そのような形状にした場合には、ベース、フ
タ、強磁性体リング及び金属端子帯状部分の各形
状について適宜振動板の形状に対応して設計すれ
ばよい。
振動子を取り挙げたが、これに限らず、タンタル
酸リチウム、ニオブ酸リチウム、圧電セラミツク
などの振動子であつてもよく、また、その形状に
ついて円板に限らず、長円形、矩形であつてもよ
い。そのような形状にした場合には、ベース、フ
タ、強磁性体リング及び金属端子帯状部分の各形
状について適宜振動板の形状に対応して設計すれ
ばよい。
本発明は以上のような構成をもつことから、気
密容器の気密性について100℃まで熱した水中に
入れてその気密性を試験する、いわゆる煮沸試験
に充分合格することができた。また、圧電振動子
の投下によつて組立できることから、その組立作
業を自動化することができ、しかも特別高価な材
料を使用することなく製造することができること
から、圧電振動子のコストを大幅に低減すること
ができる利点がある。
密容器の気密性について100℃まで熱した水中に
入れてその気密性を試験する、いわゆる煮沸試験
に充分合格することができた。また、圧電振動子
の投下によつて組立できることから、その組立作
業を自動化することができ、しかも特別高価な材
料を使用することなく製造することができること
から、圧電振動子のコストを大幅に低減すること
ができる利点がある。
第１図は本発明の主要部を示す実施例図であ
り、同図イは気密容器の斜視図、同図ロはその断
面図、同図ハは詳細断面図及び同図ニは溶融固着
後の詳細断面図である。第２図は水晶振動子を収
容した場合の実施例図であり、同図イは斜視図、
同図ロはフタの裏面斜視図、同図ハはフタを取り
外した状態の平面図及び同図ニは同図ハのＡ―Ａ
断面図である。 １，８……ベース、２，９……フタ、１０……
水晶板、４，２７……強磁性体リング。
り、同図イは気密容器の斜視図、同図ロはその断
面図、同図ハは詳細断面図及び同図ニは溶融固着
後の詳細断面図である。第２図は水晶振動子を収
容した場合の実施例図であり、同図イは斜視図、
同図ロはフタの裏面斜視図、同図ハはフタを取り
外した状態の平面図及び同図ニは同図ハのＡ―Ａ
断面図である。 １，８……ベース、２，９……フタ、１０……
水晶板、４，２７……強磁性体リング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 断面が凹部形状のベースと該凹部の上面を被
せるフタとからなる容器の内部に圧電振動子を収
容し、該ベースと該フタが熱可塑性樹脂で成形さ
れ、該ベースの凹部の上面又はこれに対向する該
フタの上面部分に一周する強磁性体金属リングを
該ベースと該フタとの間に介在させ、かつ該強磁
性体金属リングに接する部分の該ベースと該フタ
が溶融固着されることを特徴とする圧電振動子用
気密容器。 ２ 断面が凹部形状のベースと該凹部の上面を被
せるフタとからなる容器の内部に圧電振動子を収
容し、該ベースと該フタが熱可塑性樹脂で成形さ
れ、該ベースの凹部の上面又はこれに対向する該
フタの上面部分に強磁性体金属リングの一部を埋
設し、該強磁性体金属リングの残りの部分を突出
させた状態で、該フタと該ベースを加圧するとと
もに、該強磁性体金属リングに高周波誘導加熱を
加えることにより、該強磁性体金属リングに接す
る部分の該ベースと該フタが溶融固着されること
を特徴とする圧電振動子用容器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280881A JPS57136899A (en) | 1981-02-18 | 1981-02-18 | Airtight package for piezoelectric oscillator and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280881A JPS57136899A (en) | 1981-02-18 | 1981-02-18 | Airtight package for piezoelectric oscillator and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57136899A JPS57136899A (en) | 1982-08-24 |
| JPS644367B2 true JPS644367B2 (ja) | 1989-01-25 |
Family
ID=12092984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2280881A Granted JPS57136899A (en) | 1981-02-18 | 1981-02-18 | Airtight package for piezoelectric oscillator and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57136899A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182814A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kinseki Kk | 圧電振動子とその封止方法 |
| JPH01231415A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1981
- 1981-02-18 JP JP2280881A patent/JPS57136899A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57136899A (en) | 1982-08-24 |
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