JPS644430B2 - - Google Patents
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- JPS644430B2 JPS644430B2 JP4343982A JP4343982A JPS644430B2 JP S644430 B2 JPS644430 B2 JP S644430B2 JP 4343982 A JP4343982 A JP 4343982A JP 4343982 A JP4343982 A JP 4343982A JP S644430 B2 JPS644430 B2 JP S644430B2
- Authority
- JP
- Japan
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- semiconductor element
- drive
- winding
- transistor
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33538—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only of the forward type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスイツチング回路のスイツチング時間
の改良、特に電力変換装置における主スイツチン
グ半導体素子の蓄積時間を確実かつ大幅に短縮し
得る機能を備えた回路に関する。
の改良、特に電力変換装置における主スイツチン
グ半導体素子の蓄積時間を確実かつ大幅に短縮し
得る機能を備えた回路に関する。
最均、装置の小型化などを目的としてインバー
タ、DC−DCコンバータのような電力変換装置の
変換周波数を高周波化する傾向があり、一般にこ
のためにスイツチングトランジスタのターンオフ
時における蓄積時間を短縮して該トランジスタを
高速度でスイツチング動作させることが行われて
いる。
タ、DC−DCコンバータのような電力変換装置の
変換周波数を高周波化する傾向があり、一般にこ
のためにスイツチングトランジスタのターンオフ
時における蓄積時間を短縮して該トランジスタを
高速度でスイツチング動作させることが行われて
いる。
先ず、このような蓄積時間を短縮する機能を有
する従来の電流帰還型の電力変換装置を第１図に
より説明すると、１は主スイツチング半導体素子
として用いられる主トランジスタ、２はトランジ
スタ１をオン、オフ駆動する駆動スイツチング半
導体素子として用いられる駆動トランジスタ、３
は入力巻線n1と駆動巻線n2と電流帰還巻線n3とを
有する駆動トランス、４は駆動トランス３に励磁
エネルギを通流する抵抗器、５は駆動トランジス
タ２の導通初期に導通して短絡ループを形成する
ダイオード、６は駆動トランスのリセツト電流を
流すダイオード、７は１次巻線N1と２次巻線N2
と付加巻線N3とリセツト巻線N4とを有する主変
成器、９及び１０は２次巻線N2間の電圧を整流
するダイオード、１１，１２は平滑回路を構成す
るリアクトル、コンデンサ、１４，１４′は直流
入力端子、１５及び１５′は直流出力端子である。
する従来の電流帰還型の電力変換装置を第１図に
より説明すると、１は主スイツチング半導体素子
として用いられる主トランジスタ、２はトランジ
スタ１をオン、オフ駆動する駆動スイツチング半
導体素子として用いられる駆動トランジスタ、３
は入力巻線n1と駆動巻線n2と電流帰還巻線n3とを
有する駆動トランス、４は駆動トランス３に励磁
エネルギを通流する抵抗器、５は駆動トランジス
タ２の導通初期に導通して短絡ループを形成する
ダイオード、６は駆動トランスのリセツト電流を
流すダイオード、７は１次巻線N1と２次巻線N2
と付加巻線N3とリセツト巻線N4とを有する主変
成器、９及び１０は２次巻線N2間の電圧を整流
するダイオード、１１，１２は平滑回路を構成す
るリアクトル、コンデンサ、１４，１４′は直流
入力端子、１５及び１５′は直流出力端子である。
次に斯かる電力変換装置の動作に説明する。
主トランジスタ１が導通状態にあるとき、主変
成器７の１次巻線N1には黒印側を正とする電圧
が誘起され、同時に付加巻線N3にも黒印側を正
とする電圧が誘起される。ここで導通状態にある
主トランジスタ１をターンオフさせるべく、駆動
トランジスタ２のベースにオン信号を印加する
と、駆動トランジスタ２が導通し、これに伴い駆
動トランス３に蓄えられていたエネルギが駆動ト
ランジスタ２、ダイオード５及び入力巻線n1の閉
回路を流れ、入力巻線n1は短絡される。このとき
変圧器作用によつて駆動巻線n2も短絡状態にな
り、主トランジスタ１のベースから電流が導出、
つまり逆ベース電流が流れる。一方、前述のよう
に主トランジスタ１が完全に非導通状態に到るま
では、付加巻線N3には黒印側を正とする電圧が
誘起されているから、駆動トランジスタ２のター
ンオンに伴いダイオード１３が導通し、付加巻線
N3はダイオード１３、駆動トランジスタ２を介
して入力巻線n1に直列に接続される。このときイ
ンダクタンス作用により巻線n1には黒印のない側
を正とする電圧が誘起される。これを主トランジ
スタ１のベース側からみると、駆動巻線n2の黒印
側を負とする電圧が現出したことになり、主トラ
ンジスタ１のベース・エミツタ間には逆バイアス
電圧が印加される。よつて主トランジスタ１に該
トランジスタの特性に影響されることなく大きな
逆ベース電流が流れ、主トランジスタ１は速く非
導通に到る。つまり主トランジスタ１は短い蓄積
時間でターンオフする。そしてダイオード５、１
３が非導通に到ると、入力巻線n1には極性を示す
黒印側が負となる電圧が発生するため主トランジ
スタ１のベース・エミツタ間には逆バイアスが印
加される。更に励磁が進むと、抵抗器４を通流し
ていた電流が一定となり、入力巻線n1の両端の電
圧はほぼ零になる。その後、駆動トランジスタ２
を非導通にすると、今まで駆動トランス３に蓄え
られていたエネルギによつて、駆動巻線n2には黒
印側を正とする電圧が誘起され、主トランジスタ
１のベース・エミツタ間を順バイアスしてこれを
導通に到らしめる。この主トランジスタ１のスイ
ツチングオンの際、帰還巻線n3の正帰還作用によ
つて主トランジスタ１は急速に導通状態に到る。
成器７の１次巻線N1には黒印側を正とする電圧
が誘起され、同時に付加巻線N3にも黒印側を正
とする電圧が誘起される。ここで導通状態にある
主トランジスタ１をターンオフさせるべく、駆動
トランジスタ２のベースにオン信号を印加する
と、駆動トランジスタ２が導通し、これに伴い駆
動トランス３に蓄えられていたエネルギが駆動ト
ランジスタ２、ダイオード５及び入力巻線n1の閉
回路を流れ、入力巻線n1は短絡される。このとき
変圧器作用によつて駆動巻線n2も短絡状態にな
り、主トランジスタ１のベースから電流が導出、
つまり逆ベース電流が流れる。一方、前述のよう
に主トランジスタ１が完全に非導通状態に到るま
では、付加巻線N3には黒印側を正とする電圧が
誘起されているから、駆動トランジスタ２のター
ンオンに伴いダイオード１３が導通し、付加巻線
N3はダイオード１３、駆動トランジスタ２を介
して入力巻線n1に直列に接続される。このときイ
ンダクタンス作用により巻線n1には黒印のない側
を正とする電圧が誘起される。これを主トランジ
スタ１のベース側からみると、駆動巻線n2の黒印
側を負とする電圧が現出したことになり、主トラ
ンジスタ１のベース・エミツタ間には逆バイアス
電圧が印加される。よつて主トランジスタ１に該
トランジスタの特性に影響されることなく大きな
逆ベース電流が流れ、主トランジスタ１は速く非
導通に到る。つまり主トランジスタ１は短い蓄積
時間でターンオフする。そしてダイオード５、１
３が非導通に到ると、入力巻線n1には極性を示す
黒印側が負となる電圧が発生するため主トランジ
スタ１のベース・エミツタ間には逆バイアスが印
加される。更に励磁が進むと、抵抗器４を通流し
ていた電流が一定となり、入力巻線n1の両端の電
圧はほぼ零になる。その後、駆動トランジスタ２
を非導通にすると、今まで駆動トランス３に蓄え
られていたエネルギによつて、駆動巻線n2には黒
印側を正とする電圧が誘起され、主トランジスタ
１のベース・エミツタ間を順バイアスしてこれを
導通に到らしめる。この主トランジスタ１のスイ
ツチングオンの際、帰還巻線n3の正帰還作用によ
つて主トランジスタ１は急速に導通状態に到る。
以上の動作説明から明らかなように、主トラン
ジスタ１のターンオフ時には、そのベース端子か
ら導出される逆ベース電流が流れ、主トランジス
タ１を短い蓄積時間でターンオフさせることがで
きる。しかしこの従来装置においてはリアクトル
１１のカツトオフ時に主変圧器７のインダクタン
ス、回路の浮遊キヤパシタンス、サージ吸収回路
のキヤパシタンス等により第２図に示すように主
トランス７の波形が振動し、その結果主変圧器７
の付加巻線N3からダイオード１３を介して駆動
トランス３の入力巻線n1に電流が流れ駆動トラン
ス３を過剰に励磁され、駆動トランス３の電流が
増大するため、トランジスタ２に充分な電流を流
さないと主トランジスタが誤動作したり、駆動ト
ランスの飽和の恐れなどあり、また励磁エネルギ
が大きくなるためトランジスタ２のオフ時間に過
大なサージ電圧が印加される等の欠点があつた。
ジスタ１のターンオフ時には、そのベース端子か
ら導出される逆ベース電流が流れ、主トランジス
タ１を短い蓄積時間でターンオフさせることがで
きる。しかしこの従来装置においてはリアクトル
１１のカツトオフ時に主変圧器７のインダクタン
ス、回路の浮遊キヤパシタンス、サージ吸収回路
のキヤパシタンス等により第２図に示すように主
トランス７の波形が振動し、その結果主変圧器７
の付加巻線N3からダイオード１３を介して駆動
トランス３の入力巻線n1に電流が流れ駆動トラン
ス３を過剰に励磁され、駆動トランス３の電流が
増大するため、トランジスタ２に充分な電流を流
さないと主トランジスタが誤動作したり、駆動ト
ランスの飽和の恐れなどあり、また励磁エネルギ
が大きくなるためトランジスタ２のオフ時間に過
大なサージ電圧が印加される等の欠点があつた。
本発明は以上の欠点を全て除去する新規な電力
変換装置を提供するものである。
変換装置を提供するものである。
第３図に本発明の一実施例を示す。同図におい
て、第１図におけると同一の記号は同一の部材を
示す。第３図において、付加巻線N3とダイオー
ド１３との間に逆バイアス用半導体素子として用
いられる逆バイアス用トランジスタ１６及び電流
制限用抵抗器１７とダイオード１８とコンデンサ
１９とから成る一方向充電回路が接続されてい
る。次にこの回路の動作を説明する。非導通状態
にある主トランジスタ１をターンオンさせるべく
駆動トランジスタ２のベースにオフ信号を印加す
ると、駆動トランジスタ２が非導通となり、それ
に伴い今まで駆動トランス３に蓄えられていたエ
ネルギによつて駆動巻線n2には黒印側を正とする
電圧が誘起され、主トランジスタ１のベース・エ
ミツタ間を順バイアスしてこれを導通に到らしめ
る。この主トランジスタ１のスイツチングオンの
際、帰還巻線n3の正帰還作用によつて主トランジ
スタ１は急速に導通状態に到る。一方駆動トラン
ジスタ２が非導通となると抵抗器２０を介して流
れる電流をベース電流として逆バイアス用トラン
ジスタ１６が導通し付加巻線N3に誘起する電圧
がコンデンサ１９を充電する。次に主トランジス
タ１をターンオフさせるべく駆動トランジスタ２
のベースにオン信号を印加すると、駆動トランジ
スタ２が導通し、コンデンサ１９の充電々荷がダ
イオード１３を介して放電し主トランジスタ１の
ベース・エミツタ間に充分な逆バイアスを印加す
るので、主トランジスタ１は充分な逆ベース電流
が流れて急速にターンオフする。又、コンデンサ
１９の容量を主トランジスタ１が充分に非導通に
到るまであるレベルの電位を保持できる値に設定
しておけば、主トランジスタ１の蓄積時間が終了
し、その下降時間に到つても主トランジスタ１は
充分に逆バイアスされ、下降時間が飛躍的に短縮
され、上記主トランジスタ１のターンオフ時のス
イツチング損失を充分に低減できる。一方駆動ト
ランジスタ２のベースにオン信号が印加され駆動
トランジスタ２が導通すると、抵抗器２０を流れ
る電流はダイオード２１を介して駆動トランジス
タ２を流れるので、逆バイアス用トランジスタ１
６が非導通となる。従つて、その後主トランス７
の波形が振動しても、次に駆動トランジスタ２が
導通するまで逆バイアス用トランジスタ１６が非
導通状態にあるので、主トランス７の付加巻線
N3からダイオード１３等を介して駆動トランス
３の入力巻線n1が過剰に励磁されることがなく、
安定に動作する。
て、第１図におけると同一の記号は同一の部材を
示す。第３図において、付加巻線N3とダイオー
ド１３との間に逆バイアス用半導体素子として用
いられる逆バイアス用トランジスタ１６及び電流
制限用抵抗器１７とダイオード１８とコンデンサ
１９とから成る一方向充電回路が接続されてい
る。次にこの回路の動作を説明する。非導通状態
にある主トランジスタ１をターンオンさせるべく
駆動トランジスタ２のベースにオフ信号を印加す
ると、駆動トランジスタ２が非導通となり、それ
に伴い今まで駆動トランス３に蓄えられていたエ
ネルギによつて駆動巻線n2には黒印側を正とする
電圧が誘起され、主トランジスタ１のベース・エ
ミツタ間を順バイアスしてこれを導通に到らしめ
る。この主トランジスタ１のスイツチングオンの
際、帰還巻線n3の正帰還作用によつて主トランジ
スタ１は急速に導通状態に到る。一方駆動トラン
ジスタ２が非導通となると抵抗器２０を介して流
れる電流をベース電流として逆バイアス用トラン
ジスタ１６が導通し付加巻線N3に誘起する電圧
がコンデンサ１９を充電する。次に主トランジス
タ１をターンオフさせるべく駆動トランジスタ２
のベースにオン信号を印加すると、駆動トランジ
スタ２が導通し、コンデンサ１９の充電々荷がダ
イオード１３を介して放電し主トランジスタ１の
ベース・エミツタ間に充分な逆バイアスを印加す
るので、主トランジスタ１は充分な逆ベース電流
が流れて急速にターンオフする。又、コンデンサ
１９の容量を主トランジスタ１が充分に非導通に
到るまであるレベルの電位を保持できる値に設定
しておけば、主トランジスタ１の蓄積時間が終了
し、その下降時間に到つても主トランジスタ１は
充分に逆バイアスされ、下降時間が飛躍的に短縮
され、上記主トランジスタ１のターンオフ時のス
イツチング損失を充分に低減できる。一方駆動ト
ランジスタ２のベースにオン信号が印加され駆動
トランジスタ２が導通すると、抵抗器２０を流れ
る電流はダイオード２１を介して駆動トランジス
タ２を流れるので、逆バイアス用トランジスタ１
６が非導通となる。従つて、その後主トランス７
の波形が振動しても、次に駆動トランジスタ２が
導通するまで逆バイアス用トランジスタ１６が非
導通状態にあるので、主トランス７の付加巻線
N3からダイオード１３等を介して駆動トランス
３の入力巻線n1が過剰に励磁されることがなく、
安定に動作する。
第４図は本発明の他の一実施例を示す図であ
る。同図において、第１図及び第３図におけると
同一の記号は同一の部材を示す。第４図におい
て、非導通状態にある主トランジスタ１をターン
オンさせるべく、駆動トランジスタ２のベースに
オフ信号を印加すると、駆動トランジスタ２が非
導通となり第３図の場合と同様にして主トランジ
スタ１が導通する。主トランジスタ１を流れる電
流を変流器２２により検出し、ダイオード２３に
より整流してトランジスタ２４のベース電流とな
す。従つて主トランジスタ１のコレクタ電流が流
れている期間はトランジスタ２４が導通、トラン
ジスタ２５が非導通となり、抵抗器２０を介して
流れる電流をベース電流として逆バイアス用トラ
ンジスタ１６が導通し、付加巻線N3に誘起する
電圧がコンデンサ１９を充電する。次に主トラン
ジスタ１をターンオフさせるべく駆動トランジス
タ２のベースにオン信号を印加すると、駆動トラ
ンジスタ２が導通し、付加巻線N3が逆バイアス
用トランジスタ１６、ダイオード１３、駆動トラ
ンジスタ２等を介して入力巻線に直列に接続させ
ると共に、コンデンサ１９の充電々荷がダイオー
ド１３を介して放電するので、主トランジスタ１
のベース・エミツタ間に充分な逆バイアスが印加
され、主トランジスタ１は充分な逆ベース電流が
流れて急速にターンオフする。主トランジスタ１
が非導通になるとトランジスタ２４が非導通、ト
ランジスタ２５が導通し、抵抗器２０を流れる電
流はトランジスタ２５を介して流れるので、逆バ
イアス用トランジスタ１６が非導通となる。従つ
て、その後主トランス７の波形が振動しても、次
に駆動トランジスタ２が導通するまで逆バイアス
用トランジスタ１６が非導通状態にあるので、主
トランス７の付加巻線N3から逆バイアス用トラ
ンジスタ１６等を介して駆動トランス３の入力巻
線n1が過剰に励磁させることがなく、安定に動作
する。
る。同図において、第１図及び第３図におけると
同一の記号は同一の部材を示す。第４図におい
て、非導通状態にある主トランジスタ１をターン
オンさせるべく、駆動トランジスタ２のベースに
オフ信号を印加すると、駆動トランジスタ２が非
導通となり第３図の場合と同様にして主トランジ
スタ１が導通する。主トランジスタ１を流れる電
流を変流器２２により検出し、ダイオード２３に
より整流してトランジスタ２４のベース電流とな
す。従つて主トランジスタ１のコレクタ電流が流
れている期間はトランジスタ２４が導通、トラン
ジスタ２５が非導通となり、抵抗器２０を介して
流れる電流をベース電流として逆バイアス用トラ
ンジスタ１６が導通し、付加巻線N3に誘起する
電圧がコンデンサ１９を充電する。次に主トラン
ジスタ１をターンオフさせるべく駆動トランジス
タ２のベースにオン信号を印加すると、駆動トラ
ンジスタ２が導通し、付加巻線N3が逆バイアス
用トランジスタ１６、ダイオード１３、駆動トラ
ンジスタ２等を介して入力巻線に直列に接続させ
ると共に、コンデンサ１９の充電々荷がダイオー
ド１３を介して放電するので、主トランジスタ１
のベース・エミツタ間に充分な逆バイアスが印加
され、主トランジスタ１は充分な逆ベース電流が
流れて急速にターンオフする。主トランジスタ１
が非導通になるとトランジスタ２４が非導通、ト
ランジスタ２５が導通し、抵抗器２０を流れる電
流はトランジスタ２５を介して流れるので、逆バ
イアス用トランジスタ１６が非導通となる。従つ
て、その後主トランス７の波形が振動しても、次
に駆動トランジスタ２が導通するまで逆バイアス
用トランジスタ１６が非導通状態にあるので、主
トランス７の付加巻線N3から逆バイアス用トラ
ンジスタ１６等を介して駆動トランス３の入力巻
線n1が過剰に励磁させることがなく、安定に動作
する。
尚、以上の実施例では電流制限用抵抗器１７と
ダイオード１８とコンデンサ１９とから成る一方
向充電回路を備えたものについて述べたが第４図
の動作説明からも明らかなように上記一方向充電
回路を備えなくても本発明の目的を達成すること
ができる。
ダイオード１８とコンデンサ１９とから成る一方
向充電回路を備えたものについて述べたが第４図
の動作説明からも明らかなように上記一方向充電
回路を備えなくても本発明の目的を達成すること
ができる。
以上述べたように本発明では主変成器に設けた
付加巻線に逆バイアス用半導体素子を直列接続
し、駆動スイツチング半導体素子を導通させるこ
とにより上記付加巻線に誘起したエネルギが主ス
イツチング半導体素子の制御端子に逆バイアスを
与え、且つ少なくとも上記主スイツチング半導体
素子の非導通期間は上記逆バイアス用半導体素子
が非導通となるので、主スイツチング半導体素子
の蓄積時間を短縮、即ちターンオフ時間を短縮で
きると共に、駆動トランスが過剰に励磁されるの
を防止することができる。
付加巻線に逆バイアス用半導体素子を直列接続
し、駆動スイツチング半導体素子を導通させるこ
とにより上記付加巻線に誘起したエネルギが主ス
イツチング半導体素子の制御端子に逆バイアスを
与え、且つ少なくとも上記主スイツチング半導体
素子の非導通期間は上記逆バイアス用半導体素子
が非導通となるので、主スイツチング半導体素子
の蓄積時間を短縮、即ちターンオフ時間を短縮で
きると共に、駆動トランスが過剰に励磁されるの
を防止することができる。
第１図は従来の電力変換装置を示す図、第２図
は第１図の主トランジスタのコレクタ電圧波形と
主変成器の１次巻線の電圧波形を示す図、第３図
及び第４図は夫々本発明の一実施例を示す図であ
る。 １……主スイツチング半導体素子、２……駆動
スイツチング半導体素子、３……駆動トランス、
７……主変成器、１４，１４′……直流入力端子、
１５，１５′……直流出力端子、１６……逆バイ
アス用トランジスタ、２２……変流器。
は第１図の主トランジスタのコレクタ電圧波形と
主変成器の１次巻線の電圧波形を示す図、第３図
及び第４図は夫々本発明の一実施例を示す図であ
る。 １……主スイツチング半導体素子、２……駆動
スイツチング半導体素子、３……駆動トランス、
７……主変成器、１４，１４′……直流入力端子、
１５，１５′……直流出力端子、１６……逆バイ
アス用トランジスタ、２２……変流器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１次巻線と２次巻線と付加巻線と
を有する主変成器、上記１次巻線と直列接続され
た主スイツチング半導体素子、該半導体素子の制
御端子に駆動信号を与える駆動巻線と入力巻線と
を有する駆動トランス及び上記入力巻線に直列接
続された駆動スイツチング半導体素子とを備え、
該駆動スイツチング半導体素子を導通させること
により上記付加巻線に誘起したエネルギが上記駆
動トランスを介して上記主スイツチング半導体素
子の制御端子に逆バイアスを与え該制御端子から
の逆バイアス電流により主スイツチング半導体素
子の蓄積時間を短縮して非導通とさせるものにお
いて、 上記主スイツチング半導体素子の非導通期間は
非導通である逆バイアス用半導体素子を上記付加
巻線と入力巻線間に直列に設けたことを特徴とす
る電力変換装置。 ２ 上記逆バイアス用半導体素子は、主スイツチ
ング半導体素子が導通状態にあるとき上記付加巻
線に誘起したエネルギを一方向充電回路に充電す
るものであり、上記主スイツチング半導体素子が
導通状態から非導通状態への移行が完了するまで
の間、該一方向充電回路の放電電流と共に駆動ト
ランスを介して主スイツチング半導体素子に逆バ
イアスを与えるものである特許請求の範囲１に記
載した電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343982A JPS58159667A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343982A JPS58159667A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159667A JPS58159667A (ja) | 1983-09-22 |
| JPS644430B2 true JPS644430B2 (ja) | 1989-01-25 |
Family
ID=12663725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343982A Granted JPS58159667A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159667A (ja) |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4343982A patent/JPS58159667A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58159667A (ja) | 1983-09-22 |
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