JPS64461B2 - - Google Patents
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- JPS64461B2 JPS64461B2 JP20745486A JP20745486A JPS64461B2 JP S64461 B2 JPS64461 B2 JP S64461B2 JP 20745486 A JP20745486 A JP 20745486A JP 20745486 A JP20745486 A JP 20745486A JP S64461 B2 JPS64461 B2 JP S64461B2
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Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は金属表面に各種溶射皮膜を形成する溶
射方法に関するものである。
射方法に関するものである。
＜従来の技術及びその問題点＞
溶射技術は金属、非金属を問わず、被溶射基材
の表面に、その被溶射基材では持ち合わせない耐
熱、耐摩耗等の各種特性を有する金属あるいは非
金属材料皮膜を形成せしめる表面処理技術の一手
段であり、火炎溶射、プラズマ溶射、爆裂溶射等
が実用化され、又例えば特公昭59−51860号公報
で報告されている様な改良方法も知られている。
ところがこの溶射方法では被溶射基材と溶射粒子
との間では殆んど化学的結合は生じる事なく、専
ら機械的あるいは物理的な結合によつて結びつけ
られているだけである為にその密着力はあまり大
ではないという問題がある。これは溶融状態にあ
る溶射粒子が被溶射基材表面に衝突した際に急冷
凝固される事が大きな要因である。
の表面に、その被溶射基材では持ち合わせない耐
熱、耐摩耗等の各種特性を有する金属あるいは非
金属材料皮膜を形成せしめる表面処理技術の一手
段であり、火炎溶射、プラズマ溶射、爆裂溶射等
が実用化され、又例えば特公昭59−51860号公報
で報告されている様な改良方法も知られている。
ところがこの溶射方法では被溶射基材と溶射粒子
との間では殆んど化学的結合は生じる事なく、専
ら機械的あるいは物理的な結合によつて結びつけ
られているだけである為にその密着力はあまり大
ではないという問題がある。これは溶融状態にあ
る溶射粒子が被溶射基材表面に衝突した際に急冷
凝固される事が大きな要因である。
ところでこれら溶射技術の中で近年金属材料の
表面にセラミツク溶射層を形成する技術が注目さ
れて、その一つに金属材料に通気性の低い光沢の
あるガラス質の溶射層を得る方法が検討されてい
るが、均質なガラス質溶射層を得る事が難しい。
その理由は上記した溶射法特有の問題に起因する
ものであり、被溶射基材表面の温度が低いが為に
溶射粒子が被溶射基材表面に衝突した際に瞬時的
に凝固し、全体が均一に溶融したガラス質になら
ないのである。なお溶射に際し、用いる溶射ノズ
ルあるいは溶射ガンそのもので被溶射基材表面の
温度を高めようとすれば火炎あるいはプラズマ炎
をそれだれけ長くしなければならず、その結果溶
射条件に変化を来たし、又その様な方法では被溶
射基材表面の局部のみの加熱である為に被溶射基
材が熱変形を起こす事もある。又別途の加熱バー
ナー等を用いる加熱でもやはり局部加熱しか出来
ないので被溶射基材に熱変形を起こす事は防げな
いのである。
表面にセラミツク溶射層を形成する技術が注目さ
れて、その一つに金属材料に通気性の低い光沢の
あるガラス質の溶射層を得る方法が検討されてい
るが、均質なガラス質溶射層を得る事が難しい。
その理由は上記した溶射法特有の問題に起因する
ものであり、被溶射基材表面の温度が低いが為に
溶射粒子が被溶射基材表面に衝突した際に瞬時的
に凝固し、全体が均一に溶融したガラス質になら
ないのである。なお溶射に際し、用いる溶射ノズ
ルあるいは溶射ガンそのもので被溶射基材表面の
温度を高めようとすれば火炎あるいはプラズマ炎
をそれだれけ長くしなければならず、その結果溶
射条件に変化を来たし、又その様な方法では被溶
射基材表面の局部のみの加熱である為に被溶射基
材が熱変形を起こす事もある。又別途の加熱バー
ナー等を用いる加熱でもやはり局部加熱しか出来
ないので被溶射基材に熱変形を起こす事は防げな
いのである。
＜問題点を解決する為の手段＞
本発明は上記諸問題を解決する溶射方法を提供
せんとするものであり、その要旨は金属基材表面
に各種成分より成る溶射皮膜を形成するに際し
て、まず金属基材に電流を通しそのジユール熱に
より金属基材を所定温度にまで高めた後、溶射材
料を溶射吹付けすることを特徴とする金属表面の
溶射処理方法である。
せんとするものであり、その要旨は金属基材表面
に各種成分より成る溶射皮膜を形成するに際し
て、まず金属基材に電流を通しそのジユール熱に
より金属基材を所定温度にまで高めた後、溶射材
料を溶射吹付けすることを特徴とする金属表面の
溶射処理方法である。
なお本発明方法で用いる被溶射材料たる金属基
材としては、それが導電性の金属であればそれ以
上の限定はなく、又溶射材料としては金属でもセ
ラミツク等の非金属でもいずれでもよいが、特に
セラミツク等の非金属の場合に有効であり、この
場合そのセラミツク等の非金属材料の融点を勘案
し、その融点と略同温度まで予め金属基材を昇温
せしめる様にする事が望ましい。
材としては、それが導電性の金属であればそれ以
上の限定はなく、又溶射材料としては金属でもセ
ラミツク等の非金属でもいずれでもよいが、特に
セラミツク等の非金属の場合に有効であり、この
場合そのセラミツク等の非金属材料の融点を勘案
し、その融点と略同温度まで予め金属基材を昇温
せしめる様にする事が望ましい。
＜実施例及び作用＞
以下本発明方法を、その実施例を図す図面を参
酌し乍ら詳述する。
酌し乍ら詳述する。
この実施例は図面に示す様に500mm×300mm、厚
さ２mmのSS材１の上、下端より電流を通じ加熱
する方法を採つた。この場合に通じた電流はトラ
ンス２により電圧8V、電流2500Aと変換したも
のを用い、これを約10分間通じる事でSS材１は
全体的に約350℃迄昇温した。次いで溶射装置３
から融点が約400℃であるSiO275重量％残部が
Al2O3、CaO及びNa2Oから成るセラミツク粒子
４を溶射した。この場合の溶射装置は、酸素−ア
セチレンを熱源とする装置で、酸素、アセチレン
はそれぞれ酸素ボンベ５及びアセチレンボンベ６
から導き、セラミツク粒子４は、７の溶射材料供
給パイプから酸素をキヤリアガスとして溶射装置
３へ導入される。溶射装置のバーナーの燃焼条件
はアセチレン4Nm3／hr.、酸素10Nm3／hr.で、セ
ラミツク粒子４は0.4Nm3／hr.の酸素で10Kg／hr.
の流速で供給した。
さ２mmのSS材１の上、下端より電流を通じ加熱
する方法を採つた。この場合に通じた電流はトラ
ンス２により電圧8V、電流2500Aと変換したも
のを用い、これを約10分間通じる事でSS材１は
全体的に約350℃迄昇温した。次いで溶射装置３
から融点が約400℃であるSiO275重量％残部が
Al2O3、CaO及びNa2Oから成るセラミツク粒子
４を溶射した。この場合の溶射装置は、酸素−ア
セチレンを熱源とする装置で、酸素、アセチレン
はそれぞれ酸素ボンベ５及びアセチレンボンベ６
から導き、セラミツク粒子４は、７の溶射材料供
給パイプから酸素をキヤリアガスとして溶射装置
３へ導入される。溶射装置のバーナーの燃焼条件
はアセチレン4Nm3／hr.、酸素10Nm3／hr.で、セ
ラミツク粒子４は0.4Nm3／hr.の酸素で10Kg／hr.
の流速で供給した。
この様な条件下で溶射したセラミツク粒子４
は、溶射装置３から発生される火炎内で完全に溶
融し、SS材１の表面に溶融状態のまゝ付着し、
付着後はしばらく溶融状態を保持しており、SS
材１への通電を停止し、SS材１自体の温度が下
降するに従つて徐々に凝固し均一かつ緻密なガラ
ス質の溶射層８が形成された。
は、溶射装置３から発生される火炎内で完全に溶
融し、SS材１の表面に溶融状態のまゝ付着し、
付着後はしばらく溶融状態を保持しており、SS
材１への通電を停止し、SS材１自体の温度が下
降するに従つて徐々に凝固し均一かつ緻密なガラ
ス質の溶射層８が形成された。
なお比較の為に上記実施例と同様のSS材を用
い、該SS材に通電昇温する他は全て実施例と同
一の溶射条件で溶射を行なつた結果は、表面に微
小クラツクが無数発生した溶射層しか得られず、
しかも密着力も低く容易に剥落するものでしかな
かつた。
い、該SS材に通電昇温する他は全て実施例と同
一の溶射条件で溶射を行なつた結果は、表面に微
小クラツクが無数発生した溶射層しか得られず、
しかも密着力も低く容易に剥落するものでしかな
かつた。
上記実施例及び比較例から判る様に、本発明方
法では、金属基材の昇温を該金属基材に電流を通
じその際に生じるジユール熱による加熱方法を採
る為に、金属基材の全体に渡つて略均一に加熱さ
れるので、溶射装置そのもののバーナーやあるい
は別途設ける加熱バーナーによる加熱が局部的加
熱と比較し金属基材が熱変形を起こす事はない。
法では、金属基材の昇温を該金属基材に電流を通
じその際に生じるジユール熱による加熱方法を採
る為に、金属基材の全体に渡つて略均一に加熱さ
れるので、溶射装置そのもののバーナーやあるい
は別途設ける加熱バーナーによる加熱が局部的加
熱と比較し金属基材が熱変形を起こす事はない。
そしてこの様にして所定温度を維持している金
属基材へ、酸素−アセチレン、酸素−プロパンあ
るいはプラズマ等を熱源として溶射材料を吹付け
ると、火炎中で溶融した溶射材料は、金属基材面
に衝突しても、そこで急冷される事はなく従つて
両者間に於ける結合がそれだけ大となると共に得
られる溶射層は均質かつ緻密なものとなる。
属基材へ、酸素−アセチレン、酸素−プロパンあ
るいはプラズマ等を熱源として溶射材料を吹付け
ると、火炎中で溶融した溶射材料は、金属基材面
に衝突しても、そこで急冷される事はなく従つて
両者間に於ける結合がそれだけ大となると共に得
られる溶射層は均質かつ緻密なものとなる。
＜発明の効果＞
以上述べて来た如く、本発明方法によれば被溶
射基材の全体を均一に加熱した後に溶射材料を吹
付ける為に、被溶射基材の変形はなく、かつ溶射
材料は高い密着力を有し接着され、特に溶射材料
としてガラス質のセラミツク等を用いる場合等は
得られる溶射層が均質かつ緻密になるという効果
がある。
射基材の全体を均一に加熱した後に溶射材料を吹
付ける為に、被溶射基材の変形はなく、かつ溶射
材料は高い密着力を有し接着され、特に溶射材料
としてガラス質のセラミツク等を用いる場合等は
得られる溶射層が均質かつ緻密になるという効果
がある。
図面は本発明溶射処理方法の一実施例を示す説
明図。 図中、１：SS材、２：トランス、３：溶射装
置、４：セラミツク粒子、５：酸素ボンベ、６：
アセチレンボンベ、７：溶射材料供給パイプ、
８：溶射層。
明図。 図中、１：SS材、２：トランス、３：溶射装
置、４：セラミツク粒子、５：酸素ボンベ、６：
アセチレンボンベ、７：溶射材料供給パイプ、
８：溶射層。
１ 被溶射体である金属薄板円筒の内面を表面粗
度Rz20μｍ以下に粗面化したのち、同粗面化した
円筒の全長さにわたつて外方から冷却水を噴射し
つつ円筒軸を中心に回転せしめ、同回転円筒内を
円筒軸に沿つて走行する溶射ガンによつて円筒内
面の冷却位置に溶射処理を施すことを特徴とする
薄板円筒内面への溶射方法。
度Rz20μｍ以下に粗面化したのち、同粗面化した
円筒の全長さにわたつて外方から冷却水を噴射し
つつ円筒軸を中心に回転せしめ、同回転円筒内を
円筒軸に沿つて走行する溶射ガンによつて円筒内
面の冷却位置に溶射処理を施すことを特徴とする
薄板円筒内面への溶射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20745486A JPS6362856A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 金属表面の溶射処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20745486A JPS6362856A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 金属表面の溶射処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362856A JPS6362856A (ja) | 1988-03-19 |
| JPS64461B2 true JPS64461B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=16540035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20745486A Granted JPS6362856A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 金属表面の溶射処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362856A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100283A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Nippon Steel Corp | 金属タイルの製造方法 |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP20745486A patent/JPS6362856A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6362856A (ja) | 1988-03-19 |
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