JPS645268B2 - - Google Patents
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- JPS645268B2 JPS645268B2 JP55023706A JP2370680A JPS645268B2 JP S645268 B2 JPS645268 B2 JP S645268B2 JP 55023706 A JP55023706 A JP 55023706A JP 2370680 A JP2370680 A JP 2370680A JP S645268 B2 JPS645268 B2 JP S645268B2
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- ray
- thickness
- semiconductor
- detector
- grid
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
- H05G1/30—Controlling
- H05G1/38—Exposure time
- H05G1/42—Exposure time using arrangements for switching when a predetermined dose of radiation has been applied, e.g. in which the switching instant is determined by measuring the electrical energy supplied to the tube
- H05G1/44—Exposure time using arrangements for switching when a predetermined dose of radiation has been applied, e.g. in which the switching instant is determined by measuring the electrical energy supplied to the tube in which the switching instant is determined by measuring the amount of radiation directly
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/301—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to very short wavelength, e.g. being sensitive to X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線自動露出制御装置用として最適な
半導体Ｘ線検出器に関するものである。
半導体Ｘ線検出器に関するものである。
従来より、被検体を透過したＸ線をフイルムに
投影させるＸ線診断装置には、必要とするＸ線量
を自動的に制御する露出制御装置が設けられてい
る。このＸ線自動露出制御装置は、通常、被検体
とフイルムとの間に設置されたＸ線検出手段によ
り被検体を透過したＸ線を検出してＸ線発生装置
を制御し、フイルム上に最適な像を得ようとする
ものである。この場合、Ｘ線の検出にはNaI（よ
う化ナトリウム）シンチレーター、フオトマルチ
プライヤ（光電子増倍管）あるいは電離箱を用い
る方法が採られており、半導体検出器を用いるも
のはまだ数少ない。
投影させるＸ線診断装置には、必要とするＸ線量
を自動的に制御する露出制御装置が設けられてい
る。このＸ線自動露出制御装置は、通常、被検体
とフイルムとの間に設置されたＸ線検出手段によ
り被検体を透過したＸ線を検出してＸ線発生装置
を制御し、フイルム上に最適な像を得ようとする
ものである。この場合、Ｘ線の検出にはNaI（よ
う化ナトリウム）シンチレーター、フオトマルチ
プライヤ（光電子増倍管）あるいは電離箱を用い
る方法が採られており、半導体検出器を用いるも
のはまだ数少ない。
このようなＸ線露出制御装置に半導体Ｘ線検出
器を利用する場合、理想的には半導体Ｘ線検出器
によるＸ線減弱が全く生じない事が望ましいが、
これは不可能である。そこで、被検体のフイルム
上での像に影響を与え、診断精度を低下させるこ
とを防ぐために、検出器によるＸ線減弱に平面的
なムラを生じさせないことが要求される。また、
Ｘ線写真の鮮鋭度の面からは、検出器の厚さは薄
く、検出器と（散乱線除去のため被検体−検出器
間に挿入される）Ｘ線グリツドを含めた厚み寸法
（つまり被検体←→フイルム間距離）は小さくし、
Ｘ線拡大率が小さくなるようにすることが一般に
望まれる。
器を利用する場合、理想的には半導体Ｘ線検出器
によるＸ線減弱が全く生じない事が望ましいが、
これは不可能である。そこで、被検体のフイルム
上での像に影響を与え、診断精度を低下させるこ
とを防ぐために、検出器によるＸ線減弱に平面的
なムラを生じさせないことが要求される。また、
Ｘ線写真の鮮鋭度の面からは、検出器の厚さは薄
く、検出器と（散乱線除去のため被検体−検出器
間に挿入される）Ｘ線グリツドを含めた厚み寸法
（つまり被検体←→フイルム間距離）は小さくし、
Ｘ線拡大率が小さくなるようにすることが一般に
望まれる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもの
で、後続するフイルムに検出器自体の陰影を出さ
ず、しかも拡大率を低減せしめることの可能な半
導体Ｘ線検出器を提供することを目的としてい
る。
で、後続するフイルムに検出器自体の陰影を出さ
ず、しかも拡大率を低減せしめることの可能な半
導体Ｘ線検出器を提供することを目的としてい
る。
すなわち、本発明の特徴とするところは、陰影
が生じない厚みとしてＸ線減弱量に関するアルミ
ニウム換算で800μｍ以下の半導体Ｘ線検出素子
を外周および内周部にテーパをつけたマウント台
に一体的にマウントして固定板に設けられた孔に
嵌合固定し、前記検出素子から陰影が生じない厚
みとして80μｍ以下のアルミニウム膜からなる電
極引き出し線を配設し、これらの全体の側面にＸ
線用グリツドを添設して一体に構成することにあ
る。
が生じない厚みとしてＸ線減弱量に関するアルミ
ニウム換算で800μｍ以下の半導体Ｘ線検出素子
を外周および内周部にテーパをつけたマウント台
に一体的にマウントして固定板に設けられた孔に
嵌合固定し、前記検出素子から陰影が生じない厚
みとして80μｍ以下のアルミニウム膜からなる電
極引き出し線を配設し、これらの全体の側面にＸ
線用グリツドを添設して一体に構成することにあ
る。
以下図面を参照して、本発明の一実施例を説明
する。
する。
第１図はＸ線自動露出制御装置の全体構成の一
例を示すものでＸ線管装置１から曝射されたＸ線
は被検体２を透過した後、その像がＸ線直接撮影
用フイルム３に投影される様になつている。図示
しないがフイルム３は増感紙と共にカセツテに入
つておりカセツテホルダ装置にセツトされてい
る。被検体２とフイルム３の間にＸ線自動露出制
御装置用の半導体Ｘ線検出器４が配置されてい
る。このＸ線検出器４はマウント台に一体的に固
定した半導体Ｘ線検出素子４１を固定板４２に設
けた穴に嵌合固定し、電極引き出し線４３を配設
しさらにグリツドと一体化したもので、後に詳述
する様にＸ線の透過にムラが生じない様な考慮が
払われている。Ｘ線検出器４からの信号は増幅器
５を経て制御信号発生装置６へ入力される。この
制御信号発生装置６は被検体２の像がＸ線用フイ
ルム３に対して最適の露出状態になつた時点を入
力信号から判断し、Ｘ線制御器７へＸ線しや断信
号を送る。Ｘ線制御器７はこの信号によつて高電
圧発生装置８を制御してＸ線の曝射を停止させ
る。
例を示すものでＸ線管装置１から曝射されたＸ線
は被検体２を透過した後、その像がＸ線直接撮影
用フイルム３に投影される様になつている。図示
しないがフイルム３は増感紙と共にカセツテに入
つておりカセツテホルダ装置にセツトされてい
る。被検体２とフイルム３の間にＸ線自動露出制
御装置用の半導体Ｘ線検出器４が配置されてい
る。このＸ線検出器４はマウント台に一体的に固
定した半導体Ｘ線検出素子４１を固定板４２に設
けた穴に嵌合固定し、電極引き出し線４３を配設
しさらにグリツドと一体化したもので、後に詳述
する様にＸ線の透過にムラが生じない様な考慮が
払われている。Ｘ線検出器４からの信号は増幅器
５を経て制御信号発生装置６へ入力される。この
制御信号発生装置６は被検体２の像がＸ線用フイ
ルム３に対して最適の露出状態になつた時点を入
力信号から判断し、Ｘ線制御器７へＸ線しや断信
号を送る。Ｘ線制御器７はこの信号によつて高電
圧発生装置８を制御してＸ線の曝射を停止させ
る。
Ｘ線検出器４の構造を詳細に示すと第２図ａ，
ｂの通りである。
ｂの通りである。
半導体検出素子４１は略リング状をなすマウン
ト台４４にマウントされ、その後表面・裏面に電
極（図示せず）が被着されている。こうしてマウ
ント台４４に一体的にマウントされたＸ線検出素
子４１を固定板４２に設けた穴に嵌合して固定
し、電極引出し線４３−１，４３−２を配設して
いる。ここで、マウント台４４および固定板４２
には例えばアクリル樹脂などＸ線減弱の小さい材
料を用いる。また、Ｘ線検出素子４１はその厚み
を、Ｘ線減弱に関するアルミニウム換算（すなわ
ちＸ線アルミニウム当量）で100〜800μｍとし、
電極引出し線４３−１，４３−２は厚さ30μｍ以
下のアルミニウム膜で形成する。そして、これら
の両面はそれぞれ絶縁用の薄膜４５−１および４
５−２を介して電磁シールド用のアルミ箔４６−
１および４６−２で覆う。さらに、この一方の面
（裏面）には、化粧ならびに保護用のカバー（例
えばルミラー材）４７を設ける。また、他方の面
すなわちＸ線入力面側には散乱Ｘ線除去用のグリ
ツド４８を添設して一体化する。Ｘ線検出器４は
以上の一体構成によるものであり、特にグリツド
４８については使用目的・用途に応じて最適な格
子間材質（アルミニウム、木等）、グリツドレシ
オ（８：１、10：１、…）、本数（34ｐ／cm、
40ｐ／cm、…）、Ｘ線焦点からの距離（80cm、
100cm、…）等がそれぞれ選ばれて前述のごとく
一体化されるものである。
ト台４４にマウントされ、その後表面・裏面に電
極（図示せず）が被着されている。こうしてマウ
ント台４４に一体的にマウントされたＸ線検出素
子４１を固定板４２に設けた穴に嵌合して固定
し、電極引出し線４３−１，４３−２を配設して
いる。ここで、マウント台４４および固定板４２
には例えばアクリル樹脂などＸ線減弱の小さい材
料を用いる。また、Ｘ線検出素子４１はその厚み
を、Ｘ線減弱に関するアルミニウム換算（すなわ
ちＸ線アルミニウム当量）で100〜800μｍとし、
電極引出し線４３−１，４３−２は厚さ30μｍ以
下のアルミニウム膜で形成する。そして、これら
の両面はそれぞれ絶縁用の薄膜４５−１および４
５−２を介して電磁シールド用のアルミ箔４６−
１および４６−２で覆う。さらに、この一方の面
（裏面）には、化粧ならびに保護用のカバー（例
えばルミラー材）４７を設ける。また、他方の面
すなわちＸ線入力面側には散乱Ｘ線除去用のグリ
ツド４８を添設して一体化する。Ｘ線検出器４は
以上の一体構成によるものであり、特にグリツド
４８については使用目的・用途に応じて最適な格
子間材質（アルミニウム、木等）、グリツドレシ
オ（８：１、10：１、…）、本数（34ｐ／cm、
40ｐ／cm、…）、Ｘ線焦点からの距離（80cm、
100cm、…）等がそれぞれ選ばれて前述のごとく
一体化されるものである。
Ｘ線検出器４の内部構造から、グリツド４８を
添設しない場合には、一般的にＸ線検出器４とし
ての強度を持たせる意味で厚さ1.5〜2.5mm程度の
アクリル板あるいは厚さ１mm位のCFRP（炭素繊
維強化プラスチツク）等の強化プラスチツク板を
固定板４２として使用するのが普通であるが、実
使用時にグリツドを使用することを考えると前記
アクリル板または強化プラスチツク板により必要
以上に厚みを増すことになり、Ｘ線拡大率の点で
は不利となる。これに対し、上述の構成ではグリ
ツド４８をそのままＸ線検出器４の構造体とする
ことにより、Ｘ線検出器としての強度の一部をグ
リツド４８が受け持ちまた、グリツド４８を添設
した側には化粧・保護用のカバーを設ける必要も
なくなり、トータルシステム（グリツド＋Ｘ線検
出器）の厚みを減らし、Ｘ線拡大率を低減するこ
とが可能である。
添設しない場合には、一般的にＸ線検出器４とし
ての強度を持たせる意味で厚さ1.5〜2.5mm程度の
アクリル板あるいは厚さ１mm位のCFRP（炭素繊
維強化プラスチツク）等の強化プラスチツク板を
固定板４２として使用するのが普通であるが、実
使用時にグリツドを使用することを考えると前記
アクリル板または強化プラスチツク板により必要
以上に厚みを増すことになり、Ｘ線拡大率の点で
は不利となる。これに対し、上述の構成ではグリ
ツド４８をそのままＸ線検出器４の構造体とする
ことにより、Ｘ線検出器としての強度の一部をグ
リツド４８が受け持ちまた、グリツド４８を添設
した側には化粧・保護用のカバーを設ける必要も
なくなり、トータルシステム（グリツド＋Ｘ線検
出器）の厚みを減らし、Ｘ線拡大率を低減するこ
とが可能である。
また、半導体検出器部分（検出素子４１、固定
板４２、引出し線４３−１，４３−２、マウント
台４４）について注目するとＸ線減弱量は極めて
微少なものである。更に、マウント台４４の外周
部すなわち固定板４２との嵌合部および内周部に
は第２図ｂから明らかなようにテーパーをつけて
いる。このようにすることにより、マウント台４
４と固定板４２およびマウント台４４と検出素子
４１の各境界部分でのＸ線減弱量の急激な変化が
抑えられる。
板４２、引出し線４３−１，４３−２、マウント
台４４）について注目するとＸ線減弱量は極めて
微少なものである。更に、マウント台４４の外周
部すなわち固定板４２との嵌合部および内周部に
は第２図ｂから明らかなようにテーパーをつけて
いる。このようにすることにより、マウント台４
４と固定板４２およびマウント台４４と検出素子
４１の各境界部分でのＸ線減弱量の急激な変化が
抑えられる。
以上のように構造的な配慮を払つた半導体Ｘ線
検出器４を用いれば、Ｘ線用フイルム３にはこの
検出器４の陰影は生じない。また、グリツド４８
を厚さ３mmとすれば半導体Ｘ線検出器４の全体の
厚さは６mm程度になり従来の方式（グリツド３
mm、検出器５mm、合計８mm）よりも薄くなる。
尚、以上詳述した本実施例のＸ線検出器４は、そ
のものが陰影が生じないことが前提条件であり、
この条件を満すために、Ｘ線検出素子４１は、そ
の厚みを、Ｘ線減弱に関するアルミニウム換算で
100〜800μｍとして、陰影を生じさせないように
し、また、電極引き出し線４３−１，４３−２に
ついても、例えば30μｍ以下として、陰影を生じ
させないようにしている。一般に、陰影が生じな
い条件の厚みとしては、Ｘ線検出素子４１の厚み
は、800μｍ以下であれば良く、また、電極引き
出し線４３−１，４３−２の厚みは、80μｍ以下
であれば良い。
検出器４を用いれば、Ｘ線用フイルム３にはこの
検出器４の陰影は生じない。また、グリツド４８
を厚さ３mmとすれば半導体Ｘ線検出器４の全体の
厚さは６mm程度になり従来の方式（グリツド３
mm、検出器５mm、合計８mm）よりも薄くなる。
尚、以上詳述した本実施例のＸ線検出器４は、そ
のものが陰影が生じないことが前提条件であり、
この条件を満すために、Ｘ線検出素子４１は、そ
の厚みを、Ｘ線減弱に関するアルミニウム換算で
100〜800μｍとして、陰影を生じさせないように
し、また、電極引き出し線４３−１，４３−２に
ついても、例えば30μｍ以下として、陰影を生じ
させないようにしている。一般に、陰影が生じな
い条件の厚みとしては、Ｘ線検出素子４１の厚み
は、800μｍ以下であれば良く、また、電極引き
出し線４３−１，４３−２の厚みは、80μｍ以下
であれば良い。
その他、半導体検出部をマウント台に複数個に
配置する等種々の変形実施が可能である。
配置する等種々の変形実施が可能である。
以上述べたように、本発明によれば、Ｘ線検出
素子の厚み、電極引き出し線の厚み、マウント台
の形状等に構造的な工夫を施すとともに、グリツ
ドを一体化することにより、Ｘ線投影時の拡大率
を低減することができ、フイルムに不要な陰影を
生じさせることのない半導体Ｘ線検出器を提供す
ることができる。
素子の厚み、電極引き出し線の厚み、マウント台
の形状等に構造的な工夫を施すとともに、グリツ
ドを一体化することにより、Ｘ線投影時の拡大率
を低減することができ、フイルムに不要な陰影を
生じさせることのない半導体Ｘ線検出器を提供す
ることができる。
第１図はＸ線自動露出制御装置の全体の構成を
示す図、第２図ａ，ｂは第１図の装置に適用した
本発明の一実施例の半導体Ｘ線検出器の構成を示
すものでそれぞれａが平面図、ｂがＡ−A′（分
解）断面図である。 ４……半導体Ｘ線検出器、４１……半導体Ｘ線
検出素子、４２……固定板、４３（４３−１，４
３−２）……電極引出し線、４４……マウント
台、４８……グリツド。
示す図、第２図ａ，ｂは第１図の装置に適用した
本発明の一実施例の半導体Ｘ線検出器の構成を示
すものでそれぞれａが平面図、ｂがＡ−A′（分
解）断面図である。 ４……半導体Ｘ線検出器、４１……半導体Ｘ線
検出素子、４２……固定板、４３（４３−１，４
３−２）……電極引出し線、４４……マウント
台、４８……グリツド。
Claims (1)
- １ 陰影が生じない厚みとしてＸ線減弱量に関す
るアルミニウム換算で800μｍ以下の半導体Ｘ線
検出素子を外周および内周部にテーパをつけたマ
ウント台に一体的にマウントして固定板に設けら
れた孔に嵌合固定し、前記検出素子から、陰影が
生じない厚みとして80μｍ以下のアルミニウム膜
からなる電極引き出し線を配設し、これら全体の
側面にＸ線用グリツドを添設して一体に構成した
ことを特徴とする半導体Ｘ線検出器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2370680A JPS56119876A (en) | 1980-02-27 | 1980-02-27 | Semiconductor x-ray detector |
| US06/236,133 US4403150A (en) | 1980-02-27 | 1981-02-18 | Semiconductor radiation sensor arrangement for an automatic X-ray exposure control apparatus |
| EP81101195A EP0035182B1 (en) | 1980-02-27 | 1981-02-19 | Semiconductor radiation sensor arrangement for an automatic x-ray exposure control apparatus |
| AU67465/81A AU528620B2 (en) | 1980-02-27 | 1981-02-19 | X-ray exposure control by semiconductor radiation sensor |
| DE8181101195T DE3172939D1 (en) | 1980-02-27 | 1981-02-19 | Semiconductor radiation sensor arrangement for an automatic x-ray exposure control apparatus |
| BR8101191A BR8101191A (pt) | 1980-02-27 | 1981-02-26 | Conjunto de sensor de radiacao semicondutor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2370680A JPS56119876A (en) | 1980-02-27 | 1980-02-27 | Semiconductor x-ray detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56119876A JPS56119876A (en) | 1981-09-19 |
| JPS645268B2 true JPS645268B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=12117794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2370680A Granted JPS56119876A (en) | 1980-02-27 | 1980-02-27 | Semiconductor x-ray detector |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4403150A (ja) |
| EP (1) | EP0035182B1 (ja) |
| JP (1) | JPS56119876A (ja) |
| AU (1) | AU528620B2 (ja) |
| BR (1) | BR8101191A (ja) |
| DE (1) | DE3172939D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5945A (ja) * | 1982-06-22 | 1984-01-05 | 株式会社東芝 | Ｘ線撮影装置 |
| DE3242067A1 (de) * | 1982-11-13 | 1984-05-17 | Koch & Sterzel Gmbh & Co, 4300 Essen | Roentgenstrahlenmesskammer mit siliziumhalbleiterdetektoren |
| JPS60119100A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Toshiba Corp | Ｘ線装置 |
| DE3702914A1 (de) * | 1986-02-11 | 1987-08-13 | Radiante Oy | Verfahren zur herstellung von roentgenaufnahmen |
| DE8621546U1 (de) * | 1986-08-11 | 1987-12-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Röntgendetektorsystem |
| US5066861A (en) * | 1987-07-22 | 1991-11-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | X ray detecting device |
| US5264328A (en) * | 1992-04-24 | 1993-11-23 | International Business Machines Corporation | Resist development endpoint detection for X-ray lithography |
| DE4446865C2 (de) * | 1994-12-27 | 2001-06-21 | Siemens Ag | Mammographie-Röntgengerät |
| FR2732473B1 (fr) * | 1995-03-31 | 1997-06-13 | Sagem | Dosimetre a eclairage par l'arriere |
| US5585638A (en) * | 1995-12-14 | 1996-12-17 | General Electric Company | X-ray detector for automatic exposure control of an imaging apparatus |
| DE19811556A1 (de) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Philips Patentverwaltung | Strahlungsmeßeinrichtung mit einer Ionisatonskammer |
| JP5629445B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-11-19 | キヤノン株式会社 | Ｘ線画像撮影装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2747104A (en) * | 1951-10-06 | 1956-05-22 | Gen Electric | Interval timing apparatus |
| US2824970A (en) * | 1952-04-04 | 1958-02-25 | Ledin Sven Harald | Secondary diaphragms for x-ray radiography |
| US3255351A (en) * | 1963-04-19 | 1966-06-07 | Nuclear Diodes Inc | Particle detector of the semiconductor type |
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-
1980
- 1980-02-27 JP JP2370680A patent/JPS56119876A/ja active Granted
-
1981
- 1981-02-18 US US06/236,133 patent/US4403150A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-02-19 EP EP81101195A patent/EP0035182B1/en not_active Expired
- 1981-02-19 AU AU67465/81A patent/AU528620B2/en not_active Ceased
- 1981-02-19 DE DE8181101195T patent/DE3172939D1/de not_active Expired
- 1981-02-26 BR BR8101191A patent/BR8101191A/pt unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4403150A (en) | 1983-09-06 |
| JPS56119876A (en) | 1981-09-19 |
| AU528620B2 (en) | 1983-05-05 |
| DE3172939D1 (en) | 1986-01-02 |
| EP0035182B1 (en) | 1985-11-21 |
| EP0035182A2 (en) | 1981-09-09 |
| EP0035182A3 (en) | 1983-01-26 |
| BR8101191A (pt) | 1981-09-01 |
| AU6746581A (en) | 1982-12-23 |
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