JPS645355Y2 - - Google Patents
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- JPS645355Y2 JPS645355Y2 JP7796681U JP7796681U JPS645355Y2 JP S645355 Y2 JPS645355 Y2 JP S645355Y2 JP 7796681 U JP7796681 U JP 7796681U JP 7796681 U JP7796681 U JP 7796681U JP S645355 Y2 JPS645355 Y2 JP S645355Y2
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 33
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 11
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001304 sample melting Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
最近ハロゲンランプ、キセノンランプ等の光源
の光を反射鏡で集中して加熱を行う装置、即ち、
輻射線加熱装置が結晶成長、各種物質の溶融、高
温での物性の研究等に広く使用されるようになつ
た。このような目的においては被加熱物(試料)
を特殊なガスあるいは高圧等の雰囲気中で高温に
加熱することが要求されることが多い。
の光を反射鏡で集中して加熱を行う装置、即ち、
輻射線加熱装置が結晶成長、各種物質の溶融、高
温での物性の研究等に広く使用されるようになつ
た。このような目的においては被加熱物(試料)
を特殊なガスあるいは高圧等の雰囲気中で高温に
加熱することが要求されることが多い。
輻射線加熱装置は光による加熱であるために、
試料を石英等の耐熱性のガラスで構成された室あ
るいは容器(雰囲気室)の中に設置し、その雰囲
気室に雰囲気ガスを導入して、雰囲気室の外側か
ら光を集中して加熱が行われる。
試料を石英等の耐熱性のガラスで構成された室あ
るいは容器(雰囲気室)の中に設置し、その雰囲
気室に雰囲気ガスを導入して、雰囲気室の外側か
ら光を集中して加熱が行われる。
このような雰囲気室はガラス製であるために壊
れ易く、オペレータの不注意あるいは雰囲気室の
圧力によつて破壊することが起り得る。このよう
な破壊が起こると、雰囲気室内の雰囲気ガス、試
料からの蒸発物、ガラスの破片等が外部に放出さ
れ、オペレータに危険を与える可能性がある。
れ易く、オペレータの不注意あるいは雰囲気室の
圧力によつて破壊することが起り得る。このよう
な破壊が起こると、雰囲気室内の雰囲気ガス、試
料からの蒸発物、ガラスの破片等が外部に放出さ
れ、オペレータに危険を与える可能性がある。
最近、特異な性質を持つ半導体、無機化合物、
セラミツク、金属等の新材料の発見あるいは開発
に対する努力が各方面でなされているが、そのよ
うな場合には有毒な雰囲気ガスの使用、試料から
の有毒な蒸気の蒸発、高圧雰囲気等危険な条件が
要求されることが多くなつている。このような場
合には前述のようなガラス製の雰囲気室の破壊が
オペレータを極めて危険な状態に直面させること
になるので、前述のような輻射線加熱装置の安全
性に関する改善が強く要求されるようになつてき
た。
セラミツク、金属等の新材料の発見あるいは開発
に対する努力が各方面でなされているが、そのよ
うな場合には有毒な雰囲気ガスの使用、試料から
の有毒な蒸気の蒸発、高圧雰囲気等危険な条件が
要求されることが多くなつている。このような場
合には前述のようなガラス製の雰囲気室の破壊が
オペレータを極めて危険な状態に直面させること
になるので、前述のような輻射線加熱装置の安全
性に関する改善が強く要求されるようになつてき
た。
本考案は上述のような輻射線加熱装置における
ガラス製雰囲気室の破壊に伴うオペレータに対す
る危険を除去した安全性の高い装置を提供するこ
とを目的としたものである。
ガラス製雰囲気室の破壊に伴うオペレータに対す
る危険を除去した安全性の高い装置を提供するこ
とを目的としたものである。
第1図は従来の輻射線加熱装置の一実施例で、
ハロゲンランプの光を回転楕円面鏡で集中して試
料を加熱溶融させ、フローテイングゾーン方式に
より結晶を成長させる装置を示す。
ハロゲンランプの光を回転楕円面鏡で集中して試
料を加熱溶融させ、フローテイングゾーン方式に
より結晶を成長させる装置を示す。
第1図において、1は内面に反射面を持つ回転
楕円面鏡を、2は回転楕円面鏡1の取りはずし可
能な部分を各々示す。この回転楕円面鏡1は2つ
の焦点F1とF2とを持つ。3はハロゲンランプ3
(光源)で、焦点F1上に設けられている。4は種
結晶、5は素材棒、6は溶融部を各々示す。さら
に、7は種結晶4を保持している保持棒、8は素
材棒5を保持している保持棒を各々示す。また、
9は石英管を、10および11は石英管9を保持
するための保持筒を、12,12′,13,1
3′,14,14′は各々Oリングを示す。さら
に、15は雰囲気ガス入口を、16は雰囲気ガス
出口を、17および18は基板を各々示す。また
19は石英管9の内部の雰囲気室を示している。
楕円面鏡を、2は回転楕円面鏡1の取りはずし可
能な部分を各々示す。この回転楕円面鏡1は2つ
の焦点F1とF2とを持つ。3はハロゲンランプ3
(光源)で、焦点F1上に設けられている。4は種
結晶、5は素材棒、6は溶融部を各々示す。さら
に、7は種結晶4を保持している保持棒、8は素
材棒5を保持している保持棒を各々示す。また、
9は石英管を、10および11は石英管9を保持
するための保持筒を、12,12′,13,1
3′,14,14′は各々Oリングを示す。さら
に、15は雰囲気ガス入口を、16は雰囲気ガス
出口を、17および18は基板を各々示す。また
19は石英管9の内部の雰囲気室を示している。
第1図において、ハロゲンランプ3は回転楕円
面鏡1の一方の焦点F1上に設けられているので、
その光は回転楕円面鏡1で反射された後に石英管
9を通して他方の焦点F2に集中される。その結
果、種結晶4と素材棒5の接合部が溶融して溶融
部6が形成される。この状態を保つて保持棒7お
よび8を同じ速度でゆつくりと下方に移動させる
と、種結晶4の上に新しい結晶が成長する。
面鏡1の一方の焦点F1上に設けられているので、
その光は回転楕円面鏡1で反射された後に石英管
9を通して他方の焦点F2に集中される。その結
果、種結晶4と素材棒5の接合部が溶融して溶融
部6が形成される。この状態を保つて保持棒7お
よび8を同じ速度でゆつくりと下方に移動させる
と、種結晶4の上に新しい結晶が成長する。
石英管9は第1図に示すように保持筒10およ
び11で保持されており、回転楕円面鏡1に設け
られた開口部を通して回転楕円面鏡1に接触しな
いように設けられている。また石英管9の内面、
保持筒10,11、基板15,15′とで囲まれ
た空間はOリング12,12′,13,13′,1
4,14′でシールされており、密封された雰囲
気室19を形成している。雰囲気ガス入口15か
ら所望の雰囲気ガスをこの雰囲気室19に導入す
ることによつて溶融部6の周囲を所望の雰囲気に
保つことができる。雰囲気ガスの流通が必要な場
合には、雰囲気ガス出口16から所望の速度で雰
囲気ガスを排出することもできる。
び11で保持されており、回転楕円面鏡1に設け
られた開口部を通して回転楕円面鏡1に接触しな
いように設けられている。また石英管9の内面、
保持筒10,11、基板15,15′とで囲まれ
た空間はOリング12,12′,13,13′,1
4,14′でシールされており、密封された雰囲
気室19を形成している。雰囲気ガス入口15か
ら所望の雰囲気ガスをこの雰囲気室19に導入す
ることによつて溶融部6の周囲を所望の雰囲気に
保つことができる。雰囲気ガスの流通が必要な場
合には、雰囲気ガス出口16から所望の速度で雰
囲気ガスを排出することもできる。
石英管9は上述のように、雰囲気室を構成する
と同時に、試料から蒸発した蒸気が回転楕円面鏡
1の表面に付着して、その性能が低下するのを防
止する役目も果している。
と同時に、試料から蒸発した蒸気が回転楕円面鏡
1の表面に付着して、その性能が低下するのを防
止する役目も果している。
高温において蒸気圧の高い物質の結晶成長を行
う場合には、蒸発を抑えるために雰囲気の圧力を
高めることが必要となる。
う場合には、蒸発を抑えるために雰囲気の圧力を
高めることが必要となる。
また、ある種の物質の結晶成長を行う場合には
有毒なガスの雰囲気中で行わなければならない。
(例えば、GaAsの結晶成長はAsガスを含む雰囲
気中で行われる。) また、ある種の物質を結晶成長を行うと、試料
から有毒な蒸気が蒸発する(例えば、GaAsの場
合Asが蒸発する。) 一方、第1図の装置においては、石英管9が回
転楕円面鏡1の外に露出している部分があり、オ
ペレータの不注意で石英管9を破壊することが起
こり得る。また、石英管9は内部に30気圧程度の
圧力を掛けて高温に加熱すると破裂することもあ
る。
有毒なガスの雰囲気中で行わなければならない。
(例えば、GaAsの結晶成長はAsガスを含む雰囲
気中で行われる。) また、ある種の物質を結晶成長を行うと、試料
から有毒な蒸気が蒸発する(例えば、GaAsの場
合Asが蒸発する。) 一方、第1図の装置においては、石英管9が回
転楕円面鏡1の外に露出している部分があり、オ
ペレータの不注意で石英管9を破壊することが起
こり得る。また、石英管9は内部に30気圧程度の
圧力を掛けて高温に加熱すると破裂することもあ
る。
前述のように有毒な雰囲気を使用して結晶成長
を行つている場合、あるいは有毒な蒸気が蒸発す
る物質の結晶成長を行つている場合に石英管9が
破壊すると、その有毒なガスあるいは蒸気が外部
に放出されて、オペレータが重大な危険に曝され
ることになる。
を行つている場合、あるいは有毒な蒸気が蒸発す
る物質の結晶成長を行つている場合に石英管9が
破壊すると、その有毒なガスあるいは蒸気が外部
に放出されて、オペレータが重大な危険に曝され
ることになる。
また、高圧で石英管9が破裂すれば、その破片
が飛散してオペレータ等に危害を与えることにな
る。
が飛散してオペレータ等に危害を与えることにな
る。
以上説明したように、第1図に示した如き従来
の輻射線加熱装置は通常の条件(安全な雰囲気ガ
ス、蒸発の少い試料、低圧力)での結晶成長に対
しては安全上特に問題となることはないが、上述
のように高圧あるいは有毒な雰囲気での結晶成長
あるいは有毒な蒸気の蒸発の起こる物質の結晶成
長に対しては危険性が高く、その改善が要求され
ている。
の輻射線加熱装置は通常の条件(安全な雰囲気ガ
ス、蒸発の少い試料、低圧力)での結晶成長に対
しては安全上特に問題となることはないが、上述
のように高圧あるいは有毒な雰囲気での結晶成長
あるいは有毒な蒸気の蒸発の起こる物質の結晶成
長に対しては危険性が高く、その改善が要求され
ている。
また、雰囲気室19は通常石英のような耐熱性
のガラス管9で構成されており、雰囲気ガスの漏
洩を防止するためにOリング12,12′によつ
てその両端部がシールされている。通常一回の結
晶成長を行うと石英管9の内壁に試料からの蒸発
物が付着するので、石英管9を交換しなければな
らない。しかし、上述のように石英管9の両端は
Oリング12,12′によつてシールされており、
これらのOリング12,12′は内部の雰囲気ガ
スが漏洩しないように完全に締め付ける必要があ
る。
のガラス管9で構成されており、雰囲気ガスの漏
洩を防止するためにOリング12,12′によつ
てその両端部がシールされている。通常一回の結
晶成長を行うと石英管9の内壁に試料からの蒸発
物が付着するので、石英管9を交換しなければな
らない。しかし、上述のように石英管9の両端は
Oリング12,12′によつてシールされており、
これらのOリング12,12′は内部の雰囲気ガ
スが漏洩しないように完全に締め付ける必要があ
る。
石英管のような破損しやすい管の交換を行う毎
にその両端を完全にシールするという作業は容易
ではなく危険を伴う。
にその両端を完全にシールするという作業は容易
ではなく危険を伴う。
従つて、このような石英管9の交換を容易にす
ることは安全性の面からも、操作性の点からも極
めて重要である。
ることは安全性の面からも、操作性の点からも極
めて重要である。
本考案は上述のような従来の輻射線加熱装置に
付随する、雰囲気室の破損に伴う危険の除去され
た安全性の高い輻射線加熱装置を提供することを
目的としたものである。
付随する、雰囲気室の破損に伴う危険の除去され
た安全性の高い輻射線加熱装置を提供することを
目的としたものである。
第2図は本考案の一実施例であり、第1図の従
来例と同様にハロゲンランプを光源とする輻射線
加熱装置を使用したフローテイングゾーン方式に
よる結晶成長装置に本考案を採用した場合が示さ
れている。
来例と同様にハロゲンランプを光源とする輻射線
加熱装置を使用したフローテイングゾーン方式に
よる結晶成長装置に本考案を採用した場合が示さ
れている。
第2図において、21は2つの焦点F1および
焦点F2を有する回転楕円面鏡、22は回転楕円
面鏡21の取りはずし可能な部分、23はハロゲ
ンランプ、24は種結晶、25は素材棒、26は
溶融部、27は種結晶24を保持するための保持
棒、28は素材棒25を保持するための保持棒、
29は石英管、30および31は石英管保持筒、
32,32′は簡易なシール、33,34,3
4′はOリング、35,35′,35″は雰囲気ガ
ス入口、36,36′,36″は雰囲気ガス出口、
37は絞り、38は基板を各々示す。また、39
は石英管29の内部の雰囲気室を示す。
焦点F2を有する回転楕円面鏡、22は回転楕円
面鏡21の取りはずし可能な部分、23はハロゲ
ンランプ、24は種結晶、25は素材棒、26は
溶融部、27は種結晶24を保持するための保持
棒、28は素材棒25を保持するための保持棒、
29は石英管、30および31は石英管保持筒、
32,32′は簡易なシール、33,34,3
4′はOリング、35,35′,35″は雰囲気ガ
ス入口、36,36′,36″は雰囲気ガス出口、
37は絞り、38は基板を各々示す。また、39
は石英管29の内部の雰囲気室を示す。
一方の焦点F1に設けられたハロゲンランプ2
3の光は反射鏡21および22で反射されて、石
英管29を通して他方の焦点F2に集中され、種
結晶24と素材棒25の接合部を溶融させ、溶融
部26が形成される。この状態を保つて保持棒2
7および28を同じ速度でゆつくり下方に移動さ
せると、種結晶24の上に新しい結晶が成長す
る。この点については本実施例も第1図の従来例
と全く同一の機能を果す。
3の光は反射鏡21および22で反射されて、石
英管29を通して他方の焦点F2に集中され、種
結晶24と素材棒25の接合部を溶融させ、溶融
部26が形成される。この状態を保つて保持棒2
7および28を同じ速度でゆつくり下方に移動さ
せると、種結晶24の上に新しい結晶が成長す
る。この点については本実施例も第1図の従来例
と全く同一の機能を果す。
第2図の本考案の実施例において、回転楕円面
鏡21の内部はOリング33,34,34′によ
り密閉されている。また、ハロゲンランプ23の
ソケツト部は図示されていないが、Oリングある
いはハーメツクシール等を利用してシールされて
おり、回転楕円面鏡21の内部の空洞は完全にシ
ールされ外気と遮断されている。
鏡21の内部はOリング33,34,34′によ
り密閉されている。また、ハロゲンランプ23の
ソケツト部は図示されていないが、Oリングある
いはハーメツクシール等を利用してシールされて
おり、回転楕円面鏡21の内部の空洞は完全にシ
ールされ外気と遮断されている。
また、石英管29は回転楕円面鏡21の内部に
図示のように設置されている。回転楕円面鏡21
の内部の空間に対して、石英管29の内部は簡易
なシール32,32′でシールされており、雰囲
気室39と回転楕円面鏡21の内部の空洞との雰
囲気の流通が防止されている。従つて溶融部26
から蒸発した蒸気が回転楕円面鏡21の表面に付
着して反射率が低下するようなことは起らない。
図示のように設置されている。回転楕円面鏡21
の内部の空間に対して、石英管29の内部は簡易
なシール32,32′でシールされており、雰囲
気室39と回転楕円面鏡21の内部の空洞との雰
囲気の流通が防止されている。従つて溶融部26
から蒸発した蒸気が回転楕円面鏡21の表面に付
着して反射率が低下するようなことは起らない。
石英管29の内部と保持筒30および31の内
部で形成される空間は簡易なシール32,32′
およびOリング34,34′でシールされており、
密閉された雰囲気室39を形成している。この雰
囲気室39の内部に雰囲気ガス入口35から所望
の雰囲気ガスを導入することができる。また、雰
囲気ガスの流通が必要な場合には、雰囲気ガス出
口36から所望の速度で雰囲気ガスを排出するこ
ともできる。
部で形成される空間は簡易なシール32,32′
およびOリング34,34′でシールされており、
密閉された雰囲気室39を形成している。この雰
囲気室39の内部に雰囲気ガス入口35から所望
の雰囲気ガスを導入することができる。また、雰
囲気ガスの流通が必要な場合には、雰囲気ガス出
口36から所望の速度で雰囲気ガスを排出するこ
ともできる。
雰囲気ガス入口35は図のように35′および
35″の2本の流路に分岐しており、35′に入つ
た雰囲気ガスは雰囲気室内に入り、35″に入つ
た雰囲気ガスは回転楕円面鏡21の内部の空洞に
入る。また、雰囲気室に入つた雰囲気ガスは雰囲
気ガス出口36′を通して排出される。また、回
転楕円面鏡21の内部に入つた雰囲気ガスは雰囲
気ガス出口36″を通して排出される。雰囲気ガ
ス出口36′および36″は合流して36となり、
所定の排出口に接続される。
35″の2本の流路に分岐しており、35′に入つ
た雰囲気ガスは雰囲気室内に入り、35″に入つ
た雰囲気ガスは回転楕円面鏡21の内部の空洞に
入る。また、雰囲気室に入つた雰囲気ガスは雰囲
気ガス出口36′を通して排出される。また、回
転楕円面鏡21の内部に入つた雰囲気ガスは雰囲
気ガス出口36″を通して排出される。雰囲気ガ
ス出口36′および36″は合流して36となり、
所定の排出口に接続される。
上述のように、雰囲気ガスは雰囲気室39の内
部とその外部を取りまく回転楕円面鏡21の内部
に同時に導入されるので、石英管29の両端のシ
ール32および32′はそれほど厳重である必要
はない。例えば、第3図に示すように比較的柔軟
なゴム製シール32の先端が石英管29の表面に
接触していて、雰囲気ガスの自由な流通を妨げる
ようなもので良い。
部とその外部を取りまく回転楕円面鏡21の内部
に同時に導入されるので、石英管29の両端のシ
ール32および32′はそれほど厳重である必要
はない。例えば、第3図に示すように比較的柔軟
なゴム製シール32の先端が石英管29の表面に
接触していて、雰囲気ガスの自由な流通を妨げる
ようなもので良い。
なお、試料の溶融部26からの蒸発物がシール
32あるいは32′の部分を通して反射鏡21の
内部に漏れ出すのを極端に嫌う場合には第2図に
示すように、雰囲気ガス出口の流路36″に絞り
37を設けると良い。このようにすることによ
り、雰囲気室39の内の圧力よりも回転楕円面鏡
21の内部の圧力が若干高くなるので、溶融部2
6からの蒸発物がシール32あるいは32′の部
分から回転楕円面鏡21の内部に漏れ出すことを
防止することができる。
32あるいは32′の部分を通して反射鏡21の
内部に漏れ出すのを極端に嫌う場合には第2図に
示すように、雰囲気ガス出口の流路36″に絞り
37を設けると良い。このようにすることによ
り、雰囲気室39の内の圧力よりも回転楕円面鏡
21の内部の圧力が若干高くなるので、溶融部2
6からの蒸発物がシール32あるいは32′の部
分から回転楕円面鏡21の内部に漏れ出すことを
防止することができる。
しかし、通常の場合には絞り37を設けなくて
も支障のない場合が多い。
も支障のない場合が多い。
上述のように本考案においてはシール32,3
2′は簡易なもので良いので、石英管29の交換
を極めて簡単に行うことができる。第2図の本考
案の実施例における石英管29の交換手順を第4
図を使用して説明する。第4図には第2図におけ
る状態から回転楕円面鏡21の取りはずし可能部
分22を取りはずした状態が示されている。ま
た、各要素の番号は第2図と同一である。
2′は簡易なもので良いので、石英管29の交換
を極めて簡単に行うことができる。第2図の本考
案の実施例における石英管29の交換手順を第4
図を使用して説明する。第4図には第2図におけ
る状態から回転楕円面鏡21の取りはずし可能部
分22を取りはずした状態が示されている。ま
た、各要素の番号は第2図と同一である。
第4図において、石英管29を取り付ける場合
には、図のように石英管29を傾斜させてシール
32の部分に差し込んで、保持筒30の内部の空
間に石英管29の上端部を若干入り込ませた後
に、石英管29を垂直にして、その下端をシール
32′の部分に差し込むことによつて石英管29
の取付が完了する。その後に回転楕円面鏡21の
取はずし可能部分22を取り付けることにより、
第2図の状態にセツトすることができる。また、
石英管29の取りはずしは、上述の手順の逆を行
えば良い。
には、図のように石英管29を傾斜させてシール
32の部分に差し込んで、保持筒30の内部の空
間に石英管29の上端部を若干入り込ませた後
に、石英管29を垂直にして、その下端をシール
32′の部分に差し込むことによつて石英管29
の取付が完了する。その後に回転楕円面鏡21の
取はずし可能部分22を取り付けることにより、
第2図の状態にセツトすることができる。また、
石英管29の取りはずしは、上述の手順の逆を行
えば良い。
前述のように、シール32および32′は柔難
であるから上述の石英管29の取付、取はずしの
際にはあまり抵抗とならず、石英管29の取付、
取りはずしを極めて容易に行うことができる。
であるから上述の石英管29の取付、取はずしの
際にはあまり抵抗とならず、石英管29の取付、
取りはずしを極めて容易に行うことができる。
また、第2図の本考案の実施例においては、石
英管29が密閉された回転楕円面鏡21の内部に
設置されており、本装置の作動中にオペレータが
誤つて石英管29を破損するようなことは起らな
い。また、石英管29が雰囲気ガスの圧力あるい
は高温のために破壊したとしても、その破片、有
毒な雰囲気ガス、溶融部26からの有毒な蒸発物
等が密封された回転楕円面鏡21の外部に放出さ
れることがない。
英管29が密閉された回転楕円面鏡21の内部に
設置されており、本装置の作動中にオペレータが
誤つて石英管29を破損するようなことは起らな
い。また、石英管29が雰囲気ガスの圧力あるい
は高温のために破壊したとしても、その破片、有
毒な雰囲気ガス、溶融部26からの有毒な蒸発物
等が密封された回転楕円面鏡21の外部に放出さ
れることがない。
このように、本考案においては耐熱性ガラスを
使用した雰囲気室39が、密閉された回転楕円面
鏡21の内部に設けられているために、従来の装
置に関して存在した耐熱ガラスの破損に伴う危険
が完全に除去できた安全性の高い輻射線加熱装置
が実現されている。
使用した雰囲気室39が、密閉された回転楕円面
鏡21の内部に設けられているために、従来の装
置に関して存在した耐熱ガラスの破損に伴う危険
が完全に除去できた安全性の高い輻射線加熱装置
が実現されている。
また、前述のように本考案の装置では石英管2
9の交換が極めて容易であり、この面からも安全
性が高く、かつ、操作性が高くなるという効果も
ある。
9の交換が極めて容易であり、この面からも安全
性が高く、かつ、操作性が高くなるという効果も
ある。
以上の説明においては、1個の回転楕円面鏡の
一方の焦点に光源を設け、他方の焦点に光を集中
して加熱を行う輻射線加熱装置を一実施例として
示したが、本考案の効果は2個以上の回転楕円面
鏡を設け、各々の回転楕円面鏡の焦点上に設けら
れた光源の光を集中する如き加熱装置においても
同様に発揮される。
一方の焦点に光源を設け、他方の焦点に光を集中
して加熱を行う輻射線加熱装置を一実施例として
示したが、本考案の効果は2個以上の回転楕円面
鏡を設け、各々の回転楕円面鏡の焦点上に設けら
れた光源の光を集中する如き加熱装置においても
同様に発揮される。
第5図は上述のような複数の回転楕円面鏡を組
合せた輻射線加熱装置の一実施例で、2個の回転
楕円面鏡を対向させた加熱装置をフローテイング
ゾーン方式の結晶成長に適用した場合を示す。
合せた輻射線加熱装置の一実施例で、2個の回転
楕円面鏡を対向させた加熱装置をフローテイング
ゾーン方式の結晶成長に適用した場合を示す。
第5図において、41および42は回転楕円面
鏡、43および44はハロゲンランプ、45は種
結晶、46は素材棒、47は溶融部、48および
49は各々種結晶45と素材棒46のための保持
棒、50は石英管、51および52は石英管50
の保持筒、53,53′は簡易なシール、54,
55,55′はOリング、56,56′,56″は
雰囲気ガス入口、57,57′,57″は雰囲気ガ
ス出口、58は絞り、59は基板を各々示す。ま
た、60は石英管50の内部の雰囲気室を示す。
鏡、43および44はハロゲンランプ、45は種
結晶、46は素材棒、47は溶融部、48および
49は各々種結晶45と素材棒46のための保持
棒、50は石英管、51および52は石英管50
の保持筒、53,53′は簡易なシール、54,
55,55′はOリング、56,56′,56″は
雰囲気ガス入口、57,57′,57″は雰囲気ガ
ス出口、58は絞り、59は基板を各々示す。ま
た、60は石英管50の内部の雰囲気室を示す。
2個の焦点F1とF2およびF1′とF2′を持つ2個の
回転楕円面鏡41と42が、F2とF2′が一致する
ように対向して設けられており、F1およびF1′上
に設けられた2個のハロゲンランプ43および4
4の光をF2,F2′に集中して、試料を加熱溶融し
てフローテイングゾーン方式で結晶を成長させる
ことができる。
回転楕円面鏡41と42が、F2とF2′が一致する
ように対向して設けられており、F1およびF1′上
に設けられた2個のハロゲンランプ43および4
4の光をF2,F2′に集中して、試料を加熱溶融し
てフローテイングゾーン方式で結晶を成長させる
ことができる。
回転楕円面鏡41と42の内部はOリング5
4,55,55′によりシールされ密閉されてい
る。(回転楕円面鏡42は回転楕円面鏡41から
とりはずしができる。)なお、ハロゲンランプ4
3,44のソケツト部は図示されていないが、O
リングあるいはハーメチツクシール等によりシー
ルされている。
4,55,55′によりシールされ密閉されてい
る。(回転楕円面鏡42は回転楕円面鏡41から
とりはずしができる。)なお、ハロゲンランプ4
3,44のソケツト部は図示されていないが、O
リングあるいはハーメチツクシール等によりシー
ルされている。
石英管50はこのようにして密閉された回転楕
円面鏡41,42の中に設けられている。さら
に、簡易なシール53,53′により石英管50
の中の雰囲気ガスが回転楕円面鏡41,42の内
部に入らないようにシールされている。従つて、
溶融部47から蒸発した蒸気が回転楕円面鏡4
1,42の反射面に付着して反射効率を低下させ
ることを防止することができる。
円面鏡41,42の中に設けられている。さら
に、簡易なシール53,53′により石英管50
の中の雰囲気ガスが回転楕円面鏡41,42の内
部に入らないようにシールされている。従つて、
溶融部47から蒸発した蒸気が回転楕円面鏡4
1,42の反射面に付着して反射効率を低下させ
ることを防止することができる。
第2図の実施例と同様に、雰囲気ガスは雰囲気
ガス入口35から35′,35″に分岐して雰囲気
室60の内部と回転楕円面鏡41および42で形
成される空洞の両方に導入される。従つて、石英
管50の両端のシール53,53′は第3図に示
されたような簡易なもので良い。また、絞り58
を設けることにより、第2図の実施例と同様に回
転楕円面鏡41,42の内部の圧力が雰囲気室6
0の内部の圧力よりも高くなるので、溶融部47
からの蒸発物が雰囲気室60から回転楕円面鏡4
1,42の内部に漏洩することを完全に防止する
ことができる。しかし、この絞り58は省略して
も通常は支障がない場合が多い。
ガス入口35から35′,35″に分岐して雰囲気
室60の内部と回転楕円面鏡41および42で形
成される空洞の両方に導入される。従つて、石英
管50の両端のシール53,53′は第3図に示
されたような簡易なもので良い。また、絞り58
を設けることにより、第2図の実施例と同様に回
転楕円面鏡41,42の内部の圧力が雰囲気室6
0の内部の圧力よりも高くなるので、溶融部47
からの蒸発物が雰囲気室60から回転楕円面鏡4
1,42の内部に漏洩することを完全に防止する
ことができる。しかし、この絞り58は省略して
も通常は支障がない場合が多い。
第5図の実施例においても第2図の実施例と同
様に、石英管50が外部に露出していないので、
オペレータが本装置の運転中に誤つて石英管50
を破壊するような事故は起り得ない。また、石英
管50が雰囲気の圧力あるいは高温等によつて破
裂した場合にも、石英管の破片、有毒な雰囲気ガ
ス、有毒な蒸発物等が外部に洩れることがない。
さらに、石英管50の交換を第4図に示した手順
で、第2図の実施例の場合と同様に極めて容易に
行うことができる。
様に、石英管50が外部に露出していないので、
オペレータが本装置の運転中に誤つて石英管50
を破壊するような事故は起り得ない。また、石英
管50が雰囲気の圧力あるいは高温等によつて破
裂した場合にも、石英管の破片、有毒な雰囲気ガ
ス、有毒な蒸発物等が外部に洩れることがない。
さらに、石英管50の交換を第4図に示した手順
で、第2図の実施例の場合と同様に極めて容易に
行うことができる。
このように、第5図の実施例においても安全
性、操作性の優れた輻射線加熱装置が実現されて
いる。
性、操作性の優れた輻射線加熱装置が実現されて
いる。
以上の説明では光源としてハロゲンランプを使
用した場合を示したが、キセノンランプ、水銀ラ
ンプ等任意のランプを光源として使用した場合に
も本考案の効果が全く同等に得られることは明白
である。
用した場合を示したが、キセノンランプ、水銀ラ
ンプ等任意のランプを光源として使用した場合に
も本考案の効果が全く同等に得られることは明白
である。
また、第1図、第2図、第3図の実施例におい
ては保持棒7および8、あるいは27および28
あるいは48および49をゆつくり下方に移動さ
せる場合について説明したが、回転楕円面鏡1、
あるいは21あるいは51および52を移動させ
て結晶成長を行うことも可能であり、このような
場合にも本考案の効果は全て同様に発揮される。
ては保持棒7および8、あるいは27および28
あるいは48および49をゆつくり下方に移動さ
せる場合について説明したが、回転楕円面鏡1、
あるいは21あるいは51および52を移動させ
て結晶成長を行うことも可能であり、このような
場合にも本考案の効果は全て同様に発揮される。
さらに、以上の説明では輻射線加熱装置をフロ
ーテイングゾーン方式の結晶成長に適用した場合
について説明したが、それ以外の方法の結晶成長
(例えばエピタキシアル成長等)、試料の溶解、試
料の加熱等に適用した場合でも本考案の効果が全
く同様に得られることは明白である。
ーテイングゾーン方式の結晶成長に適用した場合
について説明したが、それ以外の方法の結晶成長
(例えばエピタキシアル成長等)、試料の溶解、試
料の加熱等に適用した場合でも本考案の効果が全
く同様に得られることは明白である。
また、石英管29あるいは50の両端のシール
32,32′あるいは53,53′の一実施例を第
3図に示したが、このシールの形状は種々のもの
が考えられる。しかし、本考案の効果はこのシー
ルの形状には依存しない。
32,32′あるいは53,53′の一実施例を第
3図に示したが、このシールの形状は種々のもの
が考えられる。しかし、本考案の効果はこのシー
ルの形状には依存しない。
また第2図および第5図において回転楕円面鏡
の一部22あるいは42が取はずし可能であると
述べたが、これらの部分が蝶番等で回転楕円面鏡
の残りの部分に開閉可能なように取付けられてい
ても良い。
の一部22あるいは42が取はずし可能であると
述べたが、これらの部分が蝶番等で回転楕円面鏡
の残りの部分に開閉可能なように取付けられてい
ても良い。
第1図は従来の輻射線加熱装置の一実施例で、
1は回転楕円面鏡、3はハロゲンランプ、4は種
結晶、5は素材棒、6は溶融部、9は石英管、1
2,12′,13,13′,14,14′はOリン
グ、15は雰囲気ガス入口、16は雰囲気ガス出
口、19は雰囲気室を各々示す。第2図は本考案
の一実施例で、21は回転楕円面鏡、23はハロ
ゲンランプ、24は種結晶、25は素材棒、26
は溶融部、29は石英管、32,32′は簡易な
シール、33,34,34′はOリング、35は
雰囲気ガス入口、36は雰囲気ガス出口、39は
雰囲気室を各々示す。第3図は第2図における石
英管29の両端をシールする簡易なシール32の
一実施例の拡大図である。 第4図は第2図の実施例において石英管29を
交換する手順を説明するための図で、番号は第2
図と共通である。第5図は本考案のもう一つの実
施例で、41,42は回転楕円面鏡、43,44
はハロゲンランプ、45は種結晶、46は素材
棒、50は石英管、53,53′は簡易なシール、
54,55,55′はOリング、56は雰囲気ガ
ス入口、57は雰囲気ガス出口、60は雰囲気室
を各々示す。
1は回転楕円面鏡、3はハロゲンランプ、4は種
結晶、5は素材棒、6は溶融部、9は石英管、1
2,12′,13,13′,14,14′はOリン
グ、15は雰囲気ガス入口、16は雰囲気ガス出
口、19は雰囲気室を各々示す。第2図は本考案
の一実施例で、21は回転楕円面鏡、23はハロ
ゲンランプ、24は種結晶、25は素材棒、26
は溶融部、29は石英管、32,32′は簡易な
シール、33,34,34′はOリング、35は
雰囲気ガス入口、36は雰囲気ガス出口、39は
雰囲気室を各々示す。第3図は第2図における石
英管29の両端をシールする簡易なシール32の
一実施例の拡大図である。 第4図は第2図の実施例において石英管29を
交換する手順を説明するための図で、番号は第2
図と共通である。第5図は本考案のもう一つの実
施例で、41,42は回転楕円面鏡、43,44
はハロゲンランプ、45は種結晶、46は素材
棒、50は石英管、53,53′は簡易なシール、
54,55,55′はOリング、56は雰囲気ガ
ス入口、57は雰囲気ガス出口、60は雰囲気室
を各々示す。
Claims (1)
- 1個または複数個の回転楕円面鏡の一方に焦点
に光源を設け、他方の焦点にその光を集中して、
着脱可能な耐熱性のガラス管の内部に設けられた
被加熱物を加熱する如き輻射線加熱装置におい
て、上記回転楕円面鏡で囲まれた空洞内に着脱可
能な上記ガラス管を設置し前記空洞及びガラス管
に雰囲気ガスを導入する構造と空洞及びガラス管
から雰囲気ガスを排出する構造を有することを特
徴とする輻射線加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7796681U JPS645355Y2 (ja) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7796681U JPS645355Y2 (ja) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188876U JPS57188876U (ja) | 1982-11-30 |
| JPS645355Y2 true JPS645355Y2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=29873607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7796681U Expired JPS645355Y2 (ja) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS645355Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-05-28 JP JP7796681U patent/JPS645355Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188876U (ja) | 1982-11-30 |
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