JPS6454329U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6454329U JPS6454329U JP14962187U JP14962187U JPS6454329U JP S6454329 U JPS6454329 U JP S6454329U JP 14962187 U JP14962187 U JP 14962187U JP 14962187 U JP14962187 U JP 14962187U JP S6454329 U JPS6454329 U JP S6454329U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- region
- compound semiconductor
- film forming
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案化合物半導体用成膜装置の概略
図、第２図は本考案に係るガス噴出板の斜視図、
第３図は従来の化合物半導体用成膜装置の概略図
である。 １，７……反応室、２……有機金属ガス導入管
、３……ハイドライドガス導入管、４……サセプ
タ、５……成膜用基板、８……ガス導入室、９…
…気相成長室、１０……ガス噴出板。
図、第２図は本考案に係るガス噴出板の斜視図、
第３図は従来の化合物半導体用成膜装置の概略図
である。 １，７……反応室、２……有機金属ガス導入管
、３……ハイドライドガス導入管、４……サセプ
タ、５……成膜用基板、８……ガス導入室、９…
…気相成長室、１０……ガス噴出板。
Claims (1)
- 少なくとも第１のガスと第２のガスから成る化
合物半導体生成用ガスを反応室内部に導入し、該
ガスを分解して化合物半導体を気相成長させる化
合物半導体用成膜装置において、前記反応室が前
記ガス導入用の第１の領域と気相成長用の第２の
領域とから成り、第１の領域と第２の領域の境に
複数のガス通過孔を形成したことを特徴とする化
合物半導体用成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14962187U JPS6454329U (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14962187U JPS6454329U (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6454329U true JPS6454329U (ja) | 1989-04-04 |
Family
ID=31422017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14962187U Pending JPS6454329U (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6454329U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7632093B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pyrolysis furnace having gas flowing path controller |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP14962187U patent/JPS6454329U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7632093B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pyrolysis furnace having gas flowing path controller |