JPS62148574U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62148574U JPS62148574U JP1986036403U JP3640386U JPS62148574U JP S62148574 U JPS62148574 U JP S62148574U JP 1986036403 U JP1986036403 U JP 1986036403U JP 3640386 U JP3640386 U JP 3640386U JP S62148574 U JPS62148574 U JP S62148574U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- material gas
- grown
- inlet pipe
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案にかかるＭＯＣＶＤ装置の断面
図、第２図はその冷却管部分の斜視図、第３図は
従来のＭＯＣＶＤ装置の断面図である。 図において、１は縦型反応管、２は被成長結晶
基板（ウエハー）、３はサセプタ、４は高周波加
熱コイル、５は真空排気口、６は第１原料ガス流
入口、７は加熱炉、８は第２原料ガス流入口、９
は第２原料ガスの導入管、１０は第２原料ガスの
噴出口、１１は冷却管、を示している。
図、第２図はその冷却管部分の斜視図、第３図は
従来のＭＯＣＶＤ装置の断面図である。 図において、１は縦型反応管、２は被成長結晶
基板（ウエハー）、３はサセプタ、４は高周波加
熱コイル、５は真空排気口、６は第１原料ガス流
入口、７は加熱炉、８は第２原料ガス流入口、９
は第２原料ガスの導入管、１０は第２原料ガスの
噴出口、１１は冷却管、を示している。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 加熱した第１原料ガスが後方より送り込ま
れて、第２原料ガスの噴出口が被成長結晶基板面
に近接して設けられ、前記第１および第２の原料
ガスを混合して被成長結晶基板面に結晶層を成長
させる構造の有機金属気相成長装置であつて、前
記加熱した第１原料ガスに接する第２原料ガスの
噴出口および該噴出口の導入管部分を、冷却体で
被覆して冷却するようにした構造を具備してなる
ことを特徴とする有機金属気相成長装置。 (2) 上記冷却体が第２原料ガスの噴出口および
該噴出口の導入管部分を取り巻く冷却管であるこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記
載の有機金属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986036403U JPS62148574U (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986036403U JPS62148574U (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62148574U true JPS62148574U (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=30846773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986036403U Pending JPS62148574U (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62148574U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060369A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP1986036403U patent/JPS62148574U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060369A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法 |
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