JPS645735B2 - - Google Patents

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JPS645735B2
JPS645735B2 JP55143753A JP14375380A JPS645735B2 JP S645735 B2 JPS645735 B2 JP S645735B2 JP 55143753 A JP55143753 A JP 55143753A JP 14375380 A JP14375380 A JP 14375380A JP S645735 B2 JPS645735 B2 JP S645735B2
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Koninklijke Philips Electronics NV
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は無機物質を含有する出発混合物に、あ
とで燃焼により除去される重合体有機物質を添加
する無機物質の成形物および層の製造方法に関す
るものである。
ここに成形物とは、例えば成形したセラミツク
物品を意味するものとする。無機物質が関係する
場合においては、成形物は例えばフエライトを基
にして製造される。これ等の場合、重合体物質は
例えば結合剤として成立つ。西独公開特許第
2509696号には、例えば焼結セラミツクの製造方
法が記載されており、この方法では焼結し得るセ
ラミツク物質および可燃性有機結合剤を含有する
セラミツクブランクを加熱して有機結合剤を分解
する。
また無機物質の層と称するは、例えば螢光スク
リーンの螢光層を意味するものとする。英国特許
第1135656号明細書および西独公開特許第1948017
号明細書には、例えば陰極線管用螢光スクリーン
の製造方法が記載されている。西独公開特許第
1948017号に記載されている方法においては、螢
光スクリーン支持体上に被着する沈降液中に導入
する螢光物質を螢光スクリーン支持体上に堆積さ
せる。例えば0.2〜1%ポリビニルアルコール溶
液を沈降液として使用する。螢光物質が支持体上
に沈降した後、沈降液をデカンテーシヨンする。
然る後、螢光スクリーンを乾燥し、次いで約1時
間半乃至2時間約430℃の温度で加熱する。英国
特許第1135656号明細書によると、カラー受像管
の螢光スクリーン用の複数の螢光物質のドツトパ
ターンの製造方法には、個々の螢光スクリーン成
分を組込んだ感光性抵抗成分の連続する層を形成
することおよびかかる螢光物質用の有機結合剤を
除去することが含まれる。かかる螢光スクリーン
の個々の色成分(赤、青、緑)を形成するための
螢光物質をスクリーン表面上に、かかる物質を含
有する感光性フイルムの所定領域を化学線に露出
し、次いでこの露出したフイルムを現像して個々
の螢光物質を形成することにより1つずつ被着す
る。使用する螢光物質を含有する感光性被覆組成
物は、就中有機コロイド、感光剤および螢光物質
を含有する。被覆組成物の約2〜5%を形成する
有機コロイドはコロイド状ポリビニルアルコール
またはコロイド状ポリ酢酸ビニルとすることがで
きる。またこの方法では螢光スクリーンを最後に
加熱して複合抵抗層の光で硬化したポリビニルア
ルコールまたは他の有機コロイドを揮発させ除去
し、緑、青および赤の螢光物質成分から成る所望
パターンが三つ組または線パターンとしてあとに
残る。
米国特許第3856518号(西独特許第1358147号に
対応する)明細書からカラーテレビジヨン受像管
の受像スクリーンの電子写真製造において、加熱
により除去することができる導電性層と光電導性
層を受像管のフエースプレート上の導電性層上に
被着し、然る後第1のパターンおよび次のパター
ンの螢光物質成分並びに螢光物質成分間の光吸収
層を電子写真的に被着し、然る後フエースプレー
トを加熱して導電性層および光電導性層を除去す
る。
導電性層は通常重合体、例えばポリ−ジアリル
−ジメチルアンモニウムクロリド、ポリビニルベ
ンジル−トリメチル−アンモニウムクロリド、ス
チレンとマレイン酸ナトリウム若しくはカリウム
との共重合体および第三アミンで四級化したポリ
エピクロルヒドリンから成る。光導電性層は通常
重合体、例えばポリ−N−ビニルカルバゾール
(PVK)、ポリ−アセナフチレンおよびポリ−9
−アクリロイルカルバゾールから成る。これ等の
物質は通常溶液の形態でフエースプレートまたは
前の層上に被着し、然る後溶媒を蒸発させる。通
常の溶媒はクロルベンゼン、テトラヒドロフラン
(THF)、塩化メチレンまたはテトラクロロエタ
ン(PVK用)、トルエンまたはクロロホルム(ポ
リアセナフチレン用)およびベンゼンまたはクロ
ロホルム(ポリ−9−アクリロイルカルバゾール
用)である。
重合体物質、例えば結合剤、沈降液、導電性層
および光電導性層のベーキングは通常約450℃で
熱処理することにより行い、ベーキング温度は物
質の形により左右され、即ち成形物および層に含
まれる重合体物質の分解温度により決まる。これ
は大きい高価な炉を必要とするので、エネルギー
の費用がかなりかかる。更に、ベーキング温度が
高いとしばしば成形物が収縮するかまたはフエー
スプレートがゆがみ、フエースプレートと孔のマ
スクとの間の距離を局部的に変える。更に不良品
の数が多くなるか、または高い後処理費用がかか
る。
本発明の目的は重合体有機物質、例えば前記結
合剤、沈降液、導電性および光電導性物質のベー
キングを促進し、ベーキングを比較的低温度で実
施せんとするにある。
重合体成分を消失させる本質的に酸化分解であ
るベーキングをこれまで知られているより低い温
度で、(a)ベーキング期間を一層長くすることな
く、(b)成形物および層の特性に有害な影響を与え
ることなく、実施する優れたベーキング処理を提
供しなければならない。
本発明において、この目的は無機物質を含有す
る出発混合物に、あとで燃焼により除去される重
合体有機物質を添加する無機物質の成形物および
層の製造方法において、次の一般式 MRo (式中のMはV〓、Mo〓、Mo〓、Io〓、Ca、Cp〓、Ni
〓、(VO)〓または(VO)〓、nは2または3、R
はポリ不飽和化合物、アミノアルコール、カルボ
ン酸、ヒドロキシカルボン酸、メルカプトカルボ
ン酸、エノール化性ケトン、ケトオキシム、アル
ドオキシム、アミンおよびフオスフインから成る
群から選ばれた化合物の有機残基を示す)で表わ
され、150〜420℃に加熱する場合Mの酸化物にな
り得る金属有機化合物の少くとも1種を、出発混
合物に溶解するかまたは溶解した状態で出発混合
物に添加することを特徴とする無機物質の成形物
および層を製造する方法により達成される。
ベーキング中実際に有効である成分は金属酸化
物である。この酸化物は重合体有機物質に適当で
ある溶媒、例えばクロルベンゼンまたはテトラヒ
ドロフランに不溶性であるので、これ等の溶媒に
適当に可溶性であり、ベーキング中酸化物になる
金属有機化合物を選定してこの酸化物が成形物中
または層中に均一に分子状で分布しベーキングを
最大限に促進させるようにする。
ここで「適当に可溶性」と称するは、本発明の
範囲内で1〜10%(wt/wt)の溶解度を意味す
るものとする。
炭素および水素だけでなく、酸素および/また
は窒素を含有する物質を前記種類の有機物質から
選定するのが好ましい。尚他の元素、例えば硫黄
または燐を含む化合物は酸化分解中形成する副生
成物、例えば二酸化硫黄および燐の酸化物のため
あまり好ましくない。
好適な化合物を例示すると、金属オクトエート
および金属ナフテネート並びにアセチルアセトネ
ート、酢酸エステルおよびジメチルグリオキシム
の金属化合物がある。特に好ましい化合物はマン
ガン()アセチルアセトネートMn(C5H7O23
バナジウムオキシアセチルアセトネートVO
(C5H7O22、バナジウムアセチルアセトネートV
(C5H7O23、トリス−(ジメチルアミノ)−バナジ
ルVO〔N(CH32〕である。
ベーキング温度は金属有機化合物の濃度が高く
なるに従つて低下する。重合体有機物質の重量に
対して計算して0.5〜3%の濃度で使用するのが
好ましい。
金属有機化合物の定性的および定量的選定にお
いて、重合体物質、例えば結合剤、沈降液、導電
性層および光電導層の性質がベーキング前に全く
影響されないかまたは極く僅かしか影響されない
ように注意すべきである。この選定を可能にする
ため、補助的試験によりポリ−N−ビニルカルバ
ゾールの光電導性に対する、選定した化合物の負
の影響の大きさを見出すことが簡単である。更
に、選定した金属有機化合物の分解温度を補助的
試験により簡単な方法で測定することができる。
本発明の方法の利点は、特に光電導性物質を溶
解するため少量の金属有機化合物を単に添加する
だけでベーキングの問題を解決し、成形物および
層の製造操作を変える必要がないことに存する。
本発明を次の実施例につき説明する。
実施例 1 クロルベンゼン1当り60gのポリ−N−ビニ
ルカルバゾールおよび軟化剤としてのジアルキル
フタレート12gの溶液に、1重量%のマンガン
()−トリス−2,4−ペンタンジオネート(マ
ンガン()アセチルアセトネート)(0.6g)を
添加し、混合物を透明溶液が得られるまで一夜か
きまぜた。
この溶液を用い光電導性層を、既に導電性層で
被覆したフエースプレートに散布したが、クロル
ベンゼンを添加することにより粘度を再調整する
ことが可能であつた。
或いはまた、クロルベンゼンの代りに、THF
および塩化メチレンを使用し、60gのPVKも
THFおよび塩化メチレンを夫々1当り溶解し
た。光電導層は散布しなかつたが、回転法または
ブラジにより塗布した。
高マンガン()−アセチルアセトネート分の
溶液を得るために、上記例とは異なり、高濃度
PVK−軟化剤のフルオルベンゼンまたはTHF溶
液およびマンガン()化合物の濃厚溶液を出発
物質として用いた。この方法でマンガス()−
アセチルアセトネートを溶解する際の困難を回避
した。Mo()化合物の5重量%溶液および100
g/PVK溶液から出発して、これ等の所望量
を混合して約60g/のPVKと3重量%のマン
ガン()化合物(PVKの重量に対して計算し
て)を含有する溶液を得、このようにして得た混
合物を少くとも24時間かきまぜた。
然る後、3種の異なる螢光物質をスクリーンに
電子写真法で被着し、導電性および光電導性の層
をベーキングした。マンガン()化合物を有せ
ぬ層は450℃まで加熱しなければならないが、1
または3重量%のマンガン化合物を有する層は
420℃または400℃まで加熱して有機物質を完全に
除去できた。極めて少量の残留金属酸化物は仕上
つた管において妨害する影響を及ぼさず、即ち螢
光物質の輝度は影響されなかつた。
実施例 2 実施例1に記載した如く、クロルベンゼン1
当り60gのポリ−N−ビニルカルバゾールと20%
の軟化剤を含む溶液に0.6gのバナジウム()
オキシド−ビス(2,4−ペンタンジオネート)
を添加し、混合物を一夜かきまぜた。実施例1と
同様の方法で、この溶液を用いてフエースプレー
トに光電導性層を被着することができた。
また高バナジウムオキシド−トリス−アセチル
アセトネート分を有する溶液を製造することがで
きた。クロルベンゼン(またはTHF)に5重量
%のバナジウム()−オキシド化合物を含む溶
液およびPVKの100g/溶液を製造した。2溶
液を混合して60g/のPVKと3重量%のバナ
ジウム()オキシド−トリス−アセチルアセト
ネートを含む溶液を得、このようにして得た混合
物を少くとも24時間かきまぜた。然る後前述の如
く、3種の異なる螢光物質をスクリーンに塗布
し、導電性および光電導性の層をベーキングし
た。1または3重量%のバナジウム−オキシド化
合物を有する層は低温度(夫々約420℃および約
400℃)で十分ベーキングされた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 無機物質を含有する出発混合物に、あとで燃
    焼により除去される重合体有機物質を添加する無
    機物質の成形物および層の製造方法において、次
    の一般式 MRo (式中のMはV〓、Mo〓、Mo〓、Io〓、Ca、Co〓、
    Ni〓、(VO)〓または(VO)〓、nは2または3、
    Rはポリ不飽和化合物、アミノ酸、カルボン酸、
    ヒドロキシカルボン酸、メルカプトカルボン酸、
    エノール化性ケトン、ケトオキシム、アルドオキ
    シム、アミンおよびホスフインから成る群から選
    ばれた化合物の有機残基を示す)で表わされ、
    150〜420℃に加熱する場合Mの酸化物に変化し得
    る金属有機化合物の少くとも1種を出発混合物に
    溶解するかまたは出発混合物に溶液として添加す
    ることを特徴とする無機物質の成形物および層の
    製造方法。 2 金属有機化合物が炭素および水素だけでな
    く、また酸素および/または窒素を含む特許請求
    の範囲第1項記載の成形物および層の製造方法。 3 金属オクトエート若しくはナフテネート或い
    はアセチルアセトン、酢酸エステルおよびジメチ
    ルグリオキシムの金属化合物を金属有機化合物と
    して使用する特許請求の範囲第2項記載の成形物
    および層の製造方法。 4 マンガン()−アセチルアセトネート、バ
    ナジウムオキシ−アセチルアセトネート、バナジ
    ウムアセチルアセトネートおよび/またはトリス
    −(ジメチルアミノ)−バナジルから成る群から選
    ばれた金属有機化合物の少くとも1種を使用する
    特許請求の範囲第3項記載の成形物および層の製
    造方法。 5 金属有機化合物を、重合体有機物質の重量に
    対して計算して0.5〜3%の濃度で使用する特許
    請求の範囲第1〜4項のいずれかの項に記載の成
    形物および層の製造方法。
JP14375380A 1979-10-18 1980-10-16 Method of manufacturing formed article and layer Granted JPS5665434A (en)

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DE19792942109 DE2942109A1 (de) 1979-10-18 1979-10-18 Verfahren zum herstellen von formkoerpern und schichten aus anorganischen stoffen

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Publication Number Publication Date
JPS5665434A JPS5665434A (en) 1981-06-03
JPS645735B2 true JPS645735B2 (ja) 1989-01-31

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US (1) US4399090A (ja)
EP (1) EP0027673B1 (ja)
JP (1) JPS5665434A (ja)
CA (1) CA1153018A (ja)
DE (2) DE2942109A1 (ja)

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