JPS645740B2 - - Google Patents
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- JPS645740B2 JPS645740B2 JP55149322A JP14932280A JPS645740B2 JP S645740 B2 JPS645740 B2 JP S645740B2 JP 55149322 A JP55149322 A JP 55149322A JP 14932280 A JP14932280 A JP 14932280A JP S645740 B2 JPS645740 B2 JP S645740B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は導電性支持体上に非晶質シリコンを材
料としブロツキング層、感光層、カバー層の３層
構造からなる撮像管用光導電性薄膜に関する。 本発明に於て導電性支持体とはターゲツトのフ
エイス・プレート（ガラス等の透明絶縁材料の
板）の表面に導電性物質（透明電極としては
SnO2、In2O2等）を一様に付着させて導電性を付
与したものである。同様にブロツキング層とは、
電子及び／又は正孔担体に対して障壁を形成し、
感光層への電荷注入を防ぐ層である。 本発明者らは上記した３層構造からなる撮像管
用光導電性薄膜として、特許願昭和55年第057587
号に下記の構成を開示した。 (1) 透明電極（SnO2、In2O2など）上のブロツキ
ング用非晶質シリコン（Ｐドープ）層： 例えば、PH3／SiH450〜500Vppm程度の混
合ガスから作製し、σRT、10-6〜10-12（Ωcm）-1
程度のｎ型非晶質シリコン（Ｐドープ）層であ
る。 (2) 感光層： 例えば、non−doped非晶質シリコン、Ｂ、
またはＰを少量（PH3／SiH4〜10Vppm、
B2H6／SiH4〜10Vppm、程度）ドープしたも
のでそのσRT値が10-8〜10-11（Ωcm）-1のもの。 (3) カバー層としては非晶質カルコゲナイド
（Se、Sb2S3、As2Se3、As2Se1.5Te15など）を
用いる。 しかし上記した様なアモルフアスシリコン（以
下α−Siとする） ホモ接合によるブロツキング層構成においてビ
ジコン型撮像動作を行なう場合、可視光の大部分
はブロツキング層（典型例、Ｐドープａ−Si；
0.2μｍ）にて吸収されてしまい、光電変換効率は
制限されていた。したがつてブロツキング層とし
てａ−Si（Eg〜1.6eV）よりバンドギヤツプの大
きい物質を用いれば、キヤリヤ生成は光電層（Ｂ
ドープａ−Si）にて行なわせることができるよう
になる。すなわち、ヘテロ接合の窓効果を利用す
ることにより光電変換効率を改善することが期待
できる。 上記したことを考慮すれば、ブロツキング層と
しては、正孔を阻止し、電子を良く通過させると
いう要請に基づいたものでなければならない。そ
のためには、ａ−SiとITO膜との間にブロツキン
グ材料により形成される接合障壁が、伝導帯側で
小さく、価電子帯側で大きいことが必要である。
いま、ａ−Si、ブロツキング層、ITO膜の電子親
和力をXsi、XB、XI、バンドキヤツプをESi、EB、
EIとすると、上の条件は、 XSi＜XB XI＋EI＜XB＋EB と表わすことができる。 従つて、ブロツキング材料としては、グロー放
電ａ−Siの作成時に、同一のチヤンバー内で連続
的に薄膜形成のできるものが望ましい。 この様な条件を満たすことができる材料につい
て種々研究を重ねた結果、本発明者等はSi1-xRx、
（Si1-xNx、Si1-xCx又はSi1-xOx）で表わされる材
料を使用するときに所望のブロツキング層を得る
ことができることを見出した。 すなわち、Siの化合物であり式Si1-xRx（Si1-x
Nx、Si1-xCx又は、Si1-xOx）として表わされる絶
縁性薄膜をグロー放電法によりブロツキング層を
成長することによつて極めて光電変換効率の高い
撮像管用光導電性薄膜を得ることができる。 以下本発明に係るグロー放電分解法による撮像
管用光導電性薄膜の製造方法を詳細に説明する。 (1) 透明電極作成工程： ガラスフエイスプレート（１インチ又は2/3
インチ直径）上にIn2O3：Sn5％（ITO）を電
子ビームにて蒸着し、空気中で加熱処理するこ
とによつて透明電極を設ける（100Ω／□、透
過率80％）。 (2) ブロツキング層成長工程： 前記透明電極上にブロツキング層として、ａ
−Si1-yNyを成長させる。（作成条件の詳細に後
述する。） (3) 感光層成長工程： 前記ブロツキング層上に感光層として、全く
ドーピングしなかつたａ−Si、Ｐを少量ドーピ
ングしたａ−Si（Ｐ−10≡PH3／SiH410ppm）、
またはＢを少量ドーピングしたａ−Si（Ｂ−10、
20≡B2H6／SiH4 10、20ppm）膜を成長させ
る。 (4) カバー層成長工程： (a) 前記感光層上にカバー層としてａ−カルコ
ゲナイド（as2Se1.5Te1.5）を成長させるか、
または (b) 前記感光層上にカバー層としてａ−Si1-y
Ny膜を成長させる。（作成条件は前記(2)ａと
同一である。） 実施例 以上述べた(1)〜(4)の製造工程に従つてグロー放
電分解法により表−に示した種々の３層構造の
撮像管用光導電性薄膜を作成した。
料としブロツキング層、感光層、カバー層の３層
構造からなる撮像管用光導電性薄膜に関する。 本発明に於て導電性支持体とはターゲツトのフ
エイス・プレート（ガラス等の透明絶縁材料の
板）の表面に導電性物質（透明電極としては
SnO2、In2O2等）を一様に付着させて導電性を付
与したものである。同様にブロツキング層とは、
電子及び／又は正孔担体に対して障壁を形成し、
感光層への電荷注入を防ぐ層である。 本発明者らは上記した３層構造からなる撮像管
用光導電性薄膜として、特許願昭和55年第057587
号に下記の構成を開示した。 (1) 透明電極（SnO2、In2O2など）上のブロツキ
ング用非晶質シリコン（Ｐドープ）層： 例えば、PH3／SiH450〜500Vppm程度の混
合ガスから作製し、σRT、10-6〜10-12（Ωcm）-1
程度のｎ型非晶質シリコン（Ｐドープ）層であ
る。 (2) 感光層： 例えば、non−doped非晶質シリコン、Ｂ、
またはＰを少量（PH3／SiH4〜10Vppm、
B2H6／SiH4〜10Vppm、程度）ドープしたも
のでそのσRT値が10-8〜10-11（Ωcm）-1のもの。 (3) カバー層としては非晶質カルコゲナイド
（Se、Sb2S3、As2Se3、As2Se1.5Te15など）を
用いる。 しかし上記した様なアモルフアスシリコン（以
下α−Siとする） ホモ接合によるブロツキング層構成においてビ
ジコン型撮像動作を行なう場合、可視光の大部分
はブロツキング層（典型例、Ｐドープａ−Si；
0.2μｍ）にて吸収されてしまい、光電変換効率は
制限されていた。したがつてブロツキング層とし
てａ−Si（Eg〜1.6eV）よりバンドギヤツプの大
きい物質を用いれば、キヤリヤ生成は光電層（Ｂ
ドープａ−Si）にて行なわせることができるよう
になる。すなわち、ヘテロ接合の窓効果を利用す
ることにより光電変換効率を改善することが期待
できる。 上記したことを考慮すれば、ブロツキング層と
しては、正孔を阻止し、電子を良く通過させると
いう要請に基づいたものでなければならない。そ
のためには、ａ−SiとITO膜との間にブロツキン
グ材料により形成される接合障壁が、伝導帯側で
小さく、価電子帯側で大きいことが必要である。
いま、ａ−Si、ブロツキング層、ITO膜の電子親
和力をXsi、XB、XI、バンドキヤツプをESi、EB、
EIとすると、上の条件は、 XSi＜XB XI＋EI＜XB＋EB と表わすことができる。 従つて、ブロツキング材料としては、グロー放
電ａ−Siの作成時に、同一のチヤンバー内で連続
的に薄膜形成のできるものが望ましい。 この様な条件を満たすことができる材料につい
て種々研究を重ねた結果、本発明者等はSi1-xRx、
（Si1-xNx、Si1-xCx又はSi1-xOx）で表わされる材
料を使用するときに所望のブロツキング層を得る
ことができることを見出した。 すなわち、Siの化合物であり式Si1-xRx（Si1-x
Nx、Si1-xCx又は、Si1-xOx）として表わされる絶
縁性薄膜をグロー放電法によりブロツキング層を
成長することによつて極めて光電変換効率の高い
撮像管用光導電性薄膜を得ることができる。 以下本発明に係るグロー放電分解法による撮像
管用光導電性薄膜の製造方法を詳細に説明する。 (1) 透明電極作成工程： ガラスフエイスプレート（１インチ又は2/3
インチ直径）上にIn2O3：Sn5％（ITO）を電
子ビームにて蒸着し、空気中で加熱処理するこ
とによつて透明電極を設ける（100Ω／□、透
過率80％）。 (2) ブロツキング層成長工程： 前記透明電極上にブロツキング層として、ａ
−Si1-yNyを成長させる。（作成条件の詳細に後
述する。） (3) 感光層成長工程： 前記ブロツキング層上に感光層として、全く
ドーピングしなかつたａ−Si、Ｐを少量ドーピ
ングしたａ−Si（Ｐ−10≡PH3／SiH410ppm）、
またはＢを少量ドーピングしたａ−Si（Ｂ−10、
20≡B2H6／SiH4 10、20ppm）膜を成長させ
る。 (4) カバー層成長工程： (a) 前記感光層上にカバー層としてａ−カルコ
ゲナイド（as2Se1.5Te1.5）を成長させるか、
または (b) 前記感光層上にカバー層としてａ−Si1-y
Ny膜を成長させる。（作成条件は前記(2)ａと
同一である。） 実施例 以上述べた(1)〜(4)の製造工程に従つてグロー放
電分解法により表−に示した種々の３層構造の
撮像管用光導電性薄膜を作成した。
【表】
まず表１に示したNo.１からNo.４までの撮像管用
光導電性薄膜について説明する。No.１からNo.４ま
での薄膜はａ−Si1-xNxの薄膜50〜1000Åとして
その上に感光層としてａ−Si（Ｂ−10）：1.5μｍ及
びカバー層としてAs2Se1.5Te1.5：0.2μｍを成長さ
せたものである。 ここで実験したａ−Si1-xNx（ｘ＜１）で表わさ
れる薄膜は、ａ−SiNの化学組成及びガス混合比
によりその電気的・光学的特性が異なる。 以下に示す表２はグロー放電分解装置内でのａ
−Si1-xNx膜の作成条件であり、表３はガス混合
比（SiH4／SiH4＋N2）と得られたａ−Si膜の光
学ギヤツプ（EgcpteV）、60℃における導電率
（σ60（Ωcm）-1）、σ＝σ0exp（−ΔE／RT）関係式
より求めたσ0値およびΔE（eV）値を示す。
光導電性薄膜について説明する。No.１からNo.４ま
での薄膜はａ−Si1-xNxの薄膜50〜1000Åとして
その上に感光層としてａ−Si（Ｂ−10）：1.5μｍ及
びカバー層としてAs2Se1.5Te1.5：0.2μｍを成長さ
せたものである。 ここで実験したａ−Si1-xNx（ｘ＜１）で表わさ
れる薄膜は、ａ−SiNの化学組成及びガス混合比
によりその電気的・光学的特性が異なる。 以下に示す表２はグロー放電分解装置内でのａ
−Si1-xNx膜の作成条件であり、表３はガス混合
比（SiH4／SiH4＋N2）と得られたａ−Si膜の光
学ギヤツプ（EgcpteV）、60℃における導電率
（σ60（Ωcm）-1）、σ＝σ0exp（−ΔE／RT）関係式
より求めたσ0値およびΔE（eV）値を示す。
【表】
【表】
表３から理解できるようにN2の含有量の増加
と共に光学的バンド幅が増加し、ガス混合比
（SiH4／SiH4＋N2）が１／100になると光学的バ
ンド幅が3eV以上、60℃における導電率が10-14
以下の透明な絶縁層が得られる。 したがつて前記した製造方法の工程(1)上に工程
(2)(a)のブロツキング層を成長させる作成条件とし
て表２に示した雰囲気に於てSiH4／SiH4＋N2の
ガス混合比を１／100とし、そのブロツキング層
膜厚を、No.（50Å）、No.２（100Å）、No.３（300Å
）、
及びNo.４（1000Å）とし、その上に感光層として
α−Si（Ｂ−10）：1.2μｍ、カバー層として
As2Se1.5Te1.5：0.2μｍを成長させて得た各撮像管
用光導電性薄膜の、暗電流及び一定照度（4luxcm
-2）照射下での光信号電流特性を第２図に示す。 第２図に示した暗電流対ターゲツト電圧特性曲
線に於て低いターゲツト電圧領域で鋭い電流の増
加とその飽和が認められるが、これは電子銃から
の輻射線によるもので上記した各薄膜の本質的な
特性ではない。 ａ−Si1-xNx膜厚はNo.１（50Å）からNo.３（300
Å）までは暗電流、光信号電流特性に大きな変化
は認められない。膜厚がNo.４（1000Å）になると
暗電流値が減少すると同時に、光電流値の飽和の
認められるターゲツト電圧が10V程度まで上昇す
る。これはブロツキング層で電圧降下が生じ、感
光層は有効な電界が印加されず、ターゲツト電圧
が10V近傍ではじめて光正孔の生成、輸送に必要
な電界がａ−Si層に印加されるためである。 暗電流（id）のターゲツト電圧（VT）依存性
は、 id∝VT 2 の関係が、可成り広いターゲツト電圧領域で認め
られる。この事から暗電流はブロツキング層を流
れる空間電荷制限電流（SCLC）に支配される傾
向が認めらる。 光電流挙動は、良好なブロツキングが行なわれ
た半導体に特有な初期光電流挙動に特有なターゲ
ツト電圧に依存せず、光信号電流は入射光強度に
ほぼ比例する。 上記した各薄膜の分光感度特性を第３図に示
す。第３図から容易に理解できるように、ブロツ
キング層としてａ−Si1-xNx膜を使用した場合、
No.１〜No.４の薄膜は異なる膜厚（50〜1000Å）を
有するにも拘らずその光感度特性に大きな差異は
認められない。これは、ブロツキング層の光透過
率が可視光領域全体に渡つて高く、ブロツキング
層での光信号損失が極めて小さいためである。ま
た青色光（短波長光）に於ても感度の低下が小さ
い。またこの第３図はａ−Siの反射率（600nｍに
て36％）は考慮して作成していないので実際のゲ
インは図に示したよりも改善される。 以上述べた様に、本発明に係る撮像管用光導電
性薄膜はそのブロツキング層をグロー放電分解法
により成長させたSi1-xNx（ｘ＜１）で表わされる
絶縁性薄膜を、特にその作成条件として表２に示
した雰囲気に於てSiH4／SiH4＋N2のガス混合比
を1/100以上として、成長させることにより、撮
像管用光導電性薄膜としての電気的、光学的特性
を満足するものを得ることができる。 上記した薄膜を用いてビジコンを構成し、得ら
れたモニタ画像、焼き付け、残像等を測定したと
ころ、上記諸特性を裏付ける良好な結果が得られ
た。 上記結果に基づき、更に電子ビーム走査側のカ
バー層も同じグロー放電反応管内で作製出来れ
ば、作製作業上、並びに封管時の熱処理など作業
上好適である。したがつて表１No.５に示した様な
構造の薄膜を作成しその暗電流（光信号電流）対
ターゲツト電圧特性を測定した（作成条件は、表
２に示した条件と同一である）その結果を、第４
図に示す。 図中破線で示したのはNo.２の薄膜の特性であ
り、比較のために示した。図から理解できるよう
にNo.５の薄膜の暗電流、光信号電流値が、ターゲ
ツト電圧が20V近傍でNo.１の薄膜のそれらに近づ
いている。これ以上ターゲツト電圧を増加させる
と電子線のチヤージアツプと同様に暗電流が減少
すると同時に撮像機能が失なわれる。この傾向
は、カバー層の膜厚を100Åとした場合も同様に
認められた。 以上の事からカバー層にａ−Si1-yNyを用いた
撮像管用光導電性薄膜はターゲツト電圧を狭い許
容値内として使用すればその機能を果すことがで
きる。 以上、本発明の実施例としてブロツキング層及
びカバー層としてグロー放電分解法により成長
Si1-xNxで表わされる絶縁性薄膜を使用した場合
について説明したが、同様のSiの化合物である
Si1-xCx；ｘ≒0.7及びSiO2を同一の、グロー放電
分解法によりブロツキング層及びカバー層として
成長させて撮像管用光導電性薄膜を作成しても同
様の結果が得られる。
と共に光学的バンド幅が増加し、ガス混合比
（SiH4／SiH4＋N2）が１／100になると光学的バ
ンド幅が3eV以上、60℃における導電率が10-14
以下の透明な絶縁層が得られる。 したがつて前記した製造方法の工程(1)上に工程
(2)(a)のブロツキング層を成長させる作成条件とし
て表２に示した雰囲気に於てSiH4／SiH4＋N2の
ガス混合比を１／100とし、そのブロツキング層
膜厚を、No.（50Å）、No.２（100Å）、No.３（300Å
）、
及びNo.４（1000Å）とし、その上に感光層として
α−Si（Ｂ−10）：1.2μｍ、カバー層として
As2Se1.5Te1.5：0.2μｍを成長させて得た各撮像管
用光導電性薄膜の、暗電流及び一定照度（4luxcm
-2）照射下での光信号電流特性を第２図に示す。 第２図に示した暗電流対ターゲツト電圧特性曲
線に於て低いターゲツト電圧領域で鋭い電流の増
加とその飽和が認められるが、これは電子銃から
の輻射線によるもので上記した各薄膜の本質的な
特性ではない。 ａ−Si1-xNx膜厚はNo.１（50Å）からNo.３（300
Å）までは暗電流、光信号電流特性に大きな変化
は認められない。膜厚がNo.４（1000Å）になると
暗電流値が減少すると同時に、光電流値の飽和の
認められるターゲツト電圧が10V程度まで上昇す
る。これはブロツキング層で電圧降下が生じ、感
光層は有効な電界が印加されず、ターゲツト電圧
が10V近傍ではじめて光正孔の生成、輸送に必要
な電界がａ−Si層に印加されるためである。 暗電流（id）のターゲツト電圧（VT）依存性
は、 id∝VT 2 の関係が、可成り広いターゲツト電圧領域で認め
られる。この事から暗電流はブロツキング層を流
れる空間電荷制限電流（SCLC）に支配される傾
向が認めらる。 光電流挙動は、良好なブロツキングが行なわれ
た半導体に特有な初期光電流挙動に特有なターゲ
ツト電圧に依存せず、光信号電流は入射光強度に
ほぼ比例する。 上記した各薄膜の分光感度特性を第３図に示
す。第３図から容易に理解できるように、ブロツ
キング層としてａ−Si1-xNx膜を使用した場合、
No.１〜No.４の薄膜は異なる膜厚（50〜1000Å）を
有するにも拘らずその光感度特性に大きな差異は
認められない。これは、ブロツキング層の光透過
率が可視光領域全体に渡つて高く、ブロツキング
層での光信号損失が極めて小さいためである。ま
た青色光（短波長光）に於ても感度の低下が小さ
い。またこの第３図はａ−Siの反射率（600nｍに
て36％）は考慮して作成していないので実際のゲ
インは図に示したよりも改善される。 以上述べた様に、本発明に係る撮像管用光導電
性薄膜はそのブロツキング層をグロー放電分解法
により成長させたSi1-xNx（ｘ＜１）で表わされる
絶縁性薄膜を、特にその作成条件として表２に示
した雰囲気に於てSiH4／SiH4＋N2のガス混合比
を1/100以上として、成長させることにより、撮
像管用光導電性薄膜としての電気的、光学的特性
を満足するものを得ることができる。 上記した薄膜を用いてビジコンを構成し、得ら
れたモニタ画像、焼き付け、残像等を測定したと
ころ、上記諸特性を裏付ける良好な結果が得られ
た。 上記結果に基づき、更に電子ビーム走査側のカ
バー層も同じグロー放電反応管内で作製出来れ
ば、作製作業上、並びに封管時の熱処理など作業
上好適である。したがつて表１No.５に示した様な
構造の薄膜を作成しその暗電流（光信号電流）対
ターゲツト電圧特性を測定した（作成条件は、表
２に示した条件と同一である）その結果を、第４
図に示す。 図中破線で示したのはNo.２の薄膜の特性であ
り、比較のために示した。図から理解できるよう
にNo.５の薄膜の暗電流、光信号電流値が、ターゲ
ツト電圧が20V近傍でNo.１の薄膜のそれらに近づ
いている。これ以上ターゲツト電圧を増加させる
と電子線のチヤージアツプと同様に暗電流が減少
すると同時に撮像機能が失なわれる。この傾向
は、カバー層の膜厚を100Åとした場合も同様に
認められた。 以上の事からカバー層にａ−Si1-yNyを用いた
撮像管用光導電性薄膜はターゲツト電圧を狭い許
容値内として使用すればその機能を果すことがで
きる。 以上、本発明の実施例としてブロツキング層及
びカバー層としてグロー放電分解法により成長
Si1-xNxで表わされる絶縁性薄膜を使用した場合
について説明したが、同様のSiの化合物である
Si1-xCx；ｘ≒0.7及びSiO2を同一の、グロー放電
分解法によりブロツキング層及びカバー層として
成長させて撮像管用光導電性薄膜を作成しても同
様の結果が得られる。
第１図は、本発明に係る撮像管用光導電性薄膜
の概略断面図であり、第２図及び第４図は、本発
明に係る薄膜の電流対ターゲツト電圧の関係を示
す図であり、第３図は、本発明に係る薄膜の波長
と光導電ゲインとの関係を示す図である。 （図面符号）、１：入射光、２：電子ビーム、
３：フエイス・プレート、４：透明電極、５：ブ
ロツキング層、６：感光層、７：カバー層。
の概略断面図であり、第２図及び第４図は、本発
明に係る薄膜の電流対ターゲツト電圧の関係を示
す図であり、第３図は、本発明に係る薄膜の波長
と光導電ゲインとの関係を示す図である。 （図面符号）、１：入射光、２：電子ビーム、
３：フエイス・プレート、４：透明電極、５：ブ
ロツキング層、６：感光層、７：カバー層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非晶質シリコンを材料としブロツキング層、
感光層及びカバー層の３層構造からなる撮像管用
光導電性薄膜に於て、 前記ブロツキング層としてグロー放電分解法に
より成長させたSi1-xRx（Ｒ：Ｎ、Ｃ又はＯ、ｘ＜
１）で表わされる絶縁性薄膜を用いたことを特徴
とする撮像管用光導電性薄膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55149322A JPS5774945A (en) | 1980-10-27 | 1980-10-27 | Photoconductive film for image pick-up tube |
| US06/315,556 US4469985A (en) | 1980-10-27 | 1981-10-27 | Radiation-sensitive tube using photoconductive layer composed of amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55149322A JPS5774945A (en) | 1980-10-27 | 1980-10-27 | Photoconductive film for image pick-up tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5774945A JPS5774945A (en) | 1982-05-11 |
| JPS645740B2 true JPS645740B2 (ja) | 1989-01-31 |
Family
ID=15472575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55149322A Granted JPS5774945A (en) | 1980-10-27 | 1980-10-27 | Photoconductive film for image pick-up tube |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4469985A (ja) |
| JP (1) | JPS5774945A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58194231A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | Hitachi Ltd | 撮像管 |
| JPS5918685A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子の製造方法 |
| US5578517A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of forming a highly transparent silicon rich nitride protective layer for a fuse window |
| KR980003872A (ko) * | 1996-06-24 | 1998-03-30 | 김주용 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331174B2 (ja) * | 1973-04-28 | 1978-08-31 | ||
| US4086512A (en) * | 1973-10-27 | 1978-04-25 | U.S. Philips Corporation | Camera tube employing silicon-chalcogenide target with heterojunction |
| US3947717A (en) * | 1975-03-31 | 1976-03-30 | Rca Corporation | Photoconductor of cadmium selenide and aluminum oxide |
| JPS54150995A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Hitachi Ltd | Photo detector |
| JPS5557587A (en) * | 1978-10-25 | 1980-04-28 | Synthelabo | Manufacture of deoxyvincaminic acid amides |
| JPS5685876A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
-
1980
- 1980-10-27 JP JP55149322A patent/JPS5774945A/ja active Granted
-
1981
- 1981-10-27 US US06/315,556 patent/US4469985A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4469985A (en) | 1984-09-04 |
| JPS5774945A (en) | 1982-05-11 |
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