JPS646530B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS646530B2 JPS646530B2 JP56007735A JP773581A JPS646530B2 JP S646530 B2 JPS646530 B2 JP S646530B2 JP 56007735 A JP56007735 A JP 56007735A JP 773581 A JP773581 A JP 773581A JP S646530 B2 JPS646530 B2 JP S646530B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- metal
- electrodes
- porcelain
- ceramic
- Prior art date
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- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は製造容易、安価にしてかつ諸特性の安
定した磁器コンデンサの電極形成方法に関するも
のである。 従来から磁器コンデンサの電極形成として焼付
銀電極法が一般的であつたが、近年の貴金属材料
の高騰に伴ない、各種のメツキ方法が開発されつ
つある。公知の方法として、塩化第１錫浴―塩化
パラジウム浴の感応―活性化処理による無電解メ
ツキ法があるが、この方法では素体全周面上に金
属が形成され易く、対向容量電極を形成するため
に素体周側面の皮膜を除去する必要がある。この
場合は沿面耐電圧距離は素体の厚みで決定し、素
体の厚みを余り薄くできないと同時に、外周研摩
により素体のエツジ部に金属が付着・残存するな
どの沿面汚染により電界の集中で絶縁破壊が起こ
り易いものであつた。さらにこの方法では電極材
料および関連材料の種類、取付方法によつて引張
強度の低下、電気特性（特に寿命試験による特性
劣化）等が著しく劣化し、信頼性の点からも磁器
の電極部に縁を設けることが設計上必要であつ
た。局部メツキ法としては素体の全面を活性化し
た後、電極形成領域にレジストを取り付け、更に
外周部をエツチングし、その部分の活性を除去す
る。次にレジストを取り除いた後メツキにより金
属層を形成する方法、他に真空蒸着法、フオトエ
ツチング法等種々の方法があるが、いずれも磁器
コンデンサの電極として満足する結果が得られな
い。即ち、従来から知られている方法では電極と
しての諸特性が充分でなく、またコンデンサの形
状は種々あり、量産性を考慮した場合困難であつ
た。 本発明は上記のような従来と異なる新しい方法
によつて、磁器コンデンサの必要箇所に容易に電
極を形成でき、特にメツキ下地の金属材料および
形成方法に特徴を有するものである。即ち、本発
明は磁器素材の電極形成箇所にパラジウム、白金
等の白金族化合物あるいは金属粉を有機ワニスに
分散したペーストを塗布し、熱処理を施こすこと
により素体面にメツキ下地の活性金属を析出さ
せ、無電解ニツケルまたは銅メツキを行い、その
後電解錫または半田メツキにより金属電極を形成
することを特徴とする磁器コンデンサの電極形成
方法である。本発明によつて、従来のメツキ方法
に比べ接着強度、電気特性等優秀な特性が得ら
れ、また焼付銀電極法と比較しても遜色のない特
性を得るものである。 以下、本発明の実施例および限定理由について
述べる。まず、磁器素体については材料の種類に
よつて素体表面を機械的加工あるいは酸による化
学的処理によつて粗くし、素体と金属との接着強
度を増した。ペーストの作成方法としては、エチ
ルセルローズ、酢酸セルローズ、ブチルゴム、ポ
リビニルブチラール、フエノール樹脂等の樹脂を
カルビトール、ターピネオル、セロソルブ、アル
コール等の有機溶剤に溶解した有機ワニスに白金
族化合物あるいは金属粉を均一に分散させた。ペ
ーストの金属含有量は請求の範囲に限定される
が、その理由は0.03重量％未満では充分な活性が
得られず、また５重量％を越えるとメツキ処理後
の素体と金属との接着が弱くなり、かつコスト的
にも利点がない。第１表はペーストの金属（塩化
パラジウム）含有量を変えた場合の無電解ニツケ
ルメツキの析出状態と、その後電解錫メツキを行
いリード線を半田付した引張り強度の実施例であ
る。
定した磁器コンデンサの電極形成方法に関するも
のである。 従来から磁器コンデンサの電極形成として焼付
銀電極法が一般的であつたが、近年の貴金属材料
の高騰に伴ない、各種のメツキ方法が開発されつ
つある。公知の方法として、塩化第１錫浴―塩化
パラジウム浴の感応―活性化処理による無電解メ
ツキ法があるが、この方法では素体全周面上に金
属が形成され易く、対向容量電極を形成するため
に素体周側面の皮膜を除去する必要がある。この
場合は沿面耐電圧距離は素体の厚みで決定し、素
体の厚みを余り薄くできないと同時に、外周研摩
により素体のエツジ部に金属が付着・残存するな
どの沿面汚染により電界の集中で絶縁破壊が起こ
り易いものであつた。さらにこの方法では電極材
料および関連材料の種類、取付方法によつて引張
強度の低下、電気特性（特に寿命試験による特性
劣化）等が著しく劣化し、信頼性の点からも磁器
の電極部に縁を設けることが設計上必要であつ
た。局部メツキ法としては素体の全面を活性化し
た後、電極形成領域にレジストを取り付け、更に
外周部をエツチングし、その部分の活性を除去す
る。次にレジストを取り除いた後メツキにより金
属層を形成する方法、他に真空蒸着法、フオトエ
ツチング法等種々の方法があるが、いずれも磁器
コンデンサの電極として満足する結果が得られな
い。即ち、従来から知られている方法では電極と
しての諸特性が充分でなく、またコンデンサの形
状は種々あり、量産性を考慮した場合困難であつ
た。 本発明は上記のような従来と異なる新しい方法
によつて、磁器コンデンサの必要箇所に容易に電
極を形成でき、特にメツキ下地の金属材料および
形成方法に特徴を有するものである。即ち、本発
明は磁器素材の電極形成箇所にパラジウム、白金
等の白金族化合物あるいは金属粉を有機ワニスに
分散したペーストを塗布し、熱処理を施こすこと
により素体面にメツキ下地の活性金属を析出さ
せ、無電解ニツケルまたは銅メツキを行い、その
後電解錫または半田メツキにより金属電極を形成
することを特徴とする磁器コンデンサの電極形成
方法である。本発明によつて、従来のメツキ方法
に比べ接着強度、電気特性等優秀な特性が得ら
れ、また焼付銀電極法と比較しても遜色のない特
性を得るものである。 以下、本発明の実施例および限定理由について
述べる。まず、磁器素体については材料の種類に
よつて素体表面を機械的加工あるいは酸による化
学的処理によつて粗くし、素体と金属との接着強
度を増した。ペーストの作成方法としては、エチ
ルセルローズ、酢酸セルローズ、ブチルゴム、ポ
リビニルブチラール、フエノール樹脂等の樹脂を
カルビトール、ターピネオル、セロソルブ、アル
コール等の有機溶剤に溶解した有機ワニスに白金
族化合物あるいは金属粉を均一に分散させた。ペ
ーストの金属含有量は請求の範囲に限定される
が、その理由は0.03重量％未満では充分な活性が
得られず、また５重量％を越えるとメツキ処理後
の素体と金属との接着が弱くなり、かつコスト的
にも利点がない。第１表はペーストの金属（塩化
パラジウム）含有量を変えた場合の無電解ニツケ
ルメツキの析出状態と、その後電解錫メツキを行
いリード線を半田付した引張り強度の実施例であ
る。
【表】
【表】
またペーストに関して、印刷精度を向上させる
ためにフイラ成分として不溶性のかつ熱処理温度
内で完全に飛散する有機、無機物質を添加するこ
とも可能である。次に、ペーストの熱処理温度は
請求の範囲に限定されるが、その理由は420℃よ
り低い温度ではペースト中の樹脂分あるいはフイ
ラ成分が完全に飛散せずメツキの析出が充分でな
く、920℃より高い温度では析出粒子が半融状態
となり、活性が低下する。第２表は熱処理温度を
変えた場合の無電解ニツケルメツキの析出状態
と、その後電解錫メツキを行いリード線を半田付
した引張り強度の実施例である。
ためにフイラ成分として不溶性のかつ熱処理温度
内で完全に飛散する有機、無機物質を添加するこ
とも可能である。次に、ペーストの熱処理温度は
請求の範囲に限定されるが、その理由は420℃よ
り低い温度ではペースト中の樹脂分あるいはフイ
ラ成分が完全に飛散せずメツキの析出が充分でな
く、920℃より高い温度では析出粒子が半融状態
となり、活性が低下する。第２表は熱処理温度を
変えた場合の無電解ニツケルメツキの析出状態
と、その後電解錫メツキを行いリード線を半田付
した引張り強度の実施例である。
【表】
また、第３表は公知のメツキ方法と銀焼付法に
よる引張り強度の比較例である。
よる引張り強度の比較例である。
【表】
ニツケルメツキ浴としては硫酸ニツケルに錯化
剤として有機酸ナトリウム塩、還元剤として次亜
リン酸ナトリウム（またはヒドラジン、ボラザン
化合物等）を含む溶液で、また銅メツキ浴として
は硫酸銅にロツシエル塩、苛性ソーダ、ホルマリ
ンを含む溶液を用い、回転バレル式メツキ槽で無
電解メツキを行つた。さらに、錫または半田の電
解メツキを行い、磁器コンデンサの電極を形成し
た。ここで、２度メツキを行う理由は最初のニツ
ケルあるいは銅の無電解メツキで電極としての機
能は充分満足されるが、空気により酸化を受けや
すい欠点を防止し、半田付着性を向上させる目的
で錫あるいは半田の電解メツキを行うものであ
る。第４表はそれぞれ100個の試料を空気中に放
置し、経時変化による半田未付着数を示したもの
である。
剤として有機酸ナトリウム塩、還元剤として次亜
リン酸ナトリウム（またはヒドラジン、ボラザン
化合物等）を含む溶液で、また銅メツキ浴として
は硫酸銅にロツシエル塩、苛性ソーダ、ホルマリ
ンを含む溶液を用い、回転バレル式メツキ槽で無
電解メツキを行つた。さらに、錫または半田の電
解メツキを行い、磁器コンデンサの電極を形成し
た。ここで、２度メツキを行う理由は最初のニツ
ケルあるいは銅の無電解メツキで電極としての機
能は充分満足されるが、空気により酸化を受けや
すい欠点を防止し、半田付着性を向上させる目的
で錫あるいは半田の電解メツキを行うものであ
る。第４表はそれぞれ100個の試料を空気中に放
置し、経時変化による半田未付着数を示したもの
である。
【表】
【表】
第５表は電気特性ならびに寿命試験における本
発明の実施例と比較例である。No.１〜４について
はメツキの下地のペースト、熱処理条件は一定の
もとに行つた。No.５は塩化第１錫浴―塩化パラジ
ウム浴の感応―活性化後、素体全面にメツキを施
こし周辺部を研削した試料であり、寿命試験の劣
化と共に第３表からわかるように引張り強度も低
い結果であつた。No.６は従来から一般的に用いら
れている焼付銀電極の比較例であり、寿命試験に
おいて本発明による電極形成法が優れた値を得て
いる。
発明の実施例と比較例である。No.１〜４について
はメツキの下地のペースト、熱処理条件は一定の
もとに行つた。No.５は塩化第１錫浴―塩化パラジ
ウム浴の感応―活性化後、素体全面にメツキを施
こし周辺部を研削した試料であり、寿命試験の劣
化と共に第３表からわかるように引張り強度も低
い結果であつた。No.６は従来から一般的に用いら
れている焼付銀電極の比較例であり、寿命試験に
おいて本発明による電極形成法が優れた値を得て
いる。
【表】
以上のように、本発明は従来の焼付銀電極に比
べて、安価で特性的にも良好な量産化に適した産
業価値の高い、従来まで困難とされていた無電解
メツキ法により磁器コンデンサの電極形成方法を
提供するものであり、その実用的価値は大なるも
のである。
べて、安価で特性的にも良好な量産化に適した産
業価値の高い、従来まで困難とされていた無電解
メツキ法により磁器コンデンサの電極形成方法を
提供するものであり、その実用的価値は大なるも
のである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 白金族化合物あるいは金属粉を有機ワニスに
分散させ、金属成分として0.03〜5.0重量％を含
むペーストを印刷法、吹付法等により磁器素体に
塗布し、420〜920℃の温度範囲で熱処理を行い下
地金属を取付け、ニツケルまたは銅の無電解メツ
キを行い、その上に錫または半田の電解メツキを
行うことにより金属電極を形成することを特徴と
する磁器コンデンサの電極形成方法。 ２ 機械的あるいは化学的方法により磁器素体表
面を粗くすることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の磁器コンデンサの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56007735A JPS57121212A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Method of forming electrode for porcelain capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56007735A JPS57121212A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Method of forming electrode for porcelain capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57121212A JPS57121212A (en) | 1982-07-28 |
| JPS646530B2 true JPS646530B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=11673954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56007735A Granted JPS57121212A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Method of forming electrode for porcelain capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57121212A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284701A (ja) * | 1989-08-24 | 1990-03-26 | Nippon Denso Co Ltd | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
| KR20130037485A (ko) * | 2011-10-06 | 2013-04-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54157296A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-12 | Tdk Corp | Electrode structure and the manufacturing method |
-
1981
- 1981-01-20 JP JP56007735A patent/JPS57121212A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57121212A (en) | 1982-07-28 |
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