JPS634335B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS634335B2 JPS634335B2 JP55082637A JP8263780A JPS634335B2 JP S634335 B2 JPS634335 B2 JP S634335B2 JP 55082637 A JP55082637 A JP 55082637A JP 8263780 A JP8263780 A JP 8263780A JP S634335 B2 JPS634335 B2 JP S634335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- range
- metal
- temperature
- treatment
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は諸特性の安定したセラミツク電子部品
を容易にかつ安価に製造することができる方法に
関するものである。 従来から、誘電体素子や圧電素子、半導体素子
等の機能特性を利用したセラミツク電子部品の電
極には、磁器素体の表面にAg、Ag−Pd、Ag−
Pt、Ag−Ni等の貴金属を主体とした焼付電極が
使用されている。しかし、近年の貴金属の価格高
騰に伴ない、メツキによる電極の形成法が種々開
発されつつある。しかしながら、これら方法にも
多くの欠点がある。たとえば、セラミツク素体表
面にガラスフリツトが含まれている焼付銀電極を
形成し、その後ニツケル電極または銅電極を電解
メツキ法等により形成することも可能であるが、
この方法には、焼付金属層表面が粗面で多くの小
孔が存在しているために、メツキ処理の際にメツ
キ液がこの小孔内部に浸透し、焼付金属層とセラ
ミツク素体の付着強度を劣化させるという欠点が
あつた。他の方法としては無電解ニツケルメツキ
法が用いられており、これは最初に塩化錫と塩化
パラジウムを反応させて、素体表面に触媒活性化
処理を施すことが一般的であつた。しかし、この
方法にはセラミツク電子部品用の電極として使用
する場合には多くの問題がある。すなわち、電極
材料や関連材料の種類および取付方法によつて引
張強度が低下する（銀焼付け電極に比べて1/2に
低下）だけでなく、電気的特性寿命試験によれ
ば、製品特性等がいちぢるしく劣化するものであ
つた。たとえば、セラミツク電子部品素体に無電
解ニツケルメツキする方法は、その工法の性質
上、基板全周表面上に形成されやすく、その場合
には周側面のメツキ膜を研削除去して対向電極を
形成するのであるが、沿面耐電圧距離が基板の厚
みで決定され、電極周端部における電界の集中に
よつて絶縁破壊が起こりやすく、基板をあまり薄
くすることができなかつた。また、これらの方法
に代えて部分メツキ法の使用も考えられる。これ
は、セラミツク素体表面に所要パターンの金属層
を形成するに際し、あらかじめセラミツク素体表
面の所要個所にメツキレジストを付与しておき、
ついでその表面を活性化したのち、メツキレジス
トを除去し、その後無電解メツキを施してセラミ
ツク素体表面に金属層を形成する方法である。こ
れ以外にも、真空蒸着法やフオトエツチング法等
種々の方法があるが、いずれの方法によつてもセ
ラミツク電子部品用電極としては満足する結果が
得られていない。すなわち、従来から知られてい
るメツキ付与方法では、メツキの密着性が悪く、
特にまた、コンデンサを例にとつた場合、小型化
を目的としたコンデンサの素体厚みは0.1〜0.3mm
と薄く、その直径が4.5〜16mmと種々あり、量産
性を考慮した場合、実施困難なものであつた。さ
らに容量値を少しでも大きく得るために、素体の
対向する二つの面全体にそれぞれ電極を形成した
場合には、上述したように寿命特性が極度に悪
く、信頼性上から問題点が多かつた。 本発明は、このような従来の方法にあつた数多
くの欠点を除去し、寿命特性がいちぢるしく安定
しているセラミツク電子部品の製造方法を提供す
るものである。すなわち、本発明の方法はセラミ
ツク基板の必要局部個所にCo、Ni、Fe等の化合
物の一種またはそれ以上を含むペーストを付与し
た後、350〜900℃の範囲内の温度で焼付けし、そ
の後、非酸化性雰囲気中において350〜900℃の範
囲内の温度で熱処理を施し、基板上にCo、Ni、
Feの金属またはその合金の粒子を析出させ、そ
の後、PdまたはPtイオンの少なくともいずれか
一方が含まれている溶液中で上記金属または合金
の表面をPdまたはPtの少なくとも一方に置換す
る置換処理してから、無電解メツキ法により、ニ
ツケル、コバルト、銅の電極を形成するものであ
る。この方法によつて得られた電極は、非常に良
好な特性を有し、十分な機能を得ることができる
ものである。 以下、本発明の方法について、実施例をあげて
説明する。 まず、セラミツク基板としてBaTiO3−
BaZrO3系の誘電体セラミツク素体を用いた。そ
の厚さは0.3mm、直径は12mmである。この基板の
両面に１mmの縁（端面部）が残るようなマスクを
用い、吹付法または印刷法によつてペーストをそ
れぞれ付与した。なお、セラミツク表面と電極と
の接着強度、特性向上を目的として、セラミツク
表子面をあらかじめ化学的処理、または機械的処
理により粗くしておくこともよい方法である。な
お、Co、Ni、Feの化合物が含まれているペース
トはCo、Ni、Feの硝酸塩、酢酸塩、しゆう酸
塩、あるいナフテン酸塩等、アミド系、フエノー
ル系またはセルローズ系等の有機バインダー成
分、エチルセロソルブ、ブチルカルビトールまた
はアルコール等の溶剤を用い、印刷用としては粘
度40000C・Ｓ・Ｐ、吹付用としては粘度100〜
300C・Ｓ・Ｐに調整して作製した。なお、その
成分割分は、金属成分が0.01〜7.5重量％、有機
バインダー成分が３〜35重量％、溶剤成分が70〜
97重量％である。これをセラミツク基板の裏表に
膜厚１〜15μｍで付与した。その後、80〜300℃
の温度で乾燥させた後、電気炉を用い、350〜900
℃の範囲内の温度で焼付け、その後非酸化性雰囲
気中で350〜900℃の範囲内の温度で熱処理して、
Co、Fe、Niの金属または合金の微粒子を形成し
た。その後、0.01％のPdまたはPtイオンが含ま
れている溶液で置換処理をした後、硫酸ニツケル
に次亜燐酸ナトリウムを含むメツキ液に浸漬し
て、ニツケル膜を形成した。なお、PdまたはPt
溶液はPdCl2またはH2PtCl6・6H2OをHClまたは
水、アルコールに溶解させ、さらに水で希釈して
作製した。 次にSn−Pb系主体の半田材料を用いて浸漬法
によりリード線を取付け、その後、フエノール系
被覆樹脂、ワツクス含浸を行なつて完成品とし
た。 本発明において、Co、Ni、Feの化合物の成分
を含むペーストを付与し、その後非酸化性雰囲気
中で熱処理することの必要性は、セラミツク基板
面に安定したCo、Ni、Feの金属または合金の微
粒子を形成するためである。また、350〜900℃の
範囲内の温度で焼付けするのは、350℃より低い
温度では樹脂成分が残り、金属電極の均一な形成
が困難になるだけでなく、その接着強度も低下す
るので好ましくないためであり、また、900℃よ
り高い温度では、誘電特性や寿命特性が悪化する
ので好ましくないためである。 熱処理によりCo、Ni、Feの金属あるいは合金
粒子を析出させた後、さらに、0.0005〜３重量％
の範囲内のPd、Pt化合物が含まれる溶液中で置
換処理を施すのは、置換処理なしあるいは上記範
囲外の置換処理ではその後のNi、Co、Cu等の無
電解メツキの立上りが遅く、均一なメツキ皮膜が
得られにくく、誘電特性等の諸特性が悪く、また
大きなばらつきを生じるからである。 上述の説明においては、Co、Ni、Feの化合物
としての硝酸塩、酢酸塩、しゆう酸塩、ナフテン
酸塩等を用いたが、焼付後に金属微粒子層として
残るものであれば、それ以外の化合物であつても
問題はない。また、金属微粒子層の形成後、Pd、
Pt置換し、無電解メツキにより、ニツケル、銅、
コバルトの電極を形成した後、200〜400℃の範囲
内の温度で熱処理を行うことによつて、接着強度
を高めることができる。さらに、希弗化水素酸な
どによる化学的処理や、機械的処理により表面を
粗くしたセラミツク基板を用いることによつて、
メツキ皮膜の密着強度を高めることができた。 ニツケルメツキ法はニツケルイオンから還元剤
を用いてニツケル金属を析出させるのであるが、
還元剤には次亜燐酸ナトリウム以外にも水素化硼
素化合物を用いることができる。そして、リード
線等の端子付けにおいては燐成分を含有している
Niメツキ面にはPb成分が50％〜75％、Sn成分が
50％〜25％とPb成分が多い半田材料を用いれば
よく、また硼素成分を含有しているNiメツキ面
にはPb成分が50〜25％、Sn成分が50〜75％とSn
成分の多い半田材料を用いればよい。 銅メツキには、たとえば、金属塩として硫酸銅
を、また還元剤としてホルマリンを、錯化剤とし
てEDTAを、アルカリ剤として水酸化ナトリウ
ムを用いればよい。 下表に、本発明の方法の実施例と比較例を対比
させて示す。表の誘電特性としての誘電率εおよ
び誘電正接tanδは、20℃の温度下において1KHz
の周波数で測定した値で示しており、また寿命試
験は温度85℃、相対湿度85％の高温高湿雰囲気中
において、直流電圧1000Vを1000時間印加すると
いう条件で実施した。
を容易にかつ安価に製造することができる方法に
関するものである。 従来から、誘電体素子や圧電素子、半導体素子
等の機能特性を利用したセラミツク電子部品の電
極には、磁器素体の表面にAg、Ag−Pd、Ag−
Pt、Ag−Ni等の貴金属を主体とした焼付電極が
使用されている。しかし、近年の貴金属の価格高
騰に伴ない、メツキによる電極の形成法が種々開
発されつつある。しかしながら、これら方法にも
多くの欠点がある。たとえば、セラミツク素体表
面にガラスフリツトが含まれている焼付銀電極を
形成し、その後ニツケル電極または銅電極を電解
メツキ法等により形成することも可能であるが、
この方法には、焼付金属層表面が粗面で多くの小
孔が存在しているために、メツキ処理の際にメツ
キ液がこの小孔内部に浸透し、焼付金属層とセラ
ミツク素体の付着強度を劣化させるという欠点が
あつた。他の方法としては無電解ニツケルメツキ
法が用いられており、これは最初に塩化錫と塩化
パラジウムを反応させて、素体表面に触媒活性化
処理を施すことが一般的であつた。しかし、この
方法にはセラミツク電子部品用の電極として使用
する場合には多くの問題がある。すなわち、電極
材料や関連材料の種類および取付方法によつて引
張強度が低下する（銀焼付け電極に比べて1/2に
低下）だけでなく、電気的特性寿命試験によれ
ば、製品特性等がいちぢるしく劣化するものであ
つた。たとえば、セラミツク電子部品素体に無電
解ニツケルメツキする方法は、その工法の性質
上、基板全周表面上に形成されやすく、その場合
には周側面のメツキ膜を研削除去して対向電極を
形成するのであるが、沿面耐電圧距離が基板の厚
みで決定され、電極周端部における電界の集中に
よつて絶縁破壊が起こりやすく、基板をあまり薄
くすることができなかつた。また、これらの方法
に代えて部分メツキ法の使用も考えられる。これ
は、セラミツク素体表面に所要パターンの金属層
を形成するに際し、あらかじめセラミツク素体表
面の所要個所にメツキレジストを付与しておき、
ついでその表面を活性化したのち、メツキレジス
トを除去し、その後無電解メツキを施してセラミ
ツク素体表面に金属層を形成する方法である。こ
れ以外にも、真空蒸着法やフオトエツチング法等
種々の方法があるが、いずれの方法によつてもセ
ラミツク電子部品用電極としては満足する結果が
得られていない。すなわち、従来から知られてい
るメツキ付与方法では、メツキの密着性が悪く、
特にまた、コンデンサを例にとつた場合、小型化
を目的としたコンデンサの素体厚みは0.1〜0.3mm
と薄く、その直径が4.5〜16mmと種々あり、量産
性を考慮した場合、実施困難なものであつた。さ
らに容量値を少しでも大きく得るために、素体の
対向する二つの面全体にそれぞれ電極を形成した
場合には、上述したように寿命特性が極度に悪
く、信頼性上から問題点が多かつた。 本発明は、このような従来の方法にあつた数多
くの欠点を除去し、寿命特性がいちぢるしく安定
しているセラミツク電子部品の製造方法を提供す
るものである。すなわち、本発明の方法はセラミ
ツク基板の必要局部個所にCo、Ni、Fe等の化合
物の一種またはそれ以上を含むペーストを付与し
た後、350〜900℃の範囲内の温度で焼付けし、そ
の後、非酸化性雰囲気中において350〜900℃の範
囲内の温度で熱処理を施し、基板上にCo、Ni、
Feの金属またはその合金の粒子を析出させ、そ
の後、PdまたはPtイオンの少なくともいずれか
一方が含まれている溶液中で上記金属または合金
の表面をPdまたはPtの少なくとも一方に置換す
る置換処理してから、無電解メツキ法により、ニ
ツケル、コバルト、銅の電極を形成するものであ
る。この方法によつて得られた電極は、非常に良
好な特性を有し、十分な機能を得ることができる
ものである。 以下、本発明の方法について、実施例をあげて
説明する。 まず、セラミツク基板としてBaTiO3−
BaZrO3系の誘電体セラミツク素体を用いた。そ
の厚さは0.3mm、直径は12mmである。この基板の
両面に１mmの縁（端面部）が残るようなマスクを
用い、吹付法または印刷法によつてペーストをそ
れぞれ付与した。なお、セラミツク表面と電極と
の接着強度、特性向上を目的として、セラミツク
表子面をあらかじめ化学的処理、または機械的処
理により粗くしておくこともよい方法である。な
お、Co、Ni、Feの化合物が含まれているペース
トはCo、Ni、Feの硝酸塩、酢酸塩、しゆう酸
塩、あるいナフテン酸塩等、アミド系、フエノー
ル系またはセルローズ系等の有機バインダー成
分、エチルセロソルブ、ブチルカルビトールまた
はアルコール等の溶剤を用い、印刷用としては粘
度40000C・Ｓ・Ｐ、吹付用としては粘度100〜
300C・Ｓ・Ｐに調整して作製した。なお、その
成分割分は、金属成分が0.01〜7.5重量％、有機
バインダー成分が３〜35重量％、溶剤成分が70〜
97重量％である。これをセラミツク基板の裏表に
膜厚１〜15μｍで付与した。その後、80〜300℃
の温度で乾燥させた後、電気炉を用い、350〜900
℃の範囲内の温度で焼付け、その後非酸化性雰囲
気中で350〜900℃の範囲内の温度で熱処理して、
Co、Fe、Niの金属または合金の微粒子を形成し
た。その後、0.01％のPdまたはPtイオンが含ま
れている溶液で置換処理をした後、硫酸ニツケル
に次亜燐酸ナトリウムを含むメツキ液に浸漬し
て、ニツケル膜を形成した。なお、PdまたはPt
溶液はPdCl2またはH2PtCl6・6H2OをHClまたは
水、アルコールに溶解させ、さらに水で希釈して
作製した。 次にSn−Pb系主体の半田材料を用いて浸漬法
によりリード線を取付け、その後、フエノール系
被覆樹脂、ワツクス含浸を行なつて完成品とし
た。 本発明において、Co、Ni、Feの化合物の成分
を含むペーストを付与し、その後非酸化性雰囲気
中で熱処理することの必要性は、セラミツク基板
面に安定したCo、Ni、Feの金属または合金の微
粒子を形成するためである。また、350〜900℃の
範囲内の温度で焼付けするのは、350℃より低い
温度では樹脂成分が残り、金属電極の均一な形成
が困難になるだけでなく、その接着強度も低下す
るので好ましくないためであり、また、900℃よ
り高い温度では、誘電特性や寿命特性が悪化する
ので好ましくないためである。 熱処理によりCo、Ni、Feの金属あるいは合金
粒子を析出させた後、さらに、0.0005〜３重量％
の範囲内のPd、Pt化合物が含まれる溶液中で置
換処理を施すのは、置換処理なしあるいは上記範
囲外の置換処理ではその後のNi、Co、Cu等の無
電解メツキの立上りが遅く、均一なメツキ皮膜が
得られにくく、誘電特性等の諸特性が悪く、また
大きなばらつきを生じるからである。 上述の説明においては、Co、Ni、Feの化合物
としての硝酸塩、酢酸塩、しゆう酸塩、ナフテン
酸塩等を用いたが、焼付後に金属微粒子層として
残るものであれば、それ以外の化合物であつても
問題はない。また、金属微粒子層の形成後、Pd、
Pt置換し、無電解メツキにより、ニツケル、銅、
コバルトの電極を形成した後、200〜400℃の範囲
内の温度で熱処理を行うことによつて、接着強度
を高めることができる。さらに、希弗化水素酸な
どによる化学的処理や、機械的処理により表面を
粗くしたセラミツク基板を用いることによつて、
メツキ皮膜の密着強度を高めることができた。 ニツケルメツキ法はニツケルイオンから還元剤
を用いてニツケル金属を析出させるのであるが、
還元剤には次亜燐酸ナトリウム以外にも水素化硼
素化合物を用いることができる。そして、リード
線等の端子付けにおいては燐成分を含有している
Niメツキ面にはPb成分が50％〜75％、Sn成分が
50％〜25％とPb成分が多い半田材料を用いれば
よく、また硼素成分を含有しているNiメツキ面
にはPb成分が50〜25％、Sn成分が50〜75％とSn
成分の多い半田材料を用いればよい。 銅メツキには、たとえば、金属塩として硫酸銅
を、また還元剤としてホルマリンを、錯化剤とし
てEDTAを、アルカリ剤として水酸化ナトリウ
ムを用いればよい。 下表に、本発明の方法の実施例と比較例を対比
させて示す。表の誘電特性としての誘電率εおよ
び誘電正接tanδは、20℃の温度下において1KHz
の周波数で測定した値で示しており、また寿命試
験は温度85℃、相対湿度85％の高温高湿雰囲気中
において、直流電圧1000Vを1000時間印加すると
いう条件で実施した。
【表】
【表】
上表において、試料No.１、８、９、14、15、
19、20は本発明の範囲外の比較例である。試料No.
１〜８は焼付温度を600℃一定とし、硝酸ニツケ
ルの含有量を変化させたものである。表より明ら
かなように、試料No.２〜７は良好な特性を示して
おり、特に試料No.４、５は寿命試験後においても
著しく良好な特性を示している。 試料No.９〜14は硝酸ニツケルの量を1.5重量％
一定とし、焼付温度を変化させたもので、本発明
の範囲内の実施例は非常に良好である。 試料No.15〜21は置換処理液中の塩化パラジウム
の含有量を変化させたものであり、本発明範囲内
の塩化パラジウムを含む置換溶液で処理すること
によつて特性が向上している。 また、PbTiO3−PbZrO3系の圧電材料、
BaTiO3系半導体材料においても、本発明の方法
は良好な特性を示した。 このように、従来から使用している銀焼付電極
材料に比べて、本発明の方法によつて得られる電
極は全く遜色なく、特に価格的には、1/20以下で
済み、特性的にも著しく安定であり、本発明の方
法は工業的量産化に適合した産業価値の大なる方
法である。
19、20は本発明の範囲外の比較例である。試料No.
１〜８は焼付温度を600℃一定とし、硝酸ニツケ
ルの含有量を変化させたものである。表より明ら
かなように、試料No.２〜７は良好な特性を示して
おり、特に試料No.４、５は寿命試験後においても
著しく良好な特性を示している。 試料No.９〜14は硝酸ニツケルの量を1.5重量％
一定とし、焼付温度を変化させたもので、本発明
の範囲内の実施例は非常に良好である。 試料No.15〜21は置換処理液中の塩化パラジウム
の含有量を変化させたものであり、本発明範囲内
の塩化パラジウムを含む置換溶液で処理すること
によつて特性が向上している。 また、PbTiO3−PbZrO3系の圧電材料、
BaTiO3系半導体材料においても、本発明の方法
は良好な特性を示した。 このように、従来から使用している銀焼付電極
材料に比べて、本発明の方法によつて得られる電
極は全く遜色なく、特に価格的には、1/20以下で
済み、特性的にも著しく安定であり、本発明の方
法は工業的量産化に適合した産業価値の大なる方
法である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 印刷あるいは吹付可能な樹脂ペースト中に金
属成分に換算して0.01〜7.5重量％の範囲内のNi、
Fe、Coの化合物の少なくとも１種の成分を含む
ペーストを用い、セラミツク基板上に付与した
後、350〜900℃の範囲内の温度で焼付けし、その
後非酸化性雰囲気中で350〜900℃の範囲内の温度
で熱処理を施してNi、Fe、Coの少なくとも１種
の金属または合金の粒子を析出させ、さらに金属
成分に換算して0.0005〜３重量％の範囲内のPdま
たはPtの少なくとも一方の化合物が含まれる溶
液中で上記金属または合金の表面をPdまたはPt
の少なくとも一方に置換する置換処理を施した
後、無電解メツキ法により金属電極を形成するこ
とを特徴とするセラミツク電子部品の製造方法。 ２ 化学的処理、機械的処理により表面を粗くし
たセラミツク基板を用いることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のセラミツク電子部品の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263780A JPS577916A (en) | 1980-06-17 | 1980-06-17 | Method of producing ceramic electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263780A JPS577916A (en) | 1980-06-17 | 1980-06-17 | Method of producing ceramic electronic part |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS577916A JPS577916A (en) | 1982-01-16 |
| JPS634335B2 true JPS634335B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=13779934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8263780A Granted JPS577916A (en) | 1980-06-17 | 1980-06-17 | Method of producing ceramic electronic part |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS577916A (ja) |
-
1980
- 1980-06-17 JP JP8263780A patent/JPS577916A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS577916A (en) | 1982-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4510179A (en) | Electrode on heat-resisting and isolating substrate and the manufacturing process for it | |
| JPS5926662B2 (ja) | 無電解メッキ活性金属材料ペ−ストおよびそれを用いたメッキ方法 | |
| EP0183399A2 (en) | Method and composition for producing terminations in multilayer ceramic capacitors | |
| JPS634332B2 (ja) | ||
| US4559279A (en) | Electrode on heat-resisting and isolating substrate | |
| JPS634327B2 (ja) | ||
| JPS634335B2 (ja) | ||
| JPS5926661B2 (ja) | 無電解メッキ活性金属材料ペ−ストおよびそれを用いたメッキ方法 | |
| JPS629204B2 (ja) | ||
| JPS634336B2 (ja) | ||
| JP2574383B2 (ja) | セラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JPS634329B2 (ja) | ||
| JPS6225748B2 (ja) | ||
| JPS634331B2 (ja) | ||
| JPS634338B2 (ja) | ||
| JP2002275509A (ja) | 金属粉末の製造方法，金属粉末，これを用いた導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JPS631728B2 (ja) | ||
| JPS58161759A (ja) | アルミニウム基板のめつき方法 | |
| JPS5948950B2 (ja) | 無電解メッキ下地活性金属材料ペ−ストおよびそれによるメッキ方法 | |
| JPS646530B2 (ja) | ||
| JPH03215916A (ja) | 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品 | |
| JPS634330B2 (ja) | ||
| JPS631729B2 (ja) | ||
| JPS634328B2 (ja) | ||
| JPS631726B2 (ja) |