JPS6412083B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6412083B2 JPS6412083B2 JP55163638A JP16363880A JPS6412083B2 JP S6412083 B2 JPS6412083 B2 JP S6412083B2 JP 55163638 A JP55163638 A JP 55163638A JP 16363880 A JP16363880 A JP 16363880A JP S6412083 B2 JPS6412083 B2 JP S6412083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- porcelain
- nickel
- electrodes
- forming electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は製造が容易で、安価にして諸特性の安
定した磁器コンデンサの電極を形成する方法に関
するものである。 従来から磁器コンデンサの電極形成方法とし
て、磁器素体の表面に銀、パラジウム、白金等の
貴金属あるいはこれらの合金を焼付ける方法が実
用化されているが、近年の電極材料の高騰に伴な
い、各種のメツキ方法が開発されつつある。しか
しながら、これらのメツキ方法も多くの欠点を有
している。例えば、磁器素体面に焼付銀電極を形
成した後、ニツケル、銅電極を電解メツキ法によ
り形成することも可能であるが、この方法では、
金属間の歪と焼付金属層表面が粗面で多くの小孔
を有するため、メツキ処理においてメツキ液がこ
の小孔内部に浸透し、焼付金属層と磁器素体面と
の接着強度を劣化させる欠点がある。 他の方法として、塩化第１錫浴―塩化パラジウ
ム浴の感応―活性化処理による無電解メツキを行
なうことが一般的であるが、これを磁器コンデン
サ用電極の形成方法として使用する場合には多く
の問題点がある。すなわち、電極材料および関連
材料の種類、取付方法によつて引張強度の低下、
さらには電気特性が著しく劣化することである。
例えば磁器コンデンサに電極を形成する場合、無
電解ニツケルメツキ法はその工法性質上、素体全
周面上に形成され易く、このため対向容量電極を
形成するためには素体周側面の皮膜を研削除去す
る必要がある。この場合、沿面耐電圧距離は素体
の厚みで決定するため、電極周辺部における電界
の集中沿面汚染によつて絶縁破壊が起り易く、素
体の厚みを余り薄くすることはできない。 これ等の方法に対し、局部メツキ法として、磁
器表面に所要パターンの金属層を形成するに際
し、あらかじめ磁器表面の所要部に樹脂のメツキ
レジストを付与し、次いで磁器表面を活性化した
後にメツキレジストを除去し、無電解メツキを施
して磁器表面に金属層を形成する方法、真空蒸着
法、フオトエツチング法等種々の方法があるが、
いずれも磁器コンデンサの電極としては満足する
結果が得られなかつた。 すなわち、従来から知られているメツキ付与方
法ではメツキの密着性が悪く、特に小型化を目的
としたコンデンサの場合、素体の厚みは0.1〜0.3
mmと薄く、形状は3.6〜16mmφと種々あるため、
量産性を考慮した場合困難なものであつた。さら
に容量値を少しでも大きく得るために全面に電極
を形成した場合、上述したように寿命特性が極度
に悪く、このため信頼性の点から磁器の電極部に
縁を設けることが設計上必要であつた。 本発明は上述したような従来の無電解メツキ法
とは異なる新しい電極形成方法を提供するもので
あり、磁器コンデンサの必要箇所に容易に電極を
形成できるものである。 本発明は、特にメツキ活性金属材料および形成
方法に特徴を有するものであり、磁器素体の電極
形成箇所に銀粉、ニツケル粉、有機ワニスから成
るペーストを塗布し、熱処理を施こすことにより
素体面に活性金属を析出させ、これをパラジウ
ム、白金イオンが含まれている溶液中で置換処理
を行なつた後、無電解メツキを行なうことによつ
てニツケル、銅の金属電極を形成するものであ
る。本発明によつて、従来のメツキ法に比べ接着
強度、電気特性等が優秀な特性を有する電極が得
られ、また貴金属の焼付電極法に比べても遜色の
ない特性を有する電極が得られる。 以下、本発明の実施例について述べる。 ペーストの作成方法としては、エチルセルロー
ズ、酢酸セルローズ、ブチルゴム、プリビニルブ
チラール、フエノール樹脂等の樹脂をカルビトー
ル、ターピネオル、セロソルブ、アルコール等の
有機溶剤に溶解した有機ワニスに銀粉、ニツケル
粉を均一に分散させた。ペーストに添加する銀
粉、ニツケル粉の重量比は、銀粉５〜50重量％、
ニツケル粉50〜95重量％に限定されるが、その理
由は銀粉が５重量％未満では充分な活性が得られ
ず、また50重量％を越えると磁器素体との密着性
が悪くなり、コスト的にも利点がなくなるためで
ある。またニツケル粉の形状を鱗片状とすると、
焼付後の磁器素体との密着性を強固にすることが
できる。 次に磁器素体としては、活性金属の析出強度を
強くするために表面を粗くしたBaTiO3−
BaZrO3−CaTiO3系で厚み0.15〜２mm、形状４〜
20mmφのものを用い、その両面に0.5mmの縁が残
るようなマスクを用いて印刷、吹付法等によりペ
ーストを塗布し、乾燥後、300〜800℃の温度範囲
で焼付を行ない、活性金属を析出させた。なお、
温度範囲を300〜800℃に限定したのは、300℃よ
り低い温度ではペースト中の樹脂分が完全に燃焼
せずメツキ付着が悪く、800℃より高ければ析出
金属が半融を起して活性が低下するので好ましく
ないためである。 ニツケルメツキ浴としては硫酸ニツケルに錯化
剤として有機酸ナトリウム塩、還元剤として次亜
リン酸ナトリウム、（またはヒドラジン、ボラザ
ン化合物等）を含む溶液で、また銅メツキ浴とし
ては硫酸銅にロツシエル塩、苛性ソーダ、ホルマ
リンを含む溶液を用い、置換処理を施した磁器素
体を球状、円柱状の磁器、ガラス、樹脂等の材料
と共に回転バレル式メツキ槽で無電解メツキを行
なつた。球状、円柱状の磁器、ガラス、樹脂等の
材料と共に無電解メツキを行なうのは、それらを
充填剤としてメツキ処理の際の素体どうしの重な
り等をさけ、均一なメツキを得ることを目的とし
たものである。 次表には、このようにして形成した電極を有す
る磁器コンデンサの特性を示す。なお、密着強度
の試料には0.6mmφのリード線に4.2mmφの半田付
をしたものを用いた。
定した磁器コンデンサの電極を形成する方法に関
するものである。 従来から磁器コンデンサの電極形成方法とし
て、磁器素体の表面に銀、パラジウム、白金等の
貴金属あるいはこれらの合金を焼付ける方法が実
用化されているが、近年の電極材料の高騰に伴な
い、各種のメツキ方法が開発されつつある。しか
しながら、これらのメツキ方法も多くの欠点を有
している。例えば、磁器素体面に焼付銀電極を形
成した後、ニツケル、銅電極を電解メツキ法によ
り形成することも可能であるが、この方法では、
金属間の歪と焼付金属層表面が粗面で多くの小孔
を有するため、メツキ処理においてメツキ液がこ
の小孔内部に浸透し、焼付金属層と磁器素体面と
の接着強度を劣化させる欠点がある。 他の方法として、塩化第１錫浴―塩化パラジウ
ム浴の感応―活性化処理による無電解メツキを行
なうことが一般的であるが、これを磁器コンデン
サ用電極の形成方法として使用する場合には多く
の問題点がある。すなわち、電極材料および関連
材料の種類、取付方法によつて引張強度の低下、
さらには電気特性が著しく劣化することである。
例えば磁器コンデンサに電極を形成する場合、無
電解ニツケルメツキ法はその工法性質上、素体全
周面上に形成され易く、このため対向容量電極を
形成するためには素体周側面の皮膜を研削除去す
る必要がある。この場合、沿面耐電圧距離は素体
の厚みで決定するため、電極周辺部における電界
の集中沿面汚染によつて絶縁破壊が起り易く、素
体の厚みを余り薄くすることはできない。 これ等の方法に対し、局部メツキ法として、磁
器表面に所要パターンの金属層を形成するに際
し、あらかじめ磁器表面の所要部に樹脂のメツキ
レジストを付与し、次いで磁器表面を活性化した
後にメツキレジストを除去し、無電解メツキを施
して磁器表面に金属層を形成する方法、真空蒸着
法、フオトエツチング法等種々の方法があるが、
いずれも磁器コンデンサの電極としては満足する
結果が得られなかつた。 すなわち、従来から知られているメツキ付与方
法ではメツキの密着性が悪く、特に小型化を目的
としたコンデンサの場合、素体の厚みは0.1〜0.3
mmと薄く、形状は3.6〜16mmφと種々あるため、
量産性を考慮した場合困難なものであつた。さら
に容量値を少しでも大きく得るために全面に電極
を形成した場合、上述したように寿命特性が極度
に悪く、このため信頼性の点から磁器の電極部に
縁を設けることが設計上必要であつた。 本発明は上述したような従来の無電解メツキ法
とは異なる新しい電極形成方法を提供するもので
あり、磁器コンデンサの必要箇所に容易に電極を
形成できるものである。 本発明は、特にメツキ活性金属材料および形成
方法に特徴を有するものであり、磁器素体の電極
形成箇所に銀粉、ニツケル粉、有機ワニスから成
るペーストを塗布し、熱処理を施こすことにより
素体面に活性金属を析出させ、これをパラジウ
ム、白金イオンが含まれている溶液中で置換処理
を行なつた後、無電解メツキを行なうことによつ
てニツケル、銅の金属電極を形成するものであ
る。本発明によつて、従来のメツキ法に比べ接着
強度、電気特性等が優秀な特性を有する電極が得
られ、また貴金属の焼付電極法に比べても遜色の
ない特性を有する電極が得られる。 以下、本発明の実施例について述べる。 ペーストの作成方法としては、エチルセルロー
ズ、酢酸セルローズ、ブチルゴム、プリビニルブ
チラール、フエノール樹脂等の樹脂をカルビトー
ル、ターピネオル、セロソルブ、アルコール等の
有機溶剤に溶解した有機ワニスに銀粉、ニツケル
粉を均一に分散させた。ペーストに添加する銀
粉、ニツケル粉の重量比は、銀粉５〜50重量％、
ニツケル粉50〜95重量％に限定されるが、その理
由は銀粉が５重量％未満では充分な活性が得られ
ず、また50重量％を越えると磁器素体との密着性
が悪くなり、コスト的にも利点がなくなるためで
ある。またニツケル粉の形状を鱗片状とすると、
焼付後の磁器素体との密着性を強固にすることが
できる。 次に磁器素体としては、活性金属の析出強度を
強くするために表面を粗くしたBaTiO3−
BaZrO3−CaTiO3系で厚み0.15〜２mm、形状４〜
20mmφのものを用い、その両面に0.5mmの縁が残
るようなマスクを用いて印刷、吹付法等によりペ
ーストを塗布し、乾燥後、300〜800℃の温度範囲
で焼付を行ない、活性金属を析出させた。なお、
温度範囲を300〜800℃に限定したのは、300℃よ
り低い温度ではペースト中の樹脂分が完全に燃焼
せずメツキ付着が悪く、800℃より高ければ析出
金属が半融を起して活性が低下するので好ましく
ないためである。 ニツケルメツキ浴としては硫酸ニツケルに錯化
剤として有機酸ナトリウム塩、還元剤として次亜
リン酸ナトリウム、（またはヒドラジン、ボラザ
ン化合物等）を含む溶液で、また銅メツキ浴とし
ては硫酸銅にロツシエル塩、苛性ソーダ、ホルマ
リンを含む溶液を用い、置換処理を施した磁器素
体を球状、円柱状の磁器、ガラス、樹脂等の材料
と共に回転バレル式メツキ槽で無電解メツキを行
なつた。球状、円柱状の磁器、ガラス、樹脂等の
材料と共に無電解メツキを行なうのは、それらを
充填剤としてメツキ処理の際の素体どうしの重な
り等をさけ、均一なメツキを得ることを目的とし
たものである。 次表には、このようにして形成した電極を有す
る磁器コンデンサの特性を示す。なお、密着強度
の試料には0.6mmφのリード線に4.2mmφの半田付
をしたものを用いた。
【表】
【表】
表において、No.１，２，11，12，14，15，22，
23，25，26，27は本発明の範囲外の実施例あるい
は比較例を示したものである。No.１〜14はメツキ
下地金属量一定にし、銀粉とニツケル粉の重量比
を変えた実施例であり、No.３，４，５，６，７，
８，９，10，13に示した本願範囲内の実施例は良
好な特性を示している。なお、メツキ下地の金属
量については導電性のない状態でも充分に機能を
発揮することができる。No.15〜25は焼付温度を変
えた実施例であり、No.16，17，18，19，20，21，
24の本願範囲内の実施例は同様に良好な特性を示
している。No.26は塩化第１錫浴―塩化パラジウム
浴の感応―活性処理後、素体全面に無電解ニツケ
ルメツキを施こし、周辺部を研削した試料である
が、寿命試験の劣化と共に密着強度も低下する結
果を示した。No.27は従来から一般的に用いられて
いる焼付銀電極の特性を示したものであり、寿命
試験においては本発明による電極の方が優れた値
を得ている。 以上のように、本発明は、従来まで困難とされ
ていた無電解メツキ法による磁器コンデンサの電
極形成方法を提供するものであり、従来の焼付銀
電極法等で形成した電極に比べて安価で特性的に
も良好な電極が得られ、量産化に適した産業的価
値の高いものである。
23，25，26，27は本発明の範囲外の実施例あるい
は比較例を示したものである。No.１〜14はメツキ
下地金属量一定にし、銀粉とニツケル粉の重量比
を変えた実施例であり、No.３，４，５，６，７，
８，９，10，13に示した本願範囲内の実施例は良
好な特性を示している。なお、メツキ下地の金属
量については導電性のない状態でも充分に機能を
発揮することができる。No.15〜25は焼付温度を変
えた実施例であり、No.16，17，18，19，20，21，
24の本願範囲内の実施例は同様に良好な特性を示
している。No.26は塩化第１錫浴―塩化パラジウム
浴の感応―活性処理後、素体全面に無電解ニツケ
ルメツキを施こし、周辺部を研削した試料である
が、寿命試験の劣化と共に密着強度も低下する結
果を示した。No.27は従来から一般的に用いられて
いる焼付銀電極の特性を示したものであり、寿命
試験においては本発明による電極の方が優れた値
を得ている。 以上のように、本発明は、従来まで困難とされ
ていた無電解メツキ法による磁器コンデンサの電
極形成方法を提供するものであり、従来の焼付銀
電極法等で形成した電極に比べて安価で特性的に
も良好な電極が得られ、量産化に適した産業的価
値の高いものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銀粉およびニツケル粉を有機ワニスに分散し
たペーストを磁器素体の必要とする箇所に塗付
し、これを300〜800℃の温度範囲で焼付けて無電
解ニツケル、銅メツキ用の下地金属を形成した
後、パラジウムイオンおよび白金イオンのうち少
くとも一方を含む溶液中で置換処理を施こし、そ
の後、無電解メツキ法によりニツケル、銅の金属
電極を形成することを特徴とする磁器コンデンサ
の電極形成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項の記載において、ペー
ストとして、銀粉５〜50重量％、ニツケル粉50〜
95重量％から成る金属材料を有機ワニスに分散し
たものを用いることを特徴とする磁器コンデンサ
の電極形成方法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項の記載に
おいて、ニツケル粉として鱗片状のものを用いる
ことを特徴とする磁気コンデンサの電極形成方
法。 ４ 特許請求の範囲第１項または第２項の記載に
おいて、置換処理を施した磁器素体を、この磁器
素体より十分小さい球状、円柱状もしくは、これ
に近似した形状の磁器、ガラス、樹脂質と共に、
回転バレル式メツキ槽内で無電解メツキ処理する
ことを特徴とする磁器コンデンサの電極形成方
法。 ５ 特許請求の範囲第１項または第２項の記載に
おいて、あらかじめ機械的あるいは化学的方法に
より磁器素体の表面を粗くしておくことを特徴と
する磁器コンデンサの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55163638A JPS5787112A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Method of forming electrode for porcelain condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55163638A JPS5787112A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Method of forming electrode for porcelain condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787112A JPS5787112A (en) | 1982-05-31 |
| JPS6412083B2 true JPS6412083B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=15777735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55163638A Granted JPS5787112A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Method of forming electrode for porcelain condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5787112A (ja) |
-
1980
- 1980-11-19 JP JP55163638A patent/JPS5787112A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5787112A (en) | 1982-05-31 |
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