JPS647116B2 - - Google Patents
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- JPS647116B2 JPS647116B2 JP338981A JP338981A JPS647116B2 JP S647116 B2 JPS647116 B2 JP S647116B2 JP 338981 A JP338981 A JP 338981A JP 338981 A JP338981 A JP 338981A JP S647116 B2 JPS647116 B2 JP S647116B2
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は二色性色素を含有した誘電異方性が負
のネマチツク液晶を用いた液晶表示装置の改良に
関する。 例えば、電界印加時に着色する、いわゆるポジ
型表示のゲスト―ホスト液晶表示装置として、遷
移モーメントの方向が分子軸と直交する色素を用
いる方法（特開昭54−111847号）、パネル構造を
工夫する方法等があるが、数多く製作されている
のは負の誘電異方性を持つネマチツク液晶と分子
軸に平行な遷移モーメントを持つ二色性色素の組
合わである。 しかるに、誘電異方性が負のネマチツク液晶だ
けでは誘電異方性の絶対値が小さく、10V以上の
高い駆動電圧を必要とする。駆動電圧を下げる方
法として公開特許公報、昭54−67578号，昭55−
72156号に示されるような、負の誘電異方性が大
きな添加物を混入させる方法が考えられている。
これらの添加物に要求されるのは、大きな負の誘
電異方性、被添加液晶の応答性、液晶性を損なわ
ないこと、被添加液晶の安定性を害さないことで
ある。これらを完全に満足する物質は現在のとこ
ろ得られていないが、使用に耐えうるものは前述
の公開特許公報の中に数種類見られるだけであ
る。 このように優れた添加物質の開発が鋭意なされ
ているが、添加される液晶、基板の界面処理につ
いても同様に検討がされなければならない。 本発明の目的は、安定かつ低電圧でも充分な応
答性を有する液晶表示装置を提供することにあ
る。 本発明は上述の目的を達成するために、一般式
が、 で与えられる新規な化合物（式中、R3は炭素数
４又は５の直鎖アルキル基を示し、R4は炭素数
５又は７の直鎖アルキル基を一般式が で与えられるフエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶（式中、R1は炭素数３〜５の直鎖アル
キル基を示し、R2は炭素数１又は２のアルキル
基又は４の直鎖アルキル基）に添加した液晶組成
物を用いたものである。 以下実施例に基づき本発明の詳細な説明をす
る。 第１図に、対向する２枚の電極にクロム錯体等
の垂直配向処理を施したパネルに於ける、二色性
色素３と液晶分子４の配向状態を示す。電界が印
加されていない状態ａでは、液晶分子、二色性色
素共に基板に対し垂直に配向する。この状態は着
色の薄いOFF状態である。このパネルに電圧を
印加すると、液晶は負の誘電異方性を持つため、
第１図ｂに示すように基板に対し平行に配向す
る。この状態は着色したON状態である。 第２図に、このようなパネルに電圧を印加した
際の透過率Ｔと印加電圧Ｖとの関係を示す。透過
率は電圧の増加と共に減少している。透過率変化
のうち、10％まで変化した時の電圧をVth，90％
まで変化した時の電圧をVsatとすれば、ON時の
駆動電圧はVsatより大きいことが望ましい。 従来の誘電異方性が負の液晶はVsatが高く、フ
エニルシクロヘキシルカーボネート系液晶でも
7V（パネル間ギヤツプ8μ）程度である。 第１表に、本発明に基づく代表的液晶組成物の
組成を示す。
のネマチツク液晶を用いた液晶表示装置の改良に
関する。 例えば、電界印加時に着色する、いわゆるポジ
型表示のゲスト―ホスト液晶表示装置として、遷
移モーメントの方向が分子軸と直交する色素を用
いる方法（特開昭54−111847号）、パネル構造を
工夫する方法等があるが、数多く製作されている
のは負の誘電異方性を持つネマチツク液晶と分子
軸に平行な遷移モーメントを持つ二色性色素の組
合わである。 しかるに、誘電異方性が負のネマチツク液晶だ
けでは誘電異方性の絶対値が小さく、10V以上の
高い駆動電圧を必要とする。駆動電圧を下げる方
法として公開特許公報、昭54−67578号，昭55−
72156号に示されるような、負の誘電異方性が大
きな添加物を混入させる方法が考えられている。
これらの添加物に要求されるのは、大きな負の誘
電異方性、被添加液晶の応答性、液晶性を損なわ
ないこと、被添加液晶の安定性を害さないことで
ある。これらを完全に満足する物質は現在のとこ
ろ得られていないが、使用に耐えうるものは前述
の公開特許公報の中に数種類見られるだけであ
る。 このように優れた添加物質の開発が鋭意なされ
ているが、添加される液晶、基板の界面処理につ
いても同様に検討がされなければならない。 本発明の目的は、安定かつ低電圧でも充分な応
答性を有する液晶表示装置を提供することにあ
る。 本発明は上述の目的を達成するために、一般式
が、 で与えられる新規な化合物（式中、R3は炭素数
４又は５の直鎖アルキル基を示し、R4は炭素数
５又は７の直鎖アルキル基を一般式が で与えられるフエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶（式中、R1は炭素数３〜５の直鎖アル
キル基を示し、R2は炭素数１又は２のアルキル
基又は４の直鎖アルキル基）に添加した液晶組成
物を用いたものである。 以下実施例に基づき本発明の詳細な説明をす
る。 第１図に、対向する２枚の電極にクロム錯体等
の垂直配向処理を施したパネルに於ける、二色性
色素３と液晶分子４の配向状態を示す。電界が印
加されていない状態ａでは、液晶分子、二色性色
素共に基板に対し垂直に配向する。この状態は着
色の薄いOFF状態である。このパネルに電圧を
印加すると、液晶は負の誘電異方性を持つため、
第１図ｂに示すように基板に対し平行に配向す
る。この状態は着色したON状態である。 第２図に、このようなパネルに電圧を印加した
際の透過率Ｔと印加電圧Ｖとの関係を示す。透過
率は電圧の増加と共に減少している。透過率変化
のうち、10％まで変化した時の電圧をVth，90％
まで変化した時の電圧をVsatとすれば、ON時の
駆動電圧はVsatより大きいことが望ましい。 従来の誘電異方性が負の液晶はVsatが高く、フ
エニルシクロヘキシルカーボネート系液晶でも
7V（パネル間ギヤツプ8μ）程度である。 第１表に、本発明に基づく代表的液晶組成物の
組成を示す。
【表】
【表】
第１表の組成物の電圧―透過率特性は第２図に
実線で示したものである。破線のフエニルシクロ
ヘキシルカーボネート系液晶に比べ、Vth，Vsat
に著しい低下が見られる。 第２表に該液晶組成物に含有される液晶及び化
合物の融点Tn.p.，液晶相から等法性液体に転移
する転移温度Tcを示す。
実線で示したものである。破線のフエニルシクロ
ヘキシルカーボネート系液晶に比べ、Vth，Vsat
に著しい低下が見られる。 第２表に該液晶組成物に含有される液晶及び化
合物の融点Tn.p.，液晶相から等法性液体に転移
する転移温度Tcを示す。
【表】
【表】
第３図に
の添加濃度を変えた時のVth，Vsatの変化を示す。
被添加液晶は第３表にフエニルシクロヘキシルカ
ーボネート系液晶である。
被添加液晶は第３表にフエニルシクロヘキシルカ
ーボネート系液晶である。
【表】
アルキル基の炭素数を変えた場合も第３図に示
した。 の場合とほぼ同一の特性を得た。 また、10wt％添加時の誘電異方性から外挿し
た添加物単体の誘電異方性は、いずれの炭素数の
場合も△ε＝ε11−ε⊥−15程度であつた。 第４表に、第１表の組成物の20℃と０℃に於け
る応答速度を示す。印加電圧は第２図に於ける
Vsat，パネルのギヤツプはいずれも8μである。比
較に示したのは第３表のフエニルシクロヘキシル
カーボネート系液晶と低電圧駆動用のフエニルテ
ル系液晶である。本発明で用いた液晶組成物はフ
エニルシクロヘキシルカーボネート系、液晶の応
答性を凌ぐことはできないまでも十分実用可能な
値である。
した。 の場合とほぼ同一の特性を得た。 また、10wt％添加時の誘電異方性から外挿し
た添加物単体の誘電異方性は、いずれの炭素数の
場合も△ε＝ε11−ε⊥−15程度であつた。 第４表に、第１表の組成物の20℃と０℃に於け
る応答速度を示す。印加電圧は第２図に於ける
Vsat，パネルのギヤツプはいずれも8μである。比
較に示したのは第３表のフエニルシクロヘキシル
カーボネート系液晶と低電圧駆動用のフエニルテ
ル系液晶である。本発明で用いた液晶組成物はフ
エニルシクロヘキシルカーボネート系、液晶の応
答性を凌ぐことはできないまでも十分実用可能な
値である。
【表】
また、ピツチＰとパネルギヤツプｄ＜ｐとする
ように光学活性物質、コレステリツク液晶を添加
することによつて、コントラストの向上、Vth，
Vsatの低下が可能である。第１表の組成物に、光
学活性物質としてB.D.H.社製CB―15を添加した
場合のVth，Vsatの低下の様子を第４図に示す。
図中のパラメータはCB―15の添加重量％である。 本発明による液晶表示装置は、 一般式が、 と、一般式が で表される所定のアルキル基を有するを主成分と
する液晶組成物を用いることにより、 Vthをほぼ2V近くまでさげることが出来るとと
もに、従来例えばゲストホスト液晶表示装置にお
いては、高電圧をかけねば駆動するのが困難だと
されていたものが、大幅な改善を果たすことがで
き、したがつて低電圧駆動を可能とし、また通常
使用する上での応答速度も余り低下させることが
なく充分に使用できることにより、低電圧駆動の
要求される腕時計や電卓等の表示装置として有効
である。
ように光学活性物質、コレステリツク液晶を添加
することによつて、コントラストの向上、Vth，
Vsatの低下が可能である。第１表の組成物に、光
学活性物質としてB.D.H.社製CB―15を添加した
場合のVth，Vsatの低下の様子を第４図に示す。
図中のパラメータはCB―15の添加重量％である。 本発明による液晶表示装置は、 一般式が、 と、一般式が で表される所定のアルキル基を有するを主成分と
する液晶組成物を用いることにより、 Vthをほぼ2V近くまでさげることが出来るとと
もに、従来例えばゲストホスト液晶表示装置にお
いては、高電圧をかけねば駆動するのが困難だと
されていたものが、大幅な改善を果たすことがで
き、したがつて低電圧駆動を可能とし、また通常
使用する上での応答速度も余り低下させることが
なく充分に使用できることにより、低電圧駆動の
要求される腕時計や電卓等の表示装置として有効
である。
第１図はパネルとパネル内の液晶分子、二色性
色素の配向状態を示す図である。ａは無電界状
態、ｂは十分な電圧が印加された状態である。 １，２……垂直配向処理された透明電極付ガラ
ス基板、３……二色性色素分子、４……液晶分
子、５……入射光、６……透過光。 第２図は印加電圧と透過率との関係を示す図で
ある。実線は第１表、破線は第３表の組成物のも
のである。尚、温度は20℃である。 第３図は、フエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶に、 を添加した際のVth，Vsatの変化を示す図。縦軸
は電圧、横軸は添加重量％である。 第４図は、第１表の液晶組成物にCB―15を添
加していつた場合の印加電圧―透過率特性の変化
を示す図である。尚、矢印は電圧の掃引方向を表
している。
色素の配向状態を示す図である。ａは無電界状
態、ｂは十分な電圧が印加された状態である。 １，２……垂直配向処理された透明電極付ガラ
ス基板、３……二色性色素分子、４……液晶分
子、５……入射光、６……透過光。 第２図は印加電圧と透過率との関係を示す図で
ある。実線は第１表、破線は第３表の組成物のも
のである。尚、温度は20℃である。 第３図は、フエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶に、 を添加した際のVth，Vsatの変化を示す図。縦軸
は電圧、横軸は添加重量％である。 第４図は、第１表の液晶組成物にCB―15を添
加していつた場合の印加電圧―透過率特性の変化
を示す図である。尚、矢印は電圧の掃引方向を表
している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式が、 （但しR1は炭素数３〜５の直鎖アルキル基を
示し、R2は炭素数１又は２のアルキル基又は４
の直鎖アルキル基を示す。） で表わされる化合物と、 一般式が （但し、R3は炭素数４又は５の直鎖アルキル
基を示し、R4は炭素数５又は７の直鎖のアルキ
ル基を示す。） で表わされる化合物とからなる液晶組成物を用い
たことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP338981A JPS57117579A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP338981A JPS57117579A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57117579A JPS57117579A (en) | 1982-07-22 |
| JPS647116B2 true JPS647116B2 (ja) | 1989-02-07 |
Family
ID=11555999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP338981A Granted JPS57117579A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57117579A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817414A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Seiko Epson Corp | 液晶光学装置 |
| GB2114994B (en) * | 1982-02-18 | 1984-10-10 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal compositions |
| JPS62154431U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | ||
| US6697129B1 (en) * | 1996-02-14 | 2004-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Guest-host mode liquid crystal display device of lateral electric field driving type |
-
1981
- 1981-01-13 JP JP338981A patent/JPS57117579A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57117579A (en) | 1982-07-22 |
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